CN106753325B - 一种高显色、低光衰红色荧光粉及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高显色、低光衰红色荧光粉,所述红色荧光粉的化学式为:(Sr1‑m‑zMm)SinAlxNyCllFj:Euz,其中,M为Ca、Ba、Li、Na、K、Sc中的一种或者几种;0.001≤m<1,0.5≤n≤2.5,0.5≤x≤2.5,1≤y≤5,0.001≤l≤1,0.001≤j≤1,0.001≤z≤0.2。本发明还公开了红色荧光粉的制备方法:按化学式的化学计量比称取所需原料,在氮气保护中充分混合均匀;将混合均匀的原料在氮气气氛中高压高温固相进行分阶段灼烧;破碎、过筛,得到的粉体用CVD方法包膜处理,得到高显色、低光衰红色荧光粉。本发明的荧光粉具有发光效率高、高显色性、低光衰等特点。

Description

一种高显色、低光衰红色荧光粉及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种红色荧光粉及其制备方法,具体涉及一种高显色、低光衰红色荧光粉及其制备方法,尤其是一种可见蓝光、紫光、紫外激发的高显色、低光衰红色荧光粉及其制备方法,该红色荧光粉适用于手机、电脑、PAD等背光、显示照明和白光LED。
背景技术
随着国际IT行业迅速发展,使得相关背光源、显示照明和白光LED行业不断推陈出新,产品尺寸朝多元化和轻便化方向发展,背光源作为LCD产品的核心组件之一势必配合此发展趋势,致力于产品的多元化和轻便化。要进入背光源、显示照明和白光LED行业领域,必须获得一种高显色、低光衰红色荧光粉。LCD一直对背光源的显示性、稳定性要求很高,LED,蓝-红430-700nm功率0.038W以上,使用寿命可以到达100,000h,而线状光源CCFL红、绿、蓝及其混合色后,功率在1.0-10.0W,使用寿命只有25,000h,由于逆变器驱动电压高所以显色性差,稳定性差。传统的白光LED制造方法就是在450nm-460nmLED芯片上涂上红色的钇铝石榴石(YAG)实现白光的。YAG由于红色区域的发射强度很低,导致白光LED的显色性低。
美国专利US2010096592报道是加入氟化物作为溶剂,并没有加入氯化物。
大量翻阅国内外专利,JP20052239985、CN101921592A、US7476338、EP1568753等专利均采用高压高温固相反应,后处理均未采用CVD方法进行包膜处理工艺,影响粉体的稳定性。
发明内容:
本发明的目的是针对目前氮化物一类的红色荧光粉在显色性、稳定性及制备方法等方面存在的问题,提供一种适用于手机、电脑、PAD等背光、显示照明和白光LED的高显色、低光衰红色荧光粉。
本发明的另一个目的是提供该红色荧光粉的制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种高显色、低光衰红色荧光粉,其化学式为(Sr1-m-zMm)SinAlxNyCllFj:Euz,其中,M为Ca、Ba、Li、Na、K、Sc中的一种或者几种;0.001≤m<1,0.5≤n<2.5,0.5≤x<2.5,1≤y<5,0.001≤l<1,0.001≤j<1,0.001≤z<0.2。
优选的,0.010≤m<1,0.5≤n≤1.0,0.5≤x≤1.0,1≤y≤4,0.050≤l≤0.050,0.010≤j≤0.050,0.010≤z≤0.020。
本发明所述的高显色、低光衰红色荧光粉的制备方法,包括以下步骤:
步骤(1)、按化学式(Sr1-m-zMm)SinAlxNyCllFj:Euz的化学计量比称取所需原料;其中,M为Ca、Ba、Li、Na、K、Sc中的一种或者几种;0.001≤m<1,0.5≤n<2.5,0.5≤x<2.5,1≤y<5,0.001≤l<1,0.001≤j<1,0.001≤z<0.2;
步骤(2)、将上述原料在氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3)、将上述混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在氮气气氛中高压高温固相进行分阶段灼烧,得到红色块状粉体;
步骤(4)、红色块状粉体经破碎、过筛,得到粉体,粉体采用CVD方法(化学气相沉积法)包膜处理,得到高显色、低光衰红色荧光粉。
步骤(1)中,原料中氟化物、氯化物作为助熔剂,氟化物、氯化物的总用量为原料总重量的0.01%-20.00%。
步骤(3)中,所述的高压高温固相分阶段灼烧的方法为:压力控制在0.8-1.0MPa之间,第一阶段:在温度800-1000℃下灼烧4-6小时;第二阶段:在温度1000-1400℃下灼烧4-6小时;第三阶段:在温度1400-2000℃下灼烧6-20小时。高压高温固相进行分阶段灼烧得到的产物为红色块状粉体。
步骤(4)中,产物采用玛瑙球球磨1-8小时,过200目筛尼龙网,得到红色粉末。
粉体采用CVD方法包膜处理的方法为:粉体在反应容器中流化形成流化粉体,在100-200℃条件下镀膜的物质形成蒸汽,使得流化粉体暴露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应器中充分饱和,升温至500-600℃,导入氧气和水蒸汽,进行反应6-8小时,镀膜的物质发生反应后形成氧化钛硅复合膜包于粉体;其中,镀膜的物质与流化粉体的质量比为5-10:100,所述的氧气与流化粉体的体积质量比为5-10:100;所述的水蒸汽与氧气的体积比为1-2:100。
所述镀膜的物质为四氯化钛和四氯化硅按照体积比1:1-5的混合,优选为1:1的混合。四氯化钛在100-200℃条件下形成蒸汽;四氯化硅在100-200℃条件下形成蒸汽。
本发明质量体积比的单位为mL:g或者L:kg。
本发明所述的氮气的纯度必须到达99.999%以上。所述的氧气的纯度为99.99%。
本发明所述的红色荧光粉的发射波长可以在610nm-665nm之间任意调节。所述的高显色、低光衰红色荧光粉在背光源、显示照明、白光LED中的应用;优选在手机、电脑、PAD背光源、显示照明和白光LED中的应用。
和现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
1、采用氟化物、氯化物等化合物,起到对荧光粉发光效率高、半峰宽度宽,提高显色性。
2、通过改变(Sr1-m-zMm)SinAlxNyCllFj:Euz中金属元素的比例,发射峰值波长可以在610nm-665nm之间任意调节。
3、后处理采用CVD方法包膜处理,可以提高荧光粉的稳定性,从而减小荧光粉的光衰。
附图说明
图1:实施例1红色荧光粉的XRD图谱。
图2:实施例1红色荧光粉的激发光谱。
图3:实施例1红色荧光粉的晶体形貌。
图4:实施例1与比较例1-1、比较例1-2、比较例1-3红色荧光粉的发射光谱比较。
图5:实施例1与比较例1-1、比较例1-2、比较例1-3红色荧光粉的光衰性能比较。
图6:实施例1与比较例1-1、比较例1-2、比较例1-3红色荧光粉的温度性能比较。
图7:实施例2红色荧光粉的XRD图谱。
图8:实施例2红色荧光粉的激发光谱。
图9:实施例2红色荧光粉的晶体形貌。
图10:实施例2与比较例2-1、比较例2-2红色荧光粉的发射光谱比较。
图11:实施例2与比较例2-1、比较例2-2红色荧光粉的光衰性能比较。
图12:实施例2与比较例2-1、比较例2-2红色荧光粉的温度性能比较。
图13:实施例3红色荧光粉的XRD图谱。
图14:实施例3红色荧光粉的激发光谱。
图15:实施例3红色荧光粉的晶体形貌。
图16:实施例3与比较例3-1、比较例3-2红色荧光粉的发射光谱比较。
图17:实施例3与比较例3-1、比较例3-2红色荧光粉的光衰性能比较。
图18:实施例3与比较例3-1、比较例3-2红色荧光粉的温度性能比较。
图19:实施例4红色荧光粉的XRD图谱。
图20:实施例4红色荧光粉的激发光谱。
图21:实施例4红色荧光粉的晶体形貌。
图22:实施例4与比较例4-1、比较例4-2红色荧光粉的发射光谱比较。
图23:实施例4与比较例4-1、比较例4-2红色荧光粉的光衰性能比较。
图24:实施例4与比较例4-1、比较例4-2红色荧光粉的温度性能比较。
图25:实施例5红色荧光粉的XRD图谱。
图26:实施例5红色荧光粉的激发光谱。
图27:实施例5红色荧光粉的晶体形貌。
图28:实施例5与比较例5-1、比较例5-2红色荧光粉的发射光谱比较。
图29:实施例5与比较例5-1、比较例5-2红色荧光粉的光衰性能比较。
图30:实施例5与比较例5-1、比较例5-2红色荧光粉的温度性能比较。
具体实施方式:
下面结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
实施例1Sr0.890Ca0.100SiAlN3Cl0.110F0.030:Eu0.01
步骤(1):按化学式Sr0.890Ca0.100SiAlN3Cl0.110F0.030:Eu0.01的化学计量比称取氮化锶46.37克,氮化钙2.66克,氮化铝22.03克,氮化硅25.13克,氟化铵0.6克,氯化铵2.10克,氧化铕1.12克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.8Mpa下,分阶段灼烧:常温(本发明常温为25℃)升温至1000℃后,在1000℃下恒温灼烧5小时,再升至1400℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧8小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(3):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉,制得的红色荧光粉XRD图谱如图1所示,激发光谱如图2所示,晶体形貌如图3所示。
比较例1-1
步骤(1):按化学式Sr0.890Ca0.100SiAlN3:0.01Eu的化学计量比称取氮化锶47.07克,氮化钙2.69克,氮化铝22.30克,氮化硅25.44克,氧化铕1.05克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.8Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至1000℃恒温5小时,升至1400℃恒温5小时,最后升至1800℃恒温8小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到成品。
比较例1-2
步骤(1):按化学式Sr0.890Ca0.100SiAlN3:0.01Eu的化学计量比称取氮化锶47.07克,氮化钙2.69克,氮化铝22.30克,氮化硅25.44克,氧化铕1.05克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.8Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至1000℃恒温5小时,升至1400℃恒温5小时,最后升至1800℃恒温8小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉末;粉末采用CVD方法包膜处理:粉末在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,四氯化钛、四氯化硅形成氧化钛硅复合膜包于粉体。
实施例1-3
步骤(1):按化学式Sr0.890Ca0.100SiAlN3F0.030:Eu0.010的化学计量比称取氮化锶46.37克,氮化钙2.66克,氮化铝22.03克,氮化硅25.13克,氟化铵0.6克,氧化铕1.12克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.8Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至1000℃恒温5小时,升至1400℃恒温5小时,最后升至1800℃恒温8小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉末;粉末采用CVD方法包膜处理:粉末在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体。
表1实施例1和比较例1-1、1-2、1-3制得的红色荧光粉特性比较
结合表1、图4-6可知:与对比例1-2、1-3相比,实施例1采用氟化物和氯化物作为助熔剂,制得的红色荧光粉的强度分别提高了10和3个点,显著提高了红色荧光粉的强度。与对比例1-1相比,实施例1采用CVD方法包膜处理粉体,不仅能够提高荧光粉的强度,而且还可以显著减小荧光粉的光衰,提高荧光粉的稳定性。
实施例2Sr0.868Ca0.112SiAlN3Cl0.100F0.030:Eu0.02
步骤(1):按化学式Sr0.868Ca0.112SiAlN3Cl0.100F0.030:Eu0.02的化学计量比称取氮化锶45.18克,氮化钙2.97克,氮化铝22.00克,氮化硅25.10克,氟化铵0.6克,氯化铵1.91克,氧化铕2.24克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.9Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温灼烧6小时,再升至1300℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧8.5小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在140℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为2:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉,制得的红色荧光粉XRD图谱如图7所示,激发光谱如图8所示,晶体形貌如图9所示。
比较例2-1
步骤(1):按化学式Sr0.8680Ca0.112SiAlN3:Eu0.02的化学计量比称取氮化锶45.45克,氮化钙2.99克,氮化铝22.44克,氮化硅25.25克,氧化铕2.30克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.9Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温6小时,升至1300℃恒温5小时,最后升至1800℃恒温8.5小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):产物采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,最后得到成品。
比较例2-2
步骤(1):按化学式Sr0.868Ca0.112SiAlN3:Eu0.02的化学计量比称取氮化锶45.45克,氮化钙2.99克,氮化铝22.44克,氮化硅25.25克,氧化铕2.30克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.9Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温6小时,升至1300℃恒温5小时,最后升至1800℃恒温8.5小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(3):产物采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在反应容器中流化形成流化粉体,在140℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为2:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉。
表2实施例2和比较例2-1、2-2制得的红色荧光粉特性比较
结合表2和图11-12分析可知:实施例2中红色荧光粉采用氟化物和氯化物为助熔剂,明显提高了荧光粉的强度,可以提高9-13个点;粉体采用CVD方法包膜处理后,不仅能够提高荧光粉的强度,而且对温度、时间的衰减最小,显著提高了荧光粉的稳定性。
实施例3Sr0.823Ca0.152SiAlN3Cl0.080F0.060:Eu0.025
步骤(1):按化学式Sr0.823Ca0.152SiAlN3Cl0.080F0.060:Eu0.025的化学计量比称取氮化锶43.15克,氮化钙4.06克,氮化铝22.16克,氮化硅25.28克,氟化铵0.6克,氯化铵1.91克,氧化铕2.82克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温灼烧6小时,升至1300℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧8.5小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):产物采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为2:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉,制得的红色荧光粉XRD图谱如图13所示,激发光谱如图14所示,晶体形貌如图15所示。
比较例3-1
步骤(1):按化学式Sr0.823Ca0.152SiAlN3Cl0.080F0.060:Eu0.025的化学计量比称取氮化锶43.15克,氮化钙4.06克,氮化铝22.16克,氮化硅25.28克,氟化铵0.6克,氯化铵1.91克,氧化铕2.82克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧,常温升温至800℃恒温6小时,升至1300℃恒温5小时,最后升至1800℃恒温8.5小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):产物采用玛瑙球球磨2小时,过筛;得到成品。
比较例3-2
步骤(1):按化学式Sr0.823Ca0.152SiAlN3:Eu0.025的化学计量比称取氮化锶43.41克,氮化钙4.09克,氮化铝22.30克,氮化硅25.44克,氧化铕2.82克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温灼烧6小时,升至1300℃恒温5灼烧小时,最后升至1800℃恒温灼烧8.5小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):产物采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为2:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉。
表3实施例3和比较例3-1、3-2制得的红色荧光粉特性比较
结合表3和图16-19可知:实施例3中红色荧光粉采用氟化物和氯化物为助熔剂,明显提高了荧光粉的强度,可以提高8-11个点;粉体采用CVD方法包膜处理后,不仅能够提高荧光粉的强度,而且对温度、时间的衰减最小,显著提高了荧光粉的稳定性。
实施例4Sr0.787Ca0.188SiAlN3Cl0.090F0.060:Eu0.025
步骤(1):按化学式Sr0.787Ca0.188SiAlN3Cl0.090F0.060:Eu0.025的化学计量比称取氮化锶41.47克,氮化钙5.05克,氮化铝22.28克,氮化硅25.41克,氟化铵1.21克,氯化铵1.74克,氧化铕2.84克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温灼烧6小时,升至1300℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧9小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):产物采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉,制得的红色荧光粉XRD图谱如图19所示,激发光谱如图20所示,晶体形貌如图21所示。
比较例4-1
步骤(1):按化学式Sr0.787Ca0.188SiAlN3:Eu0.025的化学计量比称取氮化锶41.90克,氮化钙5.10克,氮化铝22.51克,氮化硅25.68克,氧化铕2.87克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温灼烧6小时,升至1300℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧9小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到成品。
比较例4-2
步骤(1):按化学式Sr0.787Ca0.188SiAlN3:Eu0.025的化学计量比称取氮化锶41.90克,氮化钙5.10克,氮化铝22.51克,氮化硅25.68克,氧化铕2.87克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至800℃恒温灼烧6小时,升至1300℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧9小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):产物采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉体;粉体采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在150℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉。
表4实施例4和比较例4-1、4-2制得的红色荧光粉特性比较
结合表4和图22-24分析可知:实施例4中红色荧光粉采用氟化物和氯化物为助熔剂,明显提高了荧光粉的强度,可以提高5-10个点;粉体采用CVD方法包膜处理后,不仅能够提高荧光粉的强度,而且对温度、时间的衰减最小,显著提高了荧光粉的稳定性。
实施例5Sr0.153Ca0.827SiAlN3Cl0.080F0.080:Eu0.02
步骤(1):按化学式Sr0.153Ca0.827SiAlN3Cl0.080F0.080:Eu0.02的化学计量比称取氮化锶9.67克,氮化钙26.64克,氮化铝26.72克,氮化硅30.48克,氟化铵1.93克,氯化铵1.85克,氧化铕2.72克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至900℃恒温灼烧6小时,升至1400℃恒温灼烧6小时,最后升至1800℃恒温灼烧9小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉末;粉末采用CVD方法包膜处理:粉体在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在140℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉,制得的红色荧光粉XRD图谱如图25所示,激发光谱如图26所示,晶体形貌如图27所示。
比较例5-1
步骤(1):按化学式Sr0.153Ca0.827SiAlN3:Eu0.02的化学计量比称取氮化锶10.06克,氮化钙26.87克,氮化铝27.08克,氮化硅30.89克,氧化铕2.76克;
步骤(2):将以上原料在氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至900℃恒温灼烧6小时,升至1400℃恒温灼烧6小时,最后升至1800℃恒温灼烧9小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到成品。
比较例5-2
步骤(1):按化学式Sr0.153Ca0.827SiAlN3:Eu0.02的化学计量比称取氮化锶10.06克,氮化钙26.87克,氮化铝27.08克,氮化硅30.89克,氧化铕2.76克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力1.0Mpa下,分阶段灼烧:常温升温至900℃恒温灼烧6小时,升至1400℃恒温灼烧6小时,最后升至1800℃恒温灼烧9小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(4):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到粉末;粉末采用CVD方法包膜处理:粉末在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在140℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉。
表5实施例5和比较例5-1、5-2制得的红色荧光粉特性比较
结合表5和图28-30分析可知:实施例5中红色荧光粉采用氟化物和氯化物为原料,明显提高了荧光粉的强度,可以提高4-8个点;粉体采用CVD方法包膜处理后,不仅能够提高荧光粉的强度,而且对温度、时间的衰减最小,显著提高了荧光粉的稳定性。
实施例5制得的红色荧光粉的强度达到110%,半宽度也到达90nm以上,通过和绿粉配合使用,可以到达如下数据:
表6实施例5制得的红色荧光粉与绿粉配制高显色荧光粉
CCT(K)色温 荧光粉组合 CIE(x,y)色坐标 CIE CRI显色指数
2700K 实施例5+525nm绿粉 0.457 0.421 91.5
6500K 实施例5+538nm绿粉 0.313 0.337 92.0
做成白色LED灯后显色指数达到90以上。
实施例6Sr0.890Ca0.080Ba0.020SiAlN3Cl0.110F0.030:Eu0.010
步骤(1):按化学式Sr0.890Ca0.100Ba0.02SiAlN3Cl0.110F0.030:Eu0.010的化学计量比称取氮化锶46.30克,氮化钙2.06克,氮化钡2.31克,氮化铝21.39克,氮化硅24.40克,氟化铵0.58克,氯化铵2.04克,氧化铕0.92克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.8Mpa下,分阶段灼烧:常温25℃升温至1000℃恒温灼烧5小时,升至1400℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧8小时,冷却至常温后,取出红色块状粉体;
步骤(3):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到的粉末采用CVD方法包膜处理:粉末在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在140℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉成品。
实施例7Sr0.890Ca0.080Ba0.01Li0.01SiAlN3Cl0.110F0.030:Eu0.010
步骤(1):按化学式Sr0.890Ca0.100Ba0.01Li0.01SiAlN3Cl0.110F0.030:Eu0.010的化学计量比称取氮化锶46.75克,氮化钙2.08克,氮化钡1.17克,氮化锂0.18克,氮化铝21.60克,氮化硅24.64克,氟化铵0.59克,氯化铵2.06克,氧化铕0.93克;
步骤(2):将以上原料在纯度99.999%的氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3):将混合均匀的原料密封装入钼坩埚,加盖密闭,在纯度99.999%的氮气保护气氛中,压力0.8Mpa下,分阶段灼烧:常温25℃升温至1000℃恒温灼烧5小时,升至1400℃恒温灼烧5小时,最后升至1800℃恒温灼烧8小时冷,却至常温后,取出红色块状粉体;;
步骤(3):红色块状粉体采用玛瑙球球磨2小时,过200目筛尼龙网,得到的粉末采用CVD方法包膜处理:粉末在30L不锈钢反应容器中流化形成流化粉体,在140℃条件下四氯化钛形成蒸汽,100℃条件下四氯化硅形成蒸汽,四氯化钛蒸汽和四氯化硅蒸汽按体积比1:1通入反应容器中,四氯化钛和四氯化硅的总量与流化粉体的质量比为8:100,使得流化粉体露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应容器中充分饱和,升温至550℃,导入氧气和水蒸汽,氧气与流化粉体的体积质量比为8:100,水蒸汽与氧气的体积比为1:100,进行反应8小时,发生反应后,形成氧化钛硅复合膜包于粉体,制得红色荧光粉成品。
表7实施例6-7制得的红色荧光粉特性比较

Claims (7)

1.一种高显色、低光衰红色荧光粉,其特征在于其化学式为(Sr1-m-zMm)SinAlxNyCllFj:Euz,其中,M为Ca;0.001≤m<1,0.5≤n<2.5,0.5≤x<2.5,1≤y<5,0.001≤l<1,0.001≤j<1,0.001≤z<0.2;所述荧光粉是由以下方法制得的:
步骤(1)、按化学式(Sr1-m-zMm)SinAlxNyCllFj:Euz的化学计量比称取所需原料;其中,M为Ca;0.001≤m<1,0.5≤n<2.5,0.5≤x<2.5,1≤y<5,0.001≤l<1,0.001≤j<1,0.001≤z<0.2;
步骤(2)、将上述原料在氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3)、将上述混合均匀的原料在氮气气氛中高压高温固相进行分阶段灼烧,得到红色块状粉体;所述高压高温固相分阶段灼烧的方法为:压力控制在0.8-1.0MPa之间,第一阶段:在温度800-1000℃下灼烧4-6小时;第二阶段:在温度1000-1400℃下灼烧4-6小时;第三阶段:在温度1400-2000℃下灼烧6-20小时;
步骤(4)、红色块状粉体经破碎、过筛,得到粉体,粉体采用CVD方法包膜处理,得到高显色、低光衰红色荧光粉;粉体用CVD方法包膜处理的方法为:粉体在反应容器中流化形成流化粉体,在100-200℃条件下镀膜的物质形成蒸汽,使得流化粉体暴露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应器中充分饱和,升温至500-600℃,导入氧气和水蒸汽,进行反应6-8小时,镀膜的物质发生反应后形成氧化钛硅复合膜包于粉体;其中,镀膜的物质与流化粉体的质量比为5-10:100,所述的氧气与流化粉体的体积质量比为5-10:100;所述的水蒸汽与氧气的体积比为1-2:100;所述镀膜的物质为四氯化钛和四氯化硅按照体积比1:1-5的混合。
2.权利要求1所述的高显色、低光衰红色荧光粉的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
步骤(1)、按化学式(Sr1-m-zMm)SinAlxNyCllFj:Euz的化学计量比称取所需原料;其中,M为Ca;0.001≤m<1,0.5≤n<2.5,0.5≤x<2.5,1≤y<5,0.001≤l<1,0.001≤j<1,0.001≤z<0.2;
步骤(2)、将上述原料在氮气保护中充分混合均匀;
步骤(3)、将上述混合均匀的原料在氮气气氛中高压高温固相进行分阶段灼烧,得到红色块状粉体;所述高压高温固相分阶段灼烧的方法为:压力控制在0.8-1.0MPa之间,第一阶段:在温度800-1000℃下灼烧4-6小时;第二阶段:在温度1000-1400℃下灼烧4-6小时;第三阶段:在温度1400-2000℃下灼烧6-20小时;
步骤(4)、红色块状粉体经破碎、过筛,得到粉体,粉体采用CVD方法包膜处理,得到高显色、低光衰红色荧光粉;粉体用CVD方法包膜处理的方法为:粉体在反应容器中流化形成流化粉体,在100-200℃条件下镀膜的物质形成蒸汽,使得流化粉体暴露于蒸发镀膜的物质下,以氮气为载体通入反应器中充分饱和,升温至500-600℃,导入氧气和水蒸汽,进行反应6-8小时,镀膜的物质发生反应后形成氧化钛硅复合膜包于粉体;其中,镀膜的物质与流化粉体的质量比为5-10:100,所述的氧气与流化粉体的体积质量比为5-10:100;所述的水蒸汽与氧气的体积比为1-2:100;所述镀膜的物质为四氯化钛和四氯化硅按照体积比1:1-5的混合。
3.根据权利要求2所述高显色、低光衰红色荧光粉制备方法,其特征在于所述氮气的纯度在99.999%以上。
4.根据权利要求2所述高显色、低光衰红色荧光粉制备方法,其特征在于步骤(4)中,步骤(3)制得的红色块状粉体采用玛瑙球球磨1-8小时,过200目筛尼龙网,得到红色粉末。
5.权利要求1所述高显色、低光衰红色荧光粉在显示照明、白光LED中的应用。
6.根据权利要求5所述的应用,其特征在于所述的在显示照明中的应用为在背光源中的应用。
7.根据权利要求5所述的应用,所述的应用为在手机、电脑、PAD背光源和白光LED中的应用。
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