CN107076892B - 光栅、光栅的制造方法和光栅的再生方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光栅，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅，其可以包含光栅基板、形成在光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜以及通过ALD法形成在第1铝金属膜上的第1保护膜。

Description

光栅、光栅的制造方法和光栅的再生方法
技术领域
本发明涉及光栅、光栅的制造方法和光栅的再生方法。
背景技术
随着半导体集成电路的微细化、高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨力的提高。下文中将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此进行了由曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中，使用了气体激光装置来替换现有的汞灯。目前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。
作为目前的曝光技术，液浸曝光已经实用化。液浸曝光是通过将曝光装置侧的投影透镜与晶片间的间隙充满液体，改变该间隙的折射率，而使曝光用光源的表观波长短波长化。将ArF准分子激光装置用作曝光用光源进行液浸曝光的情况下，在水中对晶片照射波长134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸平版印刷。
KrF、ArF准分子激光装置自然振荡时的光谱线宽约为350pm～400pm，线宽较宽，因而通过曝光装置侧的投影透镜而被缩小投影在晶片上的激光(紫外光)产生色差，分辨力降低。因此，需要将由气体激光装置输出的激光的光谱线宽窄频带化至能够无视色差的程度。光谱线宽也被称为光谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄频带化元件的窄频带化模块(Line Narrow Module)，利用该窄频带化模块实现光谱宽度的窄频带化。需要说明的是，窄频带化元件可以为校准器、光栅等。将如此进行了光谱宽度的窄频带化的激光装置称为窄频带化激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第6511703号说明书
发明内容
在本发明的窄频带化激光装置中，1个观点涉及光栅，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅，该光栅可以包含光栅基板、形成在光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜以及通过ALD法形成在第1铝金属膜上的第1保护膜。
本发明的另一观点涉及光栅，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅，该光栅可以包含光栅基板、形成在光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜、形成在第1铝金属膜上的第1保护膜、形成在第1保护膜上的第2铝金属膜以及形成在第2铝金属膜上的第2保护膜。
本发明的另一观点涉及光栅的制造方法，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅的制造方法，该方法可以包括在光栅基板上形成表面具有槽状的第1铝金属膜以及在第1铝金属膜上通过ALD法形成第1保护膜。
本发明的另一观点涉及光栅的再生方法，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅的再生方法，该光栅包含光栅基板、形成在光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜以及形成在第1铝金属膜上的第1保护膜，该再生方法可以包括在第1保护膜上形成第2铝金属膜以及在第2铝金属膜上形成第2保护膜。
本发明的另一观点涉及光栅的再生方法，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅的再生方法，该光栅包含光栅基板、形成在光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜以及形成在第1铝金属膜上的第1保护膜，该再生方法可以包括对第1保护膜的至少一部分进行蚀刻、在第1铝金属膜上形成第2铝金属膜以及在第2铝金属膜上形成第2保护膜。
附图说明
下面仅以本发明的几个实施方式为例，参照附图进行说明。
图1A示意性示出第1实施方式的激光装置的构成。
图1B示意性示出第1实施方式的激光装置的构成。
图2是本发明的第1实施方式的光栅的一部分的截面图。
图3是本发明的第2实施方式的光栅的一部分的截面图。
图4是本发明的第3实施方式的光栅的一部分的截面图。
图5A是示出本发明的第4实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。
图5B是示出本发明的第4实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。
图6A是示出本发明的第5实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。
图6B是示出本发明的第5实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。
图6C是示出本发明的第5实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。
图7是本发明的第6实施方式的光栅的一部分的截面图。
图8是示出上述各实施方式中使用的ALD法成膜装置的示例的截面图。
具体实施方式
<内容>
1.概要
2.具有光栅的激光装置
2.1激光腔室
2.2窄频带化模块
2.3输出耦合镜
3.包含通过ALD法成膜出的保护膜的光栅(第1实施方式)
4.包含由ALD法形成在蒸镀膜上的保护膜的光栅(第2实施方式)
5.包含由ALD法形成的2个保护膜的光栅(第3实施方式)
6.光栅的再生(第4实施方式)
7.光栅的再生(第5实施方式)
8.不具有复制的槽形成部件的光栅(第6实施方式)
9.其他(ALD法成膜装置)
下面参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。以下所说明的实施方式示出了本发明的几个示例，并构成对本发明的内容的限定。另外，各实施方式中说明的所有构成和动作未必是作为本发明的构成和动作所必须的。需要说明的是，对于同一构成要件附以同一参考符号，省略重复说明。
1.概要
作为窄频带化激光装置中的窄频带化元件，其可以使用光栅。光栅可以是在表面具有槽状的铝金属膜上形成有MgF2等保护膜的光栅。但是，光栅在长期暴露于真空紫外区的脉冲激光中时，光栅的衍射效率有时会降低。例如，配置光栅的容器中的微量的氧可能透过保护膜而使铝金属膜的表面发生氧化。
根据本发明的一个观点，光栅可以在表面具有槽状的第1铝金属膜上具备通过ALD法形成的第1保护膜。
需要说明的是，在光栅的说明中，“上”可以意味着从光栅基板的一面侧向着与该一面相反的面侧的方向。例如，在记述为在光栅基板“上”形成槽形成部件的情况下，并不限于槽形成部件与光栅基板的上述相反的面直接相接的情况，也可以包含隔着其他层在光栅基板的上述相反的面侧形成槽形成部件的情况。
2.具有光栅的激光装置
图1A和图1B示意性示出第1实施方式的激光装置的构成。图1A中示出的激光装置可以包含激光腔室10、一对放电电极11a和11b、窄频带化模块14以及输出耦合镜15。激光装置可以为对入射到未图示的增幅器中的种子光进行激光振荡并输出的主振荡器。
在图1A中示出了从与一对放电电极11a和11b之间的放电方向大致平行的方向观察到的激光装置的内部构成。图1B中示出了从与一对放电电极11a和11b之间的放电方向大致垂直且与输出耦合镜15输出的激光的行进方向大致垂直的方向观察到的激光装置的内部构成。由输出耦合镜15输出的激光的行进方向可以为Z方向。一对放电电极11a和11b之间的放电方向可以为V方向或-V方向。与这两方垂直的方向可以为H方向。-V方向可以与重力方向大致一致。
2.1激光腔室
激光腔室10可以为封入作为激光介质的激光气体的腔室，该激光气体包括例如作为稀有气体的氩气、作为卤素气体的氟气、作为缓冲气体的氖气等。在激光腔室10的两端可以设置窗10a和10b。
一对放电电极11a和11b可以作为用于通过放电来激发激光介质的电极而配置在激光腔室10内。可以由未图示的脉冲功率模块对一对放电电极11a和11b施加脉冲状的高电压。
若在一对放电电极11a和11b之间施加高电压，则能够在一对放电电极11a和11b之间发生放电。激光腔室10内的激光介质被该放电能量所激发，能够转移到高能级。被激发的激光介质其后向低能级转移时，能够放出与其能级差相应的波长的光。
如图1A所示，窗10a和10b可以配置成光相对于这些窗的入射面与HZ平面大致一致，并且该光的入射角度大致为布儒斯特角。在激光腔室10内产生的光可以经由窗10a和10b射出到激光腔室10的外部。
2.2窄频带化模块
窄频带化模块14可以包含2个棱镜14a和14b、光栅14c以及支架16a～16c。棱镜14a可以由支架16a支承、棱镜14b可以由支架16b支承、光栅14c可以由支架16c支承。
棱镜14a和14b可以放大由激光腔室10的窗10a射出的光在H方向的波束宽度，使该光入射到光栅14c中。另外，棱镜14a和14b可以缩小来自光栅14c的反射光在H方向的波束宽度，同时使该光经由窗10a返回到激光腔室10的放电区域。
光栅14c可以为中阶梯光栅，槽的表面物质由高反射率的材料构成，在表面以规定间隔形成多个槽，各槽为例如直角三角形。该中阶梯光栅可以是通过复制经机械加工而形成有槽的标准光栅而制作的光栅。由棱镜14a和14b入射到光栅14c中的光被这些槽所反射，同时可以向与光的波长对应的方向衍射。光栅14c可以按照光由棱镜14a和14b入射到光栅14c的入射角与所期望波长的衍射光的衍射角一致的方式进行利特罗配置。由此，可以使所期望波长附近的光经由棱镜14a和14b返回到激光腔室10中。
2.3输出耦合镜
在输出耦合镜15的表面可以涂布有部分反射膜。从而，输出耦合镜15可以透过并输出由激光腔室10的窗10b输出的光中的一部分，对另外一部分进行反射并使其返回到激光腔室10内。
窄频带化模块14和输出耦合镜15可以构成光谐振器。由激光腔室10射出的光在窄频带化模块14与输出耦合镜15之间往复，在通过放电电极11a和11b之间的放电空间时能够被增幅并发生激光振荡。激光被窄频带化模块14折回时能够被窄频带化。此外，通过配置上述的窗10a和10b，能够选择H方向的偏振光成分。这样被增幅的激光能够由输出耦合镜15输出。该激光可以具有真空紫外区的波长。该激光的波长可以为193nm。
3.包含通过ALD法成膜出的保护膜的光栅(第1实施方式)
图2为本发明的第1实施方式的光栅的一部分的截面图。第1实施方式的光栅14c可以具备光栅基板21、槽形成部件22、第1铝金属膜23以及第1保护膜24。
光栅基板21可以由热膨胀率小的材料形成。
槽形成部件22可以由环氧树脂形成在光栅基板21上。对于槽形成部件22，例如可以通过由标准光栅复制光栅基板21上所形成的环氧树脂层而进行槽加工，由此形成槽形成部件22。
第1铝金属膜23可以通过蒸镀而形成在槽形成部件22上。
第1保护膜24可以通过ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)法形成在第1铝金属膜23上。第1保护膜24可以包含MgF2、SiO2和Al2O3中的至少1种。第1保护膜24的膜厚可以为能够抑制氧的透过的膜厚。例如，第1保护膜24的膜厚可以为1nm以上26nm以下。另外，第1保护膜24的膜厚可以为使得由光栅选择的波长成分的相移达到2π的膜厚。该膜厚根据第1保护膜24的折射率而不同，在由光栅选择的波长成分为193nm的情况下，例如第1保护膜24的膜厚可以约为23nm。
ALD法可以为下述成膜方法：在成膜容器内配置基板，使原料化合物的分子逐层地吸附在基板上，其后使其与其他气体反应，从而进行成膜。在ALD法中，通过反复进行分子一层层逐层的吸附和反应，可以成膜至所期望的膜厚。例如，通过在基板上吸附四乙氧基硅烷并使其与氧气发生反应，可以形成SiO2膜。另外，例如，通过在基板上吸附三甲基铝并使其与氧气发生反应，可以形成Al2O3膜。
通过ALD法成膜出的第1保护膜24能够具有下述特征。
(1)使第1铝金属膜23的表面的槽状、凹凸形状在第1保护膜24的表面也得以忠实地再现。
(2)膜厚大致均匀，能够抑制针孔的发生。
(3)能够由一层分子的尺寸量级调整成所期望的膜厚。
(4)能够形成无定形的膜。
(5)能够在低温下成膜。
(6)由于分子一层层逐层地成膜，因而能够得到致密的膜。
第1实施方式的光栅具备通过ALD法成膜出的第1保护膜24，第1保护膜24是致密的，因而能够抑制氧的透过。从而可抑制第1铝金属膜23的氧化、抑制光栅的衍射效率的降低，能够延长光栅寿命。
4.包含由ALD法在蒸镀膜上形成的保护膜的光栅(第2实施方式)
图3为本发明的第2实施方式的光栅的一部分的截面图。第2实施方式的光栅14d在第1铝金属膜23与第1保护膜24之间具备蒸镀膜25，这一点与第1实施方式可以不同。
蒸镀膜25可以包含MgF2。也可以已经制造在第1铝金属膜23上形成有蒸镀膜25的光栅。根据第2实施方式，通过在现有光栅上形成由ALD法成膜出的第1保护膜24，能够降低光栅的制造工序数。
关于其他方面，可以与第1实施方式同样。
5.包含由ALD法形成的2个保护膜的光栅(第3实施方式)
图4是本发明的第3实施方式的光栅的一部分的截面图。第3实施方式的光栅14e中，由ALD法成膜出的第1保护膜24包括保护膜24a和保护膜24b，这一点与第1实施方式可以不同。
第1保护膜24所含有的保护膜24a可以通过ALD法在第1铝金属膜23上进行成膜。第1保护膜24所含有的保护膜24b可以通过ALD法在保护膜24a上进行成膜。保护膜24a和保护膜24b可以为例如下述组合中的任一种。
(1)保护膜24a包含SiO2、保护膜24b包含Al2O3。
(2)保护膜24a包含MgF2、保护膜24b包含Al2O3。
(3)保护膜24a包含MgF2、保护膜24b包含SiO2。
保护膜24a和保护膜24b各自的膜厚可以为能够抑制氧的透过的膜厚。例如，保护膜24a和保护膜24b各自的膜厚可以为1nm以上26nm以下。另外，保护膜24a和保护膜24b各自的膜厚可以为使得由光栅选择的波长成分的相移达到2π的膜厚。该膜厚根据保护膜24a和保护膜24b的折射率而不同，在由光栅选择的波长成分为193nm的情况下，例如保护膜24a和保护膜24b各自的膜厚可以约为23nm。
根据第3实施方式，光栅具备通过ALD法成膜出的保护膜24a和保护膜24b，保护膜24a和保护膜24b是致密的，因而能够抑制氧的透过。从而可抑制第1铝金属膜23的氧化、抑制光栅的衍射效率的降低，能够延长光栅寿命。
保护膜24a和保护膜24b并不限于两者通过ALD法成膜的情况，任意一者也可以通过蒸镀进行成膜。
6.光栅的再生(第4实施方式)
图5A和图5B是示出本发明的第4实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。在第4实施方式中，例如，在参照图2说明的第1实施方式的光栅14c发生劣化、衍射效率降低的情况下，可以通过进行光栅的再生而恢复衍射效率。
图5A示出再生前的光栅14f。再生前的光栅14f可以与参照图2说明的光栅同样地具备光栅基板21、槽形成部件22、第1铝金属膜23和第1保护膜24。
图5B示出再生后的光栅14g。对于再生后的光栅14g，可以通过蒸镀在第1保护膜24上新形成有第2铝金属膜26、在第2铝金属膜26上进一步通过ALD法形成有第2保护膜27。在形成第2铝金属膜26之前可以具有对第1保护膜24的表面进行清洗的工序。
第2保护膜27可以包含MgF2、SiO2和Al2O3中的至少1种。第2保护膜27的膜厚可以为能够抑制氧的透过的膜厚。例如，第2保护膜27的膜厚可以为1nm以上26nm以下。另外，第2保护膜27的膜厚可以为使得由光栅选择的波长成分的相移达到2π的膜厚。该膜厚根据第2保护膜27的折射率而不同，在由光栅选择的波长成分为193nm的情况下，例如第2保护膜27的膜厚可以约为23nm。
根据第4实施方式，可在大致维持再生前的光栅14f的表面形状的情况下制作再生后的光栅14g，能够使衍射效率接近劣化前的光栅的衍射效率。由于能够再利用再生前的光栅14f来制作再生后的光栅14g，因而与重新制作光栅的情况相比，能够降低光栅的成本。
另外，根据第4实施方式，由于通过ALD法形成第2保护膜27、第2保护膜27是致密的，因而能够抑制氧的透过。从而可抑制第2铝金属膜26的氧化、抑制光栅的衍射效率的降低，能够延长再生后的光栅的寿命。
此处对于通过ALD法成膜出第2保护膜27的情况进行了说明，但本发明并不限于此。在第4实施方式中，第2保护膜27并不限于通过ALD法进行成膜，也可以通过蒸镀进行成膜。
另外，此处对于通过与参照图2说明的方法同样的ALD法成膜出第1保护膜24的情况进行了说明，但本发明并不限于此。在第4实施方式中，第1保护膜24并不限于通过ALD法进行成膜，也可以通过蒸镀进行成膜。
另外，此处对于进行一次光栅的再生的情况进行了说明，但本发明并不限于此。在包含第2铝金属膜26和第2保护膜27的再生后的光栅14g发生劣化的情况下，可以通过蒸镀新形成未图示的第3铝金属膜，在第3铝金属膜上进一步形成第3保护膜。在形成第3铝金属膜之前也可以追加对第2保护膜27进行清洗的工序。
另外，并不限于第1实施方式的光栅发生劣化的情况，在第2或第3实施方式的光栅发生劣化的情况下也同样地可以进行再生。
7.光栅的再生(第5实施方式)
图6A～图6C是示出本发明的第5实施方式的光栅的再生方法的工序截面图。第5实施方式的光栅的再生方法中，代替对第1保护膜24进行的清洗，进行对第1保护膜24的蚀刻，这一点与第4实施方式可以不同。
图6A示出再生前的光栅14h。再生前的光栅14h可以与参照图2进行说明的光栅同样地具备光栅基板21、槽形成部件22、第1铝金属膜23和第1保护膜24。
图6B示出由再生前的光栅14h蚀刻除去了第1保护膜24的状态。第1保护膜24可以通过例如湿蚀刻除去。此时，第1铝金属膜23能够发挥出作为蚀刻阻止层的功能。即，通过选择容易蚀刻第1保护膜24且不容易蚀刻第1铝金属膜23的蚀刻液作为蚀刻液，能够使蚀刻在第1保护膜24与第1铝金属膜23的边界面处终止。
图6C示出再生后的光栅14i。对于再生后的光栅14i，可以在第1铝金属膜23上通过蒸镀新形成有第2铝金属膜26、在第2铝金属膜26上进一步通过ALD法形成有第2保护膜27。
根据第5实施方式，可在大致维持再生前的光栅14h的表面形状的情况下制作再生后的光栅14i，能够使衍射效率接近劣化前的光栅的衍射效率。由于能够再利用再生前的光栅14h来制作再生后的光栅14i，因而与重新制作光栅的情况相比，能够降低光栅的成本。
另外，根据第5实施方式，由于通过ALD法形成第2保护膜27，第2保护膜27是致密的，因而能够抑制氧的透过。从而可抑制第2铝金属膜26的氧化、抑制光栅的衍射效率的降低，能够延长再生后的光栅的寿命。
另外，作为再生前的光栅14h的衍射效率降低的原因，也考虑到是由于在第1保护膜24的表面附着了污垢。通过蚀刻第1保护膜24，能够连这样的污垢也除去，恢复衍射效率。
此处对于通过ALD法成膜出第2保护膜27的情况进行了说明，但本发明并不限于此。在第5实施方式中，第2保护膜27并不限于通过ALD法进行成膜，也可以通过蒸镀进行成膜。
另外，此处对于通过与参照图2说明的方法同样的ALD法成膜出第1保护膜24的情况进行了说明，但本发明并不限于此。在第5实施方式中，第1保护膜24并不限于通过ALD法进行成膜，也可以通过蒸镀进行成膜。
另外，此处对于进行一次光栅的再生的情况进行了说明，但本发明并不限于此。在包含第2铝金属膜26和第2保护膜27的再生后的光栅14g发生劣化的情况下，可以除去第2保护膜27，通过蒸镀形成未图示的第3铝金属膜，进一步形成第3保护膜。
关于其他方面，可以与第4实施方式相同。
8.不具有复制的槽形成部件的光栅(第6实施方式)
图7是本发明的第6实施方式的光栅的一部分的截面图。第6实施方式的光栅14j不具有由树脂形成的槽形成部件，这一点与第1～第5实施方式可以不同。
如图7所示，第6实施方式的光栅14j可以在表面平坦的光栅基板21上具有表面被加工为槽状的第1铝金属膜23a。该铝金属膜23a的槽加工可以通过半导体制造的平版印刷工艺来进行。在第1铝金属膜23a上可以具有通过ALD法成膜出的第1保护膜24。
本发明并不限于此，例如也可以在表面被加工为槽状的光栅基板上具有第1铝金属膜。
另外，槽状并不限于像第1～第5实施方式中所说明的那样截面为直角三角形的情况，也可以像图7所示那样为正弦曲线状。
由于第6实施方式的光栅14j不具有由树脂形成的槽形成部件，因而也可以不将由ALD法形成第1保护膜24时的处理温度抑制地较低。从而，能够形成更致密的保护膜24。
9.其他(ALD法成膜装置)
图8是示出上述各实施方式中使用的ALD法成膜装置的示例的截面图。ALD法成膜装置30可以包含成膜容器31、加热板32、原料气体供给口33、原料气体排气口34、氧化剂供给口35以及剩余氧化剂和反应生成物的排气口37。
成膜容器31可以收纳加热板32。加热板32在成膜容器31内固定光栅基板21，可以对光栅基板21进行加热。
原料气体供给口33和原料气体排气口34可以与成膜容器31连接。原料气体供给口33可以将基于ALD法的原料化合物的气体供给到成膜容器31的内部从而使上述气体被光栅的表面吸附。原料气体排气口34可以将未吸附到光栅的表面的原料化合物的气体排出。如上所述，原料化合物可以为例如四乙氧基硅烷，也可以为三甲基铝。
氧化剂供给口35可以经由歧管36与成膜容器31连接。氧化剂供给口35可以经由歧管36将例如氧气供给到成膜容器31的内部。
剩余氧化剂和反应生成物的排气口37可以排出未与光栅表面的原料化合物发生反应的氧气和反应生成物这两者。
通过上述构成，首先，可以在成膜容器31的内部配置光栅基板21，通过加热板32将光栅基板21加热到规定的处理温度。
(A)接着，可以通过原料气体供给口33将基于ALD法的原料化合物的气体供给到成膜容器31的内部。由此，可以使原料化合物被光栅基板21吸附。
(B)接着，可以通过原料气体排气口34将未被光栅表面吸附的原料化合物的气体排出到成膜容器31外。
(C)接着，可以通过氧化剂供给口35经由歧管36将氧气供给到成膜容器31的内部。由此，可以使被光栅基板21吸附的原料化合物与供给到成膜容器31的内部的氧气发生反应。
(D)接着，可以通过排气口37将剩余氧化剂和反应生成物排出到成膜容器31外。
(E)通过将上述(A)～(D)作为1个循环来反复进行，可在每1循环中形成一层保护膜，能够成膜至所期望的膜厚。
在像第1～第5实施方式中所说明的那样光栅具有由树脂形成的槽形成部件的情况下，优选将ALD法的处理温度抑制地较低。这种情况下，为了促进ALD法的反应，可以在成膜容器31的内部生成等离子体。可以在光栅基板21与歧管36之间配置用于生成等离子体的未图示的天线。
上述的说明并非为限制性的，而仅旨在进行例示。因此，能够在不脱离所附权利要求书的范围内对本发明的实施方式加以变更，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。
本说明书和所附权利要求书全文中所使用的术语应该解释为“非限定性的”术语。例如，“含有”或“所含”这样的术语应该解释为“并不限于所记载的所含的事物”。“具有”这一术语应该解释为“并不限于所记载的具有的事物”。另外，本说明书和所附权利要求书中记载的修饰句“1个”应该解释为意指“至少1个”或“1个或其以上”。

Claims (1)

1.一种光栅的再生方法，其为用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅的再生方法，该光栅包含光栅基板、形成在所述光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜以及形成在所述第1铝金属膜上的第1保护膜，该再生方法中，
对所述第1保护膜的至少一部分进行蚀刻，
在所述第1铝金属膜上形成第2铝金属膜，以及
在所述第2铝金属膜上形成第2保护膜。
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