CN106784410B - 一种柔性显示面板及其制备方法 - Google Patents

一种柔性显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106784410B
CN106784410B CN201710103447.5A CN201710103447A CN106784410B CN 106784410 B CN106784410 B CN 106784410B CN 201710103447 A CN201710103447 A CN 201710103447A CN 106784410 B CN106784410 B CN 106784410B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display panels
flexible display
preparation
cathodic protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710103447.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106784410A (zh
Inventor
彭斯敏
金江江
徐湘伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710103447.5A priority Critical patent/CN106784410B/zh
Priority to US15/567,566 priority patent/US10468630B2/en
Priority to PCT/CN2017/082916 priority patent/WO2018152967A1/zh
Publication of CN106784410A publication Critical patent/CN106784410A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106784410B publication Critical patent/CN106784410B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/813Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/822Cathodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/361Temperature
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及液晶显示技术领域,尤其是柔性显示面板的制备方法,包括利用化学气相沉积方法,控制温度650~750℃、使对有机二聚体蒸汽在所述阳极层上形成聚合物作为微腔调节层;所述有机二聚体的结构式如式1所示,其中,所述R代表为H、F、Cl、Br中的至少一种。还可以采用相同的材料和步骤获得阴极保护层和封装填充层。本发明将柔性OLED微腔调节层、阴极保护层和封装填充层采用同一种材料制备,能降低制程难度。

Description

一种柔性显示面板及其制备方法
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域,具体地讲,涉及一种柔性显示面板的及其制备方法。
背景技术
随着OLED显示技术的发展日趋成熟,广大消费者体验到了OLED显示与传统LCD显示的巨大差异,随之而来的是OLED消费市场的迅速增长。由于OLED自发光的特性,使得响应时间短、高对比度、广视角、广色域、显示面板轻薄化、可弯折性等特点得以实现。特别是OLED显示面板的可弯折性,给消费者带来了颠覆性的概念,因此Flexible(可弯折)OLED近年来是行业发展的主流。
然后,可弯折的显示面板对电子设备自身器件的材质和制备工艺也形成了挑战。传统的柔性OLED制程工艺中,微腔调节层、阴极保护层和封装填充层都是采用不同的材料和制程工艺制作的,过程相对繁琐,不仅材料种类多带来制备器材多、反应条件多样且各个环节之间的运送成本也较高,不利于生产成本的降低。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明提供一种柔性显示面板的制备方法,能够大大简化制备工艺,节约成本。
这种柔性显示面板的制备方法,包括如下步骤:
在基板上形成阳极层;
利用化学气相沉积方法,控制温度650~750℃、使对有机二聚体蒸汽在所述阳极层上形成聚合物作为微腔调节层;所述有机二聚体的结构式如式1所示:
其中,所述R代表为H、F、Cl、Br中至少一种;
在所述微腔调节层上形成空穴注入层;
在所述空穴注入层上形成有机发射层;
在所述有机发射层上形成电子传输层;
在所述电子传输层上形成阴极层。
其中,还包括利用化学气相沉积方法,控制温度100~150℃将有机二聚体沉积至所述阴极层上作为阴极保护层。
其中,还包括:
防护层制备:在所述阴极保护层上形成n层防护层,n为大于0的整数;所述防护层包括从下至上依次沉积的阻水层和缓冲层;
在第n层防护层上沉积顶部阻水层。
其中,完成所述防护层制备步骤后,还包括封装填充层的制备步骤:利用化学气相沉积方法,控制温度100~150℃将所述有机二聚体沉积至所述防护层上。
其中,所述化学气相沉积方法包括等离子体增强化学气相沉积、高密度等离子体化学气相沉积、感应耦合等离子体化学气相沉积中的任一种。
本发明还提供这种柔性显示面板,从下至上至少包括:基板、阳极层、微腔调节层、空穴注入层、有机发射层、电子传输层和阴极层,其特征在于,所述微腔调节层材质为有机二聚体形成的聚合物,所述有机二聚体及其形成的聚合物结构式分别如式1、式2所示:
其中,所述R选自H、F、Cl、Br中的至少一种。
其中,还包括沉积在所述阴极层上的阴极保护层,所述阴极保护层材质为如所述式1所示的有机二聚体。
其中,还包括依次沉积在所述阴极保护层上的n层防护层,所述n为大于0的整数;以及设置于所述第n层防护层上的顶部阻水层;所述防护层包括上下层叠设置的缓冲层和阻水层。
其中,还包括设置于所述防护层上的封装填充层,所述封装填充层材质为如所述式1所示的有机二聚体。
其中,所述微腔调节层、所述阴极保护层和所述封装填充层的厚度为0.1~10μm。
有益效果:
本发明提出通过改变制程条件将聚四氟对二甲苯应用于制备柔性OLED微腔调节层、阴极保护层和封装填充层,在提高器件出光效果、增强封装层抗水氧能力、降低驱动电压以提高器件操作稳定性的同时,还可降低制程难度,无需更换原料,并可将多个工艺过程在CVD的一个腔室内完成,大大减少了OLED的制程步骤。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是本发明实施例1的柔性显示面板的结构示意图。
图2是本发明实施例2的柔性显示面板的结构示意图。
图3是本发明实施例3的柔性显示面板的结构示意图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
实施例1
本发明提供一种柔性显示面板,如图1所示,其从下至上至少包括:基板10、阳极层11(半导体透明导电层,简称ITO)、覆盖于所述阳极层11上的微腔调节层20、空穴注入层12、有机发射层13、电子传输层14和阴极层15。
其中,所述微腔调节层20主要用于增强器件的电流密度、亮度、降低驱动电压,同时提高器件操作稳定性。在本发明中,微腔调节层材质为有机二聚体形成的聚合物,所述有机二聚体及其形成的聚合物结构式分别如式1、式2所示:
其中,所述R代表为H、F、Cl、Br中的至少一种。式1中化合物能够在高温下裂解为自由基重新聚合成分子量较大的式2的聚合物。若式1的结构中R均来自同一种原子,例如,所述有机二聚体优选二聚四氟对二甲苯或二聚四溴对二甲苯,那么式2的结构式还可能进一步简化和表达为式3,例如,对应形成的聚合物则为聚四氟对二甲苯、聚四溴对二甲苯。
在所述阴极层15表面还沉积有阴极保护层30,主要用于保护阴极层,并提高器件的光透过率。在本发明中,所述阴极保护层30材质为如所述式1所示的有机二聚体。
为了进一步保护显示面板,在所述阴极保护层30上还依次形成有n层防护层40,n为大于0的整数。在本实施例中,n=1。每层防护层40包括上下层叠设置的阻水层42、缓冲层41。缓冲层41用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力;阻水层42用于增加显示面板的防水功能。
在第n层防护层40上还最后设置顶部阻水层60,用于用户直接接触。顶部阻水层60和阻水层42的材质可以相同也可以不同,一般均优选为无机疏水性材料;缓冲层41材质一般优选为有机材料。
下面介绍本实施例这种柔性显示面板的制备方法。
步骤S1,在玻璃基板上形成半导体透明电极膜(ITO)作为阳极层。具体包括对ITO的预处理清洗、光刻工序等使在玻璃基板上形成图案化的ITO电极层。
方程式2
步骤S2,在阳极层上形成微腔调节层。结合方程式2所示,利用化学气相沉积方法,在反应腔内控制温度100~150℃时使二聚四氟对二甲苯(见式4,简称AF4)蒸发,再提升温度为650~750℃、使对AF4蒸汽裂解成自由基(式5),最后在所述阳极层上沉积并聚合形成聚合物(如式6)作为微腔调节层覆盖到阳极层上。形成微腔调节层的AF4,膜厚为0.1~10μm;能够增强器件的电流密度、亮度、降低驱动电压,同时提高器件操作稳定性。
其中,本步骤所采用的化学气相沉积方法,可以是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)、感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)中的任一种。
步骤S3,如图1所示,利用真空蒸镀工艺在所述微腔调节层上依次沉积空穴注入层、有机发射层、电子传输层和阴极层。
步骤S4,利用化学气相沉积方法,在反应腔内控制温度100~150℃时使二聚四氟对二甲苯(见式4,简称AF4)蒸发,在所述阴极层上沉积形成AF4薄膜作为阴极保护层。形成阴极保护层的AF4,膜厚为0.1~10μm,光透过率大于98%,折射率为1.6~1.8,能够保护阴极,并提高器件的光透过率。
步骤S5,利用PECVD、原子层沉积工艺(ALD)、激光沉积(PLD)或Sputter工艺在阴极保护层上制作阻水层。阻水层的材质例如为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx中的至少一种。
步骤S6,以喷墨打印(IJP)或PECVD制备有机缓冲层;这层缓冲层材料选自亚克力(Acryl)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯及其衍生物、聚碳酸酯及其衍生物、聚苯乙烯等至少一种可用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力的材料。
步骤S5、步骤S6完成第一防护层的制备。
步骤S7,顶部阻水层的制备。采用与所述步骤S5相同的材料和工艺条件,在缓冲层上形成顶部阻水层。在本实施例中,顶部阻水层的材质与所述阻水层材质相同。
此时,获得本实施例的柔性显示面板。
实施例2
本实施例与实施例一不同的是,如图2所示,本实施例的防护层40和顶部阻水层60之间还增设一封装填充层50。
防护层40、封装填充层50,以及在封装填充层50上的顶部阻水层60结构最终在获得“阻水层-缓冲层-AF4-阻水层”的保护结构。所述封装填充层则主要用于提高封装层抗水氧能力,延长OLED器件的使用寿命。在本发明中,所述封装填充层材质为如所述式1所示的有机二聚体。
为了获得本实施例的结构,制备步骤作出以下调整。
步骤S1~S6参照实施例1所示;S5、S6完成一层防护层40的制备;
步骤S7,利用化学气相沉积方法,在反应腔内控制温度100~150℃时使二聚四氟对二甲苯(见式4,简称AF4)蒸发,在所述缓冲层上沉积形成AF4薄膜作为封装填充层。封装填充层膜厚为0.1~10μm,光透过率大于98%,折射率为1.4~1.6,能够用于提高封装层抗水氧能力,延长OLED器件的使用寿命。
步骤S8,顶部阻水层的制备。采用与所述步骤S5相同的材料和工艺条件,在封装填充层上形成顶部阻水层。在本实施例中,顶部阻水层的材质与所述阻水层材质相同。
此时,获得本实施例的柔性显示面板。
实施例3
本实施例与实施例二所不同的是,如图3所示,本实施例不仅仅形成有第一防护层40a,在封装填充层50和顶部阻水层60之间形成第二防护层40b。
为了获得本实施例的结构,制备步骤作出以下调整。
步骤S1~S6参照实施例1所示;S5、S6完成第一防护层40a的制备;
步骤S7,利用化学气相沉积方法,在反应腔内控制温度100~150℃时使二聚四氟对二甲苯(见式4,简称AF4)蒸发,在所述缓冲层上沉积形成AF4薄膜作为封装填充层。封装填充层膜厚为0.1~10μm,光透过率大于98%,折射率为1.4~1.6,能够用于提高封装层抗水氧能力,延长OLED器件的使用寿命。
步骤S8,重复所述步骤S5、S6一次,在封装填充层上形成第二防护层40b。
步骤S9,顶部阻水层的制备。采用与所述步骤S5相同的材料和工艺条件,在第二防护层上形成顶部阻水层。在本实施例中,顶部阻水层的材质与所述阻水层材质相同。
此时,获得本实施例的柔性显示面板。
在其他实施例中,防护层和封装填充层是可以因应不同的产品要求进行重复多次沉积的,能够不断提高柔性显示面板的折叠强度和防水性能。但是,无论哪一种结构最顶部的材料层均为无机阻水层。
综上所述,聚四氟对二甲苯(TFPX)形成的膜具有优异的防水性和抗腐蚀性,并且可通过CVD制成超薄型的、透明的无孔薄膜。聚四氟对二甲苯形成的薄膜透明度高,具有优异的防水性和抗腐蚀性,可镀在阳极上形成微腔调节层,提高OLED器件的出光效果;同时,优异的防水性说明聚四氟对二甲苯还是一种不错的封装材料,可应用在柔性OLED封装上。本发明提出通过改变制程条件将AF4应用于制备柔性OLED微腔调节层、阴极保护层和封装填充层,在提高器件出光效果、增强封装层抗水氧能力、降低驱动电压以提高器件操作稳定性的同时,还可降低制程难度,无需更换原料,并可将多个工艺过程在CVD的一个腔室内完成,大大减少了OLED的制程步骤。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (9)

1.一种柔性显示面板的制备方法,包括如下步骤:
在基板上形成阳极层;
其特征在于,
利用化学气相沉积方法,控制温度650~750℃、使有机二聚体蒸汽在所述阳极层上形成聚合物作为微腔调节层;所述有机二聚体的结构式如式1所示:
其中,所述R代表为H、F、Cl、Br中至少一种;
在所述微腔调节层上形成空穴注入层;
在所述空穴注入层上形成有机发射层;
在所述有机发射层上形成电子传输层;
在所述电子传输层上形成阴极层;
利用化学气相沉积方法,控制温度100~150℃将有机二聚体沉积至所述阴极层上作为阴极保护层。
2.根据权利要求1所述柔性显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
防护层制备:在所述阴极保护层上形成n层防护层,n为大于0的整数;所述防护层包括从下至上依次沉积的阻水层和缓冲层;
在第n层防护层上沉积顶部阻水层。
3.根据权利要求2所述柔性显示面板的制备方法,其特征在于,还包括封装填充层的制备步骤:利用化学气相沉积方法,控制温度100~150℃将所述有机二聚体沉积至所述防护层上。
4.根据权利要求1~3任一项所述柔性显示面板的制备方法,其特征在于,所述化学气相沉积方法包括等离子体增强化学气相沉积、高密度等离子体化学气相沉积、感应耦合等离子体化学气相沉积中的任一种。
5.一种柔性显示面板,从下至上包括:基板、阳极层、微腔调节层、空穴注入层、有机发射层、电子传输层和阴极层,其特征在于,所述微腔调节层材质为有机二聚体形成的聚合物,所述有机二聚体及其形成的聚合物结构式分别如式1、式2所示:
其中,所述R选自H、F、Cl、Br中的至少一种;所述柔性显示面板还包括沉积在所述阴极层上的阴极保护层,所述阴极保护层材质为如所述式1所示的有机二聚体。
6.根据权利要求5所述柔性显示面板,其特征在于,还包括依次沉积在所述阴极保护层上的n层防护层,所述n为大于0的整数;以及设置于第n层防护层上的顶部阻水层;所述防护层包括上下层叠设置的缓冲层和阻水层。
7.根据权利要求6所述柔性显示面板,其特征在于,还包括设置于所述防护层上的封装填充层,所述封装填充层材质为如所述式1所示的有机二聚体。
8.根据权利要求7所述柔性显示面板,其特征在于,所述封装填充层的厚度为0.1~10μm。
9.根据权利要求5或6所述柔性显示面板,其特征在于,所述微腔调节层、所述阴极保护层的厚度为0.1~10μm。
CN201710103447.5A 2017-02-24 2017-02-24 一种柔性显示面板及其制备方法 Active CN106784410B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710103447.5A CN106784410B (zh) 2017-02-24 2017-02-24 一种柔性显示面板及其制备方法
US15/567,566 US10468630B2 (en) 2017-02-24 2017-05-03 Flexible display panels and manufacturing methods thereof
PCT/CN2017/082916 WO2018152967A1 (zh) 2017-02-24 2017-05-03 一种柔性显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710103447.5A CN106784410B (zh) 2017-02-24 2017-02-24 一种柔性显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106784410A CN106784410A (zh) 2017-05-31
CN106784410B true CN106784410B (zh) 2019-03-12

Family

ID=58960466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710103447.5A Active CN106784410B (zh) 2017-02-24 2017-02-24 一种柔性显示面板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10468630B2 (zh)
CN (1) CN106784410B (zh)
WO (1) WO2018152967A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109427988B (zh) * 2017-08-21 2021-02-12 上海和辉光电股份有限公司 显示面板及显示装置
CN108075047A (zh) * 2017-12-11 2018-05-25 合肥京东方光电科技有限公司 有机发光二极管器件及其制造方法、显示面板
CN109300919B (zh) 2018-10-15 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置
CN112786669A (zh) * 2021-01-08 2021-05-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN113025960B (zh) * 2021-03-05 2022-07-19 贵州航天林泉电机有限公司 一种Parylene F型气相沉积方法
CN113629110A (zh) * 2021-07-23 2021-11-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203644825U (zh) * 2013-12-18 2014-06-11 昆山国显光电有限公司 有机发光器件及电子器件

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000106396A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP4483207B2 (ja) * 2003-06-06 2010-06-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP5178088B2 (ja) 2006-09-07 2013-04-10 キヤノン株式会社 有機発光装置
CN101165912A (zh) 2006-10-16 2008-04-23 悠景科技股份有限公司 有机电致发光显示元件的彩色滤光片结构
CN201547733U (zh) * 2009-07-15 2010-08-11 中国科学院上海有机化学研究所 Led模组的防水密封结构
KR101695376B1 (ko) * 2010-10-22 2017-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TWI424981B (zh) * 2011-11-09 2014-02-01 Chung Shan Inst Of Science 1,4-雙(氯二氟甲基)苯之簡易式高效率製備方法
KR102129266B1 (ko) * 2014-04-30 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105161631B (zh) * 2015-07-21 2019-01-22 上海和辉光电有限公司 一种有机发光二极管器件及制备方法以及有机发光显示面板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203644825U (zh) * 2013-12-18 2014-06-11 昆山国显光电有限公司 有机发光器件及电子器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN106784410A (zh) 2017-05-31
US20180294439A1 (en) 2018-10-11
WO2018152967A1 (zh) 2018-08-30
US10468630B2 (en) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106784410B (zh) 一种柔性显示面板及其制备方法
CN105720207B (zh) 用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件
CN109461832A (zh) 一种柔性显示面板及其制作方法
CN104538428B (zh) Coa型woled结构及制作方法
CN102223760A (zh) 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled
CN104752475B (zh) 有机发光显示装置
CN107644946A (zh) Oled显示面板的封装方法及封装结构
CN104485429B (zh) 一种具有光学谐振层的oled器件及其制备方法、显示器
CN108630822B (zh) 一种顶发射oled器件的组件和顶发射oled器件
CN104538557A (zh) 柔性oled显示器件及其制造方法
CN104022144B (zh) Oled显示结构及其制作方法
CN108336023A (zh) 微型oled显示装置及其制作方法
US20160197307A1 (en) Organic light-emitting display panel and display device
CN107994126A (zh) 一种oled发光结构的制备方法及oled发光结构
CN103531609B (zh) 有源矩阵有机发光二极管显示器件、显示面板及显示装置
CN104810436A (zh) 一种发光二极管芯片及其制备方法
CN110518152A (zh) 有机发光显示面板以及显示装置
CN108565347B (zh) 一种oled基板及其制备方法
CN103811522A (zh) 有机发光装置及其制造方法
CN206490095U (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109155343A (zh) 发光二极管的保护膜的沉积方法
JP6896978B2 (ja) 発光素子の保護膜蒸着方法
JP6926381B2 (ja) 発光素子の保護膜蒸着方法
US9187362B2 (en) Transparent composite material and a production method therefor
JP2009301885A (ja) マルチユニット型有機el素子とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant