CN1070537C - 利用控制件生产金属基质复合体的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及与自发渗透工艺相结合使用一种控制件生产金属基质复合体的方法，特别是通过熔融基质金属自发渗透一种可渗透填料体或预型体形成金属基质复合体。提供一种控制件，该控制件控制或限制熔融基质金属和填料或预型体之间的面接触。使用控制件是用来控制可以与预型体或填料接触的基质金属量，由此减少形成的复合体的机械加工量和/或减缓形成的复合体的变形趋势。

Description

利用控制件生产金属基质复合体的方法

本发明涉及与自发金属渗透工艺相结合使用一种控制件来生产金属基质复合体的方法，特别是，通过熔融基质金属自发地渗透一种可渗透填料体或预型体来形成金属基质复合体。至少在工艺过程的某一时刻，一种渗透增强剂和/或渗透增强剂前体和/或渗透气氛与所说的填料或预型体相联，使得所说的熔融基质金属自发地渗入所说的填料或预型体中。另外，提供一种控制件，该控制件控制或限制熔融基质金属和填料或预型体之间的面接触。控制件的使用是用来控制可以与所说的预型体或填料接触的基质金属的量。这种限制的或控制的面接触可能导致由此形成的金属基质复合体与不使用控制件制成的类似金属基质复合体相比所需的机械加工量更小。另外，使用控制件还可以改善由于所形成的复合体与基质金属残余物接触所造成的形成的金属基质复合体发生变形的趋势。这种变形可能是在大块金属基质复合体中最普遍的。

含有金属基质和加强或增强相(如陶瓷颗粒、晶须、纤维等)的复合产品对于许多应用显示出广阔的前途，因为它们具有增强相的部分刚性和耐磨性以及金属基质的可延伸性和韧性。一般来说，金属基质复合体与整块基体金属相比，将表现出在强度、刚性、接触耐磨性和高温强度保持性等性能方面的改进，但是对任何给出的性能可能被改进的程度主要取决于特定的组分，它们的体积或重量比，以及在形成该复合体中如何处理这些组分。在某些情况下，这种复合体在重量上还可能比基质金属本身更轻。例如，用陶瓷(如颗粒、片晶或晶须状的碳化硅)增强的铝基复合体是令人感兴趣的，因为相对于铝而言，它们的具有更高的刚性、耐磨性和高温强度。

许多冶金方法被介绍用于生产铝基复合体，这些方法包括以使用加压浇铸、真空浇铸、搅拌和润湿剂的粉末冶金技术和液体-金属渗透技术为基础的方法。采用粉末冶金技术时，使粉末状的金属和粉末、晶须、切断的纤维等形式的增强材料混合，然后进行冷压和烧结或进行热压。已报道出用这种方法生产的碳化硅增强的铝基复合体中最大的陶瓷体积比在晶须情况下约为25％(体积)，在颗粒的情况下约为40％(体积)。

利用常规工艺方法通过粉末冶金技术生产金属基质复合体对可得到的产品的性能产生一定的限制。该复合体中陶瓷相的体积比在颗粒情况下典型地限制为约40％。另外，加压操作还会对可得到的实际尺寸产生限制。在没有后续加工(如成形或机械加工)或不借助于复杂压制的条件下，只有可能产生相对简单的产品形状。再有，由于压实体中的分凝和晶粒生长会造成显微结构的非均匀性外，在烧结期间会发生不均匀收缩。

在1976年7月20日授予J.C.Cannell等人的美国专利第3,970,136号中，叙述了一种形成金属基质复合体的方法，所说的复合体中结合有具有预定纤维取向模式的纤维增强材料，如碳化硅或氧化铝晶须。这种复合体的制备是通过在一个具有熔融基质金属(如铝)的储池的模中在至少部分板之间放置共平面纤维的平行板或毡，然后对熔融金属施加压力使其渗入所说的板并环绕在定向纤维周围。也可能把熔融金属倒在所说板的堆积体上，然后施加压力使其流入板之间。已报道出在这种复合体中增强纤维的填充量高达约50％(体积)。

鉴于上述渗透方法取决于施加在熔融基质金属上使其通过纤维板堆积体的外部压力，因此该方法受到压力诱导的流动过程的多变性的影响，即可能形成非均匀性基体，孔隙等。即使熔融金属可能在纤维堆积体中的许多位置引入，也可能造成性能的不均匀性。因此，需要提供复杂的板/储池排列和流动通道，以实现在纤维板堆积体上的充分均匀渗透。另外，上述压力渗透法只使得到的基质体积获得较低量的增强材料，这是由于渗入一个大板体积中所故有的困难性所致。再有，要求模具在压力下盛装熔融金属，这就增加了工艺过程的费用。最后，仅限于渗透排列好的颗粒或纤维的上述方法不能用来形成用无规则取向的颗粒、晶须或纤维形式材料增强的铝金属基复合体。

在铝基氧化铝填充的复合体的制造中，铝不能容易地润湿氧化铝，因此难于形成粘结产品。针对这一问题，曾建议过使用各种溶液。一种方法是用一种金属(如镍或钨)涂敷所说氧化铝，然后使其与铝一同进行热压。在另一种方法中，使所说的铝与锂合金化，并且可以用二氧化硅涂敷所说的氧化铝。但是，这些复合体在性能方面表现出各种变化，或者，所说的涂层会降低填料的质量，或者所说的基体含有能影响基体性能的锂。

授予R.W.Grimshaw等人的美国专利4,232,091克服了在生产铝基氧化铝复合体中遇到的某些困难。这一专利叙述了对熔融铝(或熔融铝合金)施加75～375kg/平方厘米的压力使其渗入已预热到700～1050℃的氧化铝纤维或晶须的板中。在得到的固体铸体中氧化铝对金属的最大体积比为0.25/l。由于取决于完成渗透的外界压力，所以这种方法受到许多与Cannell等人专利的同样缺点的影响。

欧洲专利公报115,742叙述了通过用熔融铝充填预成型的氧化铝基质的孔隙来制造铝-氧化铝复合体的方法，这种铝-氧化铝复合体特别适用于电解池组分。该申请强调了铝对氧化铝的非润湿性，因此采用各种方法来润湿整个预型体中的氧化铝。例如，用一种润湿剂，即钛、锆、铪或铌的二硼化物或者用一种金属，即锂、镁、钙、钛、铬、铁、钴、镍、锆或铪来涂敷氧化铝。采用惰性气氛(如氩气)以促进润湿。这一参考文献还表示出施加压力导致熔融铝渗入未涂敷的基质中。在这一方面，渗透是在惰性气氛(如氩气)中通过抽空气孔，然后向所说的熔融金属施加压力来实现。另一方面，这种预型体也以在用熔融铝渗透来填充空隙之前，通过气相铝沉积来润湿其表面的方法来渗透。为了保证铝保留在预型体的气孔中，需要在真空或氩气气氛下进行热处理，例如在1400～1800℃下进行处理。否则，压力渗透材料暴露于气体或者渗透压力的除去都将造成铝从复合体中的损失。

在欧洲专利申请公报94353中还表示了使用润湿剂来实现用熔融金属渗透电解池中的氧化铝组分的方法。该公报叙述了用一个以阴极电流供给器作为电池衬里或基质的电池，通过电积法生产铝的方法，为了保护这种基质免受熔融冰晶石的作用，在电池启动前或者将其浸在用该电解法生产的熔融铝中对氧化铝基质施加一种润湿剂和溶解性抑制剂的混合物的薄涂层，所公开的润湿剂有钛、铪、硅、镁、钒、铬、铌或钙，而钛为优选的润湿剂。据描述，硼、碳和氮的化合物对于抑制这种润湿剂在熔融铝中的溶解性是有用的。但是，该参考文献既没有建议生产金属复合物，也没有建议，例如在氮气气氛中，形成这种复合体。

除采用压力和润湿剂外，还公开了采用的真空条件将有助于熔融铝渗入多孔陶瓷压块。例如，1973年2月27日授予R.L.Landingham的美国专利3,718,441叙述了在小于10^-6乇的真空条件下，使熔融的铝、铍、镁、钛、钒、镍或铬渗透陶瓷压块(例如碳化硼，氧化铝渗透和氧化铍)。10^-2～10^-6乇的真空压强使这种熔融金属对所述涂层的润湿性很差，以致于该金属不能自由地流到陶瓷的孔隙中去。但是，当真空压强降低到低于10^-6乇时，润湿情况有所改善。

1975年2年4日授于G.E.Gazza等人的美国专利3,864,154还公开了采用真空以达到渗透的方法。该专利叙述了将一个AlB1₂粉末的冷压块放在一个冷压铝粉床上。然后再将一部分铝置于AlB1₂粉末压块的顶上。将装有夹在铝粉层之间的AlB1₂压块的坩埚放在一个真空炉中。然后将该炉抽空到约10^-5乇进行脱气。再将炉温提高到1100℃并保持3小时。在这些条件下，这种熔融铝金属渗透了多孔AlB1₂压块。

1968年1年23日授予John N.Reding等人的美国专利3,364,976公开了在一个物体内产生自生真空以促进熔融金属向该物体中的渗透的观点。具体地说，将一物体，例如一个石墨模、一个钢模或一个多孔耐久材料，全部浸在熔融金属中。在模的情况下，充有可以与该金属反应的气体的模的空腔与外部的熔融金属通过模中至少一个小孔相接触，当这种模浸在熔体中时，空腔的充填在空腔中的气体与该熔融金属反应产生自生真空时发生。具体地说，这种真空是该金属的固体氧化物形成的结果。因此，Reding等人公开了重要的是诱导空腔中的气体与该熔融体之间的反应。但是，由于与模有关的固有限制，利用模具来产生真空可能是不理想的。首先必须将模具机加工成一个特殊的形状；然后精加工，在该模上产生一个可行的铸造表面；然后在使用之前安装好；在使用后将其折卸以从中取出铸件；之后回收模具，回收时很可能包括对模具表面进行再次精加工，如果该模不能再继续使用的话，就将其放弃。将一个模具机加工成复杂的形状是很贵的并且很费时间。另外，从一个复杂形状的模具上取出形成的铸件也是困难的(即，具有复杂形状的铸件在从模具中取出时会发生破裂)。另外；虽然有人建议多孔耐火材料可以直接浸在熔融金属中，不需要模具，但是这种耐火材料将必须是整块的，因为在不使用容器模具时，不存在向疏松或分散的多孔材料浸透的条件(即，一般认为，这种颗粒材料放在熔融金属中时，其典型特征是四处分散或浮动)。另外，如果希望渗透颗粒材料或疏松地形成的预型体时，应该引起注意的是这种渗透金属至少不能置换颗粒或预型体的一部分，而导致不均匀的显微结构。

因此，长期以来一直希望有一种简单而又可靠的生产成型金属基质复合体的方法，该方法不依靠使用压力和真空(无论是外部施加的还是内部产生的)条件，或者损失润湿剂来生产嵌在另一种材料如陶瓷材料中的一种金属基质。另外；长期以来一直希望使生产金属基质复合体所需的最终机械加工量达最小。本发明通过提供一种用熔融基质金属(如铝)渗透一种材料(如陶瓷材料)的自发渗透机理满足了这些希望。其中所说的材料可形成一个预型体。这种自发渗透是在常压，渗透气氛(如氮气)存在下进行的，并且在工艺过程中至少在某一处存在渗透增强剂。

本申请的主题涉及一些其它共同未决或共同所有的专利申请的主题。特别是这些其它共同未决专利申请描述了制造金属基质复合材料的方法(以下有时称“共同所有的金属基质专利申请”)。

在1987年5月13日，以White等人的名义提交的，现已在美国审定的题目为“金属基质复合体”的共同所有美国专利申请系列号049,171的申请中，公开了一种生产金属基质复合材料的新方法。根据White等人的发明的方法，通过用熔融铝渗透一种可渗透填料(如，陶瓷或用陶瓷涂敷的材料)体来生产金属基质复合体，其中所用的熔融铝含有至少约1％(重量)的镁，优选的是含有至少约3％(重量)的镁。在不采用外部压力和真空的条件下，自发地发生渗透。于至少约675℃的温度下，在一种含有约10～100％，最好至少约50％(体积)氮气的气体存在下，使一定量的熔融金属合金与填料体接触，其中的气体，除氮气外，如果有的话为非氧化性气体，如氩气。在这些条件下，这种熔融铝合金在常压下渗透所说的陶瓷体形成铝(或铝合金)基质复合体。当所需量的填料已被这种熔融铝合金渗透时，降低温度使该合金固化，因此形成嵌有该增强填料的固体金属基质结构。通常，供给的一定量熔融合金最好足以使这种渗透基本进行到填料体的边缘。根据White等人的发明生产的铝基复合体中填料的量可以非常高。在这方面，填料对合金的体积比可达到1∶1以上。

在上述White等人发明的工艺条件下，氮化铝可以形成一种分散在整个铝基体中的不连续相。铝基体中氮化物的量可随温度、合金组成、气体组成和填料等因素而变化。因此，通过控制反应体系因素的一个或多个，可能调节这种复合体的某些性能。但是，对于某些实际应用来说，可能希望这种复合体含有少量的或基本不含氮化铝。

已观察到较高的温度有利于渗透，但使得该方法更有助于氮化物的形成。White等人的发明提供了平衡渗透动力学和氮化物形成的选择。

在以Michel K.Aghajanian等人的名义于1988年1月7日提交的，题目为“用阻挡元件制造金属基质复合体的方法”的共同所有美国专利申请系列号为141,624的申请中，叙述了一个适用于形成金属基质复合体的阻挡元件的例子。根据Aghajanian等人的发明方法，将阻挡元件(例如，颗粒状二硼化钛或石墨材料如Union Carbide公司以Grafoil^为商品名出售的软石墨带产品)放置于填料的限定界表面，并且基质合金渗透到该阻挡元件限定的边界处。这种阻挡元件被用来抑制、防止或中止该熔融合金的渗透，由此为得到的金属基质复合体提供了基本的或大致的形状。因此，所形成的金属基质复合体具有一个基本符合于该阻挡元件内部形状的外形。

1988年3月15日以Michael K.Aghajanian和Marc S.Newkirk名义提交的题目为“金属基质复合体及其生产方法”的共同所有，共同未决美国专利申请系列号168,284对系列号为049,171的美国专利申请的方法进行改进，根据在该美国专利申请中公开的方法，基质金属以一个第一金属源和一个例如由于重力流动与该第一金属源相联的基质金属合金储备源形式存在。具体地说，在该专利申请中所述的条件下，在常压下这种第一熔融金属合金源首先渗入填料体中，由此开始形成金属基质复合体。这种第一熔融基质金属合金源，在其渗入填料体期间被消耗掉，如果需要的话，当自发渗透继续进行时，可以从所说的熔融基质金属储备源进行补充，这种补充最好通过一个连续方式进行。当所需量的可渗透填料已被这种熔融基质合金自发渗透时，使温度降低以使该熔融合金固化，因此形成一种嵌有该增强填料的固体金属基质结构。应该明白的是这种金属储备源的使用仅仅是本专利申请中所述的发明的一个实施方案，并不是在所述的发明的每个其它实施方案中都必须采用该金属储备源，但是将本发明储备源用于部分实施方案中还是有利的。

这种金属储备源应提供足够量的金属，以使其渗透该填料的可渗透体至预定的程度。另一方面，可以选择阻挡元件与该可渗透填料体的至少一个侧面接触，以限定出一个表面边界。

另外，虽然提供的一定量熔融基质合金应至少足以使自发渗透基本进行到可渗透填料体的边界(如阻挡元件)，但是所说的储备源中存在的合金量应超过这个这个足够量，以使得不仅有足够是的合金用于完全渗透，而且有过量的熔融金属合金保留并与该金属基质复合体相连。因此，当过量的熔融合金存在时，所得到的物体将是一个复杂的复合体(例如，一个大复合体)，其中具有金属基质的渗透陶瓷体将会直接粘结到该储备中剩余的过量金属上。

每个上述讨论的共同所用的金属基质专利申请都叙述了生产金属基质复合体的方法和由此生产的新型金属基质复合体。将所有上述共同所有的金属基质专利申请的公开内容结合在此以供参考。

通过用一种熔融基质金属自发渗透一种可渗透填料体或预型体来生产金属基质复合体。但是，在这种自发渗透之前，在所说的熔融基质金属与待渗透的填料或预型体之间放置一个控制件。这种控制件起着控制所说的熔融基质金属和所说的可渗透填料或预型体之间面接触的作用。可以使用这种控制作用使熔融基质金属传送到预型体或填料的优选面积上；和/或可以通过减少所说的预型体或填料与基质金属残余物的接触改善预型体或填料的变形；和/或减少生产精制机加的金属基质复合体所需的表面机械加工量。

一种渗透增强剂和/或渗透增强剂前体和/或渗透气氛，至少在工艺过程的某一时刻，与所说的填料或预型体相联，从而使熔融基质金属自发地渗透所说的填料或预型体中。

在本发明的一个优选实施方案中，可以直接向所说的预型体或填料和/或基质金属和/或渗透气氛中的至少一种提供渗透增强剂。归根结底，在任何情况下，至少在自发渗透期间，渗透增强剂应位于至少一部分填料或预型体中。

如果将一种控制件配置于至少一部分熔融基质金属和填料或预型体之间，可以得到一种增强的金属基质复合体。适当的控制件包括这样的材料，它典型地在工艺条件下不被熔融基质金属所润湿；和/或可以有利于自发渗透完成以后仍与渗透的填料或预型体相接触的残留基质金属的除去。与铝基质金属结合使用的适宜控制件的一个例子是石墨材料，例如石墨带产品，它带有单孔或多孔或贯穿其中的通道。孔的数量、尺寸和形状可以任何适当的方式来控制以获得一种增强的金属基质复合体。

应该注意的是本申请主要讨论铝基质金属，它在所说的金属基质复合体的形成期间的某一时刻，在起着渗透气氛作用的氮气存在下，与起着渗透增强剂前体的镁相接触。从而使这种铝/镁/氮的基质金属/渗透增强剂前体/渗透气氛体系显示出自发渗透变化。用于该体系的适当控制件包括一种石墨材料，例如，由联合碳化物公司(Union Carbide)以Grafoil^商标出售的一种石墨带产品。但是，其它基质金属/渗透增强剂前体/渗透气氛体系也可能以与铝/镁/氮体系相同的方式发生变化。例如，在铝/锶/氮体系；铝/锌/氧体系和铝/钙/氮体系中已观察到了类似的自发渗透现象。因此，尽管在此主要讨论的是铝/镁/氮体系，但是应理解，其它的基质金属/渗透增强剂前体/渗透气氛体系可能以同样的方式发生变化，并且包括在本发明中。在每个其它的自发渗透体系中可以选用适当的控制件。

当所说的基质金属包括一种铝合金时，使这种铝合金与包括一种填料(例如氧化铝或碳化硅)的预型体或一种填料体相接触，所说的填料体其中混合有镁和/或在工艺过程的某一时刻受到镁的作用。另外，在一个优选实施方案中，使这种铝合金和/或预型体或填料在至少部分工艺过程中包含在氮气氛中。这种预型体将被自发渗透，并且这种自发渗透的程度或速度以及金属基质复合体的形成将随给定的工艺条件的不同而变化，所说的工艺条件包括，例如，提供于体系(如，在铝合金中和/或填料或预型体中和/或渗透气氛中)的镁的浓度，所用预型体或填料中颗粒的粒度和组成，所用渗透气氛中氮的浓度，允许渗透的时间，和/或发生渗透的温度。自发渗透典型地进行到足以基本完全埋置所说的预型体或填料的程度。

在此所用的“铝”的意思是指并且包括基本纯的金属(例如，一种相对纯的市售非合金化的铝)或者其它等级的金属和金属合金，如含有杂质和/或合金成分(如铁、硅、铜、镁、锰、铬、锌等)的市售金属。这一定义下的铝合金是一种以铝为主要成分的合金或金属互化物。

在此所用的“平衡非氧化性气体”的意思是除构成所说渗透气氛的主要气体之外存在的任何气体，在所用工艺条件下，或者是惰性的或者是基本不与所述基质金属反应的还原性气体。在所用工艺条件下可能以杂质形式存在于所用气体中的任何氧化性气体应不足以使所用的基质金属氧化到任何显著的程度。

在此所用的“阻挡元件”的意思是妨碍、抑制、防止或中止熔融基质金属超过可渗透填料体或预型体表面边界的移动、运动等，其中的表面界(界表面)是由所说的阻挡元件所限制的。适用的阻挡元件可以是在工艺条件下，保持某种程度的完整性并且基本不挥发(即，阻挡材料没有挥发到使其失去作为阻挡元件的程度)的任何适当的材料、化合物、元素、组合物等。

另外，适用的“阻挡元件”包括在所利用的工艺条件下基本不能被运动的熔融基质金属润湿的材料。这种类型的阻挡元件显示出对所说的熔融基质金属具有很小的亲合力或没有亲合力。用这种阻挡元件阻止或抑制了超越该填料体或预型体的限定界面的运动。这种阻挡元件减少了可能需要的任何最终机械加工或研磨加工，并且限定了至少所得到的金属基质复合产物的一部分表面。这种阻挡元件在某些情况下，可以是可渗透的或多孔的，或者例如通过钻孔或穿孔使其可渗透，以使得气体与所说的熔融基质金属接触。

在此所用的“残余物”或“基质金属残余物”是指任何在所说的金属基质复合体形成期间没有被消耗掉的原始基质金属残余物，并且在典型情况下如果将其复合体相接触的形式保留下来。应该理解为这种残余物还可以包括第二种或外来金属。

在此所用的“填料”是指单一成分或多种成分的混合物，所说的成分基本不与所说的基质金属反应和/或在所说基质金属中具有限定溶解性的，并且可以是单相或者多相的。填料可以各种形式提供，例如粉末、片、片晶、微球、晶须、液体等，并且可以是密实也可以是多孔的。“填料”还可以包括陶瓷填料，如纤维、切断纤维、颗粒、晶须、泡体、球、纤维板等形状的氧化铝或碳化硅，和陶瓷涂敷的纤维，如用氧化铝或碳化硅涂敷的碳纤维，例如通过用熔融的母金属铝涂敷以保护碳免受腐蚀。填料还可以包括金属。

在此所用的“控制件”是任何在所给的工艺条件下显示出一种或多种下列性质的材料：(1)相对于待渗透的填料或预型体来说是基本不能被熔融基质金属润湿的；(2)可以降低基质金属残余物和渗透的金属基质复合体之间的粘结强度和它们之间的粘结量，因此能够(ⅰ)改善由于基质金属残余物与得到的金属基质复合体之间的不均匀冷却收缩，通过基质金属残余物传递到金属基质复合体中的应力(例如变形)的量；和/或(ⅱ)由于减少的基质金属残余物与得到的金属基质复合体之间的面接触和/或由于在渗透发生时，减少的基质金属与待渗透的预型体或填料之间的面接触而减少了对所得到的金属基质复合体表面所需的机械加工量。

在此所用的“渗透气氛”意思是指存在的与所用的基质金属和/或预型体(或填料)和/或渗透增强剂前体和/或渗透增强剂相互作用并且使或促进所用的基质金属发生自发渗透的气氛。

在此所用的“渗透增强剂”是指一种能促进或有助于一种基质金属自发渗透到一种填料或预型体中的材料。渗透增强剂可以由下述方法形成，例如一种渗透增强剂前体与渗透气氛反应形成(1)一种气体物质和/或(2)该渗透增强剂前体和渗透气氛的反应物和/或(3)该渗透增强剂前体和填料或预型体的反应物。另外，这种渗透增强剂可能直接向预型体和/或基质金属和/或渗透气氛中至少一种提供并起着与渗透添加剂前体和另一物质反应而形成的渗透增强剂的基本相同的作用。归根到底，在该自发渗透期间，至少该渗透增强剂应放在至少一部分所用的填料或预型体中，以完全自发渗透。

此处所用的“渗透增强剂前体”是指这样一种材料，当使其与基质金属、预型体和/或渗透气氛相结合使用时能形成促使或有助于基质金属自发地渗透填料或预型体的渗透增强剂。由于不希望受到任何特定理论或说明的限制，对于渗透增强剂前体来说似乎必要的是使该渗透增强剂前体能够被定位于或可移动至允许与渗透气氛和/或预型体或填料和/或金属发生反应的部位。举例来说，在某些基质金属/渗透增强剂前体/渗透气氛体系中，对于渗透增强剂前体来说，必要的是使其处于、接近于、或者在某些情况下甚至稍高于基质金属熔融温度下挥发。这一挥发过程可以导致：(1)渗透增强剂前体与渗透气氛发生反应形成一种有助于基质金属润湿填料或预型体的气态物质；和/或(2)渗透增强剂前体与渗透气氛反应生成处于至少一部分填充物或预形体之中、有助于润湿的固态、液态或气态渗透增强剂；和/或(3)渗透增强剂前体与填料或预型体反应，该反应形成处于至少一部分填充料或预型体之中、有助于润湿的固体、液态或气态渗透增强剂。

此处所用的“基质金属”或“基质金属合金”是指用于形成金属基质复合体(例如，于渗透之前)的金属和/或用于与填料互相混合从而形成金属基质复合体(例如，于渗透之后)的金属。当指定某一特定金属为基质金属时，应该理解为该基质金属包括基本上纯的金属、其中含有杂质和/或合金成分的市售金属、其中该金属为主要成分的金属互化物或合金。

本文所述的“基质金属/渗透增强剂前体/渗透气氛体系”或“自发体系”是指能够自发地渗透到预型体或填料之中的材料组合体。应该理解的是无论在供列举的基质金属、渗透增强剂前体和渗透气氛之间何时出现“/”，“/”均被用于表示当以某一特定方式组合而成之时便能够自发渗透进入预型体或填料体系或组合体。

本文所述的“金属基质复合体”或是指包含嵌入预型体或填料的二维或三维互连合金或基质金属的材料。该基质金属可以包括各种合金元素以便使所得到的复合体具有特别需要的机械物理特性。

“不同于”基质金属的金属是指这样一种金属，其中不含有作为主要成分的与基质金属相同的金属(例如，若基质金属的主要成分为铝，那么“不同的”金属，举例来说，可以含有主要成分镍)。

“用于容纳基质金属的非反应性容器”是指能够在加压条件下容纳或包含填料(或预形体)和/或熔融基质金属并且不与基质金属和/或渗透气氛和/或渗透增强剂前体和/或填充物或预形体以可能严重妨碍自发渗透机理的方式而发生反应的任何容器。

本文所述的“预型体”或“可渗透预型体”是指组成后具有至少一个表面界面的多孔状填料体或填充物体，其中表面边界基本上限定了渗透基质金属的边界，该多孔状物质在被基质金属渗透之前充分地保持了形状状完整性与生坯强度从而达到了尺寸精确度的要求。该多孔状物质应该具备足够高的多孔性以便使基质金属能够自发地渗透进去。预型体典型地包含结合排列而成的填料，可以是均相的或非均相的，并且可以由任何适宜的材料构成(例如，陶瓷和/或金属的颗粒、粉末、纤维、晶须等以及它们的任意组合体)。预型体可以单独地存在或以集合体的形式存在。

本文所述的“储备源”是指一个基质金属的分离体，其所处的位置与填料物质或预形体相关联，这样，当金属熔化时，它可以流动以便补充与填料或预形体相接触的基质金属部分或源，或者是在某些情况下开始时先进行提供随后进行补充。这种储备源也可以提供至少某一种不同于基质金属的金属。

本文所述的“自发渗透”是指在无需加压或抽真空(无论是外部施加或内部产生)的条件下基质金属向填料或预型体的可渗透部分所产生的渗透现象。

提供下列附图以有助于理解本发明，但是并非意味着对本发明的范围的限定。各图中采用相同的参考号数表示同一组分，其中：

图1为根据实施例1形成金属基质复合体所用的材料的组装体的横截面示意图。

图2为根据实施例2形成金属基质复合体所用材料的组装体的横截面示意图。

图3为一个照片，该照片表示了实施例1的渗透的预型体和基质金属残余物。

图4为一个表示实施例2的渗透的预型体和基质金属残余物的照片。

本发明涉及通过使用一种控制件来控制或调节熔融金属自发渗透到填料或预型体中形成金属基质复合体的方法。具体地说，使熔融基质金属通过控制件后自发渗入填料或预型体中。这种控制件是任何可以放置在熔融基质金属和可渗透填料或预型体之间的材料，它可以使所说的熔融基质金属通过该控制件上确定的至少一个通道优先地自发渗透所说的填料或预型体。因此，这种控制件起到控制所说的熔融基质金属与所说的可渗透填料或预型体之间的面接触的作用。适当的控制件包括这样的材料，该材料典型地在工艺条件下不能被熔融基质金属润湿；和/或可以有利于在自发渗透完成之后，仍与渗透的填料或预型体接触的基质金属残余物的除去。

该控制件中的通道(在下面更详细地讨论)可以是任何数量或形状的。例如，该控制件可以提供等距分开的许多通道或单个通道。该控制件的厚度应足以(1)吸收存在于基质金属残余物和形成的金属基质复合体之间在冷却时的应力；和/或(2)降低基质金属残余物和形成的金属基质复合体之间的粘结强度和粘结量。另外，通过适当地安排该控制件上的通道，可以利用该控制件来补偿进入填料或预型体的任何基质金属的非均匀渗透。正确选择、设计和放置该控制件之后，所说的可渗透预型体或填料可以自发地被熔融基质金属渗透。

为实现自发渗透，至少在工艺过程的某一时刻，一种渗透增强剂和/或渗透增强剂前体和/或渗透气氛与填料或预型体相联，由此使得熔融基质金属通过该控制件自发地渗入所说的填料或预型体中。具体地说，为实现基质金属自发渗透填料或预型体，应向所用的自发体系中提供渗透增强剂。渗透增强剂可以由渗透增强剂前体形成，所说的渗透增强剂前体可以在(1)基质金属之中提供；和/或在填料或预型体中提供；和/或从渗透气氛中提供和/或从加入该自发体系的外界来源提供。另外；可以直接向填料或预型体和/或基质金属和/或渗透气氛中的至少一种提供渗透增强剂而不是提供渗透增强剂前体。归根到底，至少在自发渗透期间，这种渗透增强剂应位于至少一部分填料或预型体中。

在一优选实施方案中，渗透增强剂前体可能至少是部分地与渗透气氛反应使得在先于或基本上与预型体与基质金属接触同时在至少一部分填料或预型体中形成渗透增强剂(例如，若镁是渗透增强剂前体而氮为渗透气氛的话，那么渗透增强剂则可以是位于至少一部分预型体或填料之中的氮化镁)。

基质金属/渗透增强剂前体/渗透气氛体系的一个例子为铝/镁/氮体系。具体地说，可以将一种铝基质金属埋置在装在一个合适的耐火容器中的填料中，其中的耐火容器在工艺条件下，当铝熔化时，它不与铝基质金属和/或填料反应。可以使一种含有镁或受到镁作用的并且至少在该过程的某一时刻暴露于氮气氛中的填料与熔融的铝基质金属相接触。然后这种基质金属将自发渗入所说的填料或预型体中。

此外，除了提供渗透增强剂前体以外，还可以直接向预型体和/或基质金属、和/或渗透气氛之中至少一种提供渗透增强剂。归根结底，至少在自发渗透期间，渗透增强剂应该位于至少一部分填料或预型体之中。

在本发明方法所选用的条件下，在铝/镁/氮自发渗透体系的情况下，预型体或填料应该具备足够的可渗透性以便于含氮气体在过程进行期间某一时刻穿透或渗透填料和/或与熔融基质金属接触。此外，可渗透填料或预型体能够适应熔融基质金属的渗透，从而使得被氮气渗透的填料或预型体被熔融基质金属自发渗透从而形成金属基质复合体和/或使氮气与渗透增强剂前体反应从而在填料或预型体内形成渗透增强剂并且导致自发渗透。自发渗透的程度或速度以及金属基质复合体的形成将随着给定的工艺条件而发生变化，这些条件包括铝合金中的镁含量、预型体或填料中的镁含量、预型体或填料中的氮化镁含量、附加合金元素(例如硅、铁、铜、锰、铬、锌等)的存在、构成预型体的填料或填料的平均粒度(例如粒径)、填料或预型体的表面状况和类型、渗透气氛中的氮浓度、渗透时间和渗透温度。举例来说，对于熔融铝基金属所进行的自发渗透来说，铝可以与以合金重量为基准计至少大约1％(重)、以至少大约3％(重)为佳的镁(起着渗透增强剂前体的作用)形成合金。如上所述，基质金属中还可以包括辅助合金元素以便使其具备特定的性能。另外，辅助合金元素会改变基质铝金属中进行自发渗透填料或预型体所需的最低镁量。由于，举例来说，挥发所造成的镁损失不应该发展到没有用于形成渗透增强剂的镁这一程度。因此，有必要使用足量的初始合金元素以保证自发渗透不会受到挥发作用的不利影响。再说，当镁同时存在于填料或预型体(或填料)与基质金属之中或者仅存在于预型体(或填料)中时均会使进行自发渗透所需的镁量有所减少(下文将对此作更详细的讨论)。

氮气氛中氮的体积百分比同样会对金属基质复合体的形成速率有所影响。具体地说，该气氛中若存在低于大约10％(体积)氮的话，自发渗透就会非常缓慢或者几乎未发生自发渗透。业已发现，渗透气氛中以存在至少50％(体积)左右的氮为佳，因而使得，举例来说，渗透时间由于渗透速率大大加快而更加短暂。渗透气氛(例如含氮气体)可被直接提供给填料或预型体和/或基质金属，或者它可以由某一材料分解而成。

熔融基质金属渗透填料或预型体所需的最低镁量取决于一种或多种诸如加工温度、时间、辅助合金元素如硅或锌的存在、填料的性质、在一种或多种自发体系中镁所处的位置、气氛中氮含量以及氮气氛的流动速率之类的变量。随着合金和/或预型体的镁含量增加，可以选用更低的温度或更短的加热时间以实现完全渗透。此外，对于给定的镁含量来说，添加特定的辅助合金元素如锌允许选用较低的温度。举例来说，当基质金属的镁含量处于可操作范围下端例如大约1～3％(重)的时候，与其组合选用的至少为下列因素之一：高于最低加工温度、高氮含量或者一种或多种辅助合金元素。当预型体中未加镁时，以通用性为基础，在宽范围的加工条件下合金以含有大约3～5％(重)镁为佳，当选用较低温度和较短时间时以至少大约5％为佳。可以采用超过大约10％(铝合金重量)的镁含量以调节渗透所需温度条件。当与辅助合金元素结合使用时可以降低镁含量，不过这些元素仅具有辅助功能并且与至少上述最低镁量共同投入使用。举例来说，仅与10％硅形成合金的足够纯的铝于1000℃下基本上不渗透500目39Crystolon(99％纯度碳化硅，Norton公司出品)的垫层。然而，在镁存在下，业已发现硅有助于渗透过程。再举一个例子，如果镁仅仅被提供给预型体或填料，其数量会有所改变。已经发现，当被供给自发体系的全部镁中至少有一部分被置于预型体或填料中时，自发渗透将借助较低重量百分率所供给的镁进行。必要的是提供转少量的镁以防止在金属基质复合体内形成不必要的金属互化物。在碳化硅预型体的情况下，业已发现，当该预型体与铝基质金属接触时，在该预型体含有至少约1％(重)镁和有基本上纯的氮气氛存在条件下，基质金属自发渗透该预形体。在氧化铝预型体的情况下，实现可被接受的自发渗透所需镁量稍有增加。具体地说，业已发现，当氧化铝预型体与类似铝基质金属接触时，在大约与铝渗透碳化硅预型体相同的温度以及有相同氮气氛存在的条件下，需要至少约3％(重)镁实现与上述在碳化硅预型体中类似的自发渗透。

同样应该注意的是在基质金属渗入填料或预型体之前可以将渗透增强剂前体和/或渗透增强剂以置于合金表面和/或预型体或填料表面和/或置于预型体或填料之中的方式提供给自发体系(即不必使被提供的渗透增强剂或渗透增强剂前体与基质金属形成合金，而是被简单地提供给自发体系)。如果将镁施用于基质金属表面，则该表面优选地是十分接近于、或者最好是与填料的可渗透部分相接触，反之亦然；或者是这种镁混合于至少一部分预型体或填料之中。此外，还可以采用表面施用、形成合金与将镁置于至少一部分预形体中三种应用方式的某一组合形式。这一应用渗透增强剂和/或渗透增强剂前体的组合方式不仅能够减少促进基质铝金属渗透预型体所需镁的总重百分比，同时还能够降低渗透温度。此外，还能够将由于存在镁而形成的不需要的金属互化物数量减少至最低限度。

一种或多种辅助合金元素的应用以及周围气体中氮的浓度同样会对在给定温度下进行的基质金属的氮化程度产生影响。举例来说；包含在合金之中或被置于合金表面的辅助合金元素如锌或铁可被用于降低渗透温度从而减少氮化物的生成量，但是提高气体中氮气的浓度可用于促进氮化物形成。

合金中和/或被置于合金表面之上和/或结合于填料或预型体之中的镁的浓度同样易于影响在给定温度下的渗透的程度。因此，在某些几乎没有或完全没有镁与预型体或填料直接相接触的情况下，以合金中至少包含大约3％(重)镁为佳。若合金含量低于此数值如含有1％(重)镁，则需要较高的加工温度或辅助合金元素进行渗透。在下列情况下进行本发明的自发渗透方法所需温度较低：(1)当只有合金的镁含量增加例如达到至少5％(重)左右时；和/或(2)当合金成分与填料或预型体的可渗透部分混合时；和/或(3)当铝合金中存在另一种元素如锌或铁时。温度还可以随着填料的不同而有所变化。一般说来，自发和渐进渗透的工艺温度至少约为675℃、以至少约750～800℃为佳。一般情况下，当温度超过1200℃时似乎对该工艺过程不会产生任何益处，业已发现，特别适用的温度范围约为675～1200℃。然而，作为一般规律，自发渗透温度高于基质金属的熔点但是却低于基质金属的挥发温度。此外，自发渗透温度应该低于填料的熔点。再说，随着温度升高，基质金属与渗透气氛之间相互反应形成产物的倾向性也会有所增强(例如，在铝基质金属与氮渗透气氛的情况下，会形成氮化铝)。这类反应产物可以是必要的也可以是不需要的，这要取决于金属基质复合体的目的应用。因此，电阻加热是达到渗透温度的典型途径。然而，任何能够使基质金属熔化却对自发渗透不会产生不利影响的加热方式均适用于本发明。

在本方法中，举例来说，至少是在该工艺过程期间的某一时刻在含氮气体存在下使可渗透的填料或预型体与熔融铝相接触，通过保持一连续的气流提供含氮气体，使其与填料或预型体和/或熔融铝基质金属中的至少一种相互接触。虽然含氮气体的流量并非至关重要，但是该量以足以补偿由于合金基质中形成氮化物而在气氛中造成的氮损失。并且足以防止或抑制空气侵入从而对熔融金属产生氧化效果为佳。

形成金属基质复合体的方法适用于许多填料，而填料的选择取决于诸如基质合金、工艺条件、熔融基质合金与填料的反应能力、填料对基质金属的适应能力以及目的复合体产物应具备的特性之类因素。举例来说，当基质金属为铝时，适宜的填料包括(a)氧化物，例如氧化铝；(b)碳化物，例如碳化硅；(c)硼化物，例如十二硼化铝；以及(d)氮化物，例如氮化铝。如果填料易于与熔融铝基质金属反应，这可以通过最大限度地缩短渗透时间与最大限度地降低渗透温度或者通过向填料提供非反应涂层来加以调节。填料可以包含一种基体如碳或其它非陶瓷材料，该基体带有陶瓷涂层以防受到化学侵蚀与老化作用。适宜的陶瓷涂层包括氧化物、碳化物、硼化物和氮化物。用于本方法的优选陶瓷材料包括呈颗粒、片晶、晶须和纤维状的氧化铝和碳化硅。纤维可以是不连续的(被切断)或以织物和连续单位如多丝束的形式存在。此外，填料或预型体可以是均相的或非均相的。

业已发现的还有，某些填料相对于具备类似化学组成的填料，其渗透性有所增强。举例来说，按照美国专利No.4713360(题目为“新型陶瓷材料及其制备方法”，Marc S.Newkirk等人，于1987年12月15日颁发)所述方法组成的粉碎的氧化铝主体相对于市售氧化铝产品具有理想的渗透特性。此外，按照共同未决与共同所有的申请系列No.819397(题目为“复合陶瓷制品及其制造方法”，Marc S.Newkirk等人)所述方法组成的粉碎氧化铝主体相对于市售氧化铝产品同样具有理想的渗透特性。颁布专利及其共同未决专利申请的各自主题在此引用仅供参考。因此，业已发现，陶瓷材料的可渗透体的彻底渗透可通过采用上述美国专利和专利申请的方法再次的粉碎或细碎主体于较低的渗透温度下和/或较短的渗透时间内进行。

填料可以呈现达到复合体必要特性所需的并且与所用的基质金属相适应的任何尺寸和形状。因此，既然渗透并非受到填料形状的限制，所以填料可以呈颗粒、晶须、片晶纤维或其混合物状。也可以选用诸如球体、小管、丸粒、耐火纤维布之类形状的填料。另外，虽然与较大的颗粒相比，较小颗粒进行完全渗透需要更高的温度或更长的时间，但是材料的大小并不限制渗透。此外，有待渗透的填料(被加工成预型体)应该是可渗透的(即可被熔融基质金属和渗透气氛所渗透)。

本发明的形成金属基质复合体的方法并不依赖于施加压力迫使或挤压熔融金属基质进入预型体填料之中从而产生具有高体积百分比填料和低孔隙率、基本上均匀的金属基质复合体。通过采用低孔隙率的原始填料和各种粒度颗粒的混合物以及通过混合各种粒度的颗粒可以获得至少约50％体积百分比较高的填料。只要不会将填料转化为有碍于熔融合金渗透具有闭孔多孔性的压块或完全密实的结构，通过将填料压实或以其它方式进行致密处理同样会获得体积百分比较高的填料。

已经观察到对于在陶瓷填料周围发生的铝渗透和基质形成来说，铝基质金属对陶瓷填料的润湿在渗透机理中起着重要的作用。此外，在低加工温度下，可忽略不计或极少量金属的氮化导致有极少量不连续相的氮化铝分散于金属基质之中。然而，当温度达到上限时，金属的氮化更容易发生。因此，可以通过改变渗透温度来控制金属基质中氮化物相的数量。当氮化物的形成更为明显时的特定加工温度同样会随着下列因素发生变化，这些因素有如所使用的基质铝合金，及其相对于填料或预型体体积的数量、有待渗透的填料和渗透气氛中的氮浓度。举例来说，人们认为在给定加工温度下氮化铝生成的多少随着合金润湿填料能力的下降以及随着气氛中氮浓度的增大而增加。

因此，能使金属基质的组成在产生复合体的过程中赋予所得到的产物以特定的特性。对于一给定的体系来说，可以选择工艺条件控制氮化物的形成。含有氮化铝相的复合体产物具有对于产物的性能起促进作用或能够改善产物性能的特性。此外，铝合金进行自发渗透的温度范围可以随着所用的陶瓷材料而有所变化。在选用氧化铝作为填料的情况下，如果想要使基质的延展性不因形成大量氮化物而有所下降那么渗透温度以不超过大约1000℃为佳。然而，如果希望形成含有延展性较差而硬度较高的基质复合体那么渗透温度可以超过1000℃。当选用碳化硅作为填料时，相对于使用氧化铝作为填料的情况，由于所形成的铝合金氮化物较少，所以，为了渗透碳化硅可以选用1200℃左右的较高温度。

此外，可以使用一种基质金属储备源，以保证填料全部渗透，和/或提供与第一基质金属源的组成不同的第二种金属。具体地讲，就是在某些情况下，可能需要使用该储备源中与第一基体金属源组成不同的基质金属。例如，如果铝合金用做第一基质金属源，那么实质上任何其它在加工温度下能熔融的金属或金属合金都可以用做储备源金属。熔融金属通常具有良好的互溶性，因此，只要混合时间适当，储备源金属就会与第一基质金属源混合。所以，通过使用不同于第一基质金属源组成的储备源金属，就可能使金属基质的性能满足各种操作要求，由此调节金属基质复合体的性能。

本发明中也可以结合使用阻挡元件。具体地讲，应用本发明的阻挡元件可以在任何适于干扰、抑制、防止或中止熔融基质合金(如铝合金)超出由填料限定的界表面而形成的迁移，运动等的元件。合适的阻挡元件可以是满足下述要求的任何材料，化合物，元素或组合物等：能够局部抑制，停止，干扰或防止(及其它类似作用)超出陶瓷填料的限定界表面的连续渗透或任一其它类型的运动，在本发明的加工条件下，能保持某种整体性，不挥发，最好能使过程中使用的气体渗透。

合适的阻挡元件由在所采用的加工条件下，基本不被渗透的熔融基质合金润湿的材料构成。这种阻挡元件对熔融基质合金几乎没有或没有亲合力，因此阻挡元件防止或抑制了超出填料或预型体的限定界表面的运动。阻挡元件可缩短金属基质复合体产品可能需要的目的加工或研磨过程。如上所述，阻挡元件最好是可渗透的或多孔的，或通过穿孔使其变成可渗透的，以使气体能够与熔融基质合金接触。

特别适用于铝基质合金的阻挡元件含有碳，尤其是称为石墨的同素异形结晶碳。在上述加工条件下，石墨基本不被熔融的铝合金湿润。特别优选的石墨是一种以商标为Grafoil^(注册在“联合碳化物公司”名下)销售的石墨条产品。这种石墨条具有防止熔融金属移出填料的限定界表面的封闭特性，它也耐热，并呈化学惰性。Grafoil^石墨材料是能变形的，可配伍的，整合的并且有弹性的材料。它能够被制成各种形状来满足对阻挡元件的使用要求。但是石墨阻挡元件也可以以淤浆或糊，甚至漆膜的形式用于填料或预型件界面之上及四周。Grafoil^是一种可变形的石墨片，因此在这里是特别优选的。使用时，这种象纸一样的石墨只是简单地被固定在填料或预型件的周围。

本发明意在利用Grafoil^片作为阻挡元件和控制件。但是，由于至少它们相对于基质金属或预型体的位置不同，这种控制件与所说的阻挡元件是有区别的。具体地说，所说的阻挡元件可以限定渗透之后熔融基质金属在填料或预型体中的最终移动，而这种控制件是控制基质金属在渗透之前和渗透期间，基质金属与填料或预型体之间的接触量和接触位置。另外，该控制件可能起到阻挡元件和控制件的作用。例如，熔融基质金属通过控制件之后，这种熔融基质金属可以渗透填料或预型体直到接触到控制件的背面(例如，渗透可以在该控制件与填料或预型体进行有效接触时发生)。

另一种较好的、用于在氮气中的铝金属基质合金的阻挡元件是过渡金属硼化物[如二硼化钛(TiB₂)]。在使用时的某些加工条件下，它一般不被熔融铝金属合金润湿。用这种阻挡元件时，加工温度不应超过约875℃，否则阻挡元件就会失效。事实上，随着温度的增加，会发生向阻挡元件的渗透。过渡金属硼化物一般呈粒状(1～30微米)。阻挡元件也可以淤浆或糊的形式用于可渗透的陶瓷填料块的界面，这种材料块最好被预先成型，组成预型件。

另一种可用于在氮气中的铝金属基质合金的阻挡元件由低挥发性的有机化合物构成，它以膜或层的形式涂敷在填料或预型件的外表面上。在氮气中烧成时，特别是在本发明的加工条件下烧成时，有机化合物分解，留下一层碳黑膜。也可以用常规方法，如刷涂，喷涂或浸渍等涂敷这种有机化合物。

此外，只要经过细磨的粒状材料的渗透速率低于填料的渗透速率，该粒状材料就能起到阻挡元件的作用。

由此看来，阻挡板元件可以任何合适的方式使用，例如在限定的界表面上覆盖一层阻挡材料。将这样一层阻挡元件施用在限定的界表面时，可通过刷涂，浸渍，丝网印制，蒸发等方式，或者通过使用液状，浆状或糊状的阻挡元件，或者通过喷涂一种可蒸发的阻挡元件，或者通过简单地沉积一层粒状固体阻挡材料，或者通过使用阻挡元件的固体薄片或薄膜。放置好阻挡元件后，当正在渗透的基质金属到达限定的界面并与阻挡元件接触时，自发渗透则基本终止。

下面紧接着是实施例，其中包括了对本发明的各种不同的实施方案。但是，应该理解这些实施例是说明性的，不应将其解释为是对如所附权利要求书所定义的本发明范围的限定。

实施例1

图1表示了可以用于根据本发明形成金属基质复合体的组装体的横截面示意图。具体地说，基质金属(5)将通过控制件(3)自发渗透预型体(2)。特别是，组装一个尺寸约2×2×2英寸的Grafoil^盒子(1)。构成盒子(1)所用的Grafoil^是一种得自联合碳化物公司的厚度为0.015英寸的软石墨带产品。将一个尺寸约2×2×1/2英寸的预型体放在盒子(1)中。预型体(2)含有约12％(体积)的切断氧化铝纤维(至少90％(重量)的氧化铝纤维是由杜邦公司生产的Fiber FP)并且这种氧化铝纤维与胶态氧化铝粘合在一起。这种胶态氧化铝/纤维的重量比约为1/4，并且该预型体积的其余部分是内连孔隙。将控制件(3)直接放在Grafoil^盒子(1)中的预型体(2)的顶上。控制件(3)包括另一个带有5个孔(30)(如通道)的Grafoil^薄片。通过沿与Grafoil^盒子(1)的接合处(4)施用一种石墨粉和胶态二氧化硅的混合物来密封该控制件(3)。然后将铝合金(5)直接放在盒(1)中的控制件(3)的顶上。所说的铝合金(5)含有约10.5％Mg、4％Zn、0.5％Si、0.5％Cu，含量为铝。提供两个铝合金(5)的锭，每个尺寸约1×7/8×1/2英寸。将含有铝合金锭(5)和预型体(2)的Grafoil^盒子(1)放在一个石墨舟(6)中，该石墨舟(6)部分地用得自Norton公司的24粒度的38Alundum的氧化铝床(7)充填。然后将石墨舟(6)约填充到其中的石墨盒(1)的同样高度。所说的床(7)的主要目的是提供对Grefoil^盒子(1)的支承床。

将装有图1的组装体的石墨舟(6)放到一个控制气氛的电阻炉(即一个抽空到1×10^-4乇的真空炉)中。然后为清洗炉内的环境，向炉中反冲氮气，并使该炉加热到约200℃。在后续的加热和渗透期间，使氮气以约2升/分钟的流量通过该真空炉。用时约5小时使该炉加热到约700℃的温度。使炉子在700℃下保持约20小时，然后使其自然冷却到室温。

炉子冷却之后，将所说的舟(6)和其内含物从炉中取出。铝合金的残余物容易地用锤子和凿子从预型体上除掉。具体地说，如图3所示，金属基质复合体(20)基本完全被基质金属渗透。这种基质金属的残余物(21)容易与所形成的金属基质复合体(20)分离。在每个金属基质复合体(20)中的园形区域(23)和基质金属残余物(21)相对于控制件(3)上的通道(30)。基质金属残余物(21)与金属基质复合体(20)之间的面接触被尽量减少，从而使得更容分离。另外，将与所说的控制件(3)相接触的金属基质(2)表面进行喷砂处理以除去残留的Grafoil^，从而得到一个形状基本完整的金属基质复合体。

实施例2

图2表示一种根据发明用于形成金属基质复合体的组装体的横截面示意图。具体地说，制备一种尺寸约为12×6×2英寸的Grafoil^盒子(8)。将一种尺寸约为12×6×0.3英寸的预型体(9)放在盒子(8)中。该预型体(9)约含40.3％(体积)的连续氧化铝纤维(至少90％(重量)的氧化铝纤维是杜邦公司生产的Fiber FP)。将这氧化铝纤维用硅涂敷并且粘合在一起，其中有4％(体积)的纤维具有0°/90°取向。将Grafoil^控制件(10)直接放置在预型体(9)之上，并用实施例1中讨论的方式使其封合到Grafoil^盒子(8)上。但是在这一实施例中，控制件(10)仅具有一个尺寸约为5×1英寸的距形开口(31)。将重约1700g，含有约10.5％(重量)镁的铝合金锭(11)直接放在盒子(8)中的Grafoil^板控制件(10)的顶上。将该合金锭(11)以这样一种方式放置，即当这种铝合金熔化时，它能自发地通过控制件(10)流入预型体(9)中。另外；在Grafoil^控制件(10)的每端处放置两个不锈钢棒(12)，但它们不与铝合金(11)接触。棒(12)起到在渗透期间固定控制件(10)的位置的作用。然后将Grafoil^盒子(8)放入石墨舟(14)中。再以实施例1中所述的方式在盒子(8)的周围放置24粒度的Alumdum床(13)。

然后将石墨舟(14)放入一个真空炉内，并用如实施例1中讨论的那样进行吹洗。在后续的加热和渗透步骤期间，使氮气以约2.5升/分钟的流量通过真空炉。用时约5小时将炉子加热到725℃。在该温度下保温约45小时，切断炉子电源后使其自然冷却。然后从炉中取出石墨舟，并且如实施例1中所述的那样从预型体上除去合金残余物。具体地说，如图4所示，金属基质复合体(40)基本完全地被基质金属所渗透。通过拉开这两块物体，基质金属残余物(41)容易地从所形成的金属基质复合体(40)上分离下来。在这两物体上的长方形区域(42)对应于使熔融基质金属流经基中的控制件(10)上的通道(31)。

在每个实施例中，Grafoil^盒和控制件可以容易地取出，(如果需要时)可以通过轻度喷砂或喷粒处理。但是，在某些情况下，可能有必要进行轻度研磨、侵蚀等处理以除去残留的加工材料。

这两个实施例说明了本发明的两个优点，特别是发生金属基质合金自发渗入预型体之后，这种基质金属残余物将不必用机械加工使其从金属基质复合体上分离下来。另外；这种控制件防止了冷却时金属基质复合体的变形。具体地说，基质金属残余物中的铝具有比形成的金属基质复合体更高的热膨胀系数。因此，当该残余物冷却时，它将以高于所渗透的复合体的速度收缩，如果该残余物直接与形成的金属基质复合物接触的话，该残余物将容易引起该预型体的弯曲或变形(如变成U-形)。本发明的控制件提供了一种减少上面所讨论的每个问题的不理想方面的解决方法。

虽然上面所述的实施例都具有特殊性，但是对这些实施的各种改变对本专业技术人员都是可以实现的，所以所有这些改变方案都应包括在所附的权利要求书的范围内。

Claims (33)

1．一种生产金属基质复合体的方法，其特征在于该方法包括：

提供一种基本非反应性的填料；

提供一个熔融基质金属源；

向所说的熔融基质金属和所说的填料中的至少一种物质中提供渗透增强剂；

在所说的填料和所说的基质金属源之间插入一个种控制件；以及

用熔融基质金属自发渗透至少一部分所说的填料。

2．一种如权利要求1所述的方法，该方法还包括提供一种在至少一部分渗透时间内与填料和基质金属中的至少一种相通的渗透气氛的步骤。

3．一种如权利要求2所述的方法，该方法还包括向所说的基质金属、填料和渗透气氛中的至少一种提供渗透增强剂前体的步骤。

4．一种如权利要求3所述的方法，其中所说的渗透增强剂前体是从外界来源提供的。

5．一种如权利要求3所述的方法，其中的渗透增强剂是通过一种渗透增强剂前体和至少一种选自渗透气氛、填料和基质金属中的物质反应形成的。

6．一种如权利要求5所述的方法，其中在渗透过程中，渗透增强剂前体挥发。

7．一种如权利要求6所述的方法，其中挥发的渗透增强剂前体在至少一部分填料中反应形成一种反应产物。

8．一种如权利要求7所述的方法，其中所说的反应产物是至少可部分地被所说的熔融基质金属还原的。

9．一种如权利要求8所述的方法，其中所说的反应产物涂敷在至少一部分所说的填料上。

10．一种如权利要求1所述的方法，其中的填料包括一种预型体。

11．一种如权利要求1所述的方法，该方法还包括用一种阻挡元件限定填料的表面边界的步骤，其中的基质金属自发地渗透到所说的阻挡元件。

12．一种如权利要求11所述的方法，其中所说的阻挡元件包括一种选自石墨和二硼化钛中的材料。

13．一种如权利要求11所述的方法，其中所说的阻挡元件基本不被所说的基质金属润湿。

14．一种如权利要求11所述的方法，其中所说的阻挡元件包括至少一种材料，该材料为足够可渗透的，以使得渗透气氛与基质金属、填料、渗透增强剂和渗透增强剂前体中的至少一种相接触。

15．一种如权利要求1所述的方法，其中的填料包括至少一种选自粉末、片晶、微球、晶须、泡体、纤维、颗粒、纤维垫、切断纤维、球、丸粒、管状物和耐火布中的材料。

16．一种如权利要求1所述的方法，其中的填料在熔融基质金属中有有限的溶解度。

17．一种如权利要求1所述的方法，其中的填料包括至少一种陶瓷材料。

18．一种如权利要求3所述的方法，其中的基质金属包括铝，渗透增强剂前体包括至少一种选自镁、锶和钙中的材料，渗透气氛包括氮气。

19．一种如权利要求3所述的方法，其中的基质金属包括铝，渗透增强剂前体包括锌，渗透气氛包括氧气。

20．一种如权利要求3所述的方法，其中在所说的填料和所说的基质金属之间的界面处提供至少一种选自所说的渗透增强剂和所说的渗透增强剂前体的物质。

21．一种如权利要求1所述的方法，其中渗透增强剂前体在所说的基质金属中合金化。

22．一种如权利要求1所述的方法，其中所说的基质金属包括铝和至少一种选自硅、铁、铜、锰、铬、锌、钙、镁和锶中的合金元素。

23．一种如权利要求1所述的方法，其中自发渗透期间的温度高于基质金属的熔点，但低于基质金属的挥发点和填料的熔点。

24．一种如权利要求2所述的方法，其中的渗透气氛包括选氧气和氮气中的一种气氛。

25．一种如权利要求3所述的方法，其中的渗透增强剂前体包括选自镁、锶和钙中的一种材料。

26．一种如权利要求1所述的方法，其中的基质金属包括铝，填料包括选自氧化物、碳化物、硼化物和氮化物中的至少一种材料。

27．一种如权利要求1所述的方法，其中所说的控制件包括一种基本不能被所说的熔融基质金属润湿的材料。

28．一种如权利要求1所述的方法，其中所说的控制件减少自发渗透的填料和残余基质金属的残余物之间的粘合。

29．一种如权利要求1所述的方法，其中所说的控制件包括一种多孔板材料。

30．一种如权利要求29所述的方法，其中所说的多孔板材料包括石墨材料。

31．一种如权利要求29所述的方法，其中所说的控制件包括在所说的板材中的一个穿孔。

32．一种如权利要求29所述的方法，其中所说的控制件包括在所说的板材中的许多穿孔。

33．一种如权利要求29所述的方法，其中排列所说的多孔以有助于基本均匀的自发渗透。

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