CN106784177A - 一种量子点led灯珠的封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于LED背光加工领域,具体涉及一种量子点LED灯珠的封装方法。所述放方法制得的量子点材料的半波宽较窄,能极大提升LED灯珠的色域值,所得LED灯珠色域值可达NTSC 95%以上;使用二次点胶的方式,在量子点荧光粉上增加一层封装胶水,减少了湿气、氧气对LED灯珠中量子点材料的侵蚀,提高了灯珠的可靠性;采用量子点荧光粉获得白光LED灯珠,由于量子点荧光粉激发效率高,封装作业过程中荧光粉浓度较低,降低了封装作业的难度及产品不良率,适合大批量工业化生产;具有极大的市场前景和经济价值。
Description
技术领域
本发明属于LED背光加工领域,具体涉及一种量子点LED灯珠的封装方法。
背景技术
进入二十一世纪以来,背光源技术发展迅速,不断有新技术、新产品推出,LED背光已成为市场主流。与传统的CCFL背光源相比,LED背光具有高色域、高亮度、长寿命、节能环保、实时色彩可控等诸多优点,特别是高色域的LED背光源使应用其的电视、手机、平板电脑等电子产品屏幕具有更加鲜艳的颜色,色彩还原度更高。目前常用的LED背光源采用蓝光芯片激发YAG黄光荧光粉的形式,因背光源中缺少红光成分,色域值只能达到NTSC 65%~72%。为了进一步提高色域值,技术人员普遍采用了蓝光芯片同时激发红光荧光粉、绿光荧光粉的方式,但由于现用荧光粉的半波宽较宽,故即使采用这种方式,也只能将背光源的色域值提升至NTSC 80%左右。同时,现有荧光粉的激发效率低,为实现高色域白光需要大量荧光粉,导致LED封装过程中荧光粉的浓度(荧光粉占封装胶水的比例)很高,从而极大地增加了封装作业的难度以及产品的不良率。
近年来,量子点材料逐渐受到重视,特别是量子点荧光粉具有光谱随尺寸可调、发射峰半波宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能,受到LED背光行业的广泛关注。目前,量子点荧光粉实现高色域白光的方式主要有:(1)将量子点荧光粉制成光学膜材,填充于导光板或者贴于液晶屏幕内,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得高色域白光;(2)将量子点荧光粉制成玻璃管,置于屏幕侧面,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得高色域白光。这两种实现方式已有相关产品推出,例如TCL的量子点膜电视。但是,这两种实现方式的工艺复杂、光转化效率低、成本较高,很难实现大规模产业化。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术工艺复杂、光转化效率低、成本较高,很难实现大规模产业化的技术瓶颈,从而提出一种色域值高、避免量子点荧光粉的受外界湿气、氧气影响、良率高、可大批量工业化生产的量子点LED灯珠的封装方法。
为解决上述技术问题,本发明公开了一种量子点LED灯珠的封装方法,所述封装方法的步骤如下:
1)称取至少两种荧光粉,按任意比混合得到发光材料,其中,所述发光材料中至少含有一种量子点荧光粉;
2)第一次称取封装胶水,倒入将步骤1)所述的发光材料中,进行搅拌处理,获得量子点荧光胶;所述发光材料和第一次加入的所述封装胶水的质量比为1:1-300;
3)取步骤2)所得量子点荧光胶滴入已经固定有紫外光或蓝光芯片的L ED支架中,滴入的所述量子点荧光胶体积占支架内部容积的5%-79%;
4)将步骤3)所得滴有量子点荧光胶的LED支架烘烤,使量子点荧光胶固化;
5)第二次称取封装胶水,滴入步骤4)所得LED灯珠中,使得封装胶水置于已经固化的量子点荧光胶之上,并使得该步骤和步骤3)滴入胶水总体积占支架内部容积的80%-100%;
6)将步骤5)所得滴有封装胶水的LED支架烘烤,使步骤5)滴入的所述封装胶水固化,得到量子点LED灯珠。
优选的,所述发光材料至少含有一种量子点荧光粉,且所述量子点荧光粉的组成为:BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdS e、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、C sPbI3中的至少一种。
优选的,所述发光材料除量子点以外的荧光粉为掺杂稀土元素的无机荧光粉;所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。
优选的,所述发光材料的发射光峰值波长为450-660nm。
优选的,所述封装胶水为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的至少一种。
优选的,所述紫外光芯片波长为230-400nm。
优选的,所述蓝光芯片波长为420-480nm。
优选的,所述步骤4)中,所述烘烤的温度为50-160℃,0.5-8h。
更为优选的,所述步骤6)中,所述烘烤的温度为80-180℃,0.5-12h。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
(1)与现有技术方案相比,量子点材料的半波宽较窄,能极大提升LED灯珠的色域值,本发明所得LED灯珠色域值可达NTSC 95%以上。
(2)与现有封装方法相比,使用二次点胶的方式,在量子点荧光粉上增加一层封装胶水,减少了湿气、氧气对LED灯珠中量子点材料的侵蚀,提高了灯珠的可靠性。
(3)与现有封装工艺相比,本发明采用量子点荧光粉获得白光LED灯珠,由于量子点荧光粉激发效率高,封装作业过程中荧光粉浓度较低,降低了封装作业的难度及产品不良率,适合大批量工业化生产。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中
图1为实施例1中未涂覆量子点荧光胶A的LED灯珠示意图。
图2为实施例2中涂覆量子点荧光胶A后的LED灯珠示意图。
图3为实施例3中量子点荧光胶上再加封封装胶水B的LED灯珠示意图。
图4为实施例2所得LED灯珠的发射光谱。
图中附图标记表示为:1-支架;2-金属镀层;3-芯片;4-键合线;5-发光材料A;6-发光材料B;7封装胶水A;8-封装胶水B。
具体实施方式
实施例1:
1)称取0.05g发射光波长为655nm的AgInS2红光量子点荧光粉,称取1.21g发射光波长为535nm的硅酸盐绿光荧光粉,共同置于容器中。
2)称取10.55g的环氧类封装胶水,倒入将步骤1)所称取的两种发光材料中,进行真空脱泡搅拌,获得量子点荧光胶。
3)取步骤2)所得量子点荧光胶滴入已经固定有蓝光芯片(芯片的发射光波长为465nm)的LED支架中,控制滴入的量子点荧光胶体积占支架杯壳内部容积的80%。
4)将步骤3)所得滴有量子点荧光胶的LED支架置于烘箱中,在50℃下烘烤8h,使量子点荧光胶固化。
5)再取一定量的硅胶类封装胶水,滴入步骤4)所得LED灯珠中,封装胶水置于已经固化的量子点荧光胶之上,两次滴入胶水总体积占支架杯壳内部容积的100%。
6)将步骤5)所得滴有封装胶水的LED支架置于烘箱中,在180℃下烘烤0.5h,使第二次滴入的封装胶水固化,即得到量子点LED灯珠,灯珠的色域值高,可靠性好。
实施例2:
1)称取0.13g发射光波长为638nm的MgTe、CsPbBr3红光量子点荧光粉,称取0.08g发射光波长为544nm的CdTe、ZnS绿光量子点荧光粉,共同置于容器中。
2)称取1.55g的聚氨酯类封装胶水,倒入将步骤1)所称取的两种发光材料中,进行真空脱泡搅拌,获得量子点荧光胶。
3)取步骤2)所得量子点荧光胶滴入已经固定有蓝光芯片(芯片的发射光波长为450nm)的LED支架中,控制滴入的量子点荧光胶体积占支架杯壳内部容积的5%。
4)将步骤3)所得滴有量子点荧光胶的LED支架置于烘箱中,在160℃下烘烤0.5h,使量子点荧光胶固化。
5)再取一定量的硅胶类封装胶水,滴入步骤4)所得LED灯珠中,封装胶水置于已经固化的量子点荧光胶之上,两次滴入胶水总体积占支架杯壳内部容积的80%。
6)将步骤5)所得滴有封装胶水的LED支架置于烘箱中,在120℃下烘烤12h,使第二次滴入的封装胶水固化,即得到量子点LED灯珠,灯珠的色域值高,可靠性好。
实施例3:
1)称取0.75g发射光波长为635nm的铝酸盐红光荧光粉,0.04g发射光波长为532nm的GaS绿光量子点荧光粉,以及0.25g的发射光波长为470nm的磷酸盐蓝光荧光粉,共同置于容器中。
2)称取2.32g的环氧类封装胶水,倒入将步骤1)所称取的两种发光材料中,进行真空脱泡搅拌,获得量子点荧光胶。
3)取步骤2)所得量子点荧光胶滴入已经固定有紫外光芯片(芯片的发射光波长为320nm)的LED支架中,控制滴入的量子点荧光胶体积占支架杯壳内部容积的35%。
4)将步骤3)所得滴有量子点荧光胶的LED支架置于烘箱中,在150℃下烘烤2h,使量子点荧光胶固化。
5)再取一定量的聚氨酯类封装胶水,滴入步骤4)所得LED灯珠中,封装胶水置于已经固化的量子点荧光胶之上,两次滴入胶水总体积占支架杯壳内部容积的95%。
6)将步骤5)所得滴有封装胶水的LED支架置于烘箱中,在100℃下烘烤4h,使第二次滴入的封装胶水固化,即得到量子点LED灯珠,灯珠的色域值高,可靠性好。
实验例
测试实施例1-3所述的量子点LED灯珠的色坐标和色域值,结果如表1所示。
表1
实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | |
色坐标 | (0.32,0.30) | (0.31,0.29) | (0.28,0.28) |
NTSC色域值 | 97.1% | 95.5% | 99.8% |
上述结果显示,采用实施例1-3的方法得到的量子点LED灯珠的光色都在白光区,且具有高色域值,色域值均可达95%以上;
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (9)
1.一种量子点LED灯珠的封装方法,其特征在于,所述封装方法的步骤如下:
1)称取至少两种荧光粉,按任意比混合得到发光材料,其中,所述发光材料中至少含有一种量子点荧光粉;
2)第一次称取封装胶水,倒入将步骤1)所述的发光材料中,进行搅拌处理,获得量子点荧光胶;所述发光材料和第一次加入的所述封装胶水的质量比为1:1-300;
3)取步骤2)所得量子点荧光胶滴入已经固定有紫外光或蓝光芯片的LED支架中,滴入的所述量子点荧光胶体积占支架内部容积的5%-79%;
4)将步骤3)所得滴有量子点荧光胶的LED支架烘烤,使量子点荧光胶固化;
5)第二次称取封装胶水,滴入步骤4)所得LED灯珠中,使得封装胶水置于已经固化的量子点荧光胶之上,并使得该步骤和步骤3)滴入胶水总体积占支架内部容积的80%-100%;
6)将步骤5)所得滴有封装胶水的LED支架烘烤,使步骤5)滴入的所述封装胶水固化,得到量子点LED灯珠。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述发光材料至少含有一种量子点荧光粉,且所述量子点荧光粉的组成为:BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。
3.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述发光材料除量子点以外的荧光粉为掺杂稀土元素的无机荧光粉;所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。
4.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,所述发光材料的发射光峰值波长为450-660nm。
5.如权利要求4所述的封装方法,其特征在于,所述封装胶水为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的至少一种。
6.如权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述紫外光芯片波长为230-400nm。
7.如权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述蓝光芯片波长为420-480nm。
8.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述步骤4)中,所述烘烤的温度为50-160℃,0.5-8h。
9.如权利要求8所述的封装方法,其特征在于,所述步骤6)中,所述烘烤的温度为80-180℃,0.5-12h。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107634132A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-01-26 | 苏州轻光材料科技有限公司 | 一种含有双色荧光粉的紫外激发白光led及其制备方法 |
CN108321150A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-07-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种光源及光源的制备方法 |
CN112071972A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-12-11 | 谷麦光电科技股份有限公司 | 一种led集成光源制造工艺及led集成光源 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090115535A (ko) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | 주식회사 프로텍 | 칩 엘이디 패키지 제조방법 |
CN202065918U (zh) * | 2011-04-22 | 2011-12-07 | 陕西科技大学 | 一种水下led灯具 |
CN102403426A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-04-04 | 江苏康纳思光电科技有限公司 | 一种制造宽色域白光led的方法 |
CN202513204U (zh) * | 2012-03-19 | 2012-10-31 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种白光表面贴装发光二极管封装结构 |
CN204348759U (zh) * | 2014-12-11 | 2015-05-20 | 北京中科天顺信息技术有限公司 | 集成阵列封装式植物生长灯单元、器件及其植物生长灯 |
CN104821367A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-08-05 | 苏州大学 | 一种硅量子点白光led及其制造方法 |
CN105870302A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-08-17 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种高色域白光量子点led的封装方法 |
-
2016
- 2016-11-30 CN CN201611090675.5A patent/CN106784177B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090115535A (ko) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | 주식회사 프로텍 | 칩 엘이디 패키지 제조방법 |
CN202065918U (zh) * | 2011-04-22 | 2011-12-07 | 陕西科技大学 | 一种水下led灯具 |
CN102403426A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-04-04 | 江苏康纳思光电科技有限公司 | 一种制造宽色域白光led的方法 |
CN202513204U (zh) * | 2012-03-19 | 2012-10-31 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种白光表面贴装发光二极管封装结构 |
CN204348759U (zh) * | 2014-12-11 | 2015-05-20 | 北京中科天顺信息技术有限公司 | 集成阵列封装式植物生长灯单元、器件及其植物生长灯 |
CN104821367A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-08-05 | 苏州大学 | 一种硅量子点白光led及其制造方法 |
CN105870302A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-08-17 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种高色域白光量子点led的封装方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107634132A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-01-26 | 苏州轻光材料科技有限公司 | 一种含有双色荧光粉的紫外激发白光led及其制备方法 |
CN108321150A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-07-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种光源及光源的制备方法 |
CN112071972A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-12-11 | 谷麦光电科技股份有限公司 | 一种led集成光源制造工艺及led集成光源 |
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