CN106981439B - 一种酸槽机台检测方法及检测装置 - Google Patents

一种酸槽机台检测方法及检测装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种酸槽机台检测方法及其检测装置，所述方法包括：对机台机械臂清洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测机台机械臂是否污染；和/或对快速降液浸洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测所述样品是否污染；若水样的水阻值大于设定值，样品存在污染风险，则启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，并对所述样品进行冲刷，以去除所述样品上的污染物。本发明具有以下优点：1、如果发生污染，产品污染第一时间会在最近的一道酸槽工艺被发现，并由机台自行第一时间做返工。2、防止后续的离子注入、薄膜沉积、或者是蚀刻工艺导致金属被引入不该存在的地方导致的晶圆可接受测试(WAT)/晶圆测试(CP)偏移(shift)报废。

Description

一种酸槽机台检测方法及检测装置
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种酸槽机台检测方法及检测装置。
背景技术
集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。随着半导体技术的不断发展，器件的关键尺寸越来越小，正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。
半导体集成电路前道(FEOL)制程生产时，时常会有一些器件由于某些原因：可能是机台停(down)机影响(impact)、特殊工艺(special process)制程影响(impact)、人为原因导致跑错后道(BEOL)机台、金属缺陷影响(defect impact)等等导致产品存在金属污染，但是如果没有人发现，这些有问题的产品会和正常产品混在一起在酸槽(WET)中，导致二次污染。而且由于酸槽的产能每小时产出晶圆片数WPH(Wafer per hour)非常多，所以一旦二次污染会导致非常大的产品影响。而且金属污染是最严重的污染，有很大的风险导致产品晶圆可接受测试(WAT)/晶圆测试(CP)偏移(shift)，直接报废。
目前，只有很低的几率扫描缺陷(scan defect)或者是等到晶圆可接受测试(WAT)/晶圆测试(CP)低良率(Low yield)后重新检查线上工艺(review inline process)记录，或者是在线上工艺(inline process)时有人发现，甚至是机台离线监控失败(offline monitor fail)时，才能发现到产品被金属污染的状况，而后被动的采取补救措施将刚被影响的产品做返工(rework)，过站的不能做返工(rework)的产品如果不直接报废，只能是工程师来判断是否在出货前报废。这种做法，如果最后出货前导致报废对于生产线来说是很浪费的，而且会导致出货量不够，甚至是客户抱怨等情况的发生。
如果金属污染被发现，及时的做返工(rework)是必要的。但是由于现有手段发现金属污染的可能性远远低于发现其他线上异常(inline abnormal)状况的几率，所以一旦发生金属污染，产品的品质受到影响的几率非常高。而且由于发现的不及时，往往从发生到发现会耽误很长时间，会导致产品后续制程已经完成无法返工的情况，最后导致品质问题而报废。所以及时有效的阻止金属污染的二次污染和扩散，需要一种切实有效的、可行性很高的办法。
基于半导体制程的特殊性，酸槽蚀刻和清洗是在整个半导体生产工艺中运用最广泛的制程工艺，如果所有的酸槽工艺都加上SC2(1:1:50的HCL：H2O2：H2O)用于去除金属污染显然是很大的浪费，是不可行的。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明为了克服目前存在问题，提供了一种酸槽机台检测方法，包括：
对机台机械臂清洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测所述机台机械臂是否污染；
和/或对快速降液浸洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测所述样品是否污染；
若所述水样的水阻值大于设定值，样品存在污染风险，则启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，并对所述样品进行冲刷，以去除所述样品上的污染物。
可选地，若所述水样的水阻值大于设定值，保持所述酸性试剂喷淋装置处于喷淋状态，同时排空所述快速降液浸洗槽中被污染的水，接着注满所述快速降液浸洗槽，并且重复所述排空和所述注满步骤3-4次。
可选地，在重复所述排空和所述注满步骤3-4次之后，进行高流速冲刷模式1-2分钟，以使所述样品上的污染物与所述酸性试剂充分反应，去除所述污染物。
可选地，在去除所述样品上的污染物之后，关闭所述酸性试剂喷淋装置，对所述样品进行清洗。
可选地，所述清洗步骤包括：排空所述快速降液浸洗槽中的水，接着注满所述快速降液浸洗槽，并对所述样品进行高流速冲刷1-2分钟，以清洗所述样品。
可选地，去除所述污染物后重新对所述机台机械臂清洗槽和/或快速降液浸洗槽注满并对其中水样的水阻值进行测量，直至所述水阻值在设定值之内为止。
可选地，当所述水样的水阻值大于设定值时，检查并确定是机台机械臂清洗槽中的水样还是快速降液浸洗槽中的水样的水阻值超过设定值；
若所述机台机械臂清洗槽中的水阻值超过所述设定值2次/天，则停机检查污染发生的可能性；
和/或若所述快速降液浸洗槽的水阻值频繁超过所述设定值，则检查样品批次发生问题的站点。
可选地，所述酸性试剂选用HCl，去除的所述污染物为金属污染物。
本发明还提供了一种基于上述方法的酸槽机台检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：
水阻值传感单元，设置于机台机械臂清洗槽和/或快速降液浸洗槽中，用于对水阻值进行实时监测；
酸性试剂喷淋单元，所述酸性试剂喷淋单元的喷嘴朝向所述快速降液浸洗槽内部，以向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂；
控制单元，用于接收所述水阻值信号，并根据所述水阻值信号控制所述酸性试剂喷淋单元喷淋所述酸性试剂和/或控制所述快速降液浸洗槽注水或排水。
可选地，所述快速降液浸洗槽中设置有主注水管和喷淋水管，其中所述喷淋水管与去离子水源和酸性试剂源连通，以喷淋去离子水或酸性试剂。
本发明提供了一种酸槽机台检测装置及检测方法，所述检测组要针对金属污染，金属污染物存在的金属离子或原子，会使得纯净水(DI water)的水阻值有无限大趋近于某一个可以被侦测和检查到的较小的电阻值，通过侦测水的水阻值变化，判断当前的产品是否有污染的嫌疑，在工艺水槽触发HCl喷淋措施，去除污染。
本发明具有以下优点：
1、如果发生污染，产品污染第一时间会在最近的一道酸槽工艺(WET process)被发现，并由机台自行第一时间做返工(HCl喷淋工艺)。
2、由于第一时间做了返工(rework)，产品本身防止后续的离子注入(IMP)、薄膜沉积(Film DEP)、或者是蚀刻工艺(Etch process)导致金属被引入不该存在的地方导致的晶圆可接受测试(WAT)/晶圆测试(CP)偏移(shift)报废。
3、酸槽工艺(WET process)一项是整个代工厂运行(FAB Move)最快，运行(run)最多的制程，有了上述侦测机制，机台的影响第一时间可以被发现，保证酸槽机台影响后续影响批次(impact lot)最少，由于是第一时间发现产品有问题，可以第一时间追溯到前面的工艺机台，减少后续批次进一步在上家机台影响。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，
图1为本发明所述检测方法的流程示意图；
图2为本发明所述检测结构的示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
实施例一
为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种酸槽机台检测方法，通过侦测水的水阻值变化，判断当前的产品是否有污染的嫌疑，在工艺水槽触发HCl喷淋措施，去除污染。
具体地，所述方法包括：对机台机械臂清洗槽和快速降液浸洗槽(Quick DumpRinse process tank，QDR)中水样的水阻值进行测量；
若所述水样的水阻值大于设定值，样品存在污染风险，则启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，并对所述样品进行冲刷，以去除所述样品上的污染物。
在本发明中主要针对机台机械臂清洗槽和快速降液浸洗槽(Quick Dump Rinseprocess tank，QDR)两个地方的水阻值进行检测，其中两个位置为彼此的独立的，其污染原因、状况以及处理方法均是不一样的，但是无论机台机械臂清洗槽还是快速降液浸洗槽(Quick Dump Rinse process tank，QDR)中的水阻值超过设定值，均启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，下面将进行详尽的说明。
其中，所述机台机械臂清洗槽水阻值监测的目的主要是针对机械臂包裹的材料破损后内部材料，如不锈钢和铁质材料被酸液腐蚀析出到机台化学品清洗槽中产生污染的状况为主的情况。它是一个辅助判断的信号，来验证快速降液浸洗槽(Quick Dump Rinseprocess tank，QDR)的水阻信号是否为真的有污染的情况。
所述快速降液浸洗槽(Quick Dump Rinse process tank，QDR)的水阻值检测主要是针对产品来料或者是化学品清洗液带来的金属污染的情况。机台快速降液浸洗槽(QuickDump Rinse process tank，QDR)是用DI(纯净水)来清洗晶圆的。
根据上述两个地方的水阻值可以判断是机台机械臂清洗槽还是快速降液浸洗槽发生了污染，例如若所述机台机械臂清洗槽中的水阻值超过设定值超过2次/天，则由工程师停机检查污染发生的可能性，若机台机械臂清洗槽中没有发生污染则可以排除；或者若所述快速降液浸洗槽的水阻值频繁超过所述设定值，则检查样品批次发生问题的站点。
其中，机械臂清洗槽是独立于机台QDR水槽的，用DI(纯净水)清洗机械臂接触化学品的部位。
其中，对于所述机械臂清洗槽来说，欧美系机台中整机就一个机械臂来回携带承载体(carrier)来承载晶圆(wafer)移动。清洗槽机械臂起始点(home)位置，一般是在干燥槽(Dryer)和水槽中间；而在日系机台中整机靠多个机械臂传送，机械臂清洗槽在机台的所有槽的最前面。
所述检测流程如图2所示，当所述水样的水阻值大于设定值，如系统判断为可能发生污染，则保持酸性试剂喷淋装置处于喷淋状态，同时排空所述快速降液浸洗槽中被污染的水，接着注满所述快速降液浸洗槽，并且重复所述排空和所述注满步骤3-4次。
在重复所述排空和所述注满步骤3-4次之后，进行高流速冲刷模式1-2分钟，以使所述样品与所述酸性试剂充分反应，去除所述污染物。
在去除所述样品上的污染物之后，关闭所述酸性试剂喷淋装置，对所述样品进行清洗。
可选地，所述清洗步骤包括：排空所述快速降液浸洗槽中的水，接着重新注水注满所述快速降液浸洗槽，并对所述样品进行高流速冲刷1-2分钟，以清洗所述样品。
进一步，去除所述污染物后再次注满水并重新对所述机台机械臂清洗槽和/或快速降液浸洗槽中水样的水阻值进行测量，直至所述水阻值在设定值之内为止。
当所述水样的水阻值大于设定值时，检查并确定是机台机械臂还是样品本身发生污染；
若所述机台机械臂清洗槽中的水阻值超过设定值超过2次/天，则由工程师停机检查污染发生的可能性；例如环境工程师针对报警情况停止机台详细检查机台机械臂污染发生的可能性，并消除该可能性，比如对检查机械臂包裹的材料是否破损，内部材料是否已经露出等，
或者若所述快速降液浸洗槽的水阻值频繁超过所述设定值，则检查样品批次发生问题的站点。例如，过程工艺工程师(PE)更具批次信息通知良率提高工程师(YE)和工艺整合工程师(PIE)，检查批次可能发生问题的站点，并对所述站点存在的问题进行分析，以消除潜在的问题或者风险。
上述过程的好处在于避免HCl喷淋管路长时间不用导致的沉积的缺陷尽可能少的沉到水槽。同时HCl持续喷淋保证金属污染源能尽快被HCl反应掉。对此排空水槽的去离子水(DI)保证了金属离子尽可能的少的存在于水槽中。
具体地，在一具体地实施方式中所述方法包括：
1、通过对机台机械臂清洗槽水样及机台快速降液浸洗槽(Quick Dump Rinseprocess tank，QDR)水样的水阻值实时侦测，如发现其中任意一个阻值发生变化并超出设定的合理范围时，系统判断有可能发生金属污染。
2、如系统判断为可能发生污染，自动打开水槽HCl喷淋系统实施喷淋动作。
3、如系统判断为可能发生污染，水槽自动打开排水阀，将有污染的去离子水(DIwater)直接排空，重新补满，并重复上述动作3～4次。整个过程HCl保持喷淋动作。
4、完成上述动作后水槽在保证HCl持续喷淋的情况下，保持高流速(flow)的冲刷(flush)模式1～2分钟，保证金属离子被充分反应掉。
5、最后水槽HCl喷淋关闭，排空水槽，再补满去离子水(DI water)，完成1～2分钟左右的去离子水(DI water)高流速(flow)的冲刷(flush)模式，保证HCl被通过排空和冲刷稀释的流程给清洗掉。
本发明所述方法的优点在于：可操作性强，产品影响(impact)小，及时阻止二次污染的发生等。通过侦测过程中通过侦测水的水阻值变化和机台机械臂清洗槽(tool armclean tank)水阻值的变化，判断当前的产品是否有污染的嫌疑，在process水槽触发HCl喷淋措施，去除污染。
本发明所述方法特殊的地方在于：
1、很多机台都有测水阻值，目的是保证产品不要带某种电荷，导致ESD的问题。但是我们将水阻值测试放在机台机械臂清洗槽和快速降液浸洗槽工艺中，用来实时侦测现有产品的性能(performance)和机台性能(performance)。
2、通常只有进炉管(Furnace)或退火工艺(Anneal process)之前的湿法清洗(WETclean)才会带SC2(1:1:50的HCl：H2O2：H2O)的工艺，其目的是去金属。本发明所述方法既保证正常工艺(normal process)时产品工艺流程(process recipe)不受影响，不需要额外则加机台水槽(tank)。
3、保证金属污染发生时有办法第一时间自动返工去除金属离子。即使机台误操作，和实际工艺的差异只是有了HCl的喷淋替代了QDR的喷淋，多花费了HCl，整体流程片体(recipe body)还是没有变化的。
本发明具有以下优点：
1、如果发生污染，产品污染第一时间会在最近的一道酸槽工艺(WET process)被发现，并由机台自行第一时间做返工(HCl喷淋工艺)。
2、由于第一时间做了返工(rework)，产品本身防止后续的离子注入(IMP)、薄膜沉积(Film DEP)、或者是蚀刻工艺(Etch process)导致金属被引入不该存在的地方导致的晶圆可接受测试(WAT)/晶圆测试(CP)偏移(shift)报废。
3、酸槽工艺(WET process)一项是整个代工厂运行(FAB Move)最快，混运行(run)最多的制程，有了上述侦测机制，机台的影响第一时间可以被发现，保证酸槽机台影响后续影响批次(impact lot)最少，由于是第一时间发现产品有问题，可以第一时间追溯到前面的工艺机台，减少后续批次进一步在上家机台影响。
实施例二
本发明除了实施例一中的实施方式，还可以有其他的替代性的实施方式，例如可以仅对机台机械臂清洗槽水样的水阻值进行测量；或者仅对快速降液浸洗槽(Quick DumpRinse process tank，QDR)中水样的水阻值进行测量；
若所述水样的水阻值大于设定值，则样品存在污染风险；启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，并对所述样品进行冲刷，以去除所述样品上的污染物。
该实施方式与实施例一中实施方式的区别仅在于，单独对其中的一个水槽中的水阻值进行检测，在信号发生异常之后，并不需要分析是那一路信号发生异常，但是处理方式与实施例一相同，当所述水阻值发生异常之后喷淋酸性液体并进行反应，以去除污染物，最后进行冲洗，具体地操作方法可以参照实施例一中的描述，在此不再赘述。
实施例三
本发明还提供了一种基于实施例一或二的所述方法的酸槽机台检测装置，如图2所示，所述检测装置包括：
水阻值传感单元，设置于机台机械臂清洗槽和/或快速降液浸洗槽中水样中，用于对水阻值进行实时监测；
酸性试剂喷淋单元，所述酸性试剂喷淋单元的喷嘴朝向所述快速降液浸洗槽内部，以向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂；
控制单元，用于接收所述水阻值信号，并根据所述水阻值信号控制所述酸性试剂喷淋单元喷淋所述酸性试剂和/或控制所述快速降液浸洗槽注水或排水。
可选地，所述快速降液浸洗槽中设置有主注水管和喷淋水管，其中所述喷淋水管与去离子水和酸性试剂源连通，以单独地喷淋去离子水或单独地酸性试剂。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (10)

1.一种酸槽机台检测方法，其特征在于，所述酸槽机台包括机台机械臂清洗槽和快速降液浸洗槽，所述方法包括：
对机台机械臂清洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测所述机台机械臂是否污染；
和/或对快速降液浸洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测样品是否污染；
若所述水样的水阻值大于设定值，样品存在污染风险，则启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，并对所述样品进行冲刷，以去除所述样品上的污染物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述水样的水阻值大于设定值，保持所述酸性试剂喷淋装置处于喷淋状态，同时排空所述快速降液浸洗槽中被污染的水，接着注满所述快速降液浸洗槽，并且重复所述排空和所述注满步骤3-4次。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在重复所述排空和所述注满步骤3-4次之后，进行高流速冲刷模式1-2分钟，以使所述样品上的污染物与所述酸性试剂充分反应，去除所述污染物。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在去除所述样品上的污染物之后，关闭所述酸性试剂喷淋装置，对所述样品进行清洗。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗步骤包括：排空所述快速降液浸洗槽中的水，接着注满所述快速降液浸洗槽，并对所述样品进行高流速冲刷1-2分钟，以清洗所述样品。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述污染物后重新对所述机台机械臂清洗槽和/或快速降液浸洗槽注满并对其中水样的水阻值进行测量，直至所述水阻值在设定值之内为止。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述水样的水阻值大于设定值时，检查并确定是机台机械臂清洗槽中的水样还是快速降液浸洗槽中的水样的水阻值超过设定值；
若所述机台机械臂清洗槽中的水阻值超过所述设定值2次/天，则停机检查污染发生的可能性；
和/或若所述快速降液浸洗槽的水阻值频繁超过所述设定值，则检查样品批次发生问题的站点。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性试剂选用HCl，去除的所述污染物为金属污染物。
9.一种基于权利要求1至8之一所述方法的酸槽机台检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：
水阻值传感单元，设置于机台机械臂清洗槽和/或快速降液浸洗槽中，用于对水阻值进行实时监测；
酸性试剂喷淋单元，所述酸性试剂喷淋单元的喷嘴朝向所述快速降液浸洗槽内部，以向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂；
控制单元，用于接收所述水阻值信号，并根据所述水阻值信号控制所述酸性试剂喷淋单元喷淋所述酸性试剂和/或控制所述快速降液浸洗槽注水或排水。
10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述快速降液浸洗槽中设置有主注水管和喷淋水管，其中所述喷淋水管与去离子水源和酸性试剂源连通，以喷淋去离子水或酸性试剂。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115831800B (zh) * 2023-02-14 2023-05-05 青岛青软晶尊微电子科技有限公司 基于多元库的芯片生产工艺、装置及电子设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03237717A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Matsushita Electron Corp 半導体基板洗浄装置
KR100227846B1 (ko) * 1996-07-25 1999-11-01 윤종용 웨이퍼 세척방법
JPH11162876A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Nec Corp 半導体装置の製造装置及び製造方法
CN1257023C (zh) * 2001-03-29 2006-05-24 华邦电子股份有限公司 新式清洗沉积喷出头的方法与设备
US7578889B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-25 Lam Research Corporation Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies
JP2010087138A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Panasonic Corp 洗浄装置および洗浄方法
CN104569073A (zh) * 2013-10-14 2015-04-29 成都天宇创新科技有限公司 一种可显示污染指数的水质检测器

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