CN107068882B - 一种白色有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种白光有机电致发光器件，包括：基板，设置在所述基板上的发光结构，所述发光结构包括：阳极、阴极和功能层，所述功能层设置在阴极和阳极之间，所述功能层包括发光层和间隔层，其特征在于，所述发光层至少包括：一层蓝色荧光层、一层具有高三线态能级的磷光层和一层具有低三线态能级的磷光层，所述蓝色荧光层、具有高三线态能级的磷光层和具有低三线态能级的磷光层之间用间隔层分开。本发明采用多种有机发光材料制备得到具有亮度高、效率高特性的杂化白光OLED。另外，本发明中功能层都可以采用非掺杂技术完成，能有效降低工艺复杂度，减少成本。

Description

一种白色有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及电致发光器件技术领域，尤其涉及一种白色有机电致发光器件。
背景技术
白光OLED(Organic Light Emitting Diode)属于平面发光器件，具备超薄、形状选择度大、适合作为大面积发光光源、无需散热、加工简单等优点，被认为是下一代理想的照明光源。同时，白光OLED还可以替代普通LED光源，作为现代主流液晶显示器的背光源，实现超薄液晶显示。白光OLED还可以结合彩色滤光膜实现彩色OLED显示。并且白光OLED还可以制备成柔性器件，更好的服务于人类生活。因此白光OLED受到越来越多学术界和工业界的关注。
2013年，Yang等人报道了一种非掺杂的全荧光白光OLED(J.Lumin.2013,142,231)。2014年，Wang等人报道了一种非掺杂的全磷光白光OLED(Adv.Funct.Mater.2014,24,4746)。2015年，Xue等人也报道了一种非掺杂的全磷光白光OLED(Org.Electron.2015,26,451)。为了满足照明与显示技术的相关需求，白光OLED必须具有高效率以及高亮度。目前，白光OLED器件几乎都是采用全荧光材料或者全磷光材料制备，而且最大亮度一般只有20000cd/m2左右，这无疑限制了器件的进一步发展。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有高效率以及高亮度的白光有机电致发光器件。
本发明提供了一种白光有机电致发光器件，包括：基板，设置在所述基板上的发光结构，所述发光结构包括：阳极、阴极和功能层，所述功能层设置在阴极和阳极之间，所述功能层包括发光层和间隔层，其特征在于，所述发光层至少包括：一层蓝色荧光层、一层具有高三线态能级的磷光层和一层 具有低三线态能级的磷光层，所述蓝色荧光层、具有高三线态能级的磷光层和具有低三线态能级的磷光层之间用间隔层分开。
优选的，所述间隔层的三线态能级比发光层的三线态能级至少高0.2eV。
优选的，所述具有低三线态能级的磷光层三线态能级比蓝色荧光层的三线态能级低。
优选的，所述间隔层至少包括：一层电子型间隔层和一层空穴型间隔层。
优选的，所述蓝色荧光层靠近空穴型间隔层时，具有高三线态能级的磷光层靠近电子型间隔层；所述蓝色荧光层靠近电子型间隔层时，具有高三线态能级的磷光层靠近空穴型间隔层。
优选的，所述蓝色荧光层的厚度为0.1～40nm；所述具有高三线态能级的磷光层的厚度为0.1～50nm；所述具有低三线态能级的磷光层的厚度为0.1～50nm。
优选的，所述间隔层的厚度为0.1～15nm。
优选的，所述蓝光荧光层的材料选自DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene、NPB、4P-NPD、NPD或TPD。
优选的，所述具有高三线态能级的磷光层的材料选自Ir(ppy)3或IrG2。
优选的，所述具有低三线态能级的磷光层的材料选自Ir(piq)3或(MDQ)2Ir(acac)。
与现有技术相比，本发明提供的白光有机电致发光器件，发光层包括至少一层蓝色荧光层、至少一层具有高三线态能级的磷光层和至少一层具有低三线态能级的磷光层，各发光层之间用间隔层分开，至少包含两层间隔层。本发明采用多种有机发光材料制备得到具有亮度高、效率高特性的杂化白光OLED。另外，本发明中功能层都可以采用非掺杂技术完成，能有效降低工艺复杂度，减少成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1制备得到的杂化白光有机电致发光器件的亮度性能图；
图2为本发明实施例1制备得到的杂化白光有机电致发光器件的光谱图；
图3为本发明实施例2制备得到的杂化白光有机电致发光器件的亮度性能图；
图4为本发明实施例2制备得到的杂化白光有机电致发光器件的光谱图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种白光有机电致发光器件，包括：基板，设置在所述基板上的发光结构，所述发光结构包括：阳极、阴极和功能层，所述功能层设置在阴极和阳极之间，所述功能层包括发光层和间隔层，所述发光层至少包括：一层蓝色荧光层、一层具有高三线态能级的磷光层和一层具有低三线态能级的磷光层，所述蓝色荧光层、具有高三线态能级的磷光层和具有低三线态能级的磷光层之间用间隔层分开。
本发明对所述基板的种类和来源没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知电致发光器件的基板即可，如玻璃。本发明对所述阳极的种类和来源没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知电致发光器件的阳极即可，如ITO(氧化铟锡)薄膜，厚度优选为100～250nm，更优选为200nm。本发明对所述阴极的种类和来源没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的电致发光器件的阴极即可，如Al膜，厚度优选为150～250nm，更优选为200nm。
在本发明中，所述功能层优选采用非掺杂技术制备，尤其是发光层和间隔层，本发明中的发光层和间隔层优选为非掺杂结构，能有效降低工艺复杂度，减少成本。本发明对所述功能层没有特殊的限制，除包括本发明中的发光层和间隔层外，还可以包括本领域技术人员熟知的电致发光器件的其他功能层，如注入层和传输层，注入层可以为空穴注入层也可以为电子注入层，传输层可以为空穴传输层也可以为电子传输层。本发明对所述注入层和传输 层的层数没有特殊的限制，本领域技术人员可根据实际需要进行调整，如可以为一层空穴注入层、两层空穴传输层、一层电子传输层和一层电子注入层。在本发明中，所述空穴注入层可以为HAT-CN薄膜，厚度优选为100nm。在本发明中，所述空穴传输层可以为NPB薄膜或TAPC薄膜，厚度优选为1～20nm，更优选为5～15nm。在本发明中，所述电子传输层可以为TmPyPB薄膜，厚度优选为30～40nm，更优选为35nm。在本发明中，所述电子注入层可以为LiF薄膜，厚度优选为1nm。
在本发明中，所述发光层至少包括：一层蓝色荧光层、一层具有高三线态能级的磷光层和一层具有低三线态能级的磷光层。本发明对所述发光层的层数没有特殊的限制，只要同时含有蓝色荧光层、具有高三线态能级的磷光层和具有低三线态能级的磷光层即可，如本发明中发光层可以为2层具有高三线态能级的磷光层、1层具有低三线态能级的磷光层和1层蓝色荧光层。
在本发明中，所述蓝色荧光层的波长优选为小于500nm范围内的蓝色光，能够使器件获得蓝色光谱。在本发明中，所述蓝光荧光层的厚度优选为0.1～40nm，更优选为1～35nm，更优选为10～30nm，最优选为15～25nm。在本发明中，所述蓝色荧光层的材料可以为发光材料DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD或TPD，均为无掺杂发光材料。
在本发明中，所述具有高三线态能级的磷光层比具有低三线态能级的磷光层的三线态能级要高，如黄色磷光层或绿色磷光层。在本发明中，所述具有高三线态能级的磷光层的厚度优选为0.1～50nm，更优选为1～45nm，更优选为5～40nm，更优选为10～30nm，最优选为15～20nm。在本发明中，所述具有高三线态能级的磷光层的材料可以为发光材料Ir(ppy)3或IrG2，均为无掺杂发光材料。
在本发明中，所述具有低三线态能级的磷光层的三线态能级优选低于2.2eV，如红色磷光层，所用材料可以为发光材料Ir(piq)3或(MDQ)2Ir(acac)，均为无掺杂发光材料。在本发明中，所述具有低三线态能级的磷光层的厚度优选为0.1～50nm，更优选为1～45nm，更优选为5～40nm，更优选为10～30nm，最优选为15～20nm。
在本发明中，所述间隔层设置在各个发光层之间，用以间隔不同的发光 层，本发明中发光层至少为3层，因此，间隔层至少为2层。在本发明中，所述间隔层优选包括电子型间隔层和空穴型间隔层。本发明对所述间隔层的层数没有特殊的限制，本领域技术人员可根据实际需要进行设置，如本发明中的间隔层可以为1层电子型间隔层和2层空穴型间隔层。在本发明中，所述间隔层厚度优选为0.1～15nm，更优选为1～6nm。在本发明中，所述电子型间隔层的厚度优选为3～4nm，更优选为3.5nm。在本发明中，所述空穴型间隔层的厚度优选为3～4nm，更优选为3.5nm。
在本发明中，所述电子型间隔层为电子型材料形成的间隔层，电子型材料可以为Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4或NBphen，优选为Bepp2。在本发明中，所述空穴型间隔层为空穴型材料或双极性材料形成的间隔层，空穴型材料可以为APC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD或m-MTDATA，优选为TCTA，双极性材料可以为CBP或26DCzPPy。在本发明中，电子型材料电子迁移率大于本身空穴迁移率，空穴型材料和双极性材料电子迁移率小于本身空穴迁移率。
在本发明中，间隔层优选至少包括一层电子型间隔层和一层空穴型间隔层，以保证器件具有两个激子产生区域，蓝色荧光层和具有高三线态能级的磷光层分别位于两个主要的激子产生区域，如蓝色荧光层靠近电子型间隔层时，则具有高三线态能级的磷光层靠近空穴型间隔层；蓝色荧光层靠近空穴型间隔层时，则具有高三线态能级的磷光层靠近电子型间隔层；电子型间隔层靠近空穴传输层处的发光层，空穴型间隔层靠近电子传输层处的发光层。在本发明中，所述具有低三线态能级的磷光层位于间隔层中不利于电子传输的一侧。
在本发明中，所述间隔层的三线态能级优选不低于发光层的三线态能级至少0.2eV，以防激子会被淬灭。在本发明中，所述具有低三线态能级的磷光层的三线态能级优选比蓝色荧光层的三线态能级低，使得激子更好被利用，提高器件性能，即使未被蓝光层利用的三线态激子也能通过扩散机理传输到红光层(具有低三线态能级的磷光层)中，可以进一步的俘获激子，增加器件的效率。
在本发明中，所述白光有机电致发光器件的结构优选为：基板，设置在 基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂发光层，设置在非掺杂发光层之间的非掺杂间隔层，设置在非掺杂发光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。在本发明中，所述非掺杂发光层可以为绿色磷光层和/或黄色磷光层、红色磷光层和蓝色荧光层。在本发明中，所述间隔层可以为电子型间隔层和空穴型间隔层。
在本发明中，所述具有低三线态能级的磷光层设置在具有高三线态能级的磷光层和蓝色荧光层之间。在本发明中，相对于红色磷光层，蓝色荧光层、黄色磷光层和/或绿色磷光层设置在红色磷光层两侧，靠近传输层的部位。在本发明中，蓝色荧光层设置在空穴传输层和电子型间隔层之间时，黄色磷光层或绿色磷光层设置在电子传输层和空穴型间隔层之间；蓝色荧光层设置在电子传输层和空穴型间隔层之间时，黄色磷光层或绿色磷光层设置在空穴传输层和电子型间隔层之间。在本发明中，红色磷光层可以设置在两层电子型间隔层之间，也可以设置在两层空穴型间隔层之间，还可以设置在电子型间隔层和空穴型间隔层之间。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板， 设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板， 设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的电子传输层，设置在电子传 输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
在本发明的实施例中，所述白光有机电致发光器件的结构可以为：基板，设置在基板上的阳极，设置在阳极上的空穴注入层，设置在空穴注入层上的空穴传输层，设置在空穴传输层上的非掺杂绿色磷光层，设置在绿色磷光层上的非掺杂电子型间隔层，设置在电子型间隔层上的非掺杂红色磷光层，设置在红色磷光层上的非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴型间隔层上的非掺杂黄色磷光层，设置在黄色磷光层上非掺杂空穴型间隔层，设置在空穴间隔层上的非掺杂蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层上的电子传输层，设置在电子传输层上的电子注入层，设置在电子注入层上的阴极。
本发明对所述白光有机电致发光器件的制备方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的电致发光器件的制备方法，在基板上依次复合阳极、功能层和阴极即可，可以采用采用溅射或真空蒸镀的方法在基板复合上述技术方案所述厚度的阳极膜、各种功能层和阴极膜。
本发明以下实施例中，ITO：氧化铟锡；HAT-CN：2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯；NPB：(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)；TAPC：4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]；Ir(dmppy)2(dpp)：bis(2-phenyl-4,5-dimethylpyridinato)[2-(biphenyl-3-yl)pyridinato]iridium(III)；DSA-ph：1-4-Di-[4-(N,N-diphenyl)amino]styryl-benzene；Ir(piq)3：tris(1-phenylisoquinolinolato-C2,N)iridium(III)；TmPyPB：3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶；Bepp2：双(2-(2-酚基)吡啶)铍；Ir(ppy)3:三(2-苯基吡啶)合铱；LiF：氟化锂；Al：铝。
实施例1
本发明实施例1提供的白光有机电致发光器件的结构为：ITO/HAT-CN(100nm)/NPB(15nm)/TAPC(5nm)/Ir(ppy)3(0.3nm)/Bepp2(3.5nm)/Ir(piq)3(0.3nm)/TAPC(3.5nm)/Ir(dmppy)2(dpp)(0.9nm)/TAPC(3.5nm)/DSA-ph(0.5nm)/TmPyPB(35nm)/LiF(1nm)/Al(200nm)。
制备方法为：
由以下功能层叠加：基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层1、空穴传输层2、绿色磷光层、电子型间隔层、红色磷光层、空穴型间隔层1、黄色磷光层、空穴型间隔层2、蓝色荧光层、电子传输层、电子注入层、阴极。基板为玻璃。阳极为ITO薄膜。空穴注入层为100nm厚的HAT-CN薄膜。空穴传输层1为15nm厚的NPB薄膜。空穴传输层2为5nm厚的TAPC薄膜。绿色磷光层为0.3nm厚的Ir(ppy)3薄膜。电子型间隔层为3.5nm厚的Bepp2薄膜。红色磷光层为0.3nm厚的Ir(piq)3薄膜。空穴型间隔层1为3.5nm厚的TAPC薄膜。黄色磷光层为0.9nm厚的Ir(dmppy)2(dpp)薄膜。空穴型间隔层2为3.5nm厚的TAPC薄膜。蓝色荧光层为0.5nm厚的DSA-ph薄膜。电子传输层为35nm厚的TmPyPB薄膜。电子注入层为1nm厚的LiF薄膜。阴极为200nm厚的Al薄膜。
在基板上以溅射方法制备ITO薄膜(厚度为200nm)作为阳极。在阳极上以真空蒸镀方法制备100nm的HAT-CN作为空穴注入层。在空穴注入层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的NPB薄膜作为空穴传输层1。在空穴传输层1上以真空蒸镀方法制备5nm厚度的TAPC薄膜作为空穴传输层2。在空穴注入层2上以真空蒸镀方法制备0.3nm厚的Ir(ppy)3薄膜作为绿色磷光层。在绿色磷光层上以真空蒸镀方法制备3.5nm厚度的Bepp2薄膜作为电子型间隔层。在电子型间隔层上以真空蒸镀方法制备0.3nm厚的Ir(piq)3薄膜做红色磷光层。在红色磷光层上以真空蒸镀方法制备3.5nm厚度的TAPC薄膜作为空穴型间隔层1。在空穴型间隔层上以真空蒸镀方法制备0.9nm厚度的Ir(dmppy)2(dpp)薄膜作为黄色磷光层。在黄色磷光层上以真空蒸镀方法制备3.5nm厚度的TAPC薄膜作为空穴型间隔层2。在空穴型间隔层2上以真空蒸镀方法制备0.5nm厚度的DSA-ph薄膜作为蓝色荧光层。在蓝色荧光层上以真空蒸镀方法制备35nm厚度的TmPyPB薄膜作为电子传输层。在电子传输 层上以真空蒸镀方法制备1nm的LiF薄膜作为电子注入层。在电子注入层上以真空蒸镀方法制备200nm的Al薄膜作为阴极。
采用Konica MinoltaCS2000测试器件的色坐标、CRI、相关色温与光谱，采用计算机控制的包含硅光二极管的Keithley 2400与Keithley 2000测试系统测试器件的亮度-电流密度-电压特性。对本发明实施例1制备得到的白光有机电致发光器件的亮度和效率进行检测，检测结果如图1和图2所示，图1为本发明实施例1制备得到的白光有机电致发光器件的亮度性能测试结果，器件在12V时，具有最大亮度为35510cd/m2，为目前非掺杂白光OLED的最大值。图2为本发明实施例1制备得到的白光有机电致发光器件11V的光谱图，色坐标为(0.35,0.47)，器件的最大效率为26cd/A。
实施例2
本发明实施例2提供的白光有机电致发光器件的结构为：ITO/HAT-CN(100nm)/NPB(15nm)/TAPC(5nm)/Ir(ppy)3(0.3nm)/Bepp2(3.5nm)/Ir(dmppy)2(dpp)(0.9nm)/TAPC(3.5nm)/Ir(piq)3(0.3nm)/TAPC(3.5nm)/DSA-ph(0.5nm)/TmPyPB(35nm)/LiF(1nm)/Al(200nm)。
制备方法为：
由以下功能层叠加：基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层1、空穴传输层2、绿色磷光层、电子型间隔层、黄色磷光层、空穴型间隔层1、红色磷光层、空穴型间隔层2、蓝色荧光层、电子传输层、电子注入层、阴极。基板为玻璃。阳极为150nm厚的ITO薄膜。空穴注入层为100nm厚的HAT-CN薄膜。空穴传输层1为15nm厚的NPB薄膜。空穴传输层2为5nm厚的TAPC薄膜。绿色磷光层为0.3nm厚的Ir(ppy)3薄膜。电子型间隔层为3.5nm厚的Bepp2薄膜。黄色磷光层为0.9nm厚的Ir(dmppy)2(dpp)薄膜。空穴型间隔层1为3.5nm厚的TAPC薄膜。红色磷光层为0.3nm厚的Ir(piq)3薄膜。空穴型间隔层2为3.5nm厚的TAPC薄膜。蓝色荧光层为0.5nm厚的DSA-ph薄膜。电子传输层为35nm厚的TmPyPB薄膜。电子注入层为1nm厚的LiF薄膜。阴极为200nm厚的Al薄膜。
制备方法同实施例1。
采用实施例1的方法对本发明实施例2制备得到的白光有机电致发光器件的亮度和效率进行检测，检测结果如图3和图4所示，图3为本发明实施 例2制备得到的白光有机电致发光器件的亮度性能测试结果，具有最大亮度为34757cd/m2。图4为本发明实施例2制备得到的白光有机电致发光器件11V的光谱图，色坐标为(0.35,0.44)，器件的最大效率为22cd/A。
由以上实施例可知，本发明提供了一种白光有机电致发光器件，包括：基板，设置在所述基板上的发光结构，所述发光结构包括：阳极、阴极和功能层，所述功能层设置在阴极和阳极之间，所述功能层包括发光层和间隔层，其特征在于，所述发光层至少包括：一层蓝色荧光层、一层具有高三线态能级的磷光层和一层具有低三线态能级的磷光层，所述蓝色荧光层、具有高三线态能级的磷光层和具有低三线态能级的磷光层之间用间隔层分开。本发明采用多种有机发光材料制备得到具有亮度高、效率高特性的杂化白光OLED。另外，本发明中功能层都可以采用非掺杂技术完成，能有效降低工艺复杂度，减少成本。

Claims (6)

1.一种白光有机电致发光器件，包括：
基板，设置在基板表面的阳极，设置在阳极表面的空穴注入层，设置在空穴注入层表面的空穴传输层1，设置在空穴传输层1表面的空穴传输层2，设置在空穴传输层2表面的绿色磷光层，设置在绿色磷光层表面的电子型间隔层，设置在电子型间隔层表面的红色磷光层，设置在红色磷光层表面的空穴间隔层1，设置在空穴间隔层1表面的黄色磷光层，设置在黄色磷光层表面的空穴间隔层2，设置在空穴间隔层2表面的蓝色荧光层，设置在蓝色荧光层表面的电子传输层，设置在电子传输层表面的电子注入层，设置在电子注入层表面的阴极。
2.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，
所述绿色磷光层的厚度为0.3nm；
所述红色磷光层的厚度为0.3nm；
所述黄色磷光层的厚度为0.9nm；
所述蓝色荧光层的厚度为0.5nm。
3.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，
所述电子型间隔层的厚度为3.5nm；
所述空穴间隔层1的厚度为3.5nm；
所述空穴间隔层2的厚度为3.5nm。
4.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝色荧光层的材料为DSA-ph。
5.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述绿色磷光层的材料为Ir(ppy)3；
所述黄色磷光层的材料为Ir(dmppy)2(dpp)。
6.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，
所述红色磷光层的材料为Ir(piq)3。
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