CN107039551B - 太阳能电池模块 - Google Patents

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Abstract

一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：第一太阳能电池和第二太阳能电池，所述第一太阳能电池和第二太阳能电池各自包括半导体基板以及第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极在半导体基板上且具有不同的极性并且在第一方向上延伸；以及多条导线，所述多条导线在第二方向上延伸、被设置在第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每一个的半导体基板上并且与第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每一个的第一电极或第二电极连接，从而将第一太阳能电池与第二太阳能电池在第二方向上串联连接。每条导线包括在半导体基板的厚度方向上的不均匀部分，所述不均匀部分是所述导线的除了连接至第一电极或第二电极的一部分以外的剩余部分。

Description

太阳能电池模块
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池模块。
背景技术
近来，随着诸如石油和煤炭的现有能源预期要耗尽，对用于取代现有能源的替代能源的兴趣与日俱增。在替代能源当中，用于从太阳能生成电能的太阳能电池尤为突出。
太阳能电池通常包括半导体部分，其分别具有不同的导电类型(例如，p型和n型)并由此形成p-n结；以及分别连接至不同导电类型的半导体部分的电极。
当光入射在太阳能电池上时，在该半导体部分中生成多个电子-空穴对，并且多个电子-空穴对因入射光而被分离成电子和空穴。电子移动至n型半导体部分，而空穴移动至p型半导体部分。接着，这些电子和空穴被分别连接至n型半导体部分和p型半导体部分的不同电极收集。这些电极利用电线彼此连接，以由此获取电力。
具有上述构造的多个太阳能电池可以通过互连件彼此连接以形成模块。
根据现有技术的太阳能电池包括：多个指状电极，所述多个指状电极各自具有相对小的宽度；以及母线电极，所述母线电极具有比指状电极的宽度更大的宽度并且连接多个指状电极。用作电池间连接器的夹式互连件被直接连接到相邻太阳能电池的母线电极，并且形成太阳能电池串。
然而，因为母线电极一般不用于收集载流子，所以当太阳能电池包括具有相对大的宽度的母线电极时，该母线电极对于提高太阳能电池的效率而言相对较弱。
因此，近来通过省略母线电极而仅使用指状电极来形成太阳能电池的电极的趋势已在增长。
然而，当太阳能电池如上所述仅包括指状电极时，不能使用直接连接到太阳能电池的电极的夹式互连件。因此，已越来越多地使用相对窄且长的多条线被整个连接到太阳能电池的电极的结构。
然而，在窄且长的线连接到太阳能电池的结构中，在用于将线连接到太阳能电池或者将线连接到太阳能电池之间的互连件的工艺中，由于线的热膨胀而导致线弯曲。因此，使串的形状变形。
发明内容
在一方面，提供了一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：第一太阳能电池和第二太阳能电池，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池各自包括半导体基板以及第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述半导体基板上且具有不同的极性并且在第一方向上延伸，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池被布置为在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻；以及多条导线，所述多条导线在所述第二方向上延伸、被设置在所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述半导体基板上并且与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极或所述第二电极连接，以将所述第一太阳能电池与所述第二太阳能电池在所述第二方向上串联连接，每条导线包括在所述半导体基板的厚度方向上的不均匀部分，所述不均匀部分是所述导线的除了连接至所述第一电极或所述第二电极的一部分以外的剩余部分。
所述每条导线的所述不均匀部分的厚度可以在10％的误差范围内基本上等于所述每条导线的不包括所述不均匀部分的部分的厚度。
所述不均匀部分的厚度可以在10％的误差范围内在整个所述不均匀部分上是一致的。
所述不均匀部分的高度可以大于所述不均匀部分的厚度。
所述不均匀部分的截面可以具有锯齿形状。
所述不均匀部分可以位于所述第一太阳能电池的所述半导体基板与所述第二太阳能电池的所述半导体基板之间。
所述导线由于所述不均匀部分而在所述第二方向上可以具有柔性。
所述不均匀部分可以具有各自在所述第一方向上延伸的峰和谷。所述不均匀部分的从所述谷到所述峰测量的高度可以是0.03mm至1mm。
所述每条导线可以被形成为导体并且可以被连接至所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池。被形成为所述导体的所述每条导线可以通过导电粘合剂被连接至所述第一太阳能电池的所述第一电极，并且可以通过绝缘层与所述第一太阳能电池的所述第二电极绝缘。被形成为所述导体的所述每条导线可以通过所述导电粘合剂被连接至所述第二太阳能电池的所述第二电极，并且可以通过所述绝缘层与所述第二太阳能电池的所述第一电极绝缘。
被形成为所述导体的所述每条导线可以包括在所述第一太阳能电池的所述半导体基板与所述第二太阳能电池的所述半导体基板之间的所述不均匀部分。
所述多条导线可以包括：第一导线，所述第一导线通过导电粘合剂与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极连接，并且通过绝缘层与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第二电极绝缘；以及第二导线，所述第二导线与所述第一导线间隔开，通过所述导电粘合剂与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第二电极连接，并且通过所述绝缘层与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极绝缘。
该太阳能电池模块还可以包括在所述第一太阳能电池与所述第二太阳能电池之间沿所述第一方向延伸的互连件。连接至所述第一太阳能电池的所述第一导线和连接至所述第二太阳能电池的所述第二导线可以共同被连接至所述互连件。
所述第一导线可以包括当从所述太阳能电池模块的前面观看时在所述第一太阳能电池的所述半导体基板与所述互连件之间暴露出的区域中的所述不均匀部分。而且，所述第二导线可以包括当从所述太阳能电池模块的所述前面观看时在所述第二太阳能电池的所述半导体基板与所述互连件之间暴露出的区域中的所述不均匀部分。
所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极和所述第二电极可以被设置为在所述半导体基板的背面上沿所述第二方向延伸。所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述半导体基板可以被掺杂有第一导电类型的杂质。
所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极可以被连接至发射极区，所述发射极区位于所述半导体基板的所述背面处并且被掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质。
所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第二电极可以被连接至背面场区，所述背面场区位于所述半导体基板的所述背面处并且比所述半导体基板更重地被掺杂有所述第一导电类型的杂质。
在所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个中，所述第一电极可以被设置在所述半导体基板的前表面上，并且所述第二电极可以被设置在所述半导体基板的背面上。所述多条导线可以与所述第一太阳能电池的前表面上的所述第一电极连接，并且可以与所述第二太阳能电池的背面上的所述第二电极连接，以将所述第一太阳能电池与所述第二太阳能电池串联连接。
每条导线可以包括在所述第一太阳能电池与所述第二太阳能电池之间的所述不均匀部分。
所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述半导体基板可以被掺杂有第一导电类型的杂质。所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极可以被连接至发射极区，所述发射极区位于所述半导体基板的所述前表面处并且被掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质。所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第二电极可以被连接至背面场区，所述背面场区位于所述半导体基板的所述背面处并且比所述半导体基板更重地被掺杂有所述第一导电类型的杂质。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与本描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1、图2、图3、图4和图5例示了根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块；
图6和图7例示了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块；
图8、图9、图10和图11例示了根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块；以及
图12和图13例示了根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施方式，这些实施方式的示例在附图中进行了例示。然而，本发明可以按许多不同形式来具体实施，并且不应被视为限于在此阐述的实施方式。在任何可能的情况下，遍及整个附图将使用相同标号来指代相同或相似的部件。将注意到，如果确定对已知技术的详细描述可能会使本发明的实施方式模糊，则将省略对该已知技术的详细描述。
在附图中，为清楚起见，夸大了层、膜、板、区域等的厚度。应当明白，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接处于该另一元件上，或者还可以存在中间元件。与此相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。而且，应当明白，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“全部”处于另一元件上时，其可以处于该另一元件的整个表面上，并且可能并非处于该另一元件的边缘的一部分上。
在下面的描述中，“前表面”可以是半导体基板的光直接入射其上的一个表面，并且“背面”可以是与半导体基板的所述一个表面相反的表面，在该表面上光没有直接入射或者反射光可以入射。
图1至图5例示了根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块。
更具体地，图1例示了当从太阳能电池模块的背面观看时根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块的形状的示例。
如图1所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块可以包括多个太阳能电池C1和C2、多条导线200和互连件300。
在本文中公开的实施方式中，根据需要或期望，可以省略互连件300。然而，通过如图1中示出的示例，使用包括互连件300的太阳能电池模块来描述本发明的实施方式。
多个太阳能电池C1和C2中的每一个可以至少包括半导体基板110以及在半导体基板110的背面上彼此间隔开并且在第一方向x上延伸的多个第一电极141和第二电极142。
多条导线200可以通过互连件300将在多个太阳能电池当中的两个相邻太阳能电池中的一个太阳能电池中所包括的多个第一电极141串联电连接至另一太阳能电池中所包括的多个第二电极142。
为此，所述多条导线200可以沿与第一和第二电极141和142的纵向方向(即，第一方向x)交叉的第二方向y延伸，并且可以连接至所述多个太阳能电池中的每一个。
所述多条导线200可以包括多条第一导线210和多条第二导线220。
第一导线210可以利用导电粘合剂251连接至包括在每一个太阳能电池中的第一电极141，并且可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252与每一个太阳能电池的第二电极142绝缘。
而且，第二导线220可以利用导电粘合剂251连接至包括在每一个太阳能电池中的第二电极142，并且可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252与每一个太阳能电池的第一电极141绝缘。
互连件300可以被设置为在第一太阳能电池C1与第二太阳能电池C2之间沿第一方向x延伸。连接到第一太阳能电池C1的第一导线210与连接到第二太阳能电池C2的第二导线220可以共同连接到互连件300。因此，多个太阳能电池C1和C2可以在第二方向y上彼此串联连接。
通过示例的方式，使用包括互连件300的太阳能电池模块例示并描述了本发明的实施方式。然而，互连件300可以被省略。当互连件300被省略时，第一导线210和第二导线220可以被直接连接或者形成为一体，并由此可以使多个太阳能电池C1和C2串联连接。
下面详细地描述太阳能电池模块的每个组件。
图2是例示应用至图1所示的太阳能电池模块的太阳能电池的示例的局部立体图。图3是图2所示的太阳能电池的沿第二方向的截面图。
如图2和图3所示，根据本发明的该实施方式的太阳能电池的示例可以包括：防反射层130、半导体基板110、隧道层180、多个发射极区121、多个背面场区172、多个本征半导体层150、钝化层190、多个第一电极141以及多个第二电极142。
在这里公开的实施方式中，若希望或需要的话，可以省略防反射层130、本征半导体层150、隧道层180以及钝化层190。然而，当太阳能电池包括它们时，可以进一步提高太阳能电池的效率。
由此，本发明的该实施方式通过示例的方式利用包括防反射层130、本征半导体层150、隧道层180以及钝化层190的太阳能电池来进行描述。
该半导体基板110可以由包含第一导电类型的杂质的单晶硅和多晶硅中的至少一种来形成。例如，半导体基板110可以由单晶硅晶片形成。
在这里公开的实施方式中，第一导电类型可以是n型和p型之一。
当半导体基板110是p型时，该半导体基板110可以被掺杂有III族元素的杂质，诸如硼(B)、镓(Ga)以及铟(In)。另选的是，当半导体基板110是n型时，该半导体基板110可以被掺杂有V族元素的杂质，诸如磷(P)、砷(As)以及锑(Sb)。
在下面的描述中，本发明的实施方式利用第一导电类型是n型的示例来进行描述。
半导体基板110的前表面可以是具有多个不平坦部分或者具有不平坦特征的不平坦表面。由此，定位在半导体基板110的前表面上的发射极区121可以具有不平坦表面。
因此，从半导体基板110的前表面反射的光的量可以减少，而入射在半导体基板110的内部上的光的量可以增加。
可以将防反射层130定位在半导体基板110的前表面上，以最小化从外部入射在半导体基板110的前表面上的光的反射。防反射层130可以由以下中的至少一种形成：铝氧化物(AlOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)以及硅氧氮化物(SiOxNy)。
隧道层180被设置在半导体基板110的整个背面上，同时直接接触半导体基板110的整个背面，并且可以包括电介质材料。由此，如图2和图3所示，隧道层180可以通过在半导体基板110中生成的载流子。
换句话说，隧道层180可以通过在半导体基板110中生成的载流子，并且可以执行针对半导体基板110的背面的钝化功能。
隧道层180可以由电介质材料形成，包括在等于或高于600℃的高温下具有强耐久性的硅碳化物(SiCx)或硅氧化物(SiOx)。可以使用其它材料。
所述多个发射极区121可以被设置在半导体基板110的背面上，且更具体地，可以直接接触隧道层180的背面的一部分。所述多个发射极区121可以沿第一方向x延伸。
该发射极区121可以由与第一导电类型相反的第二导电类型的多晶硅材料形成。发射极区121可以与半导体基板110一起形成p-n结，并且使隧道层180插入其间。
因为每一个发射极区121均与半导体基板110一起形成p-n结，所以发射极区121可以为p型。然而，如果半导体基板110是不同于上述实施方式的p型，则发射极区121可以为n型。在这种情况下，分离的电子可以移动至所述多个发射极区121，而分离的空穴可以移动至所述多个背面场区172。
返回至本发明的该实施方式，当发射极区121是p型时，该发射极区121可以被掺杂有III族元素的杂质，诸如B、Ga以及In。与此相反，如果发射极区121是n型，则该发射极区121可以被掺杂有V族元素的杂质，诸如P、As以及Sb。
所述多个背面场区172可以被设置在半导体基板110的背面上。更具体地，所述多个背面场区172可以直接接触隧道层180的背面的一部分(与所述多个发射极区121中的每一个隔开)。所述多个背面场区172可以平行于所述多个发射极区121而沿第一方向x延伸。
该背面场区172可以由多晶硅材料形成，该多晶硅材料与半导体基板110相比，被更重地掺杂有第一导电类型的杂质。由此，当半导体基板110例如被掺杂有n型杂质时，所述多个背面场区172中的每一个都可以是n+型区。
势垒由半导体基板110和背面场区172的杂质浓度之间的差异形成。因此，背面场区172可以防止或减少空穴移动至用作电子通过势垒的移动路径的背面场区172，并且可以使载流子(例如，电子)更容易地移动至背面场区172。
由此，本发明的该实施方式可以减少因背面场区172处和周围或者第一和第二电极141和142处和周围的电子和空穴的复合和/或消失而造成的载流子损失的量，并且可以加速电子的移动，由此增加了移动至背面场区172的电子的量。
图2和图3通过示例的方式例示了利用多晶硅材料将发射极区121和背面场区172形成在隧道层180的背面上。不同于图2和图3，如果省略隧道层180，则发射极区121和背面场区172可以通过将杂质扩散到半导体基板110的背面中而被掺杂。
在这种情况下，发射极区121和背面场区172可以由与半导体基板110相同的材料(例如，单晶硅)形成。
本征半导体层150可以被形成在发射极区121与背面场区172之间暴露的隧道层180的背面上。本征半导体层150可以被形成为本征多晶硅层，与发射极区121和背面场区172不同，其未掺杂有第一导电类型的杂质或第二导电类型的杂质。
而且，如图2和图3所示，本征半导体层150可以被配置成使得两侧分别直接接触发射极区121的一侧和背面场区172的一侧。
钝化层190去除由在形成在背面场区172、本征半导体层150以及发射极区121处的多晶硅层的背面中所形成的悬空键(dangling bond)产生的缺陷，并由此可以防止在半导体基板110中生成的载流子通过该悬空键复合和消失。
第一电极141可以连接至发射极区121并且可以沿第一方向x延伸。第一电极141可以收集移动至发射极区121的载流子(例如，空穴)。
第二电极142可以连接至背面场区172，并且可以与第一电极141平行地沿第一方向x延伸。第二电极142可以收集移动至背面场区172的载流子(例如，电子)。
如图1所示，第一和第二电极141和142可以沿第一方向x延伸，并且可以另选地沿第二方向y设置。
在根据本发明的该实施方式的具有上述结构的太阳能电池中，通过第一电极141收集的空穴和通过第二电极142收集的电子可以通过外部电路装置被用作外部装置的电力。
应用至根据本发明的该实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池不限于图2和图3。除了包括在太阳能电池中的第一和第二电极141和142被形成在半导体基板110的背面上以外，太阳能电池的组件可以被不同地改变。
例如，根据本发明的该实施方式的太阳能电池模块可以使用金属穿孔卷绕(metalwrap through(MWT))太阳能电池，其被配置成使得第一电极141的一部分和发射极区121位于半导体基板110的前表面上，并且第一电极141的所述部分通过半导体基板110的孔连接至第一电极141的形成在半导体基板110的背面上的其余部分。
图4例示了一种截面结构，其中，各自具有上述构造的所述多个太阳能电池如图1所示利用导线200和互连件300串联连接。
更具体地，图4是沿图1的线X1-X1截取的截面图。
如图4所示，包括第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2的多个太阳能电池可以沿第二方向y布置。
包括在第一和第二太阳能电池C1和C2中的多个第一和第二电极141和142的纵向方向可以对应于第一方向x。
如上所述沿第二方向y布置的第一和第二太阳能电池C1和C2可以利用第一和第二导线200以及互连件300沿第二方向y彼此串联连接以形成电池串。
第一和第二导线200以及互连件300可以由导电金属材料形成。第一和第二导线200可以连接至每一个太阳能电池的半导体基板110的背面，并且接着可以连接至互连件300以供串联连接这些太阳能电池。
第一和第二导线200中的每一个都可以具有这样的导线形状：该导线形状具有圆形截面或宽度大于厚度的带状。
更具体地，多条第一导线210可以与包括在第一和第二太阳能电池C1和C2的每一个中的所述多个第一电极141交叠，并且可以通过导电粘合剂251连接至所述多个第一电极141。而且，所述多条第一导线210可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252而与包括在第一和第二太阳能电池C1和C2的每一个中的所述多个第二电极142绝缘。
在这种情况下，如图1和图4所示，所述多条第一导线210中的每一条可以朝着设置在第一与第二太阳能电池C1和C2之间的互连件300而突出至半导体基板110的外部。
多条第二导线220可以与包括在第一和第二太阳能电池C1和C2的每一个中的所述多个第二电极142交叠，并且可以通过导电粘合剂251连接至所述多个第二电极142。而且，所述多条第二导线220可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252而与包括在第一和第二太阳能电池C1和C2的每一个中的所述多个第一电极141绝缘。
在这种情况下，如图1和图4所示，所述多条第二导线220中的每一条都可以朝着设置在第一与第二太阳能电池C1和C2之间的互连件300而突出至半导体基板110的外侧。
该导电粘合剂251可以由包括锡(Sn)或含Sn合金的金属材料形成。该导电粘合剂251可以被形成为包括Sn或含Sn合金的焊锡膏、将Sn或含Sn合金包括在环氧树脂中的环氧树脂焊锡膏以及导电膏之一。
该绝缘层252可以由任何材料制成，只要使用绝缘材料即可。例如，该绝缘层252可以使用以下的一种绝缘材料：环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、丙烯酸基树脂以及硅基树脂。
如图1和图4所示，在连接至每一个太阳能电池的背面的第一和第二导线210和220的每一条中的向半导体基板110外侧突出的一部分可以共同连接至第一与第二太阳能电池C1与C2之间的互连件300的背面。因此，所述多个太阳能电池C1和C2可以沿第二方向y彼此串联连接以形成电池串。
在具有上述结构的太阳能电池模块中，当第一和第二导线210和220与第一和第二电极141和142之间的不良连接产生在所述多个太阳能电池当中时，太阳能电池的具有不良连接的第一和第二导线210和220可以与互连件300断开。因此，可以很容易地仅更换不良的太阳能电池。
如图4所示，在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中，每条导线200的除了连接到第一电极141或第二电极142的部分以外的剩余部分可以包括不均匀部分200P。
例如，不均匀部分200P的截面可以具有通过将导线200沿半导体基板110的厚度方向z折叠而形成的锯齿形状。该不均匀部分200P可以具有折叠部分。
更具体地，当从太阳能电池模块的平面观看时，导线200的具有不均匀部分200P的剩余部分可以位于第一太阳能电池C1的半导体基板110与第二太阳能电池C2的半导体基板110之间。
例如，如图4所示，当从太阳能电池模块的前表面观看时，第一导线210的暴露在第一太阳能电池C1的半导体基板110与互连件300之间的部分可以具有不均匀部分200P。另外，当从太阳能电池模块的前表面观看时，第二导线220的暴露在第二太阳能电池C2的半导体基板110与互连件300之间的部分可以具有不均匀部分200P。
在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中，当多个太阳能电池使用包括锯齿形状的不均匀部分200P在内的导线200被串联连接时，即使导线200热膨胀，该导线200也可以由于不均匀部分200P而在第二方向y上具有柔韧性。因此，当导线200被附接到半导体基板110的背面或者后续在太阳能电池模块中被使用时，即使由于太阳能电池模块的内部温度增加而导致热被施加到导线200，也可以减小导线200的热应力。
另外，不均匀部分200P能够防止导线200与互连件300分离，并且防止互连件300由于导线200的热膨胀而弯曲。
而且，在半导体基板110与互连件300之间入射的光可以被不均匀部分200P的倾斜表面再次反射。
重新反射的光可以被设置在太阳能电池的前表面上的前透明基板再次反射，并且可以入射到与该太阳能电池相邻的另一太阳能电池上。因此，能够进一步提高太阳能电池模块的光学增益，并且能够进一步提高太阳能电池模块的效率。
参照图5来详细描述导线200的不均匀部分200P的结构。
图5是对图4的部分A1进行放大以便详细地说明导线200的不均匀部分200P的局部立体图。
如图5所示，在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中，当从太阳能电池模块的前表面观看时，每条导线200的暴露在每个太阳能电池的半导体基板110与互连件300之间的部分可以具有不均匀部分200P。
图5作为示例例示了导线200的不均匀部分200P被形成在除了导线200与半导体基板110或互连件300之间的交叠部分以外的半导体基板110与互连件300之间。然而，本发明的实施方式不限于此。例如，不均匀部分200P的端部可以与半导体基板110或互连件300交叠。如图5所示，不均匀部分200P可以包括峰P1和谷R1。
不均匀部分200P的峰P1和谷R1可以在互连件300的纵向方向(即，第一方向x)上延伸。
因此，即使导线200由于在制造太阳能电池模块的工艺期间或者在使用太阳能电池模块期间产生的热而在第二方向y上热膨胀，也能够通过不均匀部分200P来减小导线200的应力。另外，不均匀部分200P能够防止导线200与互连件300分离，并且防止互连件300由于导线200的热膨胀而弯曲。
而且，太阳能电池模块的光学增益能够通过在不均匀部分200P的表面上的倾斜表面被进一步提高，并由此能够进一步提高太阳能电池模块的效率。
导线200的不均匀部分200P的厚度TP1和TP2可以在10％的误差范围内基本上等于导线200的未形成不均匀部分200P的部分的厚度T1。
例如，如图5所示，导线210和220的在半导体基板110与互连件300之间的不均匀部分200P的厚度TP1和TP2可以在10％的误差范围内基本上等于导线210和220中的每一个的与半导体基板110交叠的厚度T1。
例如，当导线200的与半导体基板110交叠的厚度T1是0.05mm至0.3mm时，不均匀部分200P的厚度TP1和TP2可以是0.05mm至0.3mm，并且可以在10％的误差范围内基本上等于导线200的厚度T1。
另外，不均匀部分200P的厚度TP1和TP2可以在10％的误差范围内是一致的。
例如，如图5所示，不均匀部分200P的在峰P1处的厚度TP1可以在10％的误差范围内基本上等于不均匀部分200P的在峰P1与谷R1之间的倾斜表面处的厚度TP2。
从不均匀部分200P的谷R1到峰P1测量的不均匀部分200P的高度HP可以大于不均匀部分200P的厚度TP1和TP2。
另选地，从不均匀部分200P的谷R1到峰P1测量的不均匀部分200P的高度HP可以考虑互连件300的厚度和封装件(例如，乙烯醋酸乙烯酯(EVA))的厚度来设置，所述封装件位于太阳能电池的前表面和背面上以保护太阳能电池免受外部冲击。
例如，当前封装件和后封装件各自具有约0.5mm的厚度并且互连件300具有约0.2mm的厚度时，不均匀部分200P的从谷R1到峰P1的高度HP可以是0.03mm至1mm。
当不均匀部分200P的高度HP等于或大于0.03mm时，可以确保不均匀部分200P的最小柔韧性。另一方面，当不均匀部分200P的高度HP在不均匀部分200P的柔韧性被充分保证的状态下过度增加时，不均匀部分200P可能会朝向太阳能电池模块的前表面或背面过度突出。因此，可能会损坏封装件(例如，EVA)。考虑到这种情况，不均匀部分200P的高度HP可以等于或小于1mm。
然而，导线200的不均匀部分200P的高度HP不限于上述范围。不均匀部分200P的高度HP可以根据前封装件的厚度、后封装件的厚度以及互连件300的厚度的改变而改变。
到目前为止，本公开已通过示例的方式描述了根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块，该太阳能电池模块被配置为使得互连件300被单独设置在多个太阳能电池之间，并且多个太阳能电池通过导线200和互连件300彼此串联连接。
然而，本公开可以被应用到这样的太阳能电池模块：该太阳能电池模块被配置为使得互连件300被省略，并且多个太阳能电池仅使用导线200彼此串联连接。下面将对此进行详细描述。
图6和图7例示了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块。更具体地，图6例示了当从太阳能电池模块的背面观看时根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块的形状的示例。图7是沿着图6的线X2-X2截取的截面图。
在图6和图7中省略了与图1至图5中例示的描述重复的描述，并且仅主要描述图1至图5与图6和图7之间的差异。
如图6和图7所示，在根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块中可以省略单独的互连件。
在本发明的第二实施方式中，用于将第一太阳能电池C1与第二太阳能电池C2串联连接的多条导线200中的每一条可以被连接到第一太阳能电池C1的半导体基板110的背面和第二太阳能电池C2的半导体基板110的背面两者。
即，与在第一实施方式中描述的第一导线和第二导线200不同，根据本发明的第二实施方式的每条导线200可以在第二方向y上相对足够长，以与在第二方向y上彼此相邻布置的第一太阳能电池C1的半导体基板110和第二太阳能电池C2的半导体基板110交叠。
如图6和图7所示，导线200的与第一太阳能电池C1交叠的部分可以通过导电粘合剂251被连接到第一太阳能电池C1的第一电极141，并且可以通过绝缘层252与第一太阳能电池C1的第二电极142绝缘。另外，导线200的与第二太阳能电池C2交叠的部分可以通过导电粘合剂251被连接到第二太阳能电池C2的第二电极142，并且可以通过绝缘层252与第二太阳能电池C2的第一电极141绝缘。
在根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块中，连接到第一太阳能电池C1的导线200和连接到第二太阳能电池C2的导线200可以被形成为一体，例如，通过金属条带形成为导体。与本发明的第一实施方式不同，互连件300被省略，并且相邻的太阳能电池可以仅使用导线200彼此串联连接。
如图7所示，按照与第一实施方式相同的方式，根据本发明的第二实施方式的每条导线200可以包括在第一太阳能电池C1的半导体基板110与第二太阳能电池C2的半导体基板110之间的不均匀部分200P。
按照与第一实施方式相同的方式，根据本发明的第二实施方式的包括在导线200中的不均匀部分200P的高度可以是0.03mm至1mm。
导线200的在两个相邻太阳能电池之间的不均匀部分200P在第二方向y上的宽度WP可以小于两个相邻太阳能电池的半导体基板110之间的第二方向y的距离。例如，宽度WP可以是2mm至6mm。
另外，由于导线200的不均匀部分200P，第一太阳能电池C1的半导体基板110与第二太阳能电池C2的半导体基板110之间的导线200的长度可以大于第一太阳能电池C1的半导体基板110与第二太阳能电池C2的半导体基板110之间的距离。
到目前为止，本发明的实施方式已通过示例的方式描述了被配置为使得第一电极141和第二电极142全部被设置在太阳能电池的背面上的太阳能电池模块。然而，本发明的实施方式可以被应用到常规太阳能电池，其中，第一电极被设置在太阳能电池的前表面上，而第二电极被设置在太阳能电池的背面上。下面将对此进行详细描述。
图8至图11例示了根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块。更具体地，图8例示了当从太阳能电池模块的前表面观看时根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的形状的示例。
图9是例示应用到根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的常规太阳能电池的示例的局部立体图。图10是沿图8的线X3-X3截取的截面图。图11是对图10的部分A2进行放大的截面图。
在图8至图11中省略了与图1至图7中例示的描述重复的描述，并且仅主要描述图1至图7与图8至图11之间的差异。
如图8所示，在根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块中，第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的每一个可以包括在半导体基板110的前表面上的第一电极141’以及在半导体基板110的背面上的第二电极142’。
如图8和图10所示，多条导线200’中的每一条可以在第二方向y上延伸。每条导线200’可以通过导电粘合剂被连接到第一太阳能电池C1的前表面，并且可以通过导电粘合剂被连接到第二太阳能电池C2的背面，从而将第一太阳能电池C1与第二太阳能电池C2串联连接。
下面详细描述应用到本发明的第三实施方式的太阳能电池的示例。
如图9所示，应用到本发明的第三实施方式的太阳能电池可以包括：发射极区121’，所述发射极区121’在半导体基板110的包括第一导电类型的杂质在内的前表面处掺杂有第二导电类型的杂质；以及背面场区172’，所述背面场区172’在半导体基板110的背面处比半导体基板110更重地掺杂有第一导电类型的杂质。
如图9所示，发射极区121’可以完全被形成在半导体基板110的前表面处，并且背面场区172’可以在半导体基板110的背面中仅被选择性地形成在第二电极142’的形成部分处。
然而，本发明的实施方式不限于此。例如，发射极区121’可以在半导体基板110的前表面中仅被选择性地形成在第一电极141’的形成部分处；或者可以在被完全形成在半导体基板110的前表面处的同时，仅在第一电极141’的形成部分处被相对重地掺杂。
另外，与图9不同，背面场区172’可以完全被形成在半导体基板110的背面处。
如图9所示，第一电极141’可以位于半导体基板110的前表面上并且连接到发射极区121’。第二电极142’可以位于半导体基板110的背面上并且连接到背面场区172’。
多个第一电极141’可以在第一方向x上延伸，并且多个第二电极142’可以在第一方向x上延伸。
在图9中示出了第一电极141’和第二电极142’的图案的示例。因此，第一电极141’和第二电极142’的图案可以进行各种改变。
如图10所示，导线200’可以通过导电粘合剂被连接到太阳能电池的前表面和背面，从而将多个太阳能电池串联连接。
更具体地，如图10所示，在第二方向y上延伸的每条导线200’可以通过导电粘合剂被连接到在第一太阳能电池C1的半导体基板110的前表面上的第一电极141’，并且可以通过导电粘合剂被连接到在第二太阳能电池C2的半导体基板110的背面上的第二电极142’。
每条导线200’可以通过将连接到第一太阳能电池C1的部分与连接到第二太阳能电池C2的部分整合来形成。每条导线200’可以具有宽度和厚度彼此相等的线形截面。导线200’的数量可以是6至33。
如图11所示，根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的每条导线200’可以包括在第一太阳能电池C1与第二太阳能电池C2之间的不均匀部分200P’。
本发明的第三实施方式通过示例的方式描述了多条导线200’在应用了常规太阳能电池的太阳能电池模块中将相邻太阳能电池串联连接。然而，与本发明的第一实施方式中一样，可以在应用了常规太阳能电池的太阳能电池模块中使用互连件。下面将参照图12和图13对此进行详细描述。
图12和图13例示了根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块。更具体地，图12例示了当从太阳能电池模块的前表面观看时根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块的形状的示例。图13是对根据本发明的第四实施方式的互连件的连接部分进行放大的截面图。
如图12和图13所示，按照与本发明的第一实施方式相同的方式，根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块可以包括互连件300。
在第一太阳能电池C1的前表面上连接到第一电极141’的第一导线210’可以被连接到互连件300的前表面。在第二太阳能电池C2的背面上连接到第二电极142’的第二导线220’可以被连接到互连件300的背面。
如图13所示，在根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块中，每条导线200’可以包括在第一太阳能电池C1与互连件300之间或者在第二太阳能电池C2与互连件300之间的不均匀部分200P’。
尽管参照本发明的许多例示性实施方式对这些实施方式进行了描述，但应当明白，本领域技术人员可以想出将落入本公开原理的范围内的许多其它修改例和实施方式。更具体地，在本公开、附图以及所附权利要求书的范围内，在主题组合布置的组件部分和/或布置中的各种变型和修改都是可行的。除了在该组件部分和/或布置中的变型例和修改例以外，本领域技术人员还将清楚替代用途。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年9月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0130294的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被合并到本文中。

Claims (14)

1.一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：
第一太阳能电池和第二太阳能电池，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池各自包括半导体基板以及第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述半导体基板上且具有不同的极性并且在第一方向上延伸，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池被布置为在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻；
多条导线，所述多条导线在所述第二方向上延伸、被设置在所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述半导体基板上并且与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极或所述第二电极连接，以将所述第一太阳能电池与所述第二太阳能电池在所述第二方向上串联连接，所述多条导线包括连接至所述第一太阳能电池的所述第一电极的第一导线，以及连接至所述第二太阳能电池的所述第二电极的第二导线；以及
互连件，所述互连件沿所述第一方向在所述第一太阳能电池与所述第二太阳能电池之间延伸，并且连接至所述第一太阳能电池的所述第一导线和连接至所述第二太阳能电池的所述第二导线共同被连接至所述互连件，
其中，所述多条导线包括在所述半导体基板的厚度方向上的不均匀部分，所述不均匀部分是所述导线的除了连接至所述第一电极或所述第二电极的一部分以外的剩余部分，并且
所述第一导线的不均匀部分位于所述互连件和所述第一太阳能电池之间，并且所述第二导线的不均匀部分位于所述互连件和所述第二太阳能电池之间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，每条导线的所述不均匀部分的厚度在10％的误差范围内等于所述每条导线的不包括所述不均匀部分的部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分的厚度在10％的误差范围内在整个所述不均匀部分上是一致的。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分的高度大于所述不均匀部分的厚度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分的截面具有锯齿形状。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分位于所述第一太阳能电池的所述半导体基板与所述第二太阳能电池的所述半导体基板之间。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，每条导线由于所述不均匀部分而在所述第二方向上具有柔性。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分具有各自在所述第一方向上延伸的峰和谷。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分的从所述谷到所述峰测量的高度是0.03mm至1mm。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，
所述第一导线通过导电粘合剂与所述第一太阳能电池的所述第一电极连接，并且通过绝缘层与所述第一太阳能电池的所述第二电极绝缘；以及
所述第二导线与所述第一导线间隔开，通过所述导电粘合剂与所述第二太阳能电池的所述第二电极连接，并且通过所述绝缘层与所述第二太阳能电池的所述第一电极绝缘。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第一导线包括当从所述太阳能电池模块的前面观看时在所述第一太阳能电池的所述半导体基板与所述互连件之间暴露出的区域中的所述不均匀部分，并且
其中，所述第二导线包括当从所述太阳能电池模块的所述前面观看时在所述第二太阳能电池的所述半导体基板与所述互连件之间暴露出的区域中的所述不均匀部分。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极和所述第二电极被设置为在所述半导体基板的背面上沿所述第二方向延伸。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池模块，其中，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述半导体基板被掺杂有第一导电类型的杂质，
其中，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第一电极被连接至发射极区，所述发射极区位于所述半导体基板的所述背面处并且被掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，并且
其中，所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个的所述第二电极被连接至背面场区，所述背面场区位于所述半导体基板的所述背面处并且比所述半导体基板更重地被掺杂有所述第一导电类型的杂质。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述不均匀部分是每条导线中的折叠部分。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021193695A (ja) * 2018-09-28 2021-12-23 パナソニック株式会社 太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
CN110429154A (zh) * 2019-08-14 2019-11-08 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 一种拼片电池及其制备方法
CN113471362A (zh) * 2021-05-18 2021-10-01 宣城先进光伏技术有限公司 一种钙钛矿电池的互联工艺方法
CN117352576B (zh) * 2023-12-04 2024-02-23 中联云港数据科技股份有限公司 光电转换部件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0499075A1 (de) * 1991-02-12 1992-08-19 Nukem GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Solarzellenstrings
CN104868004A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 Lg电子株式会社 太阳能电池模块

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0440869A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Bio-Photonics, Inc. Photovoltaisches Bauelement zur Umwandlung des Sonnenlichts in elektrischen Strom und photoelektrische Batterie
JP2002228757A (ja) * 2001-02-05 2002-08-14 Canon Inc 放射線検出装置及びそれに用いる波長変換体
JP2004259831A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Sekisui Jushi Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2005011869A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Sekisui Jushi Co Ltd 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2005191125A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 太陽電池素子接続用接続タブ及び太陽電池モジュール並びに太陽電池モジュールの製造方法
JP2006278710A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
US7498508B2 (en) * 2006-02-24 2009-03-03 Day4 Energy, Inc. High voltage solar cell and solar cell module
US9012763B2 (en) * 2009-03-13 2015-04-21 Sunlight Photonics Inc. Stretchable photovoltaic devices and carriers
KR101182879B1 (ko) * 2010-09-30 2012-09-13 건국대학교 산학협력단 태양전지 리본 솔더링 장치 및 방법
US20120247530A1 (en) * 2011-04-04 2012-10-04 Dmitry Dimov Strain relief solar cell electric coupler
KR101199424B1 (ko) * 2011-05-20 2012-11-09 엘지전자 주식회사 태양 전지
JPWO2013137204A1 (ja) * 2012-03-16 2015-08-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
US8859322B2 (en) * 2012-03-19 2014-10-14 Rec Solar Pte. Ltd. Cell and module processing of semiconductor wafers for back-contacted solar photovoltaic module
US9515217B2 (en) * 2012-11-05 2016-12-06 Solexel, Inc. Monolithically isled back contact back junction solar cells
KR102175893B1 (ko) * 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
KR101542007B1 (ko) * 2014-04-28 2015-08-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
EP3399556A1 (en) * 2014-07-07 2018-11-07 Lg Electronics Inc. Solar cell module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0499075A1 (de) * 1991-02-12 1992-08-19 Nukem GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Solarzellenstrings
CN104868004A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 Lg电子株式会社 太阳能电池模块

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