CN107070205A - 一种新电荷泵电路 - Google Patents

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Abstract

本发明实施公开一种电荷泵电路，由三级交叉耦合电荷泵组成，每级包括六个开关管（4个NMOS管，2个PMOS管）、四个电容、四个时钟信号和8个电阻。两个时钟信号控制开关管的通断和另外两个时钟信号实现电压传递。第一段为输出端，第二端为输出端。本发明降低了电荷的反向电荷传输，减小阈值电压损失，同时一种新的体端偏置方法减小衬底效应，提高输出电压，提升电荷泵电路整体效率。

Description

一种新电荷泵电路
技术领域
本发明涉及电压转化技术领域，尤其涉及一种电荷泵电路。
背景技术
电荷泵也称为开关电容式电压变换器，是一种直流-直流变化器。1976年，J. F.Dickson首次提出二极管连接形式的NMOS管代替二极管，成功实现了可以芯片集成的Dickson电荷泵。但是由于NMOS管阈值电压和体效应的影响，使得在低输入电压下，升压效率低。J.T WU 和K.L Chang提出一种动态开关管（CTS）来代替二极管连接的NMOS管，使得NMOS完全开启来消除阈值电压。但是在多级电荷泵电路中，最后的输出级仍然存在着二极管接法的MOS管，这也会导致一定的阈值损耗问题，同时依然存在衬底效应。四相时钟升压电路，通过时钟信号使级间电荷传输更加彻底，通过引入额外的自举电路，电荷传输开关的栅端电压可以被抬高至漏端电压以上，消除阈值电压消耗。电荷泵利用其内部的场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）开关阵列以一定的方式控制电容上电荷的传输，从而使输入电压以一定的方式升高，以达到所欲要的输出电压。
电荷泵电路作为电子器件闪存中的重要组成部分，随着电子器件趋于小型化，高度精密化，电荷泵电路很大程度上决定了闪存的初始编程、擦除和读写速度。闪存中这些过程往往需要高的电压完成，这使得电荷泵电路在闪存中地位越来越重要。各种高性能电荷泵的研究逐渐成为当前研究的热点之一。同时电荷泵电路在能量收集领域也逐渐成为研究的热点之一。便于集成化，小型化，成为其在特殊环境下的优势点。
参见图1（a），该图为现有技术中的一种COMS电荷泵的电路拓扑图。1976年J。Dickson提出了用二极管连接的MOS管代替传统的二极管。其基本思想是利用一系列串联的二极管连接的NMOS管，限制电荷的单向流动，并通过电容对电荷的积累效应产生高压。但该电荷泵在一个时钟周期中只有半个周期进行电荷传输，单级输出电压较低，升压速度慢，同时在低电压转化过程中由于阈值电压和体效应的存在 ，导致升压效率低，无法满足现有技术需求。
随着集成电路技术的不断发展，交叉耦合式电荷泵结构的出现，弥补了阈值电压的消耗和只有半个周期进行电荷传输的缺点。参见图1（b），该图为现有技术中一种交叉耦合式电荷泵的电路拓扑图。现有的交叉耦合电荷泵有两个NMOS管和两个PMOS管构成，两个电容，两个交叉互补时钟信号。
因此，本领域技术人员需要提供一种电荷泵电路，能够消除反向电荷和阈值电压，同时减小衬底偏置效应，减小电压损失，提高输出电压，提升电荷泵效率。
发明内容
为了解决现有技术问题，本发明提供一种电荷泵电路，能够消除反向电荷和阈值电压，减小衬底偏置效益，降低制作工艺要求，提高输出电压，提升电荷泵电路的整体效率。
本发明实施提供的电荷泵电路，包括至少一个电荷泵电路。所述第二电荷泵模块，包括六个开关管（4个NMOS管、2个PMOS管）、四个电容、四个时钟信号和八个电阻：第一N开关管、第二N开关管、第三N开关管、第四N开关管、第一P开关管、第二P开关管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一时钟信号、第二时钟信号、第三时钟信号、第四时钟信号。
所述第一N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第一N开关管第二端连接所述第一P开关管的第一端及经所述第三电容连接所述第三时钟信号，所述第一N开关管的控制端连接所述第二N开关管的控制端和经所述第二电容连接所述第二时钟信号。
所述第二N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第二N开关管第二端连接经所述第一电容连接所述第一时钟信号和所述第一电阻的第一端及所述第一N、第二N开关管的控制端，所述第二N开关管的控制端连接所述第一N开关管的控制端和经所述第二电容连接所述第二时钟信号。
所述第三N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第三N开关管第二端连接经所述第二电容连接所述第二时钟信号和所述第二电阻的第一端及所述第三N、第四N开关管的控制端，所述第三N开关管的控制端连接所述第四N开关管的控制端和经所述第一电容连接连接所述第一时钟信号。
所述第四N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第四N开关管第二端连接所述第二P开关管的第一端及经所述第四电容连接所述第四时钟信号，所述第四N开关管的控制端连接所述第三N开关管的控制端和经所述第一电容连接所述第一时钟信号。
所述第一P开关管的第二端连接所述第二电荷泵的第二端，所述第一P开关管控制端连接所述第一电阻的第二端。
所述第二P开关管的第二端连接所述第二电荷泵的第二端，所述第一P开关管控制端连接所述第二电阻的第二端。
所述第一电容的第一端连接所述第二N开关管的第二端和所述第三N、第四N开关管的控制端及所述第二电阻的第二端，所述第一电容的第二端连接所述第一时钟信号。
所述第二电容的第一端连接所述第三N开关管的第二端和所述第一N、第二N开关管的控制端及所述第一电阻的第二端，所述第二电容的第二端连接所述第二时钟信号。
所述第三电容的第一端连接所述第一N开关管的第二端和第一P开关管的第一端，所述第三电容的第二端连接所述第三时钟信号。
所述第四电容的第一端连接所述第四N开关管的第二端和第二P开关管的第一端，所述第四电容的第二端连接所述第四时钟信号。
所述第三、第四、第五、第六、第七、第八电阻的第一端连接开关管的体端，所述第三、第五、第七、第八电阻的第二端连接电荷泵的前级输入电压，所述第四、第六电阻的第二端连接后级输出电压。
所述第一N、第二N、第三N、第四N开关管为NMOS开关管，第一P、第二P开关管为PMOS开关管。
所述时钟信号的最大电压大于所述开关管阈值电压的绝对值。
所述时钟信号，同一周期内，所述第二时钟信号的上跳沿早于第一时钟信号的上跳沿早于所述第四时钟信号的下跳沿与第三时钟信号的下跳沿时间相等。
所述时钟信号，同一周期内，所述第三时钟信号的下跳沿早于第一时钟信号的上跳沿早于所述第四时钟信号的下跳沿与第二时钟信号的下跳沿时间相等。
所述时钟电路模块用于升压，所述第一端为输入端，第二端为输出端。
所述时钟信号的幅值为0V-1.5V。
所述时钟频率小于100K。
所述时钟信号的周期为50us。
所述第二电荷泵模块的内部结构与所述第一电荷泵模块结构基本相同，所述第一电荷泵的所有NMOS管体端直接连接输入端。
所述第二电荷泵模块的控制方法与所述第一电荷泵模块的控制方法相同。
所述第二电荷泵模块的第一端连接所述第一电荷泵模块的第二端。
所述第三电荷泵模块的内部结构与所述第一电荷泵模块结构基本相同，所述第三电荷泵的所有PMOS管体端直接连接输出端。
所述第三电荷泵模块的控制方法与所述第一电荷泵模块的控制方法相同。
所述第三电荷泵模块的第一端连接所述第一电荷泵模块的第二端。
与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：
本发明实施提供的电荷泵电路，通过四相不交叠始终能够控制四个NMOS管和两个PMOS管的导通与断开。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例。
图1（a）为现有技术中的一种CMOS电荷泵的电路拓扑图。
图1（b）为现有技术中一种交叉耦合式电荷泵的电路拓扑图。
图2为本发明提供的电荷泵电路的实施例一的结构图（第二电荷泵）。
图3为本发明提供的电荷泵电路的控制时钟信号的示意图。
图4为本发明提供的电荷泵电路的实施例二的结构图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的，特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
实施例一：
本实施例提供的电荷泵电路，包括至少电一个电荷泵电路模块。第二电荷泵模块。所述第二电荷泵模块，包括至少六个开关管、四个电容和四个时钟信号、八个电阻：第一N开关管Mn1、第二N开关管Mn2、第三N开关管Mn3、第一N开关管Mn4、第一P开关管Mp1、第一P开关管Mp2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一时钟信号CK1、第二时钟信号CK2、第三时钟信号CK3、第四时钟信号CK4。
所述第一N开关管Mn1的第一端连接所述第一电荷泵模块的第一端，所述第一N开关管Mn1第二端连接所述第一P开关管Mp1的第一端及经所述第三电容连接所述第三时钟信号，所述第一N开关管Mn1的控制端连接所述第二N开关管Mn2的控制端和经所述第二电容C2连接所述第二时钟信号CK2。
所述第二N开关管Mn2的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第二N开关管Mn2第二端连接经所述第一电容C1连接所述第一时钟信号CK1和所述第一电阻R1的第一端及所述第一N、第二N开关管Mn1、Mn2的控制端，所述第二N开关管Mn2的控制端连接所述第一N开关管Mn1的控制端和经所述第二电容C2连接所述第二时钟信号CK2。
所述第三N开关管Mn3的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第三N开关管Mn3第二端连接经所述第二电容C2连接所述第二时钟信号CK2和所述第二电阻R2的第一端及所述第三N、第四N开关管Mn3、Mn4的控制端，所述第三N开关管Mn3的控制端连接所述第四N开关管Mn4的控制端和经所述第一电容C1连接所述第一时钟信号CK1。
所述第四N开关管Mn4的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第四N开关管第二端Mn4连接所述第二P开关管Mp2的第一端及经所述第四电容C4连接所述第四时钟信号CK4，所述第四N开关管Mn4的控制端连接所述第三N开关管Mn3的控制端和经所述第一电容C1连接所述第一时钟信号CK1。
所述第一P开关管Mp1的第二端连接所述第二电荷泵C1的第二端，所述第一P开关管Mp1控制端连接所述第一电阻R1的第二端。
所述第二P开关管Mp2的第二端连接所述第二电荷泵的第二端，所述第一P开关管Mp1控制端连接所述第二电阻R2的第二端。
所述第一电容C1的第一端连接所述第二N开关管Mn2的第二端和所述第三N、第四N开关管Mn3、Mn4的控制端及所述第二电阻R2的第二端，所述第一电容C1的第二端连接所述第一时钟信号CK1。
所述第二电容C2的第一端连接所述第三N开关管Mn3的第二端和所述第一N、第二N开关管Mn1、Mn2的控制端及所述第一电阻R1的第二端，所述第二电容C2的第二端连接所述第二时钟信号CK2。
所述第三电容C3的第一端连接所述第一N开关管Mn1的第二端和第一P开关管Mp1的第一端，所述第三电容C3的第二端连接所述第三时钟信号CLK3。
所述第四电容C4的第一端连接所述第四N开关管MN4的第二端和第二P开关管Mp2的第一端，所述第四电容C4的第二端连接所述第四时钟信号CLK4。
所述第三、第四、第五、第六、第七、第八电阻R3、R4、R5、R6、R7、R8的第一端连接开关管的体端，所述第三、第五、第七、第八电阻R3、R5、R7、R8的第二端连接电荷泵的前级输入电压，所述第四、第六电阻R4、R6的第二端连接后级输出电压。
所述第一N、第二N、第三N、第四N开关管Mn1、Mn2、Mn3、Mn4为NMOS开关管，第一P、第二P开关管Mp1、Mp2为PMOS开关管，可以理解的是NMOS管电压高的一段为漏端，另一端为源端，控制端为栅端。PMOS管电压高的一段为源端，另一端为源端，控制端为栅端。
参见图3，该图为本发明提供的电荷泵电路的控制时钟信号的示意图。
为使本实验例中的电荷泵完成升压功能，其控制时钟信号，所述第一时钟信号CK1、所述第二时钟信号CK2、所述第三时钟信号CK3、所述第四时钟信号CK4需满足下列条件。
所述时钟信号的最大电压大于所述开关管阈值电压的绝对值。
需要说明的是，开关管的阈值电压一般为0-0.7V。
同一周期内，所述第二时钟信号CK2的上跳沿早于第一时钟信号CK1的上跳沿早于所述第四时钟信号CK4的下跳沿与第三时钟信号CK3的下跳沿时间相等。
同一周期内，所述第三时钟信号CK3的下跳沿早于第一时钟信号CK1的上跳沿早于所述第四时钟信号CK4的下跳沿与第二时钟信号CK2的下跳沿时间相等。
第一时钟信号CK1、第二时钟信号CK2、第三时钟信号CK3、第四时钟信号CK4为四相不交叠时钟信号，可以理解的是四相时钟信号的幅值可以相同也可以不同：其周期可以相同也可以不同。
需要说明的是，当电荷泵用于升压时，所述第二电荷泵的第一端为所述电荷泵的输入端，所述第二电荷泵的第二端为所述电荷泵的输出端。
下面将结合图1和图3，以时钟信号状态位于T之间为初始状态，详细介绍本实施例提供的电荷泵电路升压的具体工作过程。
升压过程，第二电荷泵的第一端为输入端，所述第二电荷泵的第二端输出端，输入电压大于零。
第一阶段第二时钟信号CK2，第四时钟信号CK4为高电平，第一时钟信号CK1，第三时钟信号CK3为低电平。此时第一N开关管Mn1，第二N开关管Mn2的控制单为高电平，第一端电压高于第二端电压，第一N开关管Mn1和第二N开关管Mn2导通。第三N，第四N开关管关段。第一P开关管Mp1的控制端为高电平，第一P开关管Mp1关段。第二P开关管Mp2控制端为低电平，第二P开关管Mp2导通。节点M的电压VM=VIN，节点P点电压VP=VCK4。
第二阶段第一时钟信号CK1，第二时钟信号CK2为低电平，第三时钟信号CK1，第四时钟信号CK4为高电平。此时第一N开关管Mn1，第二N开关管Mn2，第三N，第四N开关管关段Mn3，Mn4的控制端为低电平。第一N，第二N，第三N，第四N开关管Mn1，Mn2，Mn3，Mn4关段。第一P开关管Mp1，第二P开关管Mp2的控制端为低电平，第一P开关管Mp1，第二P开关管Mp2导通。节点M的电压VM=VIN+ VCK3，节点P点电压VP=VCK4。
第三阶段第一时钟信号CK1，第三时钟信号CK3为高电平，第二时钟信号CK2，第四时钟信号CK4为高电平。此时第三N开关管Mn1，第四N开关管Mn2的控制单为高电平，第一端电压高于第二端电压，第三N开关管Mn3和第四N开关管Mn4导通。第一N，第二N开关管关段。第二P开关管Mp2的控制端为高电平，第二P开关管Mp2关段。第一P开关管Mp1控制端为低电平，第一P开关管Mp1导通。节点M的电压VM= VCK3，节点P点电压VP= VIN。
最好第二时钟信号CK2，第四时钟信号CK4变为高电平，时钟信号状态的状态与第一阶段相同，因此具体升压过程与上述各阶段相同，在此不再赘述。
为了达到理想升压效果和速率，时钟信号的频率小于100MHz。例如，时钟信号的周期为50纳秒。可以理解的是，时钟信号的周期不仅可以为50纳秒，其周期还可以为其他能达到所需控制结果的时长，在此不一一列举。
需要说明的是，在标准的集成电路工艺中，随着级数的增加，使得MOS管作为开关管，存在严重的衬底偏置效应，PMOS管存在衬底PN的反向偏置问题，本发明采用新的偏置方法，很好的克服了MOS管作为开关管时的衬底偏置效应，显著减小了电压传输过程中由于开关引起的电压损失。
本实施提供的电荷泵电路，通过四相时钟不交叠时钟控制六个MOS管的导通与断开。一个时钟周期中，第一阶段，第一N，第二N开关管导通，通过给第一P开关控制端足够搞得电压，防止反向电荷的产生。第二阶段第一P，第二P开关管导通，最后一个阶段第三N，第四N开关管导通，通过增加栅端的控制电压，防止反向电荷的产生。同时PMOS管栅端串联一个小电阻，降低栅端的电压，使得PMOS管迅速关段。本实施例提供的电荷泵电路在全部时钟周期中都有电荷的传输，弥补原有的CMOS电荷泵模型在一个时钟周期中只有一个周期进行电荷传输的缺点。
实施例二：
参见图4，该图为本发明提供的电荷泵电路的实施例二的结构图。相较于图2，本实施例提供了一种三个电荷泵模块组成，并可以将多个与第二电荷泵模块相同的电荷泵串联，逐渐升压，以得到所需高压。本发明实施例二采用三级电荷泵，可以理解的是，所需电荷泵模块可以根据实际需求选取。同时本实施例增加了克服衬底效应的偏置电路。
衬底偏置电路，包括十二个电阻，除了第一级的NMOS管体端连接输入端，其余所有NMOS管的体端串联电阻连接上一级输入端。除了最后一级PMOS管的体端连接输出端，其余所有的PMOS管的体端串联电阻连接下一级的输出。
本实施例提供的电荷泵电路，通过衬底偏置电路使NMOS开关管的衬底电压连接至低电压节点。PMOS管的衬底电压始终连接在高电压节点，减小了开关管的衬底效应造成的阈值电压升高。提高了电荷泵的电压增益。
由于一个电荷泵模块的电压增值与时钟信号的幅值有关。
当N个电荷泵模块串联时，最终的输出电压为Vout=VIN+N*VCLK。
本实施例提供的电荷泵电路，还包括：第一电荷泵模块。
所述第一电荷泵模块的内部结构与所述第二电荷泵模块的内部结构大致相同，仅所述第一电荷泵的所有NMOS管体端直接连接输入端。
所述第一电荷泵模块的控制方法与所述第二电荷泵模块的控制方法相同。
所述第一电荷泵模块的第二端连接所述第二电荷泵模块的第一端。
本实施例提供的电荷泵电路，还包括：第三电荷泵模块。
所述第三电荷泵模块的内部结构与所述第二电荷泵模块的内部结构大致相同，仅所述第三电荷泵的所有PMOS管体端直接连接输出端。
所述第三电荷泵模块的控制方法与所述第二电荷泵模块的控制方法相同。
所述第三电荷泵模块的第一端连接所述第二电荷泵模块的第二端。
根据所述高压的不同，可将多个电荷泵模块串联，前一电荷泵模块的第二端连接后一电荷泵的第一端。升压时，第一个电荷泵的第一端为输入端，最后一个电荷泵的第二端为输出端。
级联电荷泵中只需将多个相同的第二电荷泵模块级联，增大输出电压的幅值。
可以理解的是，本实施例提供的电荷泵电路不仅仅可以应用于集成电路的升压，还可以应用于其他升压的应用中，在此不再一一列举。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽
然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人
员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明
技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离
本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同
变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种电荷泵电路，其特征在于，包括至少一个电荷泵电路；所述第二电荷泵模块，包括六个开关管（4个NMOS管、2个PMOS管）、四个电容、四个时钟信号和八个电阻：第一N开关管、第二N开关管、第三N开关管、第四N开关管、第一P开关管、第二P开关管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一时钟信号、第二时钟信号、第三时钟信号、第四时钟信号；
所述第一N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第一N开关管第二端连接所述第一P开关管的第一端及经所述第三电容连接所述第三时钟信号，所述第一N开关管的控制端连接所述第二N开关管的控制端和经所述第二电容连接所述第二时钟信号；
所述第二N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第二N开关管第二端连接经所述第一电容连接所述第一时钟信号和所述第一电阻的第一端及所述第一N、第二N开关管的控制端，所述第二N开关管的控制端连接所述第一N开关管的控制端和经所述第二电容连接所述第二时钟信号；
所述第三N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第三N开关管第二端连接经所述第二电容连接所述第二时钟信号和所述第二电阻的第一端及所述第三N、第四N开关管的控制端，所述第三N开关管的控制端连接所述第四N开关管的控制端和经所述第一电容连接所述第一时钟信号；
所述第四N开关管的第一端连接所述第二电荷泵模块的第一端，所述第四N开关管第二端连接所述第二P开关管的第一端及经所述第四电容连接所述第四时钟信号，所述第四N开关管的控制端连接所述第三N开关管的控制端和经所述第一电容连接所述第一时钟信号；
所述第一P开关管的第二端连接所述第一电荷泵的第二端，所述第一P开关管控制端连接所述第一电阻的第二端；
所述第二P开关管的第二端连接所述第一电荷泵的第二端，所述第一P开关管控制端连接所述第二电阻的第二端；
所述第一电容的第一端连接所述第二N开关管的第二端和所述第三N、第四N开关管的控制端及所述第二电阻的第二端，所述第一电容的第二端连接所述第一时钟信号；
所述第二电容的第一端连接所述第三N开关管的第二端和所述第一N、第二N开关管的控制端及所述第一电阻的第二端，所述第二电容的第二端连接所述第二时钟信号；
所述第三电容的第一端连接所述第一N开关管的第二端和第一P开关管的第一端，所述第三电容的第二端连接所述第三时钟信号；
所述第四电容的第一端连接所述第四N开关管的第二端和第二P开关管的第一端，所述第四电容的第二端连接所述第四时钟信号；
所述第三、第四、第五、第六、第七、第八电阻的第一端连接开关管的体端，所述第三、第五、第七、第八电阻的第二端连接电荷泵的前级输入电压，所述第四、第六电阻的第二端连接后级输出电压；
所述第一N、第二N、第三N、第四N开关管为NMOS开关管，第一P、第二P开关管为PMOS开关管；
所述时钟信号的最大电压大于所述开关管阈值电压的绝对值；
所述时钟信号,同一周期内，所述第二时钟信号的上跳沿早于第一时钟信号的上跳沿早于所述第四时钟信号的下跳沿与第三时钟信号的下跳沿时间相等；
所述时钟信号，同一周期内，所述第三时钟信号的下跳沿早于第一时钟信号的上跳沿早于所述第四时钟信号的下跳沿与第二时钟信号的下跳沿时间相等；
所述时钟电路模块用于升压，所述第一端为输入端，第二端为输出端。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于所述时钟信号的幅值为0V-1.5V。
3.根据权利要求1所述电荷泵电路，其特征在于所述时钟频率小于100K。
4.根据权利要求1所述电荷泵电路，其特征在于所述时钟信号的周期为50us。
5.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于还包括：第一电荷泵模块；所述第一电荷泵模块的内部结构与所述第二电荷泵模块结构基本相同，所述第一电荷泵的所有NMOS管体端直接连接输入端；所述第一电荷泵模块的控制方法与所述第二电荷泵模块的控制方法相同；所述第一电荷泵模块的第二端连接所述第二电荷泵模块的第一端。
6.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于还包括：第三电荷泵模块；所述第三电荷泵模块的内部结构与所述第二电荷泵模块结构基本相同，所述第三电荷泵的所有PMOS管体端直接连接输出端；所述第三电荷泵模块的控制方法与所述第二电荷泵模块的控制方法相同；所述第三电荷泵模块的第一端连接所述第二电荷泵模块的第二端。
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