CN107093487B - 高密度光栅的制作方法 - Google Patents

高密度光栅的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107093487B
CN107093487B CN201710278740.5A CN201710278740A CN107093487B CN 107093487 B CN107093487 B CN 107093487B CN 201710278740 A CN201710278740 A CN 201710278740A CN 107093487 B CN107093487 B CN 107093487B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grating
density
low
gratings
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710278740.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107093487A (zh
Inventor
李文超
陈鸣闽
李志成
李凌
辜嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS
Original Assignee
Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS filed Critical Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS
Priority to CN201710278740.5A priority Critical patent/CN107093487B/zh
Publication of CN107093487A publication Critical patent/CN107093487A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107093487B publication Critical patent/CN107093487B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A30/00—Adapting or protecting infrastructure or their operation
    • Y02A30/60—Planning or developing urban green infrastructure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

本发明适用于光学元件领域，公开了高密度光栅的制作方法及高密度光栅，其中，高密度光栅的制作方法包括以下步骤：制作低密度光栅步骤，制作n块光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的低密度光栅，其中，n为大于或等于2的自然数，且n*a<A；叠压步骤，将n块低密度光栅叠压固定在一起制成光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/n的高密度光栅。本发明提供的高密度光栅的制作方法，先采用传统技术制作出光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的低密度光栅，然后再将n块低密度光栅叠压固定在一起制成光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/n的高密度光栅，实现了高密度光栅的制作，且其制作方法简单、易于实现，利于X射线相衬成像实验的开展。

Description

高密度光栅的制作方法
技术领域
本发明属于光学元件领域，尤其涉及高密度光栅的制作方法及高密度光栅。
背景技术
X射线相衬成像技术具有高分辨率、高穿透性等优点，可观察厚物质内部三维结构，在生物医学和纳米材料领域有广泛的应用。当前，利用X射线光栅进行X射线相衬成像的研究已成为研究热点。然而，X射线相衬成像需要高密度(纳米级的分辨能力、陡直剖面)、大尺寸(毫米级)的光栅，而传统技术中常用的光栅制作方法主要包括机械刻划方法和全息光刻方法两种，采用这两种制作方法可以制作出低密度的光栅，难以制作出满足X射线相衬成像要求的高密度、大尺寸光栅，且机械刻划方法需要复杂的精密机械控制系统，制作难度大、成本高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的至少一个不足之处，提供了高密度光栅的制作方法及高密度光栅，其解决了高密度光栅难以制作的技术问题。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：高密度光栅的制作方法，包括以下步骤：
制作低密度光栅步骤，制作n块光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的低密度光栅，其中，n为大于或等于2的自然数，且n*a<A；
叠压步骤，将n块所述低密度光栅叠压固定在一起制成光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的高密度光栅。
可选地，所述叠压步骤中，各所述低密度光栅以光栅条沿直线相互交替的方式叠压在一起；且/或，
各所述低密度光栅都采用机械刻划方法或者全息光刻方法制成。
可选地，所述叠压步骤中，各所述低密度光栅通过粘接方式叠压固定在一起。
可选地，在所述叠压步骤之后还设有固定清洗步骤，所述固定清洗步骤为：采用固定架固定各所述低密度光栅四周，在固定架上粘接覆盖压圈，洗去各所述低密度光栅中间的粘合层。
可选地，n等于2，所述叠压步骤中，2块所述低密度光栅的叠压位置关系为：其中一块所述低密度光栅的光栅条刚好处于另一块所述低密度光栅的光栅周期距离1/2位置处；或者，
n等于3，定义3块所述低密度光栅分别为第一块低密度光栅、第二块低密度光栅和第三块低密度光栅，所述叠压步骤中，3块所述低密度光栅的叠压位置关系为：第二块所述低密度光栅的光栅条刚好处于第一块所述低密度光栅的光栅周期距离1/3位置处，第三块所述低密度光栅的光栅条刚好处于第一块所述低密度光栅的光栅周期距离2/3位置处。
本发明提供的高密度光栅的制作方法，先采用传统技术制作出光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的低密度光栅，然后再将n块低密度光栅叠压固定在一起制成光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的高密度光栅，实现了高密度(纳米级的分辨能力、陡直剖面)、大尺寸(毫米级)的光栅的制作，且其制作方法简单、易于实现，利于X射线相衬成像实验的开展，利于推广应用。
进一步地，本发明还提供了高密度光栅，其包括n块叠压固定在一起的低密度光栅，每块所述低密度光栅的光栅条宽度都为a、光栅周期距离都为A，n为大于或等于2的自然数，且n*a<A；该高密度光栅的光栅条宽度为a、光栅周期距离为A。
可选地，各所述低密度光栅的光栅条沿直线相互交替设置；且/或，各所述低密度光栅都采用机械刻划方法或者全息光刻方法制成。
可选地，各所述低密度光栅通过粘接方式叠压固定在一起；且/或，该高密度光栅还包括用于固定各所述低密度光栅之周边边缘的固定架和覆盖于所述固定架表面上以用于压紧各所述低密度光栅的压圈。
可选地，n为2，该高密度光栅的光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/2；或者，
n为3，该高密度光栅的光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/3。
可选地，该高密度光栅包括2块粘合在一起的低密度光栅，且其中一块所述低密度光栅的光栅条刚好处于另一块所述低密度光栅之光栅周期距离1/2的位置处；或者，
该高密度光栅包括3块粘合在一起的低密度光栅，定义这3块所述低密度光栅分别为第一块低密度光栅、第二块低密度光栅和第三块低密度光栅，其中，所述第二块低密度光栅的光栅条刚好处于所述第一块低密度光栅的光栅周期距离1/3位置处，所述第三块低密度光栅的光栅条刚好处于所述第一块低密度光栅的光栅周期距离2/3位置处。
本发明提供的高密度光栅，密度高，精度高，结构简单，易于加工制作，加工成本低，具有较好的应用前景。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的高密度光栅的制作过程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
还需要说明的是，以下实施例中的左、右、上、下、顶、底等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
实施例一
如图1所示，本发明实施例一提供的高密度光栅2的制作方法，包括以下步骤：
制作低密度光栅1步骤，制作n块光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A的低密度光栅1，光栅周期距离A具体为任一块低密度光栅1上相邻两光栅条11的中心距离，其中，n为大于或等于2的自然数，且n*a<A；
叠压步骤，将n块低密度光栅1叠压固定在一起制成光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A的高密度光栅2。
高密度光栅2为具有纳米级分辨能力、陡直剖面的光栅，低密度光栅1为分辨能力小于高密度光栅2之分辨能力的光栅。
由于低密度光栅1制作技术已经很成熟、易于制作，所以，本发明实施例提供的高密度光栅2的制作方法，先制作出低密度光栅1，再通过低密度光栅1叠压制成满足要求的高密度光栅2，其制作方法简单、易于实现、易于推广应用。
优选地，叠压步骤中，各低密度光栅1以光栅条11沿直线相互交替的方式叠压在一起，任意两低密度光栅1的各光栅条11都是交错设置的，即任意一块低密度光栅1的两相邻光栅条11之间都夹着其它n-1块低密度光栅1的一个光栅条11。每块低密度光栅1上都具有多个凸出、间隔设置的光栅条11和多个分别位于各相邻两光栅条11之间的狭缝12，叠压步骤中，任意一低密度光栅1的光栅条11都是与其它低密度光栅1的狭缝12对准叠压在一起。
优选地，各低密度光栅1都采用机械刻划方法或者全息光刻方法制成。机械刻划方法是利用光栅刻划机刻划光栅的方法；全息光刻方法是利用激光的干涉条纹对光刻胶进行曝光，然后用刻蚀的方法将光刻胶图形转移到下面的基底上，或者通过微电镀的方法形成金属结构。采用机械刻划方法或者全息光刻方法制作低密度光栅1，制作难度低、易于实现。
优选地，叠压步骤中，各低密度光栅1通过粘接方式叠压固定在一起。在叠压任意两块低密度光栅1之前，可以先在至少一块低密度光栅1上涂设粘胶液，然后将该两块低密度光栅1以设定的位置关系叠压粘接在一起。此处，采用粘接方式将各低密度光栅1叠压固定在一起，其操作方式简单、易于实现。
优选地，在叠压步骤之后还设有固定清洗步骤，固定清洗步骤为：采用固定架(图未示)固定各低密度光栅1四周，在固定架上粘接覆盖压圈(图未示)，洗去各低密度光栅1中间的粘合层。固定架主要用于固定各低密度光栅1的周边，压圈用于保持各低密度光栅1的相对位置不变。此处，在叠压步骤中，各低密度光栅1通过粘接方式叠压固定在一起，其易于装配操作，且易于各低密度光栅1叠压过程中的对位叠压；在完成叠压步骤后，先采用固定架固定低密度光栅1的四周，再在固定架上覆盖压圈以保持各低密度光栅1的相对位置不变，这样可实现叠压后对各低密度光栅1的锁紧定位；最后洗去粘合层，利于提高最终形成的高密度光栅2的光学性能和精确度。
优选地，压圈与固定架之间采用氰基丙稀酸酯胶水粘接，其连接可靠，易于装配，装配成本低。
优选地，n等于2，叠压步骤中，2块低密度光栅1的叠压位置关系为：其中一块低密度光栅1的光栅条11刚好处于另一块低密度光栅1的光栅周期距离1/2位置处，即其中一块低密度光栅1的各光栅条11对准另一块低密度光栅1狭缝12的中间位置叠压在一起，这样可制得光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A/2的高密度光栅2，其密度高、精度高。
本实施例提供的高密度光栅2，包括n块叠压固定在一起的低密度光栅1，每块低密度光栅1的光栅条11宽度都为a、光栅周期距离都为A，n为大于或等于2的自然数，且n*a<A；该高密度光栅2的光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A。本实施例提供的高密度光栅2，密度高，精度高，结构简单，易于加工制作，加工成本低，具有较好的应用前景。
优选地，各低密度光栅1的光栅条11沿直线相互交替设置，任意两低密度光栅1的各光栅条11都是交错设置的，即任意一块低密度光栅1的两相邻光栅条11之间都夹着其它n-1块低密度光栅1的一个光栅条11。每块低密度光栅1上都具有多个凸出、间隔设置的光栅条11和多个分别位于相邻两光栅条11之间的狭缝12；叠压在一起的各低密度光栅1中，任意一低密度光栅1的光栅条11都叠压固定于与其它各低密度光栅1的狭缝12内。
优选地，各低密度光栅1都采用机械刻划方法或者全息光刻方法制成。采用机械刻划方法或者全息光刻方法制作低密度光栅1，制作难度低、易于实现。
优选地，各低密度光栅1通过粘接方式叠压固定在一起；且/或，该高密度光栅2还包括用于固定各低密度光栅1之周边边缘的固定架和覆盖于固定架表面上以用于压紧各低密度光栅1的压圈。
优选地，压圈通过粘接方式固定于固定架上，其连接可靠，易于装配，装配成本低。
优选地，压圈与固定架之间采用氰基丙稀酸酯胶水粘接，其粘接可靠，成本低。
优选地，n为2，该高密度光栅2的光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A/2。本实施例提供的高密度光栅2，是采用两块光栅条11宽度都为a、光栅周期距离都为A的低密度光栅1叠压在一起制成的光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A/2，实现了高密度、高精度光栅的制作，且其易于制作成型。
优选地，该高密度光栅2包括2块粘合在一起的低密度光栅1，且其中一块低密度光栅1的光栅条11刚好处于另一块低密度光栅1之光栅周期距离1/2的位置处，即其中一块低密度光栅1的各光栅条11刚好叠压于另一块低密度光栅1各狭缝12的中间位置处。
本实施例提供的高密度光栅2的制作方法及高密度光栅2，使用传统方法生产低密度光栅1，把这些低密度光栅1按照一定规律黏合在一起，生产出周期是原低密度光栅1周期1的高密度光栅2，有效提高了高密度光栅2的精度，降低了高密度光栅2的加工难度，利于X射线相衬成像实验的开展。
实施例二
本实施例提供的高密度光栅2的制作方法，与实施例一的主要区别在于：如图1所示，实施例一中，n等于2，叠压步骤中，2块低密度光栅1的叠压位置关系为：其中一块低密度光栅1的光栅条11刚好处于另一块低密度光栅1的光栅周期距离1/2位置处；而本实施例中，n等于3，定义3块低密度光栅分别为第一块低密度光栅、第二块低密度光栅和第三块低密度光栅，叠压步骤中，3块低密度光栅的叠压位置关系为：第二块低密度光栅的光栅条刚好处于第一块低密度光栅的光栅周期距离1/3位置处，第三块低密度光栅的光栅条刚好处于第一块低密度光栅的光栅周期距离2/3位置处，即：第二块低密度光栅的各光栅条刚好叠压于第一块低密度光栅各狭缝的1/3位置处，第三块低密度光栅的各光栅条刚好叠压于第一块低密度光栅各狭缝的2/3位置处。本实施例提供的高密度光栅的制作方法与实施例一提供的高密度光栅的制作方法为用于制作两种不同密度规格的高密度光栅，具体地，实施例一提供的高密度光栅的制作方法主要用于制作光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/2的高密度光栅；而本实施例提供的高密度光栅的制作方法主要用于制作光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/3的高密度光栅。虽然本实施例与实施例一是用于制作两种不同密度规格的高密度光栅，但是，二者的制作原理是一致的，都是先采用传统技术制作出低密度光栅，然后再通过低密度光栅叠压制成高密度光栅，因此，采用本实施例提供的高密度光栅的制作方法制作光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/3的高密度光栅，也具有制作方法简单、易于实现、易于推广应用的有益效果。
本实施例提供的高密度光栅，与实施例一的主要区别在于：如图1所示，实施例一中，n为2，高密度光栅2的光栅条11宽度为a、光栅周期距离为A/2，高密度光栅2包括2块粘合在一起的低密度光栅1，且其中一块低密度光栅1的光栅条11刚好处于另一块低密度光栅1之光栅周期距离1/2的位置处；而本实施例中，n为3，高密度光栅的光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/3，高密度光栅包括3块粘合在一起的低密度光栅，定义这3块低密度光栅分别为第一块低密度光栅、第二块低密度光栅和第三块低密度光栅，其中，第二块低密度光栅的光栅条刚好处于第一块低密度光栅的光栅周期距离1/3位置处，第三块低密度光栅的光栅条刚好处于第一块低密度光栅的光栅周期距离2/3位置处，即本实施例提供的高密度光栅与实施例一提供的高密度光栅为两种密度规格不同的高密度光栅。
除了上述不同之外，本实施例提供的高密度光栅的制作方法及高密度光栅的其它设置方式都可参照实施例一进行优化设计，在此不再详述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.高密度光栅的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
制作低密度光栅步骤，制作n块光栅条宽度为a、光栅周期距离为A的低密度光栅，其中，n为大于或等于2的自然数，且n*a<A；
叠压步骤，将n块所述低密度光栅叠压固定在一起制成光栅条宽度为a、光栅周期距离为A/n的高密度光栅；
n等于2，所述叠压步骤中，2块所述低密度光栅的叠压位置关系为：其中一块所述低密度光栅的光栅条刚好处于另一块所述低密度光栅的光栅周期距离1/2位置处；或者，
n等于3，定义3块所述低密度光栅分别为第一块低密度光栅、第二块低密度光栅和第三块低密度光栅，所述叠压步骤中，3块所述低密度光栅的叠压位置关系为：第二块所述低密度光栅的光栅条刚好处于第一块所述低密度光栅的光栅周期距离1/3位置处，第三块所述低密度光栅的光栅条刚好处于第一块所述低密度光栅的光栅周期距离2/3位置处。
2.如权利要求1所述的高密度光栅的制作方法，其特征在于：所述叠压步骤中，各所述低密度光栅以光栅条沿直线相互交替的方式叠压在一起；且/或，
各所述低密度光栅都采用机械刻划方法或者全息光刻方法制成。
3.如权利要求1或2所述的高密度光栅的制作方法，其特征在于：所述叠压步骤中，各所述低密度光栅通过粘接方式叠压固定在一起。
4.如权利要求3所述的高密度光栅的制作方法，其特征在于：在所述叠压步骤之后还设有固定清洗步骤，所述固定清洗步骤为：采用固定架固定各所述低密度光栅四周，在固定架上粘接覆盖压圈，洗去各所述低密度光栅中间的粘合层。
CN201710278740.5A 2017-04-25 2017-04-25 高密度光栅的制作方法 Active CN107093487B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710278740.5A CN107093487B (zh) 2017-04-25 2017-04-25 高密度光栅的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710278740.5A CN107093487B (zh) 2017-04-25 2017-04-25 高密度光栅的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107093487A CN107093487A (zh) 2017-08-25
CN107093487B true CN107093487B (zh) 2023-06-27

Family

ID=59638037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710278740.5A Active CN107093487B (zh) 2017-04-25 2017-04-25 高密度光栅的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107093487B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07151910A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Ricoh Co Ltd 回折格子露光方法
WO2007108723A1 (fr) * 2006-03-20 2007-09-27 Parmenov, Vladimir Vasilevith Dispositif fonctionnant par répartition en longueur d'onde dense (et variante) et central téléphonique automatique optique
CN101261331A (zh) * 2008-04-21 2008-09-10 南京大学 基于纳米压印技术的自支撑透射金属光栅及制备方法
JP2011075850A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Japan Atomic Energy Agency 多層膜ラミナー型回折格子及び分光器
CN102540298A (zh) * 2012-02-01 2012-07-04 中国科学技术大学 软x射线双频光栅及其制作方法
CN105139913A (zh) * 2015-09-08 2015-12-09 清华大学 一种光栅和辐射成像装置
CN105304130A (zh) * 2014-07-29 2016-02-03 华邦电子股份有限公司 快闪存储器装置以及执行同步操作的方法
CN206907499U (zh) * 2017-04-25 2018-01-19 中国科学院深圳先进技术研究院 高密度光栅

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07151910A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Ricoh Co Ltd 回折格子露光方法
WO2007108723A1 (fr) * 2006-03-20 2007-09-27 Parmenov, Vladimir Vasilevith Dispositif fonctionnant par répartition en longueur d'onde dense (et variante) et central téléphonique automatique optique
CN101261331A (zh) * 2008-04-21 2008-09-10 南京大学 基于纳米压印技术的自支撑透射金属光栅及制备方法
JP2011075850A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Japan Atomic Energy Agency 多層膜ラミナー型回折格子及び分光器
CN102540298A (zh) * 2012-02-01 2012-07-04 中国科学技术大学 软x射线双频光栅及其制作方法
CN105304130A (zh) * 2014-07-29 2016-02-03 华邦电子股份有限公司 快闪存储器装置以及执行同步操作的方法
CN105139913A (zh) * 2015-09-08 2015-12-09 清华大学 一种光栅和辐射成像装置
CN206907499U (zh) * 2017-04-25 2018-01-19 中国科学院深圳先进技术研究院 高密度光栅

Also Published As

Publication number Publication date
CN107093487A (zh) 2017-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104330915A (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
TWI510993B (zh) 觸摸屏感應模組及其製作方法和顯示器
JP6184985B2 (ja) 二層透明導電膜及びその製造方法
CN104620205B (zh) 触摸面板以及触摸面板的制造方法
CN105446570A (zh) 触控单元及其制备方法、触控基板
CN103885118A (zh) 二维无v型槽光纤阵列装置及其制作方法
WO2017145925A1 (ja) 表示パネルの製造方法
JP5934834B2 (ja) 導電性メッシュにおけるブリッジ構造を製造するための方法
CN107121715A (zh) 一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体及其制备方法
CN108828700A (zh) 一种基于微透镜阵列和微图形阵列的可沿某一方向移动的动态图形的制备方法
CN110515485B (zh) 一种采用小网版制备大尺寸触摸屏功能片的方法
CN107093487B (zh) 高密度光栅的制作方法
CN104503133A (zh) 液晶显示面板
TW201520837A (zh) 觸控面板及其製作方法
CN107102395A (zh) 一种亚波长光栅偏振器及制备方法
CN107340651B (zh) 框胶涂布方法
CN206907499U (zh) 高密度光栅
CN102096123B (zh) 一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法
TW201635512A (zh) 太陽電池用電流收集柵的製造方法及薄膜有機太陽電池
CN203275838U (zh) 一种光学膜及背光源
CN203366779U (zh) 导电膜
CN111667941A (zh) 一体化复合结构透明导电膜及其制备方法
CN210142513U (zh) 一种超薄复合透明导电膜
CN210379763U (zh) 一种可提高摆放数量的bar条结构
US9313896B2 (en) Double-layered transparent conductive film and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant