CN106773177A - 一种信号线的修复系统及修复方法 - Google Patents
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- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims abstract description 179
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Prostheses (AREA)
Abstract
本发明公开了一种信号线的修复系统及修复方法，修复系统包括分别用于形成修复线和绝缘层的第一、第二修复装置；针对交叉的两条信号线在交叉处发生断路的情况，先利用第一修复装置对其中一条信号线进行修复，再利用第二修复装置形成绝缘层，最后利用第一修复装置对另一条信号线进行修复，这样，既可避免两条信号线之间短路，又可避免将其中一条信号线的修复线设计为远离另一条信号线的修复线而增加修复失败的风险；针对在交叉的两条信号线形成后检出下方的信号线在交叉处发生断路的情况，先利用第二修复装置形成绝缘层，再利用第一修复装置对下方的信号线进行修复，这样，既可避免两条信号线之间短路，又可避免因修复不及时导致的漏检漏修风险。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种信号线的修复系统及修复方法。
背景技术
在显示基板的制作过程中，由于工艺偏差、操作失误以及环境等因素，会导致信号线发生断路的问题。针对这类问题，一般采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)设备沉积金属材料形成修复线，将断开的两段信号线电性连接。
以液晶显示面板中的阵列基板为例，如图1a所示，在形成有栅线101的衬底基板102上形成数据线103的图形之后，检测出栅线101在栅线101与数据线103的交叉位置处(如图1a所示的虚线框所示)发生断路，此时，如图1b所示，若采用CVD设备在栅线101的断开处形成栅线修复线104，栅线修复线104通过第一过孔105与断开的两段栅线101电性连接，由于数据线103的上方尚未形成绝缘层，形成的栅线修复线104会与数据线103直接接触，从而会导致栅线101与数据线103发生短路的问题，然而，若待阵列基板制作完成之后再采用CVD设备对发生断路的栅线101进行修复，则会存在漏检漏修的风险。如图2a所示，在阵列基板制作完成之后，检测出栅线101和数据线103在栅线101与数据线103的交叉位置处(如图1b所示的虚线框所示)发生断路，此时，如图2b所示，若采用CVD设备在栅线101的断开处形成栅线修复线104以及在数据线103的断开处形成数据线修复线106，栅线修复线104通过第一过孔105与断开的两段栅线101电性连接，数据线修复线106通过第二过孔107与断开的两段数据线103电性连接，形成的栅线修复线104与数据线修复线106会直接接触，从而会导致栅线101与数据线103发生短路的问题，然而，如图2c所示，若将栅线修复线104设计为刻意远离数据线修复线106的形状，则会存在由于栅线修复线104过长而增加修复失败的风险的问题。
可见，采用现有的CVD设备对发生断路的信号线进行修复，会存在交叉的信号线之间发生短路、漏检漏修或修复失败等风险，因此，如何提供一种能够避免上述修复风险的信号线的修复系统，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种信号线的修复系统及修复方法，用以避免在采用现有的CVD设备对发生断路的信号线进行修复时存在交叉的信号线之间发生短路、漏检漏修或修复失败等风险。
因此，本发明实施例提供了一种信号线的修复系统，包括：用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复系统中，所述第一修复装置，包括：第一反应腔室以及分别与所述第一反应腔室连通的用于传输第一反应物的第一输入管道和用于传输反应后的第一废弃物的第一输出管道；其中，所述第一反应腔室具有贯穿所述第一反应腔室的第一中通孔；
所述第二修复装置，包括：第二反应腔室以及分别与所述第二反应腔室连通的用于传输第二反应物的第二输入管道和用于传输反应后的第二废弃物的第二输出管道；其中，所述第二反应腔室具有贯穿所述第二反应腔室的第二中通孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复系统中，还包括：用于使所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态或封闭状态且使所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态或封闭状态的开关；其中，
所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于封闭状态时，所述第一反应腔室在所述第一中通孔处形成导电材料沉积在显示基板上形成修复线；
所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于封闭状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态时，所述第二反应腔室在所述第二中通孔处形成绝缘材料沉积在显示基板上形成绝缘层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复系统中，所述开关为可滑动至所述第一中通孔处或所述第二中通孔处的中空的滑件。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复系统中，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的上方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正上方；或者，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的下方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正下方。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复系统中，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的上方用于发射穿过所述第一中通孔和所述第二中通孔的激光的激光器。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复系统中，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的下方用于承载显示基板的机台；
所述机台内设置有加热部件。
本发明实施例还提供了一种信号线的修复方法，利用本发明实施例提供的上述修复系统对信号线进行修复，包括：
利用第一修复装置形成第一修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复；其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的上方或下方；
利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层；
利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第二信号线进行修复。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复方法中，在利用第一修复装置形成第一修复线之前，还包括：
将在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生短路的所述第一信号线和所述第二信号线切断。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复方法中，所述利用第一修复装置形成第一修复线，具体包括：
在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复方法中，所述利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层，具体包括：
在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复方法中，所述利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，具体包括：
在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第二修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
本发明实施例还提供了一种信号线的修复方法，利用本发明实施例提供的上述修复系统对信号线进行修复，包括：
利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层：其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的下方；
利用第一修复装置在所述绝缘层上形成第一修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复方法中，所述利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层，具体包括：
在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述修复方法中，所述利用第一修复装置在所述绝缘层上形成第一修复线，具体包括：
在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
本发明实施例提供的上述信号线的修复系统及修复方法，修复系统包括用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置；针对交叉的两条信号线在交叉位置都发生断路的情况，可以先利用第一修复装置对其中一条信号线进行修复，再利用第二修复装置形成绝缘层，最后利用第一修复装置对另一条信号线进行修复，这样，既可以避免交叉的两条信号线之间发生短路的问题，又可以避免将其中一条信号线的修复线设计为远离另一条信号线的修复线而增加修复失败的风险；针对在交叉的两条信号线形成后检测出下方的信号线在交叉位置发生断路的情况，可以先利用第二修复装置形成绝缘层，再利用第一修复装置对下方的信号线进行修复，这样，既可以避免交叉的两条信号线之间发生短路的问题，又可以避免因修复不及时导致的漏检漏修风险。
附图说明
图1a为现有的阵列基板在修复之前的结构示意图之一；
图1b为采用现有的CVD设备对图1a所示的阵列基板进行修复之后的结构示意图；
图2a为现有的阵列基板在修复之前的结构示意图之二；
图2b为现有的CVD设备对图2a所示的阵列基板进行修复之后的结构示意图之一；
图2c为现有的CVD设备对图2a所示的阵列基板进行修复之后的结构示意图之二；
图3为本发明实施例提供的信号线的修复系统的结构示意图；
图4a-图4c分别为采用本发明实施例提供的信号线的修复系统对图2a所示的阵列基板进行修复在执行各步骤后的结构示意图；
图5a和图5b分别为采用本发明实施例提供的信号线的修复系统对图1a所示的阵列基板进行修复在执行各步骤后的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的信号线的修复系统的具体结构示意图之一；
图7为本发明实施例提供的信号线的修复系统的具体结构示意图之二；
图8为图7沿AA方向的剖视图；
图9为本发明实施例提供的信号线的修复系统的具体结构示意图之三；
图10为本发明实施例提供的信号线的修复系统的具体结构示意图之四；
图11为本发明实施例提供的信号线的修复方法的流程图之一；
图12为本发明实施例提供的信号线的修复方法的流程图之二；
图13为本发明实施例提供的信号线的修复方法的流程图之三；
图14为本发明实施例提供的信号线的修复方法的流程图之四；
图15为本发明实施例提供的信号线的修复方法的流程图之五。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的信号线的修复系统及修复方法的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各部件的形状和尺寸不反映其真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种信号线的修复系统，如图3所示，包括：用于形成导电的修复线的第一修复装置301和用于形成绝缘层的第二修复装置302。
本发明实施例提供的上述修复系统，既可以形成导电的修复线，又可以形成绝缘层；针对交叉的两条信号线在交叉位置都发生断路的情况，可以先利用第一修复装置对其中一条信号线进行修复，再利用第二修复装置形成绝缘层，最后利用第一修复装置对另一条信号线进行修复，例如，针对如图2a所示的情况，在阵列基板制作完成之后，即栅线101和数据线103都已被绝缘层覆盖，此时，检测出栅线101和数据线103在栅线101与数据线103的交叉位置处发生断路，利用本发明实施例提供的上述修复系统，如图4a所示，可以先利用第一修复装置形成栅线修复线104对在交叉位置处发生断路的栅线101进行修复，栅线修复线104通过第一过孔105与断开的两段栅线101电性连接，如图4b所示，然后利用第二修复装置形成覆盖栅线修复线104的绝缘层108，如图4c所示，最后利用第一修复装置在绝缘层108上形成数据线修复线106对在交叉位置处发生断路的数据线103进行修复，数据线修复线106通过第二过孔107与断开的两段数据线103电性连接，这样，既可以避免栅线101与数据线103之间发生短路的问题，又可以避免将栅线修复线104设计为远离数据线修复线106的形状导致修复失败的风险；针对在交叉的两条信号线形成后检测出下方的信号线在交叉位置发生断路的情况，可以先利用第二修复装置形成绝缘层，再利用第一修复装置对下方的信号线进行修复，例如，针对如图1a所示的情况，在形成有栅线101的衬底基板102上形成数据线103的图形之后，检测出栅线101在栅线101与数据线103的交叉位置处发生断路，利用本发明实施例提供的上述修复系统，如图5a所示，可以先利用第二修复装置在栅线101与数据线103的交叉位置处形成绝缘层108，如图5b所示，然后利用第一修复装置在绝缘层108上形成栅线修复线104对交叉位置处发生断路的栅线101进行修复，栅线修复线104通过第一过孔105与断开的两段栅线101电性连接，这样，既可以避免交叉的栅线101与数据线103之间发生短路的问题，又可以避免因修复不及时导致的漏检漏修风险。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述修复系统可以适用于修复液晶显示面板中阵列基板上交叉设置的栅线和数据线，或者，本发明实施例提供的上述修复系统也可以适用于修复其他类似的显示面板中交叉设置的信号线，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述修复系统中，如图6所示，第一修复装置301，可以包括：第一反应腔室1以及分别与第一反应腔室1连通的用于传输第一反应物的第一输入管道2和用于传输反应后的第一废弃物的第一输出管道3；其中，第一反应腔室1具有贯穿第一反应腔室1的第一中通孔4；具体地，通过第一输入管道2传输至第一反应腔室1的第一反应物在第一中通孔4处发生反应，反应形成的导电材料通过第一中通孔4沉积在下方的显示基板5上形成导电的修复线，反应后形成的第一废弃物通过第一输出管道3输出；类似的，第二修复装置302，可以包括：第二反应腔室6以及分别与第二反应腔室6连通的用于传输第二反应物的第二输入管道7和用于传输反应后的第二废弃物的第二输出管道8；其中，第二反应腔室6具有贯穿第二反应腔室6的第二中通孔9；具体地，通过第二输入管道7传输至第二反应腔室6的第二反应物在第二中通孔9处发生反应，反应形成的绝缘材料通过第二中通孔9沉积在下方的显示基板5上形成绝缘层，反应后形成的第二废弃物通过第二输出管道8输出。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复系统中，如图7和图8所示，图8为图7沿AA方向的剖视图，还可以包括：用于使第一反应腔室1在第一中通孔4处处于开放状态或封闭状态且使第二反应腔室6在第二中通孔处处于开放状态或封闭状态的开关10；例如，图7所示的状态为开关10使第一反应腔室1在第一中通孔4处处于开放状态且使第二反应腔室6在第二中通孔处处于封闭状态；这样，可以利用开关10分别控制第一修复装置301和第二修复装置302工作，避免第一修复装置301和第二修复装置302发生交叉污染；具体地，第一反应腔室1在第一中通孔4处处于开放状态且第二反应腔室6在第二中通孔处处于封闭状态时，第一修复装置301处于工作状态，第二修复装置302处于关闭状态，第一反应腔室1在第一中通孔4处形成导电材料沉积在显示基板5上形成修复线；第一反应腔室1在第一中通孔4处处于封闭状态且第二反应腔室6在第二中通孔处处于开放状态时，第一修复装置301处于关闭状态，第二修复装置302处于工作状态，第二反应腔室6在第二中通孔处形成绝缘材料沉积在显示基板5上形成绝缘层。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述修复系统中，如图7和图8所示，开关10具体可以为可滑动至第一中通孔4处或第二中通孔处的中空的滑件，例如，如图7和图8所示，滑件的形状为中空的圆筒形状，滑件位于第二中通孔处，使第一反应腔室1在第一中通孔4处处于开放状态且使第二反应腔室6在第二中通孔处处于封闭状态。当然，滑件的形状并非局限于此，具体可以依照第一中通孔和第二中通孔的形状而变化，在此不做限定。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复系统中，如图6和图7所示，第一反应腔室1可以位于第二反应腔室6的下方，第一中通孔4可以位于第二中通孔9的正下方；或者，第一反应腔室也可以位于第二反应腔室的上方，第一中通孔也可以位于第二中通孔的正上方；在此不做限定。
当然，在本发明实施例提供的上述修复系统中，第一修复装置与第二修复装置的位置关系并非局限于上下位置关系，第一修复装置与第二修复装置还可以为前后或左右位置关系，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述修复系统中，在第一修复装置与第二修复装置为上下位置关系时，如图9所示，还可以包括：位于第一反应腔室1和第二反应腔室6的上方用于发射穿过第一中通孔4和第二中通孔的激光的激光器11；这样，便于激光器11发射的激光穿过第一中通孔4和第二中通孔，使得第一中通孔4处的第一反应物在激光的照射下反应形成导电材料，第二中通孔处的第二反应物在激光的催化作用下反应形成绝缘材料，例如，第一反应物可以为掺有六羰基钨的氩气，在激光的照射下可以形成钨粉，钨粉通过第一中通孔4沉积在显示基板5上形成钨线，第二反应物可以为氨气、氮气和硅烷，在激光的催化作用下可以形成氮化硅，通过第二中通孔沉积在显示基板5上形成氮化硅绝缘层。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述修复系统中，如图10所示，还可以包括：位于第一反应腔室1和第二反应腔室6的下方用于承载显示基板5的机台12；较佳地，机台12内可以设置加热部件13，这样，利用加热部件13加热至不同的温度，可以分别为第一中通孔4处形成导电材料以及第二中通孔处形成绝缘材料提供各自所需的温度条件，并且，对于通过沉积钨粉形成钨线作为修复线的情况，还可以防止第一中通孔4处形成的钨粉结晶而降低修复效率。具体地，加热部件可以为加热电阻丝，或者，加热部件还可以为能够内置于机台内并能实现加热功能的其他部件，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种信号线的修复方法，利用本发明实施例提供的上述修复系统对信号线进行修复，如图11所示，包括如下步骤：
S1101、利用第一修复装置形成第一修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的第一信号线进行修复；其中，第一信号线与第二信号线相互绝缘且第一信号线位于第二信号线的上方或下方；
S1102、利用第二修复装置形成覆盖第一修复线的绝缘层；
S1103、利用第一修复装置在绝缘层上形成第二修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的第二信号线进行修复。
本发明实施例提供的上述修复方法，可以针对在显示基板的所有工艺都已完成即第一信号线和第二信号线都已被绝缘层覆盖时，检测出第一信号线和第二信号线在交叉位置处都发生断路的情况(即如图2a所示的情况)进行修复。由于第一信号线和第二信号线都已被绝缘层覆盖，因此，无论先对上方的信号线进行修复还是先对下方的信号线进行修复，都不会造成两条信号线发生短路，因此，本发明实施例提供的上述修复方法可以适用于第一信号线可以位于第二信号线的上方的情况，即可以先对位于上方的第一信号线进行修复；或者，本发明实施例提供的上述修复方法也可以适用于第一信号线可以位于第二信号线的下方的情况，即可以先对位于下方的第一信号线进行修复；在此不做限定。需要说明的是，由于第一信号线和第二信号线都已被绝缘层覆盖，因此，在利用第一修复线对第一信号线进行修复时，第一修复线需要通过过孔的方式与第一信号线实现电性连接，同理，在利用第二修复线对第二信号线进行修复时，第二修复线需要通过过孔的方式与第二信号线实现电性连接。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述修复方法还可以针对在形成第一信号线和第二信号线之后，即上方的信号线尚未被绝缘层覆盖时，检测出第一信号线与第二信号线在交叉位置处都发生断路的情况进行修复。针对这种情况，既可以先对位于上方的信号线进行修复，又可以先对位于下方的信号线进行修复。较佳地，优选先对位于上方的信号线进行修复，这是由于上方的信号线尚未被绝缘层覆盖，若先对位于下方的信号线进行修复，则可能会存在形成的修复线与上方的信号线电性连接导致两条信号线发生短路的风险。当然，若两条信号线在交叉位置处断开的空间较大，则该风险会非常低，此时，也可以选择先对位于下方的信号线进行修复。需要说明的是，由于上方的信号线尚未被绝缘层覆盖，因此，在对上方的信号线进行修复时，形成的修复线可以直接与上方的信号线电性连接，无需通过过孔的方式电性连接；并且，由于上方的信号线与下方的信号线相互绝缘，即下方的信号线已被绝缘层覆盖，因此，在对下方的信号线进行修复时，形成的修复线需要通过过孔的方式与下方的信号线电性连接。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述修复方法不仅可以对交叉位置处发生断路的信号线进行修复，还可以对交叉位置处发生短路的信号线进行修复，因此，在执行本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S1101，利用第一修复装置形成第一修复线之前，如图12所示，还可以包括如下步骤：
S1201、将在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生短路的第一信号线和第二信号线切断。
下面针对本发明实施例提供的如图10所示的修复系统，对本发明实施例提供的上述修复方法进行详细说明。
在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S1101，利用第一修复装置形成第一修复线时，如图13所示，具体可以包括如下步骤：
S1301、在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，可以将第一预设温度控制在60℃左右为佳。
在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S1102，利用第二修复装置形成覆盖第一修复线的绝缘层时，如图13所示，具体可以包括如下步骤：
S1302、在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，可以将第二预设温度控制在280℃至290℃的范围为佳。
在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S1103，利用第一修复装置在绝缘层上形成第二修复线时，具体可以包括如下步骤：
S1303、在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第二修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，可以将第一预设温度控制在60℃左右为佳。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述修复方法可以利用软件实现自动化控制，这样，可以避免人工操作失误导致的各种不良。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种信号线的修复方法，利用本发明实施例提供的上述修复系统对信号线进行修复，如图14所示，包括如下步骤：
S1401、利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层：其中，第一信号线与第二信号线相互绝缘且第一信号线位于第二信号线的下方；
S1402、利用第一修复装置在绝缘层上形成第一修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的第一信号线进行修复。
本发明实施例提供的上述修复方法，可以针对在形成第一信号线和第二信号线之后，即上方的信号线尚未被绝缘层覆盖时，检测出下方的信号线在交叉位置处发生断路的情况(即如图1a所示的情况)进行修复。
下面针对本发明实施例提供的如图10所示的修复系统，对本发明实施例提供的上述修复方法进行详细说明。
在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S1401，利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层时，如图15所示，具体可以包括如下步骤：
S1501、在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，可以将第二预设温度控制在280℃至290℃的范围为佳。
在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S1402，利用第一修复装置在绝缘层上形成第一修复线时，如图15所示，具体可以包括如下步骤：
S1502、在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
较佳地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，可以将第一预设温度控制在60℃左右为佳。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述修复方法可以利用软件实现自动化控制，这样，可以避免人工操作失误导致的各种不良。
本发明实施例提供的一种信号线的修复系统及修复方法，修复系统包括用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置；针对交叉的两条信号线在交叉位置都发生断路的情况，可以先利用第一修复装置对其中一条信号线进行修复，再利用第二修复装置形成绝缘层，最后利用第一修复装置对另一条信号线进行修复，这样，既可以避免交叉的两条信号线之间发生短路的问题，又可以避免将其中一条信号线的修复线设计为远离另一条信号线的修复线而增加修复失败的风险；针对在交叉的两条信号线形成后检测出下方的信号线在交叉位置发生断路的情况，可以先利用第二修复装置形成绝缘层，再利用第一修复装置对下方的信号线进行修复，这样，既可以避免交叉的两条信号线之间发生短路的问题，又可以避免因修复不及时导致的漏检漏修风险。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种信号线的修复系统，其特征在于，包括：用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置。
2.如权利要求1所述的修复系统，其特征在于，所述第一修复装置，包括：第一反应腔室以及分别与所述第一反应腔室连通的用于传输第一反应物的第一输入管道和用于传输反应后的第一废弃物的第一输出管道；其中，所述第一反应腔室具有贯穿所述第一反应腔室的第一中通孔；
所述第二修复装置，包括：第二反应腔室以及分别与所述第二反应腔室连通的用于传输第二反应物的第二输入管道和用于传输反应后的第二废弃物的第二输出管道；其中，所述第二反应腔室具有贯穿所述第二反应腔室的第二中通孔。
3.如权利要求2所述的修复系统，其特征在于，还包括：用于使所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态或封闭状态且使所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态或封闭状态的开关；其中，
所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于封闭状态时，所述第一反应腔室在所述第一中通孔处形成导电材料沉积在显示基板上形成修复线；
所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于封闭状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态时，所述第二反应腔室在所述第二中通孔处形成绝缘材料沉积在显示基板上形成绝缘层。
4.如权利要求3所述的修复系统，其特征在于，所述开关为可滑动至所述第一中通孔处或所述第二中通孔处的中空的滑件。
5.如权利要求2-4任一项所述的修复系统，其特征在于，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的上方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正上方；或者，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的下方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正下方。
6.如权利要求5所述的修复系统，其特征在于，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的上方用于发射穿过所述第一中通孔和所述第二中通孔的激光的激光器。
7.如权利要求2-4任一项所述的修复系统，其特征在于，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的下方用于承载显示基板的机台；
所述机台内设置有加热部件。
8.一种信号线的修复方法，其特征在于，利用如权利要求1-7任一项所述的修复系统对信号线进行修复，包括：
利用第一修复装置形成第一修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复；其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的上方或下方；
利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层；
利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第二信号线进行修复。
9.如权利要求8所述的修复方法，其特征在于，在利用第一修复装置形成第一修复线之前，还包括：
将在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生短路的所述第一信号线和所述第二信号线切断。
10.如权利要求8或9所述的修复方法，其特征在于，所述利用第一修复装置形成第一修复线，具体包括：
在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
11.如权利要求8或9所述的修复方法，其特征在于，所述利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层，具体包括：
在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。
12.如权利要求8或9所述的修复方法，其特征在于，所述利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，具体包括：
在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第二修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
13.一种信号线的修复方法，其特征在于，利用如权利要求1-7任一项所述的修复系统对信号线进行修复，包括：
利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层：其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的下方；
利用第一修复装置在所述绝缘层上形成第一修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复。
14.如权利要求13所述的修复方法，其特征在于，所述利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层，具体包括：
在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。
15.如权利要求13所述的修复方法，其特征在于，所述利用第一修复装置在所述绝缘层上形成第一修复线，具体包括：
在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710002733.2A CN106773177B (zh) | 2017-01-03 | 2017-01-03 | 一种信号线的修复系统及修复方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| CN106773177A true CN106773177A (zh) | 2017-05-31 |
| CN106773177B CN106773177B (zh) | 2020-03-06 |
Family
ID=58949980
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| CN201710002733.2A Active CN106773177B (zh) | 2017-01-03 | 2017-01-03 | 一种信号线的修复系统及修复方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106773177B (zh) |
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