CN106844830B - 一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法 - Google Patents
一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106844830B CN106844830B CN201611120113.0A CN201611120113A CN106844830B CN 106844830 B CN106844830 B CN 106844830B CN 201611120113 A CN201611120113 A CN 201611120113A CN 106844830 B CN106844830 B CN 106844830B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tgv
- disturbed
- signal
- hole
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,借助于MATLAB数值软件快速有效地计算耦合TGV互连传输特性,分析玻璃通孔的底部孔半径、顶部孔半径、通孔高度、通孔间的孔间距和衬底的电导率等设计参数对于耦合TGV传输特性的影响,克服了现有HFSS电磁仿真软件与HSPICE电路仿真软件仿真时间长,执行效率低的缺点,提高了三维集成电路的设计效率;本发明在预测TGV互连传输特性时,考虑了TGV的孔间耦合噪声,能够在考虑TGV耦合效应的要求下,快速精确计算出SGS和GSSG类型的TGV信号传输模式下的耦合TGV互连传输特性,克服了现有解析技术中仅分析单个信号TGV互连传输特性,而没有考虑临近信号通孔对于目标信号TGV互连传输质量产生影响的问题。
Description
技术领域
本发明属于电子技术领域,具体涉及一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,可用于三维集成电路的前端设计,快速预测玻璃通孔在耦合串扰效应下的互连传输特性。
背景技术
玻璃通孔(即Through Glass Via,简称TGV)技术是实现2.5维与3维集成封装系统的有效策略。TGV通过刻蚀或激光融化在玻璃衬底中开凿通孔,之后在通孔内电镀填充金属铜或钨等材料形成。但受开孔工艺的限制,开凿的通孔为锥形,且通孔的尺寸普遍大于标准逻辑单元,例如,45nm工艺下,TGV典型尺寸是5um×5um,约为方形标准单元的4倍,容易成为新的片上耦合噪声源;此外,由于芯片间通信带宽需求的增加,有限单元硅片内集成的信号TGV数目与分布密度相应增长,国际半导体工业协会预测,2017年集成电路TGV分布密度将达到107/mm2;这些因素导致TGV在信号传输过程中承受着严重的孔间串扰噪声,必须对耦合TGV的信号传输特性进行快速有效分析。
当前研究耦合TGV互连传输特性的方法主要有两种:一种是采用三维结构电磁场仿真软件HFSS进行仿真分析。Ansoft HFSS采用有限元法、自适应网格剖分、ALPS快速扫频、切向元等技术,集成了工业标准的建模系统,可以分析电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题,计算耦合TGV的S参数和相应端口阻抗的归一化S参数,并精确的预测耦合TGV互连传输特性。但该方法在网格划分及带宽分割仿真时耗费的计算时间较长,将会延长电路设计时间,增加设计成本。第二种方法是在分析耦合TGV互连传输特性时,首先采用解析方程提取TGV的电阻、电容与电感等寄生电学参数,之后构建耦合TGV结构的等效电学模型,采用电路仿真软件HSPICE仿真分析耦合TGV互连传输特性。该方法虽然可简化TGV电学参数提取过程,但存在的不足是,仍借助于仿真软件分析互连传输特性,计算方法较为复杂、繁琐,执行效率较低。
En-Xiao Liu,Er-Ping Li,Wei-Bin Ewe,Teck Guan Lim,Shan Gao."Compactwideband equivalent circuit model for electrical modeling of through siliconvia".IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques,vol.59,no.6,June2011,该篇论文将信号-地通孔结构等效为分布传输线模型,最终得到了一种预测信号-地通孔结构互连传输特性的解析模型。
Xiao-Xian Liu,Zhang-Ming Zhu,Yin-Tang Yang."Low loss air cavitythrough silicon vias(TGVs)for high speed three dimensional integratedcircuits(3-D ICs)".IEEE Microwave and Wireless Components Letters,vol.26,no.2,Feb.2016,该篇论文提取基于气腔隔离的地-信号-地通孔结构的等效电学模型,并采用电路仿真软件ADS仿真信号通孔传输特性。
上述两篇论文所公开的两种方法存在共同不足是:仅分析通孔在信号-地(SG)通孔结构与地-信号-地(GSG)通孔结构中的互连传输特性,并未考虑临近信号通孔对于目标信号通孔的耦合效应。在实际信号-地-信号(SGS)与地-信号-信号-地(GSSG)类型的TGV信号传输模式中,通孔间耦合效应不可避免,它可能导致高速信号传输的误码率增加,降低信号传输质量,利用上述两篇论文中的计算方法得出的信号通孔传输特性与实际耦合通孔传输特性存在一定误差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提出一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,该数值方法能够在考虑TGV耦合效应的要求下,快速精确计算出SGS和GSSG类型的TGV信号传输模式下的耦合TGV互连传输特性。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,包括以下步骤:
(1)记录工艺节点:读取三维集成电路设计前期的顶层规划文件,记录文件的工艺节点信息;
(2)存储锥形的玻璃通孔设计参数:根据工艺节点信息,读取ITRS数据表格中对应工艺节点的玻璃通孔尺寸参数与材料参数,作为玻璃通孔设计参数进行存储;
(3)求解玻璃通孔电学参数:将玻璃通孔设计参数代入通孔参数解析公式,利用MATLAB软件的数值计算功能,计算得到施扰TGV等效互连电阻R1、受扰TGV等效互连电阻R2、施扰TGV等效互连电感L1、受扰TGV等效互连电感L2以及施扰信号TGV与受扰信号TGV间的耦合电感Lm的数值;
(4)求解玻璃通孔间的衬底耦合电容与耦合电导:通过电容矩阵、电感矩阵及电导矩阵间的关系,求解得到施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C1与耦合电导G1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C2与耦合电导G2以及施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电容Cm与耦合电导Gm的数值;
(5)建立耦合TGV的等效电阻-电感-电容-电导的电学模型,即耦合TGV的RLCG电学模型,该RLCG电学模型中,Vvin1、R1、L1和Vout1串联,Vvin2、R2、L2和Vout2串联,C1和G1并联,C2和G2并联,Cm和Gm并联;C1和G1的一端与L1相连,C1和G1的另一端接地;C2和G2的一端与L2相连,C2和G2的另一端接地;Cm和Gm的一端与L1相连,Cm和Gm的另一端与L2相连;其中,Vvin1为施扰信号TGV的输入电压,Vvin2为受扰信号TGV的输入电压,Vout1为施扰信号TGV的输出电压,Vout2为受扰信号TGV的输出电压;
(6)采用解耦计算,将耦合模式下的受扰信号TGV等效为单导体互连线模型,该单导体互连线模型中,Vvin2、Rtr、Ltr和Vout2串联,Ctr与Gtr并联,Ctr和Gtr的一端与Ltr连接,Ctr和Gtr的另一端接地;其中,Rtr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电阻,Ltr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电感,Ctr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电容,Gtr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电导,Vvin2为受扰信号TGV的输入电压,Vout2为受扰信号TGV的输出电压;根据该单导体互连线模型,求解得到互连线的Rtr、Ltr、Ctr和Gtr参数的解析式:
Rtr=R2
Ltr=L2+(1+λ)Lm
Ctr=C2+(1-λ)Cm
Gtr=G2+(1-λ)Gm
其中,λ是信号开关因子,共模信号模式下,λ=1;差模信号模式下,λ=-1;
(7)计算得到受扰信号TGV在耦合效应下的ABCD参数矩阵表达式:
其中,θ与Z0分别是耦合受扰TGV互连线的传输常数与特征阻抗,ltgv是玻璃通孔的高度;
(8)通过T参数-S参数变换关系,推导得到耦合受扰TGV互连线的S参数矩阵的解析方程:
其中Z是耦合TGV的端接阻抗;
(9)利用MATLAB软件的频域分析功能,分析得到耦合TGV的传输特性。
作为优选,步骤(2)中所述的玻璃通孔设计参数包括玻璃通孔的底部孔半径、顶部孔半径、通孔高度、通孔间的孔间距和衬底的电导率。
作为优选,步骤(3)中,施扰TGV等效互连电阻R1和受扰TGV等效互连电阻R2的计算公式为:
β=(b-a)/ltgv
其中,a与b分别是玻璃通孔的底部孔半径与顶部孔半径,ρ是玻璃通孔内填充材料的电阻率。
作为优选,步骤(3)中,施扰TGV等效互连电感L1、受扰TGV等效互连电感L2的计算公式为:
其中,μ0是真空磁导率,μg是衬底的相对磁导率,pgs是施扰信号TGV或受扰信号TGV与接地TGV的间距。
作为优选,步骤(3)中,施扰信号TGV与受扰信号TGV间的耦合电感Lm的计算公式为:
其中,pss是施扰信号TGV与受扰信号TGV的孔间距。
作为优选,步骤(4)中,施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C2、施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电容Cm的计算公式为:
C1=μ0μgεgε0/(L1+Lm)
C2=μ0μgεgε0/(L2+Lm)
Cm=μ0μgεgε0Lm/(L1 2-Lm 2)
其中,μ0与ε0分别是真空磁导率与介电常数,εg是衬底的相对介电常数,μg是衬底的相对磁导率。
作为优选,步骤(4)中,施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电导G1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电导G2、施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电导Gm的计算公式为:
G1=μ0μgσg/(L1+Lm)
G2=μ0μgσg/(L2+Lm)
Gm=μ0μgσgLm/(L1 2-Lm 2)
其中,σg是衬底的电导率。
作为优选,步骤(7)中,耦合受扰TGV互连线的传输常数θ和特征阻抗Z0的计算公式为:
其中,j是虚部符号,ω是输入信号的角频率。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
第一,本发明推导了TGV在耦合效应下的互连传输解析模型,能够借助于MATLAB数值软件快速有效地计算耦合TGV互连传输特性,分析玻璃通孔的底部孔半径、顶部孔半径、通孔高度、通孔间的孔间距和衬底的电导率等设计参数对于耦合TGV传输特性的影响,克服了现有HFSS电磁仿真软件与HSPICE电路仿真软件仿真时间长,执行效率低的缺点,提高了三维集成电路的设计效率,能够快速精确计算出SGS和GSSG类型的TGV信号传输模式下的耦合TGV互连传输特性。
第二,本发明在预测TGV互连传输特性时,考虑了TGV的孔间耦合噪声,克服了现有解析技术中仅分析单个信号TGV互连传输特性,而没有考虑临近信号通孔对于目标信号TGV互连传输质量产生影响的问题,本发明使耦合TGV互连传输特性的预测结果更加精确。
附图说明
图1为本发明数值方法涉及的耦合TGV的RLCG电学模型;
图2为本发明数值方法涉及的单导体互连线模型;
图3为本发明数值方法与商用仿真软件HFSS的仿真结果比较;
图4为通过本发明数值方法得到的TGV互连传输特性随玻璃通孔的底部孔半径变化曲线;
图5为通过本发明数值方法得到的TGV互连传输特性随玻璃通孔的孔间距变化曲线;
图6为通过本发明数值方法得到的TGV互连传输特性随玻璃通孔的高度变化曲线。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例的快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,包括以下步骤:
(1)记录工艺节点:读取三维集成电路设计前期的顶层规划文件,记录文件的工艺节点信息;
(2)存储锥形的玻璃通孔设计参数:根据工艺节点信息,读取ITRS数据表格中对应工艺节点的玻璃通孔尺寸参数与材料参数,作为玻璃通孔设计参数进行存储,该玻璃通孔设计参数包括玻璃通孔的底部孔半径、顶部孔半径、通孔高度、通孔间的孔间距和衬底的电导率;
(3)求解玻璃通孔电学参数:将玻璃通孔设计参数代入通孔参数解析公式,利用MATLAB软件的数值计算功能,计算得到施扰TGV等效互连电阻R1、受扰TGV等效互连电阻R2、施扰TGV等效互连电感L1、受扰TGV等效互连电感L2以及施扰信号TGV与受扰信号TGV间的耦合电感Lm的数值;
施扰TGV等效互连电阻R1和受扰TGV等效互连电阻R2的计算公式为:
β=(b-a)/ltgv
其中,a与b分别是玻璃通孔的底部孔半径与顶部孔半径,ρ是玻璃通孔内填充材料的电阻率;
施扰TGV等效互连电感L1、受扰TGV等效互连电感L2的计算公式为:
其中,μ0是真空磁导率,μg是衬底的相对磁导率,pgs是施扰信号TGV或受扰信号TGV与接地TGV的间距;
施扰信号TGV与受扰信号TGV间的耦合电感Lm的计算公式为:
其中,pss是施扰信号TGV与受扰信号TGV的孔间距;
(4)求解玻璃通孔间的衬底耦合电容与耦合电导:通过电容矩阵、电感矩阵及电导矩阵间的关系,求解得到施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C1与耦合电导G1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C2与耦合电导G2以及施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电容Cm与耦合电导Gm的数值;
施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C2、施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电容Cm的计算公式为:
C1=μ0μgεgε0/(L1+Lm)
C2=μ0μgεgε0/(L2+Lm)
Cm=μ0μgεgε0Lm/(L1 2-Lm 2)
其中,μ0与ε0分别是真空磁导率与介电常数,εg是衬底的相对介电常数,μg是衬底的相对磁导率;
施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电导G1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电导G2、施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电导Gm的计算公式为:
G1=μ0μgσg/(L1+Lm)
G2=μ0μgσg/(L2+Lm)
Gm=μ0μgσgLm/(L1 2-Lm 2)
其中,σg是衬底的电导率;
(5)建立耦合TGV的等效电阻-电感-电容-电导的电学模型,即耦合TGV的RLCG电学模型,如图1所示,该RLCG电学模型中,Vvin1、R1、L1和Vout1串联,Vvin2、R2、L2和Vout2串联,C1和G1并联,C2和G2并联,Cm和Gm并联;C1和G1的一端与L1相连,C1和G1的另一端接地;C2和G2的一端与L2相连,C2和G2的另一端接地;Cm和Gm的一端与L1相连,Cm和Gm的另一端与L2相连;其中,Vvin1为施扰信号TGV的输入电压,Vvin2为受扰信号TGV的输入电压,Vout1为施扰信号TGV的输出电压,Vout2为受扰信号TGV的输出电压;
(6)采用解耦计算,将耦合模式下的受扰信号TGV等效为单导体互连线模型,如图2所示,该单导体互连线模型中,Vvin2、Rtr、Ltr和Vout2串联,Ctr与Gtr并联,Ctr和Gtr的一端与Ltr连接,Ctr和Gtr的另一端接地;其中,Rtr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电阻,Ltr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电感,Ctr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电容,Gtr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电导,Vvin2为受扰信号TGV的输入电压,Vout2为受扰信号TGV的输出电压;根据该单导体互连线模型,求解得到互连线的Rtr、Ltr、Ctr和Gtr参数的解析式:
Rtr=R2
Ltr=L2+(1+λ)Lm
Ctr=C2+(1-λ)Cm
Gtr=G2+(1-λ)Gm
其中,λ是信号开关因子,共模信号模式下,λ=1;差模信号模式下,λ=-1;
(7)计算得到受扰信号TGV在耦合效应下的ABCD参数矩阵表达式:
其中,θ与Z0分别是耦合受扰TGV互连线的传输常数与特征阻抗,ltgv是玻璃通孔的高度;
耦合受扰TGV互连线的传输常数θ和特征阻抗Z0的计算公式为:
其中,j是虚部符号,ω是输入信号的角频率;
(8)通过T参数-S参数变换关系,推导得到耦合受扰TGV互连线的S参数矩阵的解析方程:
其中Z是耦合TGV的端接阻抗;
(9)利用MATLAB软件的频域分析功能,分析得到耦合TGV的传输特性。
本发明数值方法与商用仿真软件HFSS的仿真结果比较见图3,图3是基于SGS类型的TGV信号传输模式下的受扰信号TGV的插入损耗S21进行的仿真比较,其中,a=11μm,b=17.5μm,ρ=2.2Ω·cm(玻璃通孔内的填充材料为铜互连线),pgs=pss=250μm,ltgv=175μm,σg=1×10-14S/m,εg=5.5,ε0=8.854×10-12,μ0=4π×10-7H/m,μg=1。根据上述数据,代入上述相关公式中,各参数的计算结果为:R1=R2=3.1mΩ,L1=L2=238.4pH,Lm=130.7pH,C1=C2=5.1fF,Cm=6.2fF,G1=G2=1.04e-18S,Gm=1.27e-18S。比较结果表明,本发明数值方法在差模与共模情况下均具有较高的计算精度,仿真时间约为15秒,远低于商用仿真软件HFSS所消耗的2分26秒的仿真时间。
另外,通过本发明数值方法分别分析了玻璃通孔的底部孔半径、玻璃通孔的孔间距和玻璃通孔的高度对于受扰信号TGV插入损耗S21的影响,结果分别见图4、图5和图6。
Claims (8)
1.一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)记录工艺节点:读取三维集成电路设计前期的顶层规划文件,记录文件的工艺节点信息;
(2)存储锥形的玻璃通孔设计参数:根据工艺节点信息,读取ITRS数据表格中对应工艺节点的玻璃通孔尺寸参数与材料参数,作为玻璃通孔设计参数进行存储;
(3)求解玻璃通孔电学参数:将玻璃通孔设计参数代入通孔参数解析公式,利用MATLAB软件的数值计算功能,计算得到施扰TGV等效互连电阻R1、受扰TGV等效互连电阻R2、施扰TGV等效互连电感L1、受扰TGV等效互连电感L2以及施扰信号TGV与受扰信号TGV间的耦合电感Lm的数值;
(4)求解玻璃通孔间的衬底耦合电容与耦合电导:通过电容矩阵、电感矩阵及电导矩阵间的关系,求解得到施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C1与耦合电导G1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C2与耦合电导G2以及施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电容Cm与耦合电导Gm的数值;
(5)建立耦合TGV的等效电阻-电感-电容-电导的电学模型,即耦合TGV的RLCG电学模型,该RLCG电学模型中,Vvin1、R1、L1和Vout1串联,Vvin2、R2、L2和Vout2串联,C1和G1并联,C2和G2并联,Cm和Gm并联;C1和G1的一端与L1相连,C1和G1的另一端接地;C2和G2的一端与L2相连,C2和G2的另一端接地;Cm和Gm的一端与L1相连,Cm和Gm的另一端与L2相连;其中,Vvin1为施扰信号TGV的输入电压,Vvin2为受扰信号TGV的输入电压,Vout1为施扰信号TGV的输出电压,Vout2为受扰信号TGV的输出电压;
(6)采用解耦计算,将耦合模式下的受扰信号TGV等效为单导体互连线模型,该单导体互连线模型中,Vvin2、Rtr、Ltr和Vout2串联,Ctr与Gtr并联,Ctr和Gtr的一端与Ltr连接,Ctr和Gtr的另一端接地;其中,Rtr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电阻,Ltr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电感,Ctr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电容,Gtr为受扰信号TGV在耦合效应下的等效电导,Vvin2为受扰信号TGV的输入电压,Vout2为受扰信号TGV的输出电压;根据该单导体互连线模型,求解得到互连线的Rtr、Ltr、Ctr和Gtr参数的解析式:
Rtr=R2
Ltr=L2+(1+λ)Lm
Ctr=C2+(1-λ)Cm
Gtr=G2+(1-λ)Gm
其中,λ是信号开关因子,共模信号模式下,λ=1;差模信号模式下,λ=-1;
(7)计算得到受扰信号TGV在耦合效应下的ABCD参数矩阵表达式:
其中,θ与Z0分别是耦合受扰TGV互连线的传输常数与特征阻抗,ltgv是玻璃通孔的高度;
(8)通过T参数-S参数变换关系,推导得到耦合受扰TGV互连线的S参数矩阵的解析方程:
其中Z是耦合TGV的端接阻抗;
(9)利用MATLAB软件的频域分析功能,分析得到耦合TGV的传输特性。
2.根据权利要求1所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(2)中所述的玻璃通孔设计参数包括玻璃通孔的底部孔半径、顶部孔半径、通孔高度、通孔间的孔间距和衬底的电导率。
3.根据权利要求1所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(3)中,施扰TGV等效互连电阻R1和受扰TGV等效互连电阻R2的计算公式为:
β=(b-a)/ltgv
其中,a与b分别是玻璃通孔的底部孔半径与顶部孔半径,ρ是玻璃通孔内填充材料的电阻率。
4.根据权利要求3所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(3)中,施扰TGV等效互连电感L1、受扰TGV等效互连电感L2的计算公式为:
其中,μ0是真空磁导率,μg是衬底的相对磁导率,pgs是施扰信号TGV或受扰信号TGV与接地TGV的间距。
5.根据权利要求4所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(3)中,施扰信号TGV与受扰信号TGV间的耦合电感Lm的计算公式为:
其中,pss是施扰信号TGV与受扰信号TGV的孔间距。
6.根据权利要求1所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(4)中,施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电容C2、施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电容Cm的计算公式为:
C1=μ0μgεgε0/(L1+Lm)
C2=μ0μgεgε0/(L2+Lm)
Cm=μ0μgεgε0Lm/(L1 2-Lm 2)
其中,μ0与ε0分别是真空磁导率与介电常数,εg是衬底的相对介电常数,μg是衬底的相对磁导率。
7.根据权利要求6所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(4)中,施扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电导G1、受扰信号TGV与接地TGV间的衬底耦合电导G2、施扰信号TGV与受扰信号TGV间的衬底耦合电导Gm的计算公式为:
G1=μ0μgσg/(L1+Lm)
G2=μ0μgσg/(L2+Lm)
Gm=μ0μgσgLm/(L1 2-Lm 2)
其中,σg是衬底的电导率。
8.根据权利要求1所述的一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,其特征在于,步骤(7)中,耦合受扰TGV互连线的传输常数θ和特征阻抗Z0的计算公式为:
其中,j是虚部符号,ω是输入信号的角频率。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611120113.0A CN106844830B (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611120113.0A CN106844830B (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106844830A CN106844830A (zh) | 2017-06-13 |
CN106844830B true CN106844830B (zh) | 2019-08-06 |
Family
ID=59139845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611120113.0A Active CN106844830B (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106844830B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107292026A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-10-24 | 杭州电子科技大学 | 一种工艺参数波动引起mosfet性能变化的估计方法 |
CN107831370B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-11-17 | 西安理工大学 | 直流接地极及杆塔接地网附近电磁场的有限元分析方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102495917A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-06-13 | 西安电子科技大学 | 耦合互连线的静态时序分析的优化 |
CN103413001A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-11-27 | 上海交通大学 | 一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法 |
CN105975687A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-09-28 | 西安电子科技大学 | 带通共面波导微带无通孔过渡结构的集总模型构建方法 |
CN106021646A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-10-12 | 西安电子科技大学 | 一种差分硅通孔分布参数的全波提取方法 |
CN106354904A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-01-25 | 杭州电子科技大学 | 一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015183915A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | The University Of Florida Research Foundation, Inc. | Glass interposer integrated high quality electronic components and systems |
-
2016
- 2016-12-08 CN CN201611120113.0A patent/CN106844830B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102495917A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-06-13 | 西安电子科技大学 | 耦合互连线的静态时序分析的优化 |
CN103413001A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-11-27 | 上海交通大学 | 一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法 |
CN105975687A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-09-28 | 西安电子科技大学 | 带通共面波导微带无通孔过渡结构的集总模型构建方法 |
CN106021646A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-10-12 | 西安电子科技大学 | 一种差分硅通孔分布参数的全波提取方法 |
CN106354904A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-01-25 | 杭州电子科技大学 | 一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法 |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
"Accurate Field-Circuit Hybrid Modeling of High-Density Through Glass Via Arrays by Using Perfect Magnetic Conductors and Cylindrical Mode Expansion";Jun Li等;《IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology》;20160131;第6卷(第1期);第100-108页 |
"Coupling of vias in electronic packaging and printed circuit board structures with finite ground plane";Leung Tsang等;《IEEE Transactions on Advanced Packaging》;20031130;第26卷(第4期);第375-384页 |
"Electrical-thermal characterization of carbon nanotube based through glass vias for 3-D integration";Libo Qian等;《2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)》;20161124;第663-666页 |
"High frequency characterization and analytical modeling of through glass via (TGV) for 3D thin-film interposer and MEMS packaging";Cheolbok Kim等;《2013 IEEE 63rd Electronic Components and Technology Conference》;20130808;第1385-1391页 |
"Noise coupling modeling and analysis of through glass via(TGV)";Insu Hwang等;《2015 International 3D Systems Integration Conference (3DIC)》;20151123;第TS8.34.1-TS8.34.5页 |
"Study of Crosstalk Effect on the Propagation Characteristics of Coupled MLGNR Interconnects";Libo Qian等;《IEEE Transactions on Nanotechnology》;20160930;第15卷(第5期);第810-819页 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106844830A (zh) | 2017-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lu et al. | Electrical-thermal co-simulation for analysis of high-power RF/microwave components | |
CN103942351B (zh) | 增加电路板层数的设计系统及设计方法 | |
CN106844830B (zh) | 一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法 | |
CN107577860A (zh) | 基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法 | |
Tretter et al. | Zero‐Ohm transmission lines for millimetre‐wave circuits in 28 nm digital CMOS | |
CN109522653A (zh) | 一种三维集成电路的pdn交流噪声分析方法 | |
CN107480397B (zh) | 考虑双根金丝键合线互感的微波器件路耦合传输性能预测方法 | |
CN105975687B (zh) | 带通共面波导微带无通孔过渡结构的集总模型构建方法 | |
Jeon et al. | Design of an on-silicon-interposer passive equalizer for next generation high bandwidth memory with data rate up to 8 Gb/s | |
CN106021646A (zh) | 一种差分硅通孔分布参数的全波提取方法 | |
CN105824995B (zh) | 一种基于物理版图的三维电磁场模型生成方法 | |
Li et al. | Mode-decomposition-based equivalent model of high-speed vias up to 100 GHz | |
Xu et al. | Parasitics extraction, wideband modeling and sensitivity analysis of through-strata-via (TSV) in 3D integration/packaging | |
Kim et al. | An efficient path-based equivalent circuit model for design, synthesis, and optimization of power distribution networks in multilayer printed circuit boards | |
US7197446B2 (en) | Hierarchical method of power supply noise and signal integrity analysis | |
Ravelo et al. | Fast estimation of RL‐loaded microelectronic interconnections delay for the signal integrity prediction | |
CN103413001A (zh) | 一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法 | |
Schneider et al. | Towards a methodology for analysis of interconnect structures for 3D-integration of micro systems | |
Koziel et al. | Modeling of microwave devices with space mapping and radial basis functions | |
Cho et al. | Analysis of glass interposer PDN and proposal of PDN resonance suppression methods | |
Li et al. | Mode-decomposition-based equivalent via (MEV) model and MEV model application range analysis | |
CN109063318A (zh) | 基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法和装置 | |
KR100783732B1 (ko) | 계층적 시스템의 수치 해석 방법 | |
JP3615458B2 (ja) | 発熱物体の熱抵抗解析方法及び温度解析方法 | |
Chen et al. | An FDTD-Touchstone hybrid technique for equivalent circuit modeling of SOP electronic packages |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |