CN106796970B - 用于生成光电组件的方法以及光电组件 - Google Patents

用于生成光电组件的方法以及光电组件 Download PDF

Info

Publication number
CN106796970B
CN106796970B CN201580047397.2A CN201580047397A CN106796970B CN 106796970 B CN106796970 B CN 106796970B CN 201580047397 A CN201580047397 A CN 201580047397A CN 106796970 B CN106796970 B CN 106796970B
Authority
CN
China
Prior art keywords
molding
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
reflector
carrier film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580047397.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106796970A (zh
Inventor
M.平德尔
J.莫斯布格尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN106796970A publication Critical patent/CN106796970A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106796970B publication Critical patent/CN106796970B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251—Disposition
    • H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种用于生成光电组件的方法，包括以下步骤：在载体膜的顶面上设置光电半导体芯片和反射器；在光电半导体芯片与反射器之间的区中设置灌注化合物；以及形成模制物，其中光电半导体芯片、反射器和灌注化合物被嵌入在模制物中。

Description

用于生成光电组件的方法以及光电组件
技术领域
本发明涉及用于生成光电组件的方法，并且涉及光电组件。
本专利申请要求德国专利申请10 2014 112 818.4的优先权，其公开内容据此通过引用被并入。
背景技术
在现有技术中，形成具有通过模制方法生成的外壳的光电组件（例如发光二极管组件（LED组件））是已知的。DE 10 2009 036 621 A1公开一种方法，其中光电半导体芯片直接地并且在没有另外的载体的情况下被嵌入到通过模制方法生成的模制体中。在这种情况下，使得光电半导体芯片的前侧和后侧保持如下状态：它们不被模制体覆盖，以便实现光电半导体芯片的电接触。通过该方法可获得的光电组件包括非常紧凑的外部尺寸。
发明内容
本发明的一个目的是指定一种用于生成光电组件的方法。该目的借助于本发明的用于生成光电组件的方法来实现。本发明的另外的目的是提供一种光电组件。该目的借助于本发明的光电组件来实现。
一种用于生成光电组件的方法包括如下的步骤：用于在载体膜的顶侧上布置光电半导体芯片和反射器；用于在光电半导体芯片与反射器之间的区中布置灌注（potting）材料；以及用于形成模制体，其中光电半导体芯片、反射器和灌注材料被嵌入到模制体中。有利地，通过该方法可获得的光电组件包括非常紧凑的外部尺寸。在该方法中，光电半导体芯片被布置在腔中，该腔被形成在模制体中并且其由反射器定界并且填充有灌注材料。灌注材料可以保护光电半导体芯片免受由外部影响引起的损坏。反射器可以用于反射由光电半导体芯片发射的电磁辐射，例如可见光，并且将其引导出光电组件，以便使其对于使用而言可利用。
在该方法的一个实施例中，形成模制体，使得光电半导体芯片的背对载体膜的表面被模制体覆盖。在这种情况下，该方法包括如下另外的步骤：用于去除模制体的部分以便至少部分地未覆盖光电半导体芯片的背对载体膜的表面。有利地，结果，在模制体的形成期间，该方法不需要光电半导体芯片的背对载体膜的表面的覆盖物，所述覆盖物用于保护光电半导体芯片的背对载体膜的表面免于被模制体的材料覆盖，作为此的结果，该方法有利地是可特别简单且成本有效地实现的。去除模制体的部分例如可以借助于背磨（grinding-back）过程来执行。
在该方法的一个实施例中，形成模制体，使得反射器在模制体的背对载体膜的后侧上未被覆盖。这有利地实现在模制体的后侧上的反射器的电接触。
在该方法的一个实施例中，该方法包括如下另外的步骤：用于将模制体从载体膜卸下。有利地，光电半导体芯片的面向载体膜的表面以及模制体的面向载体膜的前侧结果被覆盖。
在该方法的一个实施例中，该方法包括如下另外的步骤：用于在模制体的前侧和/或后侧上布置金属化物。金属化物可以被布置在模制体上，例如，以便创建通过该方法可获得的光电组件的电焊接接触焊盘。布置在模制体的前侧和/或后侧上的金属化物也可以用于创建在通过该方法可获得的光电组件的电焊接接触焊盘与光电半导体芯片的电连接面之间的平面电连接。例如，在模制体的前侧和/或后侧上布置金属化物可以借助于汽相沉积来执行。
在该方法的一个实施例中，在光电半导体芯片的电连接面与反射器之间的导电连接由金属化物形成。有利地，结果，通过该方法可获得的光电组件中的反射器可以用于通过光电组件的模制体来将电接触引到光电组件的光电半导体芯片的电连接面。结果，光电组件可以有利地特别成本有效地且以特别紧凑的外部尺寸被生成。
在该方法的一个实施例中，导电接触元件被布置在载体膜的顶侧上，并且与光电半导体芯片一起被嵌入到模制体中。在这种情况下，在模制体的前侧与后侧之间的导电连接由接触元件形成。有利地，通过该方法可获得的光电组件中的接触元件可以用于通过光电组件的模制体将电连接引到光电半导体芯片的电连接面。
在该方法的一个实施例中，在光电半导体芯片的电连接面与接触元件之间的导电连接由金属化物形成。有利地，通过该方法可获得的光电组件中的金属化物和接触元件生成到光电半导体芯片的电连接面的导电连接，所述导电连接通过光电组件的模制体延伸。
在该方法的一个实施例中，首先在载体膜上布置反射器，然后在载体膜上布置光电半导体芯片。这有利地使在载体膜上布置光电半导体芯片期间将光电半导体芯片与已经布置在载体膜上的反射器对准成为可能。这实现反射器和光电半导体芯片关于彼此的特别精确的相对定位。结果，该方法可以有利地被简单地且以高精度来实现。
在该方法的一个实施例中，反射器被形成为包括压纹（embossing）结构的金属片。有利地，反射器在这种情况下包括特别合适的光学反射性质。此外，被形成为包括压纹结构的金属片的反射器，作为其嵌入到模制体中的结果，可以有利地在机械上使通过该方法可获得的光电组件的模制体稳定。
在该方法的一个实施例中，光电半导体芯片被布置在载体膜上，使得光电半导体芯片的发光表面面向载体膜。有利地，使得光电半导体芯片的发光表面保持如下状态：其在模制体的形成期间不被模制体的材料覆盖，作为此的结果，在通过该方法可获得的光电组件的情况下，在光电半导体芯片的发光表面处发射的电磁辐射可以有利地以不受阻碍的方式来发射。
在该方法的一个实施例中，光电半导体芯片被形成为体发射发光二极管芯片。有利地，在通过该方法可获得的光电组件的情况下，在被形成为体发射发光二极管芯片的光电半导体芯片的侧面处发射的电磁辐射可以在反射器处被反射，并且从而被引导出通过该方法可获得的光电组件，并且可以被供应用于使用。
在该方法的一个实施例中，布置灌注材料借助于计量（dosing）方法来执行。作为示例，布置灌注材料可以借助于针计量（分配）来执行。有利地，计量方法实现在光电半导体芯片与反射器之间的区中布置的灌注材料的量的特别精确的计算（dimensioning）。
在该方法的一个实施例中，布置灌注材料，使得光电半导体芯片的背对载体膜的表面不被灌注材料覆盖。有利地，光电半导体芯片的背对载体膜的表面结果保持空着，这使接触光电半导体芯片的电接触焊盘成为可能，所述电接触焊盘被布置在光电半导体芯片的背对载体膜的所述表面上。
在该方法的一个实施例中，模制体通过压塑形成。这有利地实现该方法的简单且成本有效的实现。
在该方法的一个实施例中，多个光电半导体芯片被嵌入到模制体中。在这种情况下，该方法包括如下另外的步骤：用于分割模制体以便获得多个光电组件。结果，该方法实现在共同工作过程中的多个光电组件的并行生成。这使降低每个单独的光电组件的生产成本成为可能。
一种光电组件，包括光电半导体芯片和反射器。灌注材料被布置在光电半导体芯片与反射器之间的区中。光电半导体芯片、反射器和灌注材料被嵌入到模制体中。光电半导体芯片的前侧与模制体的前侧齐平终止。光电半导体芯片的后侧与模制体的后侧齐平终止。有利地，该光电组件包括非常紧凑的外部尺寸。该光电组件中的光电半导体芯片被布置在腔中，该腔被形成在模制体中并且其填充有灌注材料并由反射器定界。由光电组件的光电半导体芯片发射的电磁辐射可以在反射器处被反射，并且以这种方式被引导出光电组件，并且被供应用于使用。光电半导体芯片例如可以被形成为体发射发光二极管芯片。光电组件的光电半导体芯片的后侧，所述后侧在模制体的后侧上与模制体的后侧齐平终止，实现光电组件的光电半导体芯片的简单电接触。光电半导体芯片的前侧，所述前侧在模制体的前侧上与模制体的前侧齐平终止，同样实现光电组件的光电半导体芯片的简单电接触。
在光电组件的一个实施例中，导电接触元件被嵌入到模制体中。接触元件的前侧与模制体的前侧齐平终止。接触元件的后侧与模制体的后侧齐平终止。接触元件从而在模制体的前侧与模制体的后侧之间通过模制体延伸。接触元件因此形成电镀通孔，该电镀通孔通过模制体延伸，并且其例如使通过光电组件的模制体将导电连接引到光电半导体芯片的电连接面成为可能。
附图说明
与被与绘图结合更详细地解释的示例性实施例的以下描述结合，本发明的以上描述的性质、特征和优点以及实现它们所用的方式将变得更清楚以及更清楚地理解。此处在每种情况下在示意性图示中：
图1示出具有载体膜的载体的剖视图；
图2示出具有被布置在载体膜上的光电半导体芯片并具有被布置在载体膜上的接触元件的载体的剖视图；
图3示出具有被布置在载体膜上的反射器的载体的剖视图；
图4示出具有被布置在光电半导体芯片与反射器之间的灌注材料的载体的剖视图；
图5示出具有在载体膜上方形成的模制体的载体的剖视图，光电半导体芯片、接触元件、反射器和灌注材料被嵌入到该模制体中；
图6示出从载体膜卸下之后的模制体的剖视图；
图7示出去除模制体的部分之后的模制体的剖视图；
图8示出第一光电组件的截面侧视图；以及
图9示出第二光电组件的截面侧视图。
具体实施方式
图1示出载体100的示意性截面侧视图。载体100可以是用于执行模制方法的装置或工具的部分，例如用于压塑的装置的部分。在这种情况下，载体100形成所述装置的模具的一部分。
在图1中示意性地图示的示例中，载体100包括基本上平面的顶侧。载体膜110被布置在载体100的顶侧上，所述载体膜包括背对载体100的顶侧111。载体膜110例如可以被形成为粘性膜。优选地，载体膜110在其顶侧111上和/或在与顶侧111相对的其下侧上包括可释放的粘性层，例如热可释放的粘性层。
图2示出时间上继图1中的图示之后的处理状态中的载体100的、和载体膜110的示意性截面侧视图。光电半导体芯片200和接触元件300已经被布置在载体膜110的顶侧111上。光电半导体芯片200和接触元件300以离彼此的某一距离横向地彼此并排布置。
光电半导体芯片200被配置成发射电磁辐射，例如可见光。光电半导体芯片200例如可以被形成为发光二极管芯片（LED芯片）。光电半导体芯片200包括前侧201和与前侧201相对的后侧202。光电半导体芯片200的前侧201例如可以形成光电半导体芯片200的辐射发射面，在光电半导体芯片200的操作期间在该辐射发射面处发射电磁辐射。光电半导体芯片200也可以被形成为体发射半导体芯片。在这种情况下，在光电半导体芯片200的操作期间，也可以在光电半导体芯片200的连接前侧201和后侧202的侧面处发射电磁辐射。
光电半导体芯片200以使得光电半导体芯片200的前侧201面向载体膜110的顶侧111并且与后者接触这样的方式被布置在载体100上的载体膜100的顶侧111上。
接触元件300包括导电材料，例如掺杂半导体材料或金属。接触元件300也可以被称为通路（via）芯片。接触元件300包括顶侧301和与顶侧301相对的下侧302。在接触元件300的顶侧301与下侧302之间存在导电连接。
接触元件300以使得接触元件300的顶侧301面向载体膜110的顶侧111并且与后者接触这样的方式被布置在载体100上的载体膜110的顶侧111上。
光电半导体芯片200和接触元件300包括垂直于载体膜110的顶侧111的方向上的生产精度范围内的相同高度。那意味着光电半导体芯片200的前侧201和接触元件300的顶侧301被布置在载体100上的载体膜110的顶侧111上的共同平面中。光电半导体芯片200的后侧202和接触元件300的下侧302也基本上位于共同平面中。
图3示出时间上继图2中的图示之后的处理状态中的载体100的、被布置在载体膜110的顶侧111上的光电半导体芯片200的、以及接触元件300的示意性截面侧视图。反射器400已经被布置在载体100上的载体膜110的顶侧111上。
反射器400包括光学上高反射的材料。优选地，反射器400的材料也是导电且机械稳定的。反射器400例如可以由金属形成。优选地，反射器400被形成为压纹金属片。
反射器400包括压纹反射器结构，所述压纹反射器结构例如可以包括截锥的、或截棱锥的侧表面的形式。反射器400以使得反射器结构以环形形式围绕光电半导体芯片200这样的方式被布置在载体膜100上的载体膜110的顶侧111上。优选地，光电半导体芯片200被近似居中地布置在反射器400的环形反射器结构中。
反射器400的反射器结构包括前侧401和与前侧401相对的后侧402。在这种情况下，反射器400的反射器结构的前侧401面向载体膜110的顶侧111并且与后者接触。反射器400的压纹反射器结构从后侧402到顶侧401成圆锥形变宽。
反射器400可以包括除了压纹反射器结构之外的另外的部分，所述另外的部分在图3中未被图示。作为示例，反射器400在其前侧401上可以包括片部分，该片部分邻近压纹反射器结构并且压在载体100上的载体膜110的顶侧111上。然而，同样在反射器400的后侧402上，反射器400的另外的部分可以邻近反射器400的压纹反射器结构。
反射器400以使得光电半导体芯片200和接触元件300两者都不与反射器400接触并且因此与反射器400电绝缘这样的方式被布置在载体100上的载体膜110的顶侧111上。
在图示的示例中，反射器400在其后侧402与其前侧401之间包括垂直于载体膜110的顶侧111的高度，该高度基本上对应于光电半导体芯片200的在其后侧202与其前侧201之间的高度。然而，还将可能形成具有较小高度的反射器400。在这种情况下，反射器400的后侧402比光电半导体芯片200的后侧202更靠近载体膜110的顶侧111放置。
离开图2和图3中的图示以及以上给出的描述，还可能在时间上在光电半导体芯片200之前和/或在接触元件300之前将反射器400布置在载体100上的载体膜110的顶侧111上。这提供优点：光电半导体芯片200，在载体膜110的顶侧111上布置反射器400的过程之后，可以与反射器400的压纹反射器结构对准并且被定位在载体100上的载体膜110的顶侧111上。
图4示出时间上继图3中的图示之后的处理状态中的载体100与被布置在载体膜110的顶侧111上的元件的示意性截面侧视图。在载体100上的载体膜110的顶侧111上的光电半导体芯片200与反射器400之间的区已经填充有灌注材料500。
灌注材料500优选地对于由光电半导体芯片200发射的电磁辐射是基本上透明的或半透明的。灌注材料500例如可以包括硅树脂。
例如可以借助于计量方法将灌注材料500布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的区中。特别地，例如可以借助于针计量来布置灌注材料500。灌注材料500填充光电半导体芯片200与反射器400的压纹反射器结构之间的区，在这种情况下从载体膜110的顶侧111进行。优选地，填充到光电半导体芯片200和反射器400之间的区中的灌注材料500的量使得灌注材料500与反射器400的后侧402近似齐平终止。应该避免由灌注材料500润湿光电半导体芯片200的后侧202。
图5示出时间上继图4中的图示之后的处理状态中的载体100的、和被布置在载体膜110的顶侧111上的组件部分的示意性截面侧视图。已经在载体100上的载体膜110的顶侧111上形成模制体600。光电半导体芯片200、接触元件300、反射器400、和在光电半导体芯片200与反射器400之间的区中布置的灌注材料500已经被嵌入到模制体600中。
模制体600可以借助于模制过程，特别地例如通过压塑来生成。在这种情况下，模制材料被引入到由载体100形成的模具以及与在载体100上布置的载体膜110的顶侧111相对定位的另外的模具部分中。从而形成包括前侧601和与前侧601相对的后侧602的模制体600。模制体600的前侧601面向载体膜110的顶侧111。在与载体100相对定位的另外的模具部分上形成模制体600的后侧602。
用于形成模制体600的模制材料优选为塑料材料。模制材料例如可以包括硅树脂或环氧树脂。用于形成模制体600的模制材料可以是透明的、半透明的、否则不透明的。
在模制体600的形成期间，光电半导体芯片200、接触元件300、反射器400、和被布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的灌注材料500被嵌入到模制体600中。在这种情况下，压在载体膜110的顶侧111上的光电半导体芯片200的前侧201、接触元件300的顶侧301和反射器400的前侧401在模制体600的形成之后不被模制体600的材料覆盖并且与模制体600的前侧601基本上齐平终止。
在垂直于载体膜110的顶侧111的方向上从模制体600的后侧602到前侧601计算的模制体600的高度，在图5中图示的示例中，大于光电半导体芯片200的、接触元件300的和反射器400的高度。结果，光电半导体芯片200的后侧202、接触元件300的下侧302、反射器400的后侧402和被布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的灌注材料500被邻接模制体600的后侧602的模制体600的部分610覆盖。
然而，还可能形成具有对应于光电半导体芯片200的、接触元件300的、和反射器400的高度的厚度的模制体600，使得光电半导体芯片200的后侧302、接触元件300的下侧302、反射器400的后侧402和被布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的灌注材料500也不被模制体600的材料覆盖，并且从而与模制体600的后侧602基本上齐平终止。这例如可以依靠以下事实来实现：光电半导体芯片200的后侧202、接触元件300的下侧302、反射器400的后侧402和被布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的灌注材料500在模制体600的形成期间借助于膜覆盖。
图6示出时间上继图5中的图示之后的处理状态中的模制体600的示意性截面侧视图。模制体600已经从载体膜110的顶侧111卸下，并且因此也从载体100卸下。
从载体膜110的顶侧111卸下模制体600例如可以借助于载体膜110的热处理或化学处理、借助于用光照射载体膜110或者借助于载体膜110的一些其它处理来执行。然而，从载体膜110的顶侧111卸下模制体600也可以借助于纯机械措施来执行。
图7示出时间上继图6中的图示之后的处理状态中的模制体600的示意性截面侧视图。邻接模制体600的后侧602的模制体600的部分610已经被去除。
作为邻接模制体600的后侧602的模制体600的部分610的去除的结果，光电半导体芯片200的后侧202、接触元件300的下侧302、反射器400的后侧402和被布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的灌注材料500已经未被覆盖，并且现在与模制体600的退后的后侧602近似齐平终止。去除邻接模制体的后侧602的模制体600的部分610例如可以借助于研磨过程来执行。
如果在图5中图示的处理状态中的模制体600的形成期间已经生成模制体600使得光电半导体芯片200的后侧202、接触元件300的下侧302、反射器400的后侧402和被布置在光电半导体芯片200与反射器400之间的灌注材料500不被模制体600覆盖并且与模制体600的后侧602基本上齐平终止，则去除邻接后侧602的模制体600的部分610可以被省略。
图8示出时间上继图7中的图示之后的处理状态中的模制体600的、和嵌入到模制体600中的组件部分的示意性截面侧视图。金属化物700已经被布置在模制体600的后侧602和前侧601上。作为另外的处理的结果，第一光电组件10已经由模制体600和嵌入到模制体600中的组件部分形成。
在模制体600的前侧601和后侧602上布置金属化物700例如可以借助于汽相沉积或借助于一些其它平面涂覆方法来执行。金属化物700包括导电金属。金属化物700在模制体600的前侧601和后侧602上的布置可以接连地在分离的工作过程中执行。在这种情况下，也可使用不同的材料。
金属化物700包括在光电半导体芯片200的后侧202上布置的第一焊接接触焊盘710。第一焊接接触焊盘710导电地连接到光电半导体芯片200的后侧202上的后侧电连接面220。
金属化物700还包括被布置在接触元件300的下侧302上的第二焊接接触焊盘720。第二焊接接触焊盘720导电地连接到接触元件300。
此外，金属化物700包括被布置在模制体600的前侧601上的连接部分730。连接部分730在模制体600的前侧601上从嵌入到模制体600中的光电半导体芯片200的前侧201延伸直到嵌入到模制体600中的接触元件300的顶侧301。
连接部分730导电地连接到光电半导体芯片200的前侧电连接面210，所述前侧电连接面被形成在光电半导体芯片200的前侧201上。此外，连接部分730导电地连接到接触元件300。连接部分730因此还生成在光电半导体芯片200的前侧电连接面210与模制体600的后侧602上的第二焊接接触焊盘720之间的导电连接。
在第一光电组件10的模制体600的后侧602上布置的焊接接触焊盘710、720可以用于电接触第一光电组件10。第一光电组件10例如可以被形成为可表面安装的SMD组件，并且通过回流焊接而被提供用于电接触。
如果适合的电压经由第一焊接接触焊盘710和第二焊接接触焊盘720被施加到第一光电组件10，则所述电压经由光电半导体芯片200的后侧电连接面220和前侧电连接面210而存在于光电半导体芯片200处，并且使后者发射电磁辐射，例如可见光。
可以直接从第一光电组件10发射在光电半导体芯片200的前侧201上发射的电磁辐射。在光电半导体芯片200的将光电半导体芯片200的前侧201连接到后侧202的侧面处发射的电磁辐射可以穿过围绕光电半导体芯片200的灌注材料500到反射器400，并且在模制体600的前侧601的方向上由所述反射器400反射，其中所述电磁辐射还可以从第一光电组件10出射，并且被从第一光电组件10发射。
模制体600形成第一光电组件10的外壳和承载部分。模制体600承载第一光电组件10的光电半导体芯片200和焊接接触焊盘710、720。另外的载体不是必要的，并且不存在。
可能借助于参照图1至8描述的方法来在共同工作过程中并行地生成多个第一光电组件10。为此目的，载体100和载体膜110设有足够的横向尺寸。后来，多个光电半导体芯片200和多个接触元件300被布置在载体膜110的顶侧111上，例如以规则的二维矩阵布置。此处在每个情况下，一个光电半导体芯片200和一个接触元件300形成一对，稍后由该对形成第一光电组件10。每个将要形成的第一光电组件10，在载体膜110的顶侧111上布置包括压纹反射器结构的反射器400。也可能每个光电半导体芯片200使用包括压纹反射器结构的整体反射器400。在随后的处理步骤中，光电半导体芯片200与反射器400或者多个反射器400的相应分配的反射器结构之间的区填充有灌注材料500。将要形成的所有第一光电组件10的光电半导体芯片200、接触元件300和反射器400然后被嵌入到共同的模制体600中。因此形成的模制体600也可以被称为板，并且例如包括晶片的形式。在将模制体600从载体膜110的顶侧111卸下并去除邻接后侧602的模制体600的部分610之后，金属化物700被布置在模制体600的前侧601和后侧602上，使得每个将要形成的第一光电组件10，形成第一焊接接触焊盘710、第二焊接接触焊盘720和连接部分730。只有那时才通过分割模制体600来使各个第一光电组件10单体化。
图9示出第二光电组件20的示意性截面侧视图。第二光电组件20和用于生成第二光电组件20的方法包括与参照图1至8解释的第一光电组件10和用于生成第一光电组件10的方法的极大对应。第一光电组件10的、和第二光电组件20的相互对应的组件部分在图8和9中设有相同的参考标记。
第二光电组件20与第一光电组件10的不同之处在于：在第二光电组件20的情况下不存在第一光电组件10的接触元件300。代替地，在第二光电组件20的情况下，反射器400用来提供在模制体600的前侧601与模制体600的后侧602之间的导电连接。在第二光电组件20的情况下，第二焊接接触焊盘720以使得导电连接存在于反射器400与第二焊接接触焊盘720之间这样的方式被布置在模制体600的后侧602和被嵌入到模制体600中的反射器400的后侧402上。在第二光电组件20的情况下，连接部分730以如下那样的方式被布置在模制体600的前侧601、光电半导体芯片200的前侧201和反射器400的前侧401上：导电连接存在于连接部分730与光电半导体芯片200的前侧电连接面210之间，所述前侧电连接面被布置在光电半导体芯片200的前侧201上，并且导电连接存在于连接部分730与反射器400之间。连接部分730和反射器400因此生成在第二光电组件20的第二焊接接触焊盘720与第二光电组件20的光电半导体芯片200的前侧电连接面210之间的导电连接。
第二光电组件20具有优于第一光电组件10的优点：作为省略嵌入到模制体600中的接触元件300的结果，第二光电组件20可以被更成本有效地生成，并且以更紧凑的外部尺寸来形成。
可能的是，代替包括被布置在前侧201上的前侧电连接面210和被布置在后侧202上的后侧电连接面220的光电半导体芯片200而使用其中两个电连接面都被布置在光电半导体芯片的前侧或后侧上的光电半导体芯片。
如果两个电连接面都被布置在光电半导体芯片的前侧上，则用该光电半导体芯片生成的光电组件可以包括被嵌入到模制体中的两个接触元件（像第一光电组件10的接触元件300那样被形成），所述接触元件被嵌入到模制体中，并且经由两个连接部段而导电地连接到光电半导体芯片的两个电连接面（像第一光电组件10的连接部分730一样被形成）。该光电组件的第一焊接接触焊盘和第二焊接接触焊盘然后被布置在两个接触元件的下侧上。
如果光电半导体芯片的两个电连接面被形成在其后侧上，则用该光电半导体芯片生成的光电组件的焊接接触焊盘都被布置在光电半导体芯片的后侧上。在这种情况下，对于光电组件，可能进而省去提供接触元件，诸如第一光电组件10的接触元件300。
已经在优选的示例性实施例的基础上更详细地图示和描述了本发明。尽管如此，本发明不被约束于公开的实施例。相反，可以由本领域技术人员从其导出变化，而不脱离本发明的保护的范围。
参考标记的列表
10 第一光电组件
20 第二光电组件
100 载体
110 载体膜
111 顶侧
200 光电半导体芯片
201 前侧
202 后侧
210 前侧电连接面
220 后侧电连接面
300 接触元件
301 顶侧
302 下侧
400 反射器
401 前侧
402 后侧
500 灌注材料
600 模制体
601 前侧
602 后侧
610 模制体的部分
700 金属化物
710 第一焊接接触焊盘
720 第二焊接接触焊盘
730 连接部分。

Claims (16)

1.一种用于生成光电组件（10，20）的方法，
包括以下步骤：
在载体膜（110）的顶侧（111）上布置光电半导体芯片（200）和反射器（400）；
在所述光电半导体芯片（200）与所述反射器（400）之间的区中布置灌注材料（500）；
形成模制体（600），其中所述光电半导体芯片（200）、所述反射器（400）和所述灌注材料（500）被嵌入到所述模制体（600）中，
其中该方法包括以下另外的步骤：
在所述模制体（600）的前侧（601）和/或后侧（602）上布置金属化物（700），
其中在所述光电半导体芯片（200）的电连接面（210）与所述反射器（400）之间的导电连接由所述金属化物（700）形成。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述模制体（600）被形成为使得所述光电半导体芯片（200）的背对所述载体膜（110）的表面（202）由所述模制体（600）覆盖，
其中该方法包括以下另外的步骤：
去除所述模制体（600）的部分（610），以便至少部分地露出所述光电半导体芯片（200）的背对所述载体膜（110）的表面（202）。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述模制体（600）被形成为使得所述反射器（400）在所述模制体（600）的背对所述载体膜（110）的后侧（602）上露出。
4.根据权利要求1所述的方法，
其中该方法包括以下另外的步骤：
将所述模制体（600）从所述载体膜（110）卸下。
5.根据权利要求1所述的方法，
其中导电接触元件（300）被布置在所述载体膜（110）的顶侧（111）上，并且与所述光电半导体芯片（200）一起被嵌入到所述模制体（600）中，
其中在所述模制体（600）的前侧（601）与后侧（602）之间的导电连接由所述接触元件（300）形成。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中在所述光电半导体芯片（200）的电连接面（210）与所述接触元件（300）之间的导电连接由所述金属化物（700）形成。
7.根据权利要求1所述的方法，
其中首先所述反射器（400）被布置在所述载体膜（110）上，然后所述光电半导体芯片（200）被布置在所述载体膜（110）上。
8.根据权利要求1所述的方法，
其中所述反射器（400）被形成为包括压纹结构的金属片。
9.根据权利要求1所述的方法，
其中所述光电半导体芯片（200）被布置在所述载体膜（110）上，使得所述光电半导体芯片（200）的发光表面（201）面向所述载体膜（110）。
10.根据权利要求1所述的方法，
其中所述光电半导体芯片（200）被形成为体发射发光二极管芯片。
11.根据权利要求1所述的方法，
其中布置所述灌注材料（500）借助于计量方法执行。
12.根据权利要求1所述的方法，
其中所述灌注材料（500）被布置为使得所述光电半导体芯片（200）的背对所述载体膜（110）的表面（202）不被所述灌注材料（500）覆盖。
13.根据权利要求1所述的方法，
其中所述模制体（600）通过压塑形成。
14.根据权利要求1所述的方法，
其中多个光电半导体芯片（200）被嵌入到所述模制体（600）中，
其中该方法包括以下另外的步骤：
分割所述模制体（600）以便获得多个光电组件（10，20）。
15.一种光电组件（10，20），包括光电半导体芯片（200）和反射器（400），
其中灌注材料（500）被布置在所述光电半导体芯片（200）与所述反射器（400）之间的区中，
其中所述光电半导体芯片（200）、所述反射器（400）和所述灌注材料（500）被嵌入到模制体（600）中，
其中所述光电半导体芯片（200）的前侧（201）与所述模制体（600）的前侧（601）齐平终止，
其中所述光电半导体芯片（200）的后侧（202）与所述模制体（600）的后侧（602）齐平终止，
其中金属化物（700）布置在所述模制体（600）的前侧（601）和/或后侧（602）上，
其中在所述光电半导体芯片（200）的电连接面（210）与所述反射器（400）之间的导电连接由所述金属化物（700）形成。
16.根据权利要求15所述的光电组件（10），
其中导电接触元件（300）被嵌入到所述模制体（600）中，
其中所述接触元件（300）的前侧（301）与所述模制体（600）的前侧（601）齐平终止，
其中所述接触元件（300）的后侧（302）与所述模制体（600）的后侧（602）齐平终止。
CN201580047397.2A 2014-09-05 2015-08-26 用于生成光电组件的方法以及光电组件 Active CN106796970B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014112818.4A DE102014112818A1 (de) 2014-09-05 2014-09-05 Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102014112818.4 2014-09-05
PCT/EP2015/069534 WO2016034472A1 (de) 2014-09-05 2015-08-26 Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106796970A CN106796970A (zh) 2017-05-31
CN106796970B true CN106796970B (zh) 2019-11-15

Family

ID=54007714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580047397.2A Active CN106796970B (zh) 2014-09-05 2015-08-26 用于生成光电组件的方法以及光电组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9899574B2 (zh)
JP (1) JP6322334B2 (zh)
KR (1) KR20170048381A (zh)
CN (1) CN106796970B (zh)
DE (2) DE102014112818A1 (zh)
WO (1) WO2016034472A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014116079A1 (de) * 2014-11-04 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016112293A1 (de) * 2016-07-05 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102017107226A1 (de) 2017-04-04 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102299240A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 乐金显示有限公司 发光二极管以及包括其的背光单元和液晶显示器件
CN102473814A (zh) * 2009-08-07 2012-05-23 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
CN103515513A (zh) * 2012-06-19 2014-01-15 晶元光电股份有限公司 制造发光装置的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3349109B2 (ja) 1999-03-04 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
DE10041328B4 (de) * 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
KR100665216B1 (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
JP2009070869A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Panasonic Corp 半導体発光装置
JP5440010B2 (ja) 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
KR20100138097A (ko) * 2009-06-24 2010-12-31 (주)엘케이전자 반사판을 갖는 전력용 엘이디 칩 패키지 및 그 제조방법
DE102010025319B4 (de) 2010-06-28 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente
KR101144351B1 (ko) * 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2012094787A (ja) * 2010-10-29 2012-05-17 Panasonic Corp 光半導体装置およびそれに用いる光半導体装置用パッケージならびにこれらの製造方法
KR101219106B1 (ko) * 2011-08-01 2013-01-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN104081109A (zh) * 2012-02-02 2014-10-01 宝洁公司 双向光片
US20140001948A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Reflecting layer-phosphor layer-covered led, producing method thereof, led device, and producing method thereof
DE102013202906A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102473814A (zh) * 2009-08-07 2012-05-23 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
CN102299240A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 乐金显示有限公司 发光二极管以及包括其的背光单元和液晶显示器件
CN103515513A (zh) * 2012-06-19 2014-01-15 晶元光电股份有限公司 制造发光装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9899574B2 (en) 2018-02-20
DE102014112818A1 (de) 2016-03-10
JP2017527993A (ja) 2017-09-21
DE112015004077A5 (de) 2017-05-18
KR20170048381A (ko) 2017-05-08
US20170263825A1 (en) 2017-09-14
CN106796970A (zh) 2017-05-31
WO2016034472A1 (de) 2016-03-10
JP6322334B2 (ja) 2018-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621154B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
US9847461B2 (en) Optoelectronic semiconductor component with sapphire flip-chip
CN103688378B (zh) 光学元件、光电子器件和它们的制造方法
CN105122480B (zh) 光电组件
KR101219106B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9786824B2 (en) Method for producing an optoelectronic component
CN105448939A (zh) 图像模块封装及其制作方法
JP2017224852A (ja) 発光装置
CN104995754B (zh) 光电子部件及其制造方法
CN106796970B (zh) 用于生成光电组件的方法以及光电组件
JP2011109134A (ja) 複数の光学要素を有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
US9620694B2 (en) Optoelectronic component
CN105340087A (zh) 用于制造光电子器件的方法
CN108886077B (zh) 用于制造光电子照明装置的方法和光电子照明装置
US20190237593A1 (en) Production of sensors
US20170148959A1 (en) Optoelectronic component
CN108700721B (zh) 光学元件堆叠组件
CN105409017A (zh) 可表面安装的光电子半导体组件和用于制造至少一个可表面安装的光电子半导体组件的方法
CN113491044A (zh) 光电半导体构件和制造光电半导体构件的方法
CN106716005A (zh) 用于灯模块的并且具有用作屏蔽件、隔热屏和/或光学反射器的金属条带的基板
TW201438299A (zh) 光電半導體組件及其製造方法
CN105612624A (zh) 光电组件的生产
KR101140081B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 제조방법 및 그에 의한 ｌｅｄ 패키지
CN105890630B (zh) 接近传感器帽
US10680147B2 (en) Method of producing a lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant