CN106887487A - 一种半导体发光器件及其制备方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002508 compound effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种半导体发光器件及其制备方法，包括一衬底；一缓冲层，生长于所述的衬底上；一n型层，生长于所述的缓冲层上；一V‑pits延伸层，其为超晶格层，生长于所述的n型层上，以延伸V‑pits的尺寸；一发光层，生长于所述的V‑pits延伸层上，V‑pits延伸层和发光层中贯穿V‑pits；一p型层，生长于所述的发光层上；其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V‑pits。本发明半导体发光器件可获得在深度和尺寸上具有一致性的V‑pits，可充分发挥V‑pits阻挡位错成为非辐射复合中心的功能，进一步提高发光二极管的内量子效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体电子器件技术领域，尤其涉及一种半导体发光器件及其制备方法。
背景技术
与传统照明相比，发光二极管尤其是氮化物发光二极管有较高的发光效率，因此在照明领域得到了越来越广泛的应用。因传统的氮化物发光二极管一般采用异质外延，晶格失配和热失配导致生长的发光二极管器件内存在大量的位错缺陷，这些位错降低了外延层的生长质量，导致发光二极管发光效率的降低，寿命的减少，以及可靠性的降低。
在Cree公司的专利US7611917B2中，阐述了V-pits（V型微坑）对抑制位错缺陷的非辐射复合的作用。该专利中描述了在LED器件结构的多量子阱生长前，采用降低温度生长氮化镓系列材料的超晶格结构，促进V-pits结构的形成，提高LED器件的发光效率，降低正向工作电压。该专利中采用氮化镓系列材料的超晶格结构生长出V-pits结构，但是V-pits的尺寸过程具有随机性，限制了芯片内量子效率的进一步提高。因此有必要对V-pits的形成过程进行进一步的控制，形成均一的V-pits结构，充分发挥V-pits抑制位错缺陷的非辐射复合的作用，提高器件内量子效率。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种半导体发光器件及其制备方法，该半导体发光器件中生长的V-pits结构在深度和尺寸上具有一致性，且V-pits结构的形成过程具有可控性。
本发明提供的半导体发光器件，包括：
一衬底；
一缓冲层，生长于所述的衬底上；
一n型层，生长于所述的缓冲层上；
一V-pits延伸层，其为超晶格半导体层，生长于所述的n型层上，以延伸V-pits的尺寸；
一发光层，生长于所述的V-pits延伸层上，V-pits延伸层和发光层中贯穿V-pits；
一p型层，生长于所述的发光层上；
其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V-pits。
进一步的，n型层为n型氮化物半导体层。
所述的n型氮化物半导体层为n型氮化镓层或n型氮化铝镓层或n型氮化铟镓层或n型氮化铟层或n型氮化铝层或n型氮化铝铟镓层或前述任意组合。
进一步的，p型层为p型氮化物半导体层。
所述的p型氮化物半导体层为p型氮化镓层或p型氮化铝镓层或p型氮化铟镓层或p型氮化铟层或p型氮化铝层或p型氮化铝铟镓层或前述任意组合。
进一步的，V-pits延伸层为氮化物超晶格半导体层。
所述的氮化物超晶格半导体层为AlxInyGa1-x-yN层和AluInvGa1-u-vN层的组合层或仅为AlxInyGa1-x-yN层，0<x≤1，0<y≤1，x+y≤1；0<u≤1，0<v≤1，u+v≤1；x和u不相同，y和v不相同。
本发明提供的上述半导体发光器件的制备方法，包括步骤：
（1）衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长n型层；
（2）n型层生长结束后，生长温度降至750℃~900℃，在200mbar~600mbar的压强条件下，以H2为载气，通入气体硅源和气体氮源对n型层上表面进行刻蚀，即在n型层的位错缺陷顶端形成V-pits；
（3）蚀刻结束后，在750℃~900℃的生长温度和200mbar~800mbar的压强条件下，以N2为载气，通入气体MO源和气体氮源，在n型层上生长V-pits延伸层；
（4）V-pits延伸层生长结束后，依次生长发光层、p型层。
进一步的，气体硅源为SiH4或Si2H6。
进一步的，气体氮源为氨气。
进一步的，MO源（金属有机源）为TMGa、TMIn和TMAl中的一种或多种。
和现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
本发明半导体发光器件具有n形层表面的气体蚀刻和V-pits延伸层，主要包括一n型层及表面蚀刻、一V-pits延伸层、一发光层和一p型层，经刻蚀在n型层位错顶端形成尺寸一致的V-pits，实现V-pits在LED器件内部同一位置形成。n型层蚀刻后生长V-pits延伸层，以延伸V-pits的尺寸，使得V-pits在深度和尺寸上具有一致性，从而充分发挥V-pits阻挡位错成为非辐射复合中心的功能，提高发光二极管的内量子效率。
附图说明
图1为实施例中半导体发光器件刻蚀前的结构示意图；
图2为实施例中半导体发光器件刻蚀后的结构示意图；
图3为实施例中半导体发光器件的整体结构示意图；
图4为实施例中V-pits延伸层产生V-pits结构的TEM剖面图；
图5为实施例中n型层上刻蚀形成V-pits的AFM表面形貌图；
图6为实施例中LED器件内生长的V-pits的TEM剖面图。
图示说明：100-衬底；101-缓冲层；102-n型层；103-位错缺陷；104-蚀刻出的V-pits；105-V-pits延伸层；106-发光层；107-p型层。
具体实施方式
本发明阐述的是一种半导体发光器件及其制备方法。为了彻底的了解本发明，将在下列的描述中提出详尽的器件结构和生长方法。显然地，本发明的具体实施并未限定半导体发光器件的本领域普通技术人员所公知的特殊细节。另一方面，众所周知的器件结构并未描述于细节中，以避免造成本发明不必要的限制。本发明较佳的实施例会详细的描述如下，然而除了这些详细的描述外，本发明还可以广泛的施行在其他的实施例中，且本发明的范围不受限定，以其权利要求的范围为准。
参阅图3，所示为半导体发光器件的整体结构，从下到上依次包括：衬底（100）、缓冲层（101）、n型层（102）、V-pits延伸层（105）、发光层（106）、p型层（107），n型层（102）中位错缺陷（103）顶端蚀刻形成V-pits（104），V-pits（104）在V-pits延伸层（105）和发光层（106）中继续生长，并贯穿V-pits延伸层（105）和发光层（106），所形成的V-pits的TEM剖面图见图6。本实施例中，衬底（100）可以为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝等；缓冲层（101）、n型层（102）、V-pits延伸层（105）、p型层（107）均为氮化物半导体层；发光层（106）为多量子阱有源发光层。
下面将结合附图进一步说明本发明制备方法。
（1）采用AIXTRON公司的Crius I型号金属有机化学气相沉积机（MOCVD）在衬底（100）上依次外延生长缓冲层（101）、n型层（102）；n型层（102）中因异质生长的晶格失配和热失配，产生位错缺陷（103），如图1所示。缓冲层（101）和n型层（102）的生长为已有技术，生成温度和生长压强条件一般为1000℃~1070℃和150 mbar~400mbar。
（2）n型层（102）生长完毕后，降低温度至800度，通入SiH4 60 sccm、NH3 30000sccm和H2 36000 sccm，对n型层（102）蚀刻60s~600s，n型层（102）上表面被蚀刻出微小的V-pits（104），其AFM图如图5所示。本实施例中，n型层（102）为n型GaN层。本步骤中，同时通入的硅源SiH4和氮源NH3在n型层（102）上表面形成SiN层，使位错缺陷暴露，氮化物分解从而形成V-pits。
（3）蚀刻结束后，进行V-pits延伸层（105）的生长。将载气切换为N2，通入NH3、TMGa和TMIn，在800℃生长温度下生长氮化物超晶格层，即V-pits延伸层（105）。随着V-pits延伸层（105）厚度增加刻蚀出的V-pits（104）尺寸也逐步增大。在V-pits延伸层（105）的生长过程中，可通过调节温度、压力、生长速率使V-pits的尺寸不断增大。本实施例中，V-pits延伸层（105）为GaN/InGaN超晶格层，其所产生的V-pits结构的TEM剖面图见图4。
（4）V-pits延伸层（105）生长结束后，在V-pits延伸层（105）上依次生长发光层（106）、p型层（107），以构成完整的LED器件结构。发光层（106）包括势垒层和势阱层，势垒层生长的温度和压强条件为800℃~900℃、200mbar~600mbar，势阱层生长的温度和压强条件为700℃~800℃和200mbar~600mbar。p型层（107）包含p型AlGaN层和p型GaN层，p型AlGaN层的生长温度和压强条件为900~980℃和50mbar~200mbar，p型GaN层的生长温度和压强条件为900℃~950℃、150mbar~600mbar。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应依权利要求书范围限定。
Claims (8)
1.一种半导体发光器件，其特征是，包括：
一衬底；
一缓冲层，生长于所述的衬底上；
一n型层，生长于所述的缓冲层上；
一V-pits延伸层，其为超晶格半导体层，生长于所述的n型层上，以延伸V-pits的尺寸；
一发光层，生长于所述的V-pits延伸层上，V-pits延伸层和发光层中贯穿V-pits；
一p型层，生长于所述的发光层上；
其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V-pits。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征是：
所述的n型层为n型氮化物半导体层。
3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征是：
所述的n型氮化物半导体层为n型氮化镓层或n型氮化铝镓层或n型氮化铟镓层或n型氮化铟层或n型氮化铝层或n型氮化铝铟镓层或前述任意组合。
4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征是：
所述的p型层为p型氮化物半导体层。
5.如权利要求4所述的半导体发光器件，其特征是：
所述的p型氮化物半导体层为p型氮化镓层或p型氮化铝镓层或p型氮化铟镓层或p型氮化铟层或p型氮化铝层或p型氮化铝铟镓层或前述任意组合。
6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征是：
所述的V-pits延伸层为氮化物超晶格半导体层。
7.如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征是：
所述的氮化物超晶格半导体层为AlxInyGa1-x-yN层和AluInvGa1-u-vN层的组合层或仅为AlxInyGa1-x-yN层，0<x≤1，0<y≤1，x+y≤1；0<u≤1，0<v≤1，u+v≤1；x和u不相同，y和v不相同。
8.权利要求1所述的半导体发光器件的制备方法，其特征是，包括：
（1）衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长n型层；
（2）n型层生长结束后，生长温度降至750℃~900℃，在200mbar~600mbar的压强条件下，以H2为载气，通入气体硅源和气体氮源对n型层上表面进行刻蚀，即在n型层的位错缺陷顶端形成V-pits；
（3）蚀刻结束后，在750℃~900℃的生长温度和200mbar~800mbar的压强条件下，以N2为载气，通入气体MO源和气体氮源，在n型层上生长V-pits延伸层；
（4）V-pits延伸层生长结束后，依次生长发光层、p型层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710093011.2A CN106887487B (zh) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 一种半导体发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710093011.2A CN106887487B (zh) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 一种半导体发光器件及其制备方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106887487A true CN106887487A (zh) | 2017-06-23 |
| CN106887487B CN106887487B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=59180073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710093011.2A Active CN106887487B (zh) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 一种半导体发光器件及其制备方法 |
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| CN (1) | CN106887487B (zh) |
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