CN107010593A

CN107010593A - Mems器件和多层结构

Info

Publication number: CN107010593A
Application number: CN201710028585.1A
Authority: CN
Inventors: 郑钧文; 李久康
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2016-01-27
Filing date: 2017-01-16
Publication date: 2017-08-04
Anticipated expiration: 2037-01-16
Also published as: TWI700237B; CN107010593B; US20170210614A1; US9725299B1; TW201736242A

Abstract

器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。

Description

MEMS器件和多层结构

技术领域

本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。

背景技术

微机电系统(MEMS)是一种微型器件，其尺寸通常在从小于1微米至几毫米的范围内。MEMS器件包括感测诸如力、加速、压力、温度或振动的物理条件的机械元件(静态元件和/或可移动元件)和电子元件以处理电信号。MEMS器件广泛地用在诸如汽车系统、惯性制导系统、家用电器、用于各种器件的保护系统以及一些其他的工业、科学和工程系统中。此外，MEMS应用可延伸至诸如可移动反光镜的光学应用和诸如射频(RF)开关的RF应用。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种微机电系统器件，包括：衬底；第一结构，位于所述衬底上方；第二结构，位于所述衬底上方，其中，所述第二结构具有连接至所述第一结构的第一端；第三结构，位于所述衬底上方，其中，所述第三结构连接至所述第二结构的第二端；以及缓冲器，位于所述衬底和所述第三结构之间，其中，所述缓冲器是多层缓冲器，所述缓冲器包括：第一导电部件；介电部件，位于所述第一导电部件上方；以及第二导电部件，位于所述介电部件上方并且电连接至所述第一导电部件。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种微机电系统器件，包括：衬底；静态结构，位于所述衬底上方，其中，所述静态结构暴露所述衬底的部分；质量块，位于所述衬底上方；弹簧，将所述质量块锚定至所述静态结构；以及缓冲器，位于所述衬底和所述质量块之间，其中，所述缓冲器和所述质量块彼此电连接。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种形成在所述衬底上方的多层结构，所述多层结构包括：底部导电部件，位于所述衬底上方，其中，所述底部导电部件具有暴露所述衬底的凹槽；介电部件，位于所述底部导电部件上，其中，所述介电部件的部分位于所述凹槽中；以及顶部导电膜，至少覆盖所述介电部件的部分。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是器件的一些实施例的示意性顶视图。

图1A是沿着图1的线A-A’截取的示意性截面图。

图1B是对应于图1A的器件的一些实施例的放大的截面图。

图2是经历了在最大力容限内的第一力的器件的一些实施例的示意图。

图3是经历了超过最大力容限的第二力的器件的一些实施例的示意图。

图4是器件的一些实施例的示意性截面图。

图5是器件的一些实施例的示意性截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

在本发明中，提供了包括悬置的可移动结构、弹性结构和缓冲器的器件。通过诸如气隙的间隔从例如衬底悬置可移动结构。弹性结构是允许延伸、压缩、变形、摆动至一定程度的灵活的/弹性的结构。弹性结构的一端固定至例如衬底或静态结构，而另一端以当该器件经历力、加速、减速、振动、撞击等时，悬置的可移动结构能够移动、摆动或旋转的这样的方式从结构上连接至悬置的可移动结构。缓冲器与可移动结构相邻设置以防止可移动结构破坏和/或附着至衬底或衬底上方的任何结构。

在本发明中，提供了包括弹簧、质量块和缓冲器的MEMS器件。质量块的一部分与缓冲器分隔开，并且质量块和缓冲器电连接至彼此。当质量块接触缓冲器时，平衡电荷。

在本发明中，该器件包括但是不限于诸运动感测器件、加速计器件或陀螺仪器件的MEMS器件。悬置的可移动结构包括质量块、隔膜或任何其他可移动结构。弹性结构可包括弹簧或具有弹性的任何其他弹性结构。

如本文中使用的，“衬底”是指在其上形成各种层和结构的基本材料。在一些实施例中，衬底包括诸如块状半导体衬底的半导体衬底。以举例的方式，块状半导体衬底包括诸如硅或锗的元素半导体；诸如硅锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟或砷化铟的化合物半导体或它们的组合。在一些实施例中，衬底包括诸如绝缘体上硅(SOI)衬底的多层衬底，其包括底部半导体层、埋氧(BOX)层和顶部半导体层。仍在一些实施例中，衬底包括诸如玻璃衬底、导电衬底或任何其他合适的衬底的绝缘衬底。在一些实施例中，衬底是掺杂的半导体衬底。

如本文中使用的，“连接至”是指一个结构直接地或间接地接触另一结构。

如本文中使用的，“悬置”是指一个结构设置在另一结构之上并且与另一结构间隔开，因此允许该结构能够在与另一结构对应的至少一个方向上移动。

如本文中使用的，“可移动结构”是指在衬底上方或衬底的一部分上方形成的结构，这里可移动结构的一些部分直接或间接地连接至弹性结构，并且可移动结构的一些部分悬置在衬底上方或衬底的一些部分上方(可移动结构和衬底之间具有间隔)。因此，当可移动结构经历力、加速、减速、振动、撞击等时，可移动结构能够移动或摆动。在一些实施例中，可移动结构是导电的。例如，可移动结构包括例如掺杂有p型或n型掺杂剂的硅的半导体材料。在一些实施例中，可移动结构包括介电材料和密封介电材料的导电材料。例如，介电材料是硅或例如氧化硅的硅的化合物，以及导电材料是金属。在一些实施例中，可移动结构是不导电的。

如本文中使用的，“弹性结构”是指在衬底上方或衬底的一部分上方形成的结构，这里弹性结构的一些部分固定在衬底上或其他固定结构上，并且弹性结构的一些部分连接至可移动结构。弹性结构是允许延伸、压缩、变形至一定程度的灵活的/弹性的结构。在一些实施例中，弹性结构具有允许弹性结构延伸或压缩的绕组图案。在一些实施例中，可移动结构具有比弹性结构更大的块，并且因此当可移动结构经历力、加速、减速、振动、撞击等时，由于惯性作用，可移动结构能够移动或摆动。在一些实施例中，弹性结构是导电的。例如，弹性结构包括例如掺杂有p型或n型掺杂剂的硅的半导体材料。在一些实施例中，弹性结构包括介电材料和密封介电材料的导电材料。例如，介电材料是硅或例如氧化硅的硅的化合物，以及导电材料是金属。在一些实施例中，弹性结构是不导电的。

如本文中使用的，“静态结构”或“固定结构”是指当经历力、加速、减速、振动或撞击等时，参照可移动结构和弹性结构的固定的结构。可直接地或间接地在衬底上或衬底的部分上形成静态结构或固定结构。在一些实施例中，静态结构是导电的。例如，静态结构包括例如掺杂有p型或n型掺杂剂的硅的半导体材料。在一些实施例中，静态结构包括介电材料和密封介电材料的导电材料。例如，介电材料是硅或例如氧化硅的硅的化合物，以及导电材料是金属。在一些实施例中，静态结构是不导电的。

如本文中使用的，“整体地形成”是指两个或更多的结构由相同的材料同时形成。以举例的方式，通过相同的光刻形成两个或更多结构。

如本文中使用的，“缓冲器”是配置为缓冲以减少碰撞中的损坏并且避免不期望的附着层的结构。缓冲器设置为与可移动结构相邻并且设置在可移动结构可以到达的路径上。

图1是器件的一些实施例的示意性顶视图。图1A是沿着图1的线A-A’截取的示意性截面图。图1B是对应于图1A的器件的一些实施例的放大的截面图。在一些实施例中，器件100是MEMS器件。以举例的方式，MEMS器件包括能够感测运动的运动感测器件、能够感测加速或减速的加速计器件、能够感测角速度的陀螺仪器件或具有可移动结构的任何其他器件。在一些实施例中，器件是能够感测在一个单一的方向(例如，Z方向)上的运动、加速或角速度的单轴MEMS器件。在一些实施例中，器件是能够感测在两个方向(例如，X、Z方向)上的运动、加速或角速度的双轴MEMS器件。仍在其他实施例中，器件是能够感测在三个方向(例如，X、Y、Z方向)上的运动、加速或角速度的三轴MEMS器件。

器件100包括衬底10、第一结构12、第二结构14、第三结构16和缓冲器20。在衬底10上方设置第一结构12。在一些实施例中，第一结构12是固定在衬底10上的静态结构。在一些实施例中，第一结构12是半导体层、半导体层的堆叠、介电层、介电层的堆叠或它们的组合。以举例的方式，第一结构12的材料包括诸如多晶硅的硅。在一些其他实施例中，第一结构12的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或任何其他合适的材料。第一结构12暴露衬底10的一部分或暴露衬底10的一部分的上覆层。

在衬底10上方设置第二结构14。特别地，第二结构14悬置在衬底10上方并且通过例如气隙的间隔与衬底10间隔开。在一些实施例中，第二结构14是弹性结构。弹性结构是允许延伸、压缩或变形至一定程度的灵活的结构或弹性的结构。以举例的方式，第二结构14是弹簧。第二结构14具有直接地或间接地连接至第一结构12的第一端(固定端)141。第二结构14具有直接地或间接地连接至第三结构16的第二端(可移动端)。特别地，第二结构14将第三结构16锚定至第一结构12。在一些实施例中，多个第二结构14连接至第一结构12的不同侧或连接至不同的第一结构12。在一些实施例中，由例如多晶硅等相同的材料同时形成第一结构12和第二结构14。

第三结构16位于衬底10上方。第三结构16悬置在衬底10上方并且通过例如气隙的间隙与衬底10间隔开。在一些实施例中，第三结构16是具有比第二结构14的质量(mass)相对更大的质量的惯性结构。第三结构16是可移动结构。以举例的方式，第三结构16是质量块。在一些实施例中，第三结构16的一端连接至第二结构14的第二端(可移动端)142。在一些实施例中，第三结构16的两个或更多端连接至对应的第二结构14的可移动端。通过第二结构14支撑第三结构16。第二结构14配置为当器件100经历力、加速、减速、振动或撞击时，由于惯性作用，允许第三结构16至少在Z方向(例如，大致垂直于衬底10的上表面的方向)上移动或摆动。在一些实施例中，由例如多晶硅等相同的材料同时形成第一结构12、第二结构14和第三结构16。在一些实施例中，通过图案化衬底10上方的上覆层来形成第一结构12、第二结构14和第三结构16。在一些实施例中，通过图案化衬底10来形成第一结构12、第二结构14和第三结构16，即，第一结构12、第二结构14和第三结构16是衬底10的一部分。

在一些实施例中，器件100还包括位于衬底10上方的电容器的板30。板30是诸如金属板的导电板。在一些实施例中，板30与Z方向上第三结构16的部分重叠，因此形成电容器。在一些实施例中，板30与Z方向上第二结构14的部分重叠。因此，例如，由于板30和第三结构16之间的电容变化，因此可以感测第三结构16的运动、加速或角速度。

在一些实施例中，在衬底10和第三结构16之间设置缓冲器20。缓冲器20配置为当撞击衬底10或衬底10上方的任何结构时防止第三结构16损坏并且防止第三结构116附着至衬底或衬底10上方的任何结构。因此，缓冲器20也称为阻挡件。缓冲器20设置为与第三结构16相邻并且设置在第三结构16可以到达的路径上。在一些实施例中，在衬底10上设置缓冲器20。在一些其他实施例中，在衬底10上方设置缓冲器20并且具有设置在衬底和缓冲器之间的中间层。缓冲器20是多层缓冲器。在一些实施例中，缓冲器20包括彼此堆叠的第一导电部件(也称为底部导电部件)21、介电部件22和第二导电部件(也称为顶部导电膜)23。在一些实施例中，在衬底10上形成第一导电部件21。在第一导电部件上方形成介电部件22。第二导电部件23形成在介电部件22上方并且电连接至第一导电部件21。由诸如金的导电材料形成第一导电部件21和第二导电部件23。由相同的材料或不同的材料形成第一导电部件21和第二导电部件23。由诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或任何其他合适的无机或有机材料的绝缘材料形成介电部件22。在一些实施例中，第二导电部件23的材料比介电部件22的材料更软或更灵活。在一些实施例中，第一导电部件21和/或第二导电部件23与板30同时形成。

在一些实施例中，第一导电部件21具有凹槽21H。在第一导电部件21上设置介电部件22，并且介电部件22的部分位于凹槽中。换言之，介电部件22与第一导电部件21接合，因此防止介电部件22移动或移位。第二导电部件23覆盖介电部件22的至少一部分。在一些实施例中，介电部件22具有顶面221和倾斜的侧壁222，并且第二导电部件22覆盖倾斜的侧壁222和介电部件22的顶面221的部分。以举例的方式，介电部件22具有梯形的截面形状，其中倾斜的侧壁222是向外倾斜的。可基于不同的考虑修改倾斜的侧壁222的斜率。在一些实施例中，第二导电部件23是围绕倾斜的侧壁222并且覆盖顶面221的一部分的导电膜。在一些实施例中，第二导电部件23与倾斜的侧壁222和/或介电部件22的顶面221大致共形。具有的倾斜的锥形轮廓，可提高第二导电部件23的阶梯覆盖，因此增加附着。

缓冲器20配置为当器件100经历Z方向上的力、加速、减速、振动、撞击等时防止第三结构16附着至衬底10或衬底10上的上覆层。多层缓冲器20包括诸如第二导电部件23和/或第一导电部件21的软材料，以及诸如介电部件22的硬材料。当第三结构16接触缓冲器20时，第二导电部件23和/或第一导电部件21提供了缓冲作用以避免颗粒的产生。当第三结构16接触缓冲器20时，介电部件22提供了实质性的支撑作用以避免粘滞。可基于不同的考虑修改缓冲器20的厚度和位置。例如，缓冲器20的厚度可大于例如板30的衬底上的其他结构的厚度。缓冲器20设置在当第三结构16朝向衬底10移动时第三结构16期望接触衬底10或上覆层的位置处，或设置在当器件100经历Z方向上的力、加速、减速、振动、撞击等时第三结构16的振幅最大的位置处。在一些实施例中，对应于第三结构16的远离第二结构14的一端设置缓冲器20。在下面的描述中解释缓冲器20的示例性操作机制。

图2是经历了最大力容限内的第一力的器件的一些实施例的示意图。如图2所述，当器件100经历了震动形式的Z方向上的力F1时，由于惯性作用，第二结构14和连接至第二结构14的第三结构16将沿着Z方向朝向板30移动或旋转。因此，可通过检测第三结构16和板30之间的电容变化来感测第三结构16的运动、加速或角速度。在第一力F1不超过最大力容限的情况下，第二结构14和第三结构16将朝向第一结构12移动或旋转而不接触缓冲器20，并且转向它们最初的位置。

在一些实施例中，由于电荷的累积，可通过缓冲器20吸引第三结构16。当缓冲器和第三结构接触时，缓冲器20可以电连接至接地端或连接至第三结构16以平衡累积在第三结构16中的电荷。

图3是经历了超过最大力容限的第二力的器件的一些实施例的示意图。如图3所述，当器件100经历了震动形式的Z方向上的比最大力容限更大的第二力F2时，由于惯性作用，第二结构14和连接至第二结构14的第三结构16将沿着Z方向朝向板30移动或旋转。当第二力F2过大时，第三结构16将接触多层缓冲器20。在这样的情况下，当第三结构16接触缓冲器20时，第二导电部件23和/或第一导电部件21提供了缓冲作用以避免颗粒的产生。当第三结构16接触缓冲器20时，介电部件22提供了实质性的支撑作用以避免粘滞。

本发明的器件不限于上述实施例，并且可具有其他不同的实施例。为了简化描述并且为了本发明的每个实施例之间的对比的简便，在下面每个实施例中的相同组件用相同的符号标记。为了更容易地对比实施例之间的差异，下面将详细地描述不同实施例之间的不同并且不再重复地描述相同的部件。

图4是器件的一些实施例的示意性截面图。如图4所述，器件110和器件100之间的一个差异是省略了缓冲器20的第一导电部件21。在一些实施例中，器件110的缓冲器20包括介电部件22和第二导电部件23。第二导电部件23覆盖介电部件22的至少部分。在一些实施例中，第二导电部件22覆盖倾斜的侧壁222和介电部件22的顶面221的部分。

当第三结构16接触多层缓冲器20时，第二导电部件23能够在当第三结构16接触缓冲器20时提供缓冲作用，因此避免颗粒的产生。此外，介电部件22能够提供实质性的支撑作用，因此避免粘滞。

图5是器件的一些实施例的示意性截面图。如图5所述，器件200和器件100之间的一个差异是器件200还包括电连接至第三结构16和缓冲器20的连接部件40。在一些实施例中，连接部件40包括第一连接结构41、第一导电通孔42、第二连接结构43、第二导电通孔44和第三导电通孔45。在衬底10上方和第一导电部件21下方设置第一连接结构41。第一连接结构41的材料包括例如金属的导电材料，但是不限于此。在一些实施例中，第一连接结构和第一导电部件21通过第一导电通孔42电连接至彼此。在衬底10上方设置第二连接结构43。在一些实施例中，通过第一结构12覆盖第二连接结构43。第二连接结构43的材料包括例如金属的导电材料。在一些实施例中，第二连接结构43与第一导电部件21同时形成。第二导电通孔44设置在第一连接结构41和第二连接结构43之间并且电连接至第一连接结构41和第二连接结构43。第三导电通孔45设置为电连接至第二连接结构43和第一结构43。第一导电通孔、第二导电通孔、第三导电通孔42、44和45可以由诸如铜的任何合适的导电材料制成。

凭借连接部件40，第三结构16能够电连接至缓冲器20。结果，当第三结构接触缓冲器20时，可平衡第三结构16和缓冲器20之间的电荷。

在本发明中，提供了一种包括悬置的可移动结构和缓冲器的器件。可移动结构是悬置的并且当器件经历力时，可移动结构能够移动、摆动或旋转。缓冲器是包括介电部件和密封介电部件的导电部件的多层缓冲器。当可移动结构接触缓冲器时，导电部件提供缓冲作用以避免颗粒(particle)的产生。当可移动结构接触缓冲器时，介电部件提供支撑作用以避免粘滞。

在本发明中，提供了一种包括弹簧、质量块和缓冲器的MEMS器件。质量块的部分与缓冲器分隔开，并且质量块和缓冲器电连接至彼此。当质量块接触缓冲器时，平衡电荷。

在一个示例性方面，本发明提供了一种器件。该器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。

在一个示例性方面，本发明提供了一种MEMS器件。该器件包括衬底、静态结构、质量块、弹簧和缓冲器。静态结构位于衬底上方，其中，静态结构暴露衬底的部分。质量块位于衬底上方。弹簧将质量块锚定至静态结构。缓冲器位于衬底和质量块之间，其中，缓冲器和质量块电连接至彼此。

在一个示例性方面，本发明提供了一种位于衬底上方的多层结构。该多层结构包括底部导电部件、介电部件和顶部导电膜。底部导电部件位于衬底上方，并且底部导电部件具有暴露衬底的凹槽。介电部件位于底部导电部件上，其中，介电部件的部分位于凹槽中。顶部导电膜至少覆盖介电部件的部分。

在上述器件中，所述第一导电部件具有凹槽，所述介电部件设置在所述第一导电部件上，所述介电部件的部分位于所述凹槽中，并且所述第二导电部件覆盖所述介电部件的部分。

在上述器件中，所述介电部件具有顶面和倾斜的侧壁，并且所述第二导电部件覆盖所述介电部件的所述倾斜的侧壁以及覆盖所述介电部件的所述顶面的部分。

在上述器件中，所述第二结构和所述第三结构是导电的。

在上述器件中，还包括电连接至所述第三结构和所述缓冲器的连接部件。

在上述器件中，所述连接部件包括：第一连接结构，位于所述衬底上方；第一导电通孔，电连接至所述第一导电部件和所述第一连接结构；第二连接结构，位于所述衬底上方；第二导电通孔，电连接至所述第一连接结构和所述第二连接结构；以及第三导电通孔，电连接至所述第二连接结构和所述第一结构。

在上述器件中，所述连接部件的所述第二连接结构和所述缓冲器的所述第一导电部件由相同的导电层形成。

在上述器件中，所述第一导电部件的材料包括金属。

在上述器件中，所述第二导电部件的材料包括金属。

在上述器件中，所述第一结构是静态结构，所述第二结构是弹性结构，所述第三结构是连接至所述弹性结构的质量块，并且所述弹性结构配置为允许所述质量块在一方向上朝向所述衬底或远离所述衬底移动。

在上述微机电系统器件中，所述缓冲器是多层缓冲器，所述缓冲器包括：介电部件，位于所述衬底上方；以及顶部导电膜，覆盖所述介电部件。

在上述微机电系统器件中，所述介电部件具有顶面以及具有锥形轮廓的侧壁，并且所述顶部导电膜覆盖所述介电部件的所述侧壁以及覆盖所述介电部件的所述顶面的至少部分。

在上述微机电系统器件中，所述缓冲器还包括位于所述介电部件和所述衬底之间的底部导电部件。

在上述微机电系统器件中，所述底部导电部件电连接至所述质量块。

在上述微机电系统器件中，还包括位于所述衬底上方的板，其中，所述质量块和所述板形成电容器。

在上述微机电系统器件中，所述缓冲器设置为对应于所述质量块的远离所述弹簧的端。

在上述多层结构中，所述绝缘部件具有顶面和倾斜的侧壁，并且所述顶部导电膜覆盖所述介电部件的所述倾斜的侧壁以及覆盖所述介电部件的所述顶面的部分。

在上述多层结构中，所述顶部导电膜电连接至所述底部导电部件。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。

Claims

1.一种微机电系统器件，包括：

衬底；

第一结构，位于所述衬底上方；

第二结构，位于所述衬底上方，其中，所述第二结构具有连接至所述第一结构的第一端；

第三结构，位于所述衬底上方，其中，所述第三结构连接至所述第二结构的第二端；以及

缓冲器，位于所述衬底和所述第三结构之间，其中，所述缓冲器是多层缓冲器，所述缓冲器包括：

第一导电部件；

介电部件，位于所述第一导电部件上方；以及

第二导电部件，位于所述介电部件上方并且电连接至所述第一导电部件。