CN106879085B - 一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 claims abstract description 72
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N Tributyl citrate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCCCC)CC(=O)OCCCC ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims abstract description 27
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims abstract description 25
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims abstract description 25
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims abstract description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 21
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 8
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 8
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters
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Abstract
本发明公开了一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料及其制备方法,该电阻浆料包括以下物料:导电相15%‑30%、玻璃粉43%‑55%、有机相26%‑34%、助剂1%‑3%;导电相由微米银粉、纳米银粉、RuO2粉中的一种或两种或三种组成;玻璃粉由氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷组成;有机相由丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素组成;该电阻浆料含铅量为0且热性质与铝碳化硅基材、介质层的匹配度高,烧结形成电阻层不起皮、不鼓泡,与介质层结合力极强。该制备方法包括:制备玻璃粉、制备有机相、制备电阻浆料、丝印烧结介质层、丝印烧结电阻层、测定方阻和重烧变化率。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料技术领域,尤其涉及一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料及其制备方法。
背景技术
由于高的热转化效率和高的热密度,厚膜电阻发热成为近年来许多科研工作者和高新企业积极推崇的新技术。厚膜发热体中少不了基材,由于耐温性好、结构强度高、材料易得等特点,不锈钢成为最常用的厚膜基材。金属铝或合金铝的传热性能远胜于不锈钢,且密度小质量轻,一些行业期望用它替代不锈钢。
然而,熔点低和热膨胀系数高是阻碍金属铝作为厚膜基材的两大主要因素。铝碳化硅,又叫铝瓷,它是将铝和高体积分数的碳化硅、硅颗粒复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料。与金属铝相比,该材料的密度稍高,但其耐温性更好,结构强度更高,热膨胀系数更低接近不锈钢,完全有望成为金属铝的替代品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,该适配铝碳化硅基材的电阻浆料由银、RuO2、Si-Zn-Bi-B-Al-P系玻璃粉以及多种有机物组合而成,电阻浆料含铅量为0且热性质与铝碳化硅基材、介质层的匹配度高,经烧结后形成的电阻层不起皮、不鼓泡,与介质层的结合力极强。
本发明的另一目的在于提供一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,该制备方法能够有效地生产制备上述适配铝碳化硅基材的电阻浆料。
为达到上述目的,本发明通过以下技术方案来实现。
一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,包括有以下重量份的物料,具体为:
导电相 15%-30%
玻璃粉 43%-55%
有机相 26%-34%
助剂 1%-3%;
其中,导电相由微米银粉、纳米银粉、RuO2粉中的一种或两种或三种组成;玻璃粉由氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷组成;有机相由丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素组成。
其中,所述微米银粉的粒径值为1-3μm,纳米银粉的粒径值为0.05-0.2μm,RuO2粉的粒径值为0.2-1.2μm。
其中,所述玻璃粉中氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷六种物料的重量份依次为:20%-30%、15%-25%、28%-42%、5%-15%、2%-6%、 5%-10%。
其中,所述玻璃粉的粒径值小于10μm。
其中,所述有机相中丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素五种物料的重量份依次为:25%-30%、30%-45%、8%-12%、10%-15%、5%-10%。
其中,所述有机相的粘度为20dps -50dps。
其中,该电阻浆料的含铅量为0,固含量为67%-75%,烧结温度为500℃-520℃。
一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,包括有以下工艺步骤,具体为:
a、制备玻璃粉:称取氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷,而后将称取好的氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,待氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷混合均匀后,将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷所组成的混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;其中,玻璃粉中氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷六种物料的重量份依次为:20%-30%、15%-25%、28%-42%、5%-15%、2%-6%、 5%-10%;
b、制备有机相:称取丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素,而后将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;其中,有机相中丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素五种物料的重量份依次为:25%-30%、30%-45%、8%-12%、10%-15%、5%-10%;
c、制备电阻浆料:称取导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液,而后对导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;其中,电阻浆料中导电相、玻璃粉、有机相、助剂三种物料的重量份依次为:15%-30%、43%-55%、26%-34%和1%-3%;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
本发明的有益效果为:本发明所述的一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,其包括有以下重量份的物料:导电相15%-30%、玻璃粉43%-55%、有机相26%-34%、助剂1%-3%;导电相由微米银粉、纳米银粉、RuO2粉中的一种或两种或三种组成;玻璃粉由氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷组成;有机相由丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素组成。该适配铝碳化硅基材的电阻浆料由银、RuO2、Si-Zn-Bi-B-Al-P系玻璃粉以及多种有机物组合而成,电阻浆料含铅量为0且热性质与铝碳化硅基材、介质层的匹配度高,经烧结后形成的电阻层不起皮、不鼓泡,与介质层的结合力极强。
本发明的另一有益效果为:本发明所述的一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其包括有以下工艺步骤:a、制备玻璃粉:称取氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷,而后将称取好的氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,待氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷混合均匀后,将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷所组成的混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;其中,玻璃粉中氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷六种物料的重量份依次为:20%-30%、15%-25%、28%-42%、5%-15%、2%-6%、 5%-10%;b、制备有机相:称取丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素,而后将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;其中,有机相中丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素五种物料的重量份依次为:25%-30%、30%-45%、8%-12%、10%-15%、5%-10%;c、制备电阻浆料:称取导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液,而后对导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;其中,电阻浆料中导电相、玻璃粉、有机相、助剂三种物料的重量份依次为:15%-30%、43%-55%、26%-34%和1%-3%;d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。通过上述工艺步骤设计,该制备方法能够有效地生产制备上述电阻浆料。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,所描述的实施例仅为本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,包括有以下重量份的物料,具体为:
由银粉与RuO2粉组成的导电相 28%
玻璃粉 46%
有机相 25%
助剂 1%。
玻璃粉包括有以下重量份的物料,具体为:
氧化硅 20%
氧化锌 20%
氧化铋 30%
氧化硼 15%
氧化铝 5%
五氧化二磷 10%。
另外,有机相包括有以下重量份的物料,具体为:
丁基卡必醇 25%
丁基卡必醇醋酸酯 40%
邻苯二甲酸二丁酯 10%
柠檬酸三丁酯 15%
乙基纤维素 10%。
需进一步指出,本实施例1的适配铝碳化硅基材的电阻浆料可以采用以下制备方法制备而成,具体的,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其包括有以下工艺步骤:
a、制备玻璃粉:按照本实施例1的重量配比将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,混匀后将混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;
b、制备有机相:按照本实施例1的重量配比将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;
c、制备电阻浆料:按照本实施例1的重量配比将导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液依次进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
实施例2,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,包括有以下重量份的物料,具体为:
由银粉与RuO2粉组成的导电相 30%
玻璃粉 45%
有机相 24%
助剂 1%。
玻璃粉包括有以下重量份的物料,具体为:
氧化硅 25%
氧化锌 25%
氧化铋 35%
氧化硼 5%
氧化铝 5%
五氧化二磷 5%。
另外,有机相包括有以下重量份的物料,具体为:
丁基卡必醇 30%
丁基卡必醇醋酸酯 45%
邻苯二甲酸二丁酯 10%
柠檬酸三丁酯 10%
乙基纤维素 5%。
需进一步指出,本实施例2的适配铝碳化硅基材的电阻浆料可以采用以下制备方法制备而成,具体的,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其包括有以下工艺步骤:
a、制备玻璃粉:按照本实施例2的重量配比将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,混匀后将混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;
b、制备有机相:按照本实施例2的重量配比将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;
c、制备电阻浆料:按照本实施例2的重量配比将导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液依次进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
实施例3,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,包括有以下重量份的物料,具体为:
由RuO2粉组成的导电相 16%
玻璃粉 55%
有机相 28%
助剂 1%。
玻璃粉包括有以下重量份的物料,具体为:
氧化硅 30%
氧化锌 15%
氧化铋 40%
氧化硼 5%
氧化铝 5%
五氧化二磷 5%。
另外,有机相包括有以下重量份的物料,具体为:
丁基卡必醇 30%
丁基卡必醇醋酸酯 35%
邻苯二甲酸二丁酯 12%
柠檬酸三丁酯 15%
乙基纤维素 8%。
需进一步指出,本实施例3的适配铝碳化硅基材的电阻浆料可以采用以下制备方法制备而成,具体的,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其包括有以下工艺步骤:
a、制备玻璃粉:按照本实施例3的重量配比将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,混匀后将混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;
b、制备有机相:按照本实施例3的重量配比将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;
c、制备电阻浆料:按照本实施例3的重量配比将导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液依次进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
实施例4,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,包括有以下重量份的物料,具体为:
由RuO2粉组成的导电相 18%
玻璃粉 52%
有机相 29%
助剂 1%。
玻璃粉包括有以下重量份的物料,具体为:
氧化硅 20%
氧化锌 20%
氧化铋 30%
氧化硼 15%
氧化铝 5%
五氧化二磷 10%。
另外,有机相包括有以下重量份的物料,具体为:
丁基卡必醇 30%
丁基卡必醇醋酸酯 35%
邻苯二甲酸二丁酯 12%
柠檬酸三丁酯 15%
乙基纤维素 8%。
需进一步指出,本实施例4的适配铝碳化硅基材的电阻浆料可以采用以下制备方法制备而成,具体的,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其包括有以下工艺步骤:
a、制备玻璃粉:按照本实施例4的重量配比将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,混匀后将混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;
b、制备有机相:按照本实施例4的重量配比将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;
c、制备电阻浆料:按照本实施例4的重量配比将导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液依次进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
实施例5,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,包括有以下重量份的物料,具体为:
由RuO2粉组成的导电相 21%
玻璃粉 50%
有机相 28%
助剂 1%。
玻璃粉包括有以下重量份的物料,具体为:
氧化硅 30%
氧化锌 15%
氧化铋 40%
氧化硼 5%
氧化铝 5%
五氧化二磷 5%。
另外,有机相包括有以下重量份的物料,具体为:
丁基卡必醇 25%
丁基卡必醇醋酸酯 40%
邻苯二甲酸二丁酯 10%
柠檬酸三丁酯 15%
乙基纤维素 10%。
需进一步指出,本实施例5的适配铝碳化硅基材的电阻浆料可以采用以下制备方法制备而成,具体的,一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其包括有以下工艺步骤:
a、制备玻璃粉:按照本实施例5的重量配比将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,混匀后将混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;
b、制备有机相:按照本实施例5的重量配比将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;
c、制备电阻浆料:按照本实施例5的重量配比将导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液依次进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
下表为实施例1-5各电阻层的方阻、重烧变化率参数情况,具体的:
以上内容仅为本发明的较佳实施例,对于本领域的普通技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (2)
1.一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料,其特征在于,包括有以下重量份的物料,具体为:
导电相 15%-30%
玻璃粉 43%-55%
有机相 26%-34%
助剂 1%-3%;
其中,导电相由微米银粉、纳米银粉、RuO2粉中的一种或两种或三种组成;玻璃粉由氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷组成;有机相由丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素组成;
所述微米银粉的粒径值为1-3μm,纳米银粉的粒径值为0.05-0.2μm,RuO2粉的粒径值为0.2-1.2μm;
所述玻璃粉中氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷六种物料的重量份依次为:20%-30%、15%-25%、28%-42%、5%-15%、2%-6%、 5%-10%;
所述玻璃粉的粒径值小于10μm;
所述有机相中丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素五种物料的重量份依次为:25%-30%、30%-45%、8%-12%、10%-15%、5%-10%;
所述有机相的粘度为20dps -50dps;
该电阻浆料的含铅量为0,固含量为67%-75%,烧结温度为500℃-520℃。
2.一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料的制备方法,其特征在于,包括有以下工艺步骤,具体为:
a、制备玻璃粉:称取氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷,而后将称取好的氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷进行搅拌混合,待氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷混合均匀后,将氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷所组成的混合料转移至铂金坩埚内并将混合料随铂金坩埚放入至箱式电阻炉中,箱式电阻炉程序升温至1050℃-1100℃并保温60min,以使得混合料熔化成玻璃液;待箱式电阻炉保温完毕后,将玻璃液从箱式电阻炉中取出并进行水淬,水淬后的玻璃料依次进行粉碎、球磨加工以获得粒度小于10μm的玻璃粉;其中,玻璃粉中氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化铝和五氧化二磷六种物料的重量份依次为:20%-30%、15%-25%、28%-42%、5%-15%、2%-6%、 5%-10%;
b、制备有机相:称取丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素,而后将丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素置于分散罐中搅拌分散8h,以获得有机相,而后于有机相中添加助剂,搅拌后获得均匀透明的有机相、助剂混合溶液;其中,有机相中丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素五种物料的重量份依次为:25%-30%、30%-45%、8%-12%、10%-15%、5%-10%;
c、制备电阻浆料:称取导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液,而后对导电相粉体、玻璃粉、有机相以及助剂混合溶液进行混合搅拌、三辊研磨、过滤、脱泡处理,以获得电阻浆料;其中,电阻浆料中导电相、玻璃粉、有机相、助剂三种物料的重量份依次为:15%-30%、43%-55%、26%-34%和1%-3%;
d、将介质浆料丝印于铝碳化硅基材上,经过550℃烧结10min,如此重复3次以上,得到厚度大于80μm的介质层;
e、将c步骤所得的电阻浆料丝印于介质层上,经过500℃-520℃烧结10min,得到约12μm厚的电阻层;
f、测定电阻层的方阻和重烧变化率。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201611174818.0A CN106879085B (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN106879085A CN106879085A (zh) | 2017-06-20 |
CN106879085B true CN106879085B (zh) | 2020-02-07 |
Family
ID=59164647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611174818.0A Active CN106879085B (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 一种适配铝碳化硅基材的电阻浆料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106879085B (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101964219B (zh) * | 2010-08-10 | 2013-02-06 | 上海九晶电子材料股份有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法 |
CN103165220A (zh) * | 2011-12-15 | 2013-06-19 | 上海宝银电子材料有限公司 | 电热膜石英玻璃管电热件用无铅耐焊导电银浆及制备方法 |
CN102568704B (zh) * | 2012-03-16 | 2015-01-21 | 广东羚光新材料股份有限公司 | 一种环保型无铅半导体陶瓷电容电极银浆及其制备方法 |
CN104244486A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 王晨 | Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件 |
-
2016
- 2016-12-19 CN CN201611174818.0A patent/CN106879085B/zh active Active
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---|---|
CN106879085A (zh) | 2017-06-20 |
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