CN107085353A - 一种三维纳微图形的压印方法 - Google Patents
一种三维纳微图形的压印方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107085353A CN107085353A CN201710354498.5A CN201710354498A CN107085353A CN 107085353 A CN107085353 A CN 107085353A CN 201710354498 A CN201710354498 A CN 201710354498A CN 107085353 A CN107085353 A CN 107085353A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist
- spin coating
- micrographics
- wieners
- stamping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种三维纳微图形的压印方法，包括以下步骤：S1、制作基于光刻胶上的三维立体模板；S2、在基底上阶段式旋涂光刻胶，阶段式旋涂光刻胶依次包括一次旋涂光刻胶、抽真空和二次旋涂光刻胶；S3、将制作于光刻胶上的图形作为模板压印到基底的光刻胶上。本发明相较于现有技术，一次旋涂光刻胶浸润基底，抽真空将旋涂光刻胶中的气体排出，二次旋涂光刻胶使得光刻胶均匀涂在基底上，降低产品表面粗糙度，提高产品质量。
Description
技术领域
本发明属于纳米压印技术领域，具体涉及一种三维纳微图形的压印方法。
背景技术
纳米压印技术是上世纪九十年代中期美国Princenton大学Nanostructure Lab的Stephen Y.Chou教授针对传统的光刻工艺受到曝光波长的限制，已经达到制备微小结构的极限，无法进一步活得更小的尺寸，而提出了类似于高分子模压的一种技术，并且成功证明了通过这一技术可以在半导体硅片上获得尺寸小于10nm的结构单元。
现有技术中，纳米压印时光刻胶的旋涂工序普遍比较简单，容易造成产品表面粗糙，影响产品质量。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种三维纳微图形的压印方法。
为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：
本发明提供一种三维纳微图形的压印方法，包括以下步骤：
S1、制作基于光刻胶上的三维立体模板；
S2、在基底上阶段式旋涂光刻胶，阶段式旋涂光刻胶依次包括一次旋涂光刻胶、抽真空和二次旋涂光刻胶；
S3、将制作于光刻胶上的图形作为模板压印到基底的光刻胶上。
本发明相较于现有技术，一次旋涂光刻胶浸润基底，抽真空将旋涂光刻胶中的气体排出，二次旋涂光刻胶使得光刻胶均匀涂在基底上，降低产品表面粗糙度，提高产品质量，同时，直接将制作于光刻胶上的图形作为模板进行压印制作，工艺简单，节约成本，提高效率。
其中，上述的一次旋涂光刻胶的旋涂速度为每分钟2000-4000转，一次旋涂光刻胶的加热温度为150-250℃，一次旋涂光刻胶的加热保持时间为30-90分钟；
上述的二次旋涂光刻胶的旋涂速度为每分钟4000-6000转，二次旋涂光刻胶的加热温度为250-350℃，二次旋涂光刻胶的加热保持时间为90-120分钟。
在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：
作为优选的方案，上述的光刻胶为IP-L液体负光刻胶或SU-8负光刻胶。
采用上述优选的方案，光刻胶为IP-L液体负光刻胶或SU-8负光刻胶，大大降低工艺难度，提高加工速度和成品率。
作为优选的方案，上述的光刻胶材料包括2-60％多官能度丙烯酸酯预聚物、40-98％溶剂、以及占多官能度丙烯酸酯预聚物总量的0.5-5％的紫外光自由基引发剂。
上述的多官能度丙烯酸酯预聚物包括两个或两个以上的加成聚合的丙烯酸酯基团，多官能度丙烯酸酯预聚物在室温下呈现液体状态，其粘度为1000-10000厘泊。
上述的溶剂为非反应性的溶剂或反应性单体；非反应性的溶剂选自乙二醇单甲醚、氯苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮甲酸酯、乙酸乙酯、、二甲基甲酰胺中的一种或多种；反应性单体包括甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯中的一种或多种。
上述的紫外光自由基引发剂选自二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、安息香甲基醚中的一种或多种。
上述的光刻胶材料还包括增塑剂、固化加速剂、光敏剂、流平剂和脱模剂。
采用上述优选的方案，采用具有一定粘度和极性的光刻胶，使得光刻胶均匀旋涂于衬底表面，不会形成局部预聚物聚集的现象。
作为优选的方案，上述的三维立体模板为柔性高分子弹性体。
采用上述优选的方案，三维立体模板为柔性高分子弹性体，可以实现在无压或极小压力下进行压印，也避免破坏模板和基底。
具体实施方式
下面详细说明本发明的优选实施方式。
为了达到本发明的目的，在本发明的其中一种实施方式中提供一种三维纳微图形的压印方法，包括以下步骤：
S1、制作基于光刻胶上的三维立体模板；
S2、在基底上阶段式旋涂光刻胶，阶段式旋涂光刻胶依次包括一次旋涂光刻胶、抽真空和二次旋涂光刻胶；
S3、将制作于光刻胶上的图形作为模板压印到基底的光刻胶上。
本实施方式相较于现有技术，一次旋涂光刻胶浸润基底，抽真空将旋涂光刻胶中的气体排出，二次旋涂光刻胶使得光刻胶均匀涂在基底上，降低产品表面粗糙度，提高产品质量，同时，直接将制作于光刻胶上的图形作为模板进行压印制作，工艺简单，节约成本，提高效率。
其中，上述的一次旋涂光刻胶的旋涂速度为每分钟2000-4000转，本实施方式可选每分钟2000转、3000转或4000转，一次旋涂光刻胶的加热温度为150-250℃，本实施方式可选可选150℃、200℃或250℃，一次旋涂光刻胶的加热保持时间为30-90分钟，本实施方式可选30分钟、60分钟或90分钟；
上述的二次旋涂光刻胶的旋涂速度为每分钟4000-6000转，本实施方式可选每分钟4000转、5000转或6000转，二次旋涂光刻胶的加热温度为250-350℃，本实施方式可选250℃、300℃或350℃，二次旋涂光刻胶的加热保持时间为90-120分钟，本实施方式可选90分钟、100分钟或120分钟。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的光刻胶为IP-L液体负光刻胶或SU-8负光刻胶。
采用上述优选的方案，光刻胶为IP-L液体负光刻胶或SU-8负光刻胶，大大降低工艺难度，提高加工速度和成品率。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的光刻胶材料包括2％多官能度丙烯酸酯预聚物、98％溶剂、以及占多官能度丙烯酸酯预聚物总量的0.5％的紫外光自由基引发剂。
上述的多官能度丙烯酸酯预聚物包括两个或两个以上的加成聚合的丙烯酸酯基团，多官能度丙烯酸酯预聚物在室温下呈现液体状态，其粘度为1000-10000厘泊。
上述的溶剂为非反应性的溶剂或反应性单体；非反应性的溶剂选自乙二醇单甲醚、氯苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮甲酸酯、乙酸乙酯、、二甲基甲酰胺中的一种或多种；反应性单体包括甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯中的一种或多种。
上述的紫外光自由基引发剂选自二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、安息香甲基醚中的一种或多种。
上述的光刻胶材料还包括增塑剂、固化加速剂、光敏剂、流平剂和脱模剂。
采用上述优选的方案，采用具有一定粘度和极性的光刻胶，使得光刻胶均匀旋涂于衬底表面，不会形成局部聚集的现象。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的三维立体模板为柔性高分子弹性体。
采用上述优选的方案，三维立体模板为柔性高分子弹性体，可以实现在无压或极小压力下进行压印，也避免破坏模板和基底。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种三维纳微图形的压印方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制作基于光刻胶上的三维立体模板；
S2、在基底上阶段式旋涂光刻胶，阶段式旋涂光刻胶依次包括一次旋涂光刻胶、抽真空和二次旋涂光刻胶；
S3、将制作于光刻胶上的图形作为模板压印到基底的光刻胶上。
2.根据权利要求1所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，一次旋涂光刻胶的旋涂速度为每分钟2000-4000转，一次旋涂光刻胶的加热温度为150-250℃，一次旋涂光刻胶的加热保持时间为30-90分钟；
二次旋涂光刻胶的旋涂速度为每分钟4000-6000转，二次旋涂光刻胶的加热温度为250-350℃，二次旋涂光刻胶的加热保持时间为90-120分钟。
3.根据权利要求1所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，光刻胶为IP-L液体负光刻胶或SU-8负光刻胶。
4.根据权利要求1所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，光刻胶材料包括2-60％多官能度丙烯酸酯预聚物、40-98％溶剂、以及占多官能度丙烯酸酯预聚物总量的0.5-5％的紫外光自由基引发剂。
5.根据权利要求4所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，多官能度丙烯酸酯预聚物包括两个或两个以上的加成聚合的丙烯酸酯基团，多官能度丙烯酸酯预聚物在室温下呈现液体状态，其粘度为1000-10000厘泊。
6.根据权利要求4所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，溶剂为非反应性的溶剂或反应性单体；非反应性的溶剂选自乙二醇单甲醚、氯苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮甲酸酯、乙酸乙酯、、二甲基甲酰胺中的一种或多种；反应性单体包括甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯中的一种或多种。
7.根据权利要求4所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，紫外光自由基引发剂选自二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、安息香甲基醚中的一种或多种。
8.根据权利要求4所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，光刻胶材料还包括增塑剂、固化加速剂、光敏剂、流平剂和脱模剂。
9.根据权利要求1所述的三维纳微图形的压印方法，其特征在于，三维立体模板为柔性高分子弹性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710354498.5A CN107085353A (zh) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | 一种三维纳微图形的压印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710354498.5A CN107085353A (zh) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | 一种三维纳微图形的压印方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107085353A true CN107085353A (zh) | 2017-08-22 |
Family
ID=59607546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710354498.5A Pending CN107085353A (zh) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | 一种三维纳微图形的压印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107085353A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103837919A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-04 | 成都贝思达光电科技有限公司 | 一种基于双层胶纳米压印的光栅结构彩色滤光膜加工方法 |
| CN103984204A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-13 | 苏州锦元纳米科技有限公司 | 一种润滑薄膜的制备方法 |
-
2017
- 2017-05-18 CN CN201710354498.5A patent/CN107085353A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103837919A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-04 | 成都贝思达光电科技有限公司 | 一种基于双层胶纳米压印的光栅结构彩色滤光膜加工方法 |
| CN103984204A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-13 | 苏州锦元纳米科技有限公司 | 一种润滑薄膜的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3707397A (en) | Process for providing uniform organopolysiloxane coatings on polycarbonate and acrylic surfaces | |
| CN105073415B (zh) | 嵌入成型用装饰薄膜和装饰嵌入成型品 | |
| AU721046B2 (en) | Coating substrates | |
| CN105304164B (zh) | 一种易后处理的水基银纳米线墨水及其薄膜制备方法 | |
| CN108977047A (zh) | 一种基于eb固化的卷材涂料 | |
| US7976742B2 (en) | Manufacturing process for optical thin film with high hardness made by insert mold technology | |
| CN103045038A (zh) | 可模压镭射信息层的固化转移涂料及其制备方法 | |
| CN107226883A (zh) | 一种核壳结构水性硅丙乳液及其制备方法 | |
| CN110144140B (zh) | 适用于led光固化的混合光固化喷墨墨水组合物及混合机 | |
| CN103386394A (zh) | 一种新型uv高光板的加工方法 | |
| CN106868491A (zh) | 一种增强钢材表面粘涂性能的方法 | |
| CN107085353A (zh) | 一种三维纳微图形的压印方法 | |
| CN110721887A (zh) | 一种木制品uv底漆真空喷涂方法和uv底喷漆木制品 | |
| CN106965583A (zh) | 一种二次模压工艺 | |
| CN106497498A (zh) | 一种用于显示屏背光模组的双固化导光胶及其制备方法 | |
| CN107791632A (zh) | 一种tac基材的低反射率无彩虹纹硬化保护膜及其制备方法 | |
| CN103805040B (zh) | 一种紫外光固化马口铁用白可丁及其制备方法 | |
| CN106634543A (zh) | 一种uv辊涂附着力白底 | |
| CN115058187A (zh) | 自消光涂料、自消光表面涂层及其制备方法 | |
| CN105153777A (zh) | 一种无溶剂型紫外线uv光固化水珠漆及其制备、使用方法 | |
| CN101555298B (zh) | 非均相连续光聚合反应控制聚合物分子量的制备方法 | |
| CN102806182A (zh) | 紫外光淋涂白底涂装的施工工艺 | |
| CN106010211A (zh) | 一种可重涂的uv辐射固化涂料及其使用方法 | |
| CN114179493A (zh) | 一种制造可回收包装纸的平版印刷去塑工艺 | |
| CN106475286A (zh) | 一种强度渐变的电子束辐射涂料固化工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170822 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |