CN106876506A - 用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料，通过在对可见光敏感的CdS、CdSe混合物中掺入三元CdSeS量子点，利用三元CdSeS量子点的量子限域效应产生光谱蓝移，把光谱响应谱带扩展到近紫外光光谱，所制备光敏电阻对波长在280 nm到670 nm之间的光具有较高的灵敏度，具有光谱响应谱带宽的优点。
Description
技术领域
本发明涉及光敏电阻技术领域，具体地，涉及用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料。
背景技术
能够同时在可见光和近红外光照射条件下工作的宽谱带光敏电阻广泛应用于光电检测控制系统，特别是近红外光检测控制系统，如红外成像，红外感应等。目前，宽谱带光敏电阻通常由附在陶瓷基体表面的光敏材料层电联两个电极组成，光敏电阻材料对宽谱带光敏电阻的性能起决定性作用。宽谱带光敏电阻材料多采用在对可见光敏感的CdS、CdSe、CdCl2混合物中掺杂CdTe量子点，利用CdTe量子点的量子限域效应产生红移特性，把光谱响应谱带扩展到近红外光光谱。但是，现有宽谱带光敏电阻材料主要存在的问题之一是：灵敏度低，难以满足现代光电检测控制系统对宽谱带光敏电阻灵敏度的要求。国内外主要通过添加稀土硝酸盐材料来提高宽谱带光敏电阻的灵敏度。虽然稀土硝酸盐材料大幅提高了宽谱带光敏电阻的灵敏度，但是稀土硝酸盐材料价格昂贵，导致宽谱带光敏电阻生产成本高，成为宽谱带光敏电阻推广应用的难题。因此需要提供一种灵敏度高、价格便宜的宽谱带光敏电阻，以满足光电检测控制系统对宽谱带光敏电阻高灵敏度和廉价的双项要求。
发明内容
本发明的目的在于，针对上述问题，提出用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻制备方法，以满足光电检测控制系统对宽谱带光敏电阻高灵敏度和廉价的双项要求。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料，所述光敏材料由紫外可见光响应光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述紫外可见光响应光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：
CdSeS 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl2 9%-29%，余量为CuCl2；
将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。
进一步地，所述混合物各组分的重量百分比CdSeS 45%，CdSe 35%， CdCl2 19%，CuCl2 1% ；
所述紫外可见光响应光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。
响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制备陶瓷基体；
步骤2：配置紫外可见光响应光敏溶液；
步骤3：将紫外可见光响应光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成紫外可见光响应光敏材料层；
步骤4：将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后，放入500℃-700℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟；
步骤5：将两个电极安装在步骤4形成的紫外可见光响应光敏材料层两端，得到紫外可见光响应光敏电阻主体；
步骤6：在紫外可见光响应光敏电阻主体表面喷涂隔离层，得到紫外可见光响应光敏电阻。
进一步地，步骤2中，所述紫外可见光响应光敏溶液，包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：
CdSeS 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl2 9%-29%，余量为CuCl2；
将混合物溶解在离子水中得到紫外可见光响应光敏溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。
进一步地，所述步骤4具体为，所述步骤4具体为，将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后，放入600℃恒温烘箱中烘烤20分钟。
进一步地，所述陶瓷基体由纯度为90%以上的三氧化二铝材料制成。
进一步地，步骤3具体为，将步骤S2所得的紫外可见光响应光敏溶液喷涂在陶瓷基体表面，喷涂5次，所述紫外可见光响应光敏材料层厚度为6微米。
进一步地，步骤6具体为，利用环氧树脂在光敏电阻主体表面，形成隔离层，所述隔离层厚度为4微米。
进一步地，所述混合物各组分的重量百分比CdSeS 45%，CdSe 35%， CdCl2 19%，CuCl2 1% ；
所述紫外可见光响应光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。
本发明各实施例的用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法，通过在对可见光敏感的CdS、CdSe混合物中掺入三元CdSeS量子点，利用三元CdSeS量子点的量子限域效应产生光谱蓝移，把光谱响应谱带扩展到近紫外光光谱，所制备光敏电阻对波长在280 nm到670 nm之间的光具有较高的灵敏度，具有光谱响应谱带宽的优点。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例所述的光敏电阻结构图。
结合附图，本发明实施例中附图标记如下：
1-陶瓷基体；2-光敏材料层；3-电极。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
结合图1的结构，具体地，用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料，所述光敏材料由紫外可见光响应光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述紫外可见光响应光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：
CdSeS 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl2 9%-29%，余量为CuCl2；
将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。
所述混合物各组分的重量百分比CdSeS 45%，CdSe 35%， CdCl2 19%， CuCl2 1% ；
所述紫外可见光响应光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。
所述方法包括以下操作步骤：
S1，制备陶瓷基体；
S2，配置紫外可见光响应光敏溶液；
S3，将紫外可见光响应光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成紫外可见光响应光敏材料层；
S4，将喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后，放入600℃恒温烘箱中烘烤20分钟；
S5，将两个电极安装在形成紫外可见光响应光敏材料层两端，得到紫外可见光响应光敏电阻主体。
S6，在紫外可见光响应光敏电阻主体表面喷涂隔离层，得到紫外可见光响应光敏电阻。
优选地，所述步骤S1具体为：用纯度为90%以上的三氧化二铝材料制备所需形状的陶瓷基体。
优选地，所述步骤S2具体为：
首先，按照以下配比配置紫外可见光响应光敏溶液并将各原料混合均匀后得到紫外可见光响应光敏材料层混合物：
CdSeS 45%（重量百分比）
CdSe 35%（重量百分比）
CdCl2 19%（重量百分比）
CuCl2 1%（重量百分比）
然后，将紫外可见光响应光敏材料层混合物溶解在离子水中得到紫外可见光响应光敏材料溶液，其中紫外可见光响应光敏材料溶液中，紫外可见光响应光敏材料层混合物的质量百分比为30%，离子水的质量百分比为70%。
优选地，所述步骤S3具体为：将步骤S2所得的紫外可见光响应光敏材料溶液喷涂在陶瓷基体表面，喷涂5次，所述紫外可见光响应光敏材料层厚度为6微米。
优选地，所述步骤S6具体为：将环氧树脂在步骤S2所得的紫外可见光响应光敏电阻主体表面，形成隔离层，所述隔离层厚度为4微米。
在上述取值范围内取值时，利用上述给出的百分比制备的电阻灵敏度是最优的。而范围内的其他数值（包括端点值）的灵敏度仅次于上述公开的具体数值。
实际应用表明：
本发明提供的一种宽谱带光敏电阻及其制备方法，通过在对可见光敏感的CdS、CdSe混合物中掺入三元CdSeS量子点，利用三元CdSeS量子点的量子限域效应产生光谱蓝移，把光谱响应谱带扩展到近紫外光光谱，所制备光敏电阻对波长在280 nm到670 nm之间的光具有较高的灵敏度，具有光谱响应谱带宽的优点。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述光敏材料由紫外可见光响应光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述紫外可见光响应光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：
CdSeS 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl2 9%-29%，余量为CuCl2；
将混合物溶解在离子水中得到紫外可见光响应光敏溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。
2.根据权利要求1所述的用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述混合物各组分的重量百分比CdSeS 45%，CdSe 35%， CdCl2 19%， CuCl2 1% ；
所述紫外可见光响应光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。
3.响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：制备陶瓷基体；
步骤2：配置紫外可见光响应光敏溶液；
步骤3：将紫外可见光响应光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成紫外可见光响应光敏材料层；
步骤4：将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后，放入500℃-700℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟；
步骤5：将两个电极安装在步骤4形成的紫外可见光响应光敏材料层两端，得到紫外可见光响应光敏电阻主体；
步骤6：在紫外可见光响应光敏电阻主体表面喷涂隔离层，得到紫外可见光响应光敏电阻。
4.根据权利要求3所述的响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述紫外可见光响应光敏溶液，包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：
CdSeS 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl2 9%-29%，余量为CuCl2；
将混合物溶解在离子水中得到紫外可见光响应光敏溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。
5.根据权利要求3所述的响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于，所述步骤4具体为，将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后，放入600℃恒温烘箱中烘烤20分钟。
6.根据权利要求3所述的响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基体由纯度为90%以上的三氧化二铝材料制成。
7.根据权利要求3所述的响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于，步骤3具体为，将步骤S2所得的紫外可见光响应光敏溶液喷涂在陶瓷基体表面，喷涂5次，所述紫外可见光响应光敏电材料层厚度为6微米。
8.根据权利要求3所述的响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于，步骤6具体为，利用环氧树脂在光敏电阻主体表面，形成隔离层，所述隔离层厚度为4微米。
9.根据权利要求4所述的响应紫外可见光的光敏电阻的制备方法，其特征在于,所述混合物各组分的重量百分比CdSeS 45%，CdSe 35%， CdCl2 19%， CuCl2 1% ；
所述紫外可见光响应光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102517024A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-27 | 武汉大学 | 一种CdSeS 量子点的水相微波制备方法 |
| CN105206700A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-30 | 南阳师范学院 | 一种可见光光敏电阻及其制作方法 |
| CN105336798A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-02-17 | 南阳师范学院 | 一种光敏电阻及其制作方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102517024A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-27 | 武汉大学 | 一种CdSeS 量子点的水相微波制备方法 |
| CN105206700A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-30 | 南阳师范学院 | 一种可见光光敏电阻及其制作方法 |
| CN105336798A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-02-17 | 南阳师范学院 | 一种光敏电阻及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170620 |
|
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