CN106718883A - 一种滇楸与梓树的试管苗微型嫁接方法 - Google Patents

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CN106718883A CN201611061258.8A CN201611061258A CN106718883A CN 106718883 A CN106718883 A CN 106718883A CN 201611061258 A CN201611061258 A CN 201611061258A CN 106718883 A CN106718883 A CN 106718883A
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张烨然
张新叶
李振芳
陈慧玲
杨杉
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Huazhong Agricultural University
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Abstract

本发明公开了一种滇楸与梓树的试管苗微型嫁接方法，该方法在进行滇楸与梓树的组培苗微型嫁接时，使用透明硅胶管作为接穗与砧木的绑缚和固定材料，除了具有不受季节环境限制，占地面积小，繁殖系数高，嫁接苗后期管理简单，成苗快等试管苗微型嫁接的一般优势之外，还具有操作简单方便，耗时短，接穗与砧木容易固定，形成层容易对齐，嫁接成活率高的优点，非常适合滇楸的种苗生产。

Description

一种滇楸与梓树的试管苗微型嫁接方法
技术领域
本发明涉及一种滇楸与梓树的试管苗微型嫁接方法，是在无菌环境下使用透明硅胶管对滇楸和梓树的组培苗进行嫁接的快速简易的繁殖方法，属于楸树类树种的种苗生产技术领域。
背景技术
滇楸(Catalpa fargesii Bur.f.duclouxii(Dode)Gilmour)为紫葳科(Bignonicaceae)梓树属(Catalpa)楸树组的高大落叶乔木，是我国珍贵的优质用材和园林观赏树种，被誉为“木王”，其木材质地坚韧致密，不易虫蛀，耐磨、耐腐、隔潮，被广泛应用于建筑、家具、工艺等行业。滇楸由于自花不孕，结实量极少，种子发芽率低，且扦插生根困难，目前主要通过常规嫁接方法繁殖苗木。滇楸嫁接一般选用梓树(C.ovata G.Don)或黄金树(C.speciosa Ward)的一年生实木苗作砧木，滇楸良种的当年生嫩枝作接穗进行嫁接。嫁接方法主要采用芽接、劈接等。
采用常规嫁接方法(芽接、劈接)繁殖滇楸需要培育大量的砧木与接穗，培育砧木一般需要1～2年，接穗需要当年生枝条，耗财耗力耗时且占地面积大，成活率也一般只有70％左右，繁殖系数低，而且嫁接受季节限制，只能在春秋季进行，严重阻碍了滇楸种苗的大规模生产。同时，由于嫁接当年接穗生长量较大，接穗与砧木切口结合处极易脱离，抗风性差。嫁接苗的砧木基部还易产生大量萌条，后期管理需要不断对砧木进行抹芽除萌，管理成本亦大幅增加，若管理措施稍不到位则易降低成活率。
试管苗微型嫁接又称微嫁接，是一种在试管内将砧木与接穗进行嫁接的技术，它是植物组织培养与嫁接技术的结合，兼具两者的优点。它以组织培养为基础，嫁接植株在人工控制的无菌环境条件下培养，排除了外界环境因素对嫁接成活的影响，而且繁殖系数高，成本低，时间短，占地面积小，还不受季节环境的限制。嫁接技术还可以借助砧木的特性，提高植株的抗病虫、抗寒、抗旱、耐涝和耐盐碱等能力，从而提高植物对环境的适应能力，解决植物栽培生产中遇到的各种问题，己被广泛应用于农业、林业以及园艺植物生产中，也成为各种基础理论研究的重要工具。
目前，植物的试管苗微型嫁接主要以锡纸作为接穗与砧木的绑缚和固定材料，这种方法要求操作细致，耗时长，稍有不当便会导致接穗与砧木固定不牢和松动，导致两者形成层不易对齐，嫁接成活率低。
发明内容
鉴于当前滇楸种苗常规繁殖方法(芽接、劈接)受季节环境限制，占地面积大，育苗时间长，繁殖系数低，成本高，嫁接后管理要求严格等问题，本发明的目的在于提供一种简易高效的滇楸与梓树的试管苗嫁接方法。
另外，为了解决目前植物试管苗微型嫁接中以锡纸作为接穗与砧木的绑缚和固定材料时，要求操作细致，耗时长，且接穗与砧木不易固定，形成层不易对齐，嫁接成活率低的问题，本发明在进行滇楸与梓树的组培苗微型嫁接时，使用透明硅胶管作为接穗与砧木的绑缚和固定材料，除了具有不受季节环境限制，占地面积小，繁殖系数高，嫁接苗后期管理简单，成苗快等试管苗微型嫁接的一般优势之外，还具有操作简单方便，耗时短，接穗与砧木容易固定，形成层容易对齐，嫁接成活率高的优点，非常适合滇楸的种苗生产。
为了实现本发明的上述目的，发明人通过大量试验研究滇楸与梓树的试管苗微型嫁接技术条件，最终提供了一种简易高效的滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法。具体地，该方法包含下述步骤：
(1)接穗培育：于6～9月采集长势良好的1年生滇楸嫩枝进行初代培养、增殖培养和壮苗培养，获得大量茎段伸长、直径变粗的组培苗，备用；
(2)砧木培育：于6～9月采集长势良好的1年生梓树嫩枝进行初代培养、增殖培养和壮苗培养，获得大量茎段伸长、直径变粗的组培苗，备用；
(3)嫁接(于无菌环境下采用斜接法进行组培苗嫁接，使用透明管固定砧木和接穗)：
①接穗处理：壮苗培养35～45d，选取生长旺盛、直径1.5～2mm、高≥4.0cm的滇楸组培苗，于无菌环境下切取其形态学上端1.8～2.2cm的茎段，产生斜切长度0.5～0.6cm的平滑切面，保留3～4个芽及顶部1～2片幼叶；
②砧木处理：壮苗培养35～45d，选取生长旺盛、直径1.5～2mm、高≥4.0cm的梓树组培苗，于无菌环境下切除其茎顶、所有叶片及根部(或底部愈伤组织)，保留长2～3cm的主茎部分作为砧木，抹除主茎上的芽，然后将砧木形态学上端斜切，产生长度0.5～0.6cm的平滑切面；
③无菌微型嫁接：在无菌环境下，将切好的接穗和砧木放入灭菌的透明管内，接穗和砧木的切口紧密接触，使形成层对齐，并在透明管内固定；整个嫁接过程保持无菌操作，最后将完成的嫁接苗插入生根培养基中，于培养室内培养；
(4)嫁接苗移栽：将育苗基质土分装于花盆内，保持基质土松散、透水、透气。嫁接40～45d，培养基内嫁接苗切口完全愈合，苗成功生根(根系长度≥1cm)，且接穗正常生长发育，有萌芽现象出现时，进行无菌嫁接苗移栽；移栽时，洗净嫁接苗根部附着的培养基，保持茎段直立将苗根部种植于基质土内，覆土深1.5～2.5cm，浇透水，并覆盖透明塑料杯；
(5)移栽后管理：将移栽苗置于湿度70％～80％、温度(25±2)℃的条件下培养，光照时间15～17h﹒d-1，期间不需要浇水；待15～20d后移除塑料杯，并移除嫁接苗茎段上的透明管，任其自然生长，随后进行苗木常规管理。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(3)中所述的透明管为透明硅胶管；所述的透明硅胶管的内径2.0～2.5mm，外径4.0～4.5mm；进一步优选为所述的透明硅胶管的内径2.0mm，外径4.0mm。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(1)和(2)的初代培养基配制方法为：以DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.8％琼脂(w/v)+1.0g﹒L-1活性炭+1.0mg﹒L-1 6-BA+0.1mg﹒L-1IBA，用1M NaOH调节pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(1)和(2)的增殖培养基配制方法为：以DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.6％琼脂(w/v)+3.0mg﹒L-1 6-BA+0.2mg﹒L-1IBA，用1M NaOH调节pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(1)和(2)的壮苗培养基配制方法为：以DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.8％琼脂(w/v)+1.0mg﹒L-1 6-BA+0.1mg﹒L-1IBA，用1M NaOH调节pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(3)的生根培养基配制方法为：以DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.8％琼脂(w/v)+0.2mg﹒L-1NAA+0.1mg﹒L-1IBA，用1M NaOH调节培养基pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(3)的透明硅胶管的灭菌方法为：将透明硅胶管((内径*外径))剪成长度约1.0～1.5cm的短管，放入封口瓶内，于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(3)的嫁接苗插入生根培养基中时，要求砧木插入培养基深0.8～1.2cm，保持硅胶管不接触培养基。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(1)、(2)和(3)所有植物材料均置于(25±2)℃的组培室内培养，随机排列，光照1500～2000lx，光照时间为15～17h﹒d-1。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(4)的无菌苗移栽前，组培瓶需于自然环境下开盖放置24～48h。
优选地，如上所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其中步骤(4)的基质土采用泥炭土：珍珠岩＝1:1的体积比例混合的复合基质。
本发明的有益效果是：不仅具有试管苗微型嫁接的一般优势，而且采用透明硅胶管作为接穗(滇楸)与砧木(梓树)的绑缚和固定材料，嫁接操作简单，耗时短，嫁接成活率高。同时，还可以根据组培苗的大小选择不同规格的硅胶管，对接穗与砧木的大小规格要求不严格。嫁接苗后期管理和普通组培苗管理一致，操作简单。相比现有技术，本发明主要具有以下优势：
(1)与当前滇楸种苗生产中常规的芽接与劈接等嫁接方式相比，本发明具有不受季节环境限制，占地面积小，时间短，繁殖系数高，成本低等优点，而且接穗与砧木处于无菌环境，伤口易愈合，嫁接成活率高，成苗快。同时，由于砧木在嫁接过程中进行了抹芽，生长点被去除，可节省嫁接后砧木抹芽除萌等管理工作的耗时与成本。
(2)与目前以锡纸作为接穗与砧木的绑缚和固定材料的试管苗微型嫁接方法相比，本发明具有操作简单方便，耗时短，接穗与砧木容易固定，形成层容易对齐，嫁接成活率高的优点。
附图说明
图1为斜接法分别以透明硅胶管与锡纸为绑缚材料进行滇楸与梓树的组培苗微型嫁接实物图；
图2为劈接法分别以透明硅胶管与锡纸为绑缚材料进行滇楸与梓树的组培苗微型嫁接实物图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
1.嫁接材料准备步骤：
(1)材料选择：选择滇楸优良单株作为接穗材料，梓树优良单株作为砧木材料。
(2)初代培养基配制：选择DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.8％琼脂(w/v)+1.0g﹒L-1活性炭+1.0mg﹒L-1 6-BA+0.1mg﹒L-1IBA，用1MNaOH调节pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min，待冷却至固体后使用。
(3)接穗与砧木的初代培养：滇楸与梓树的茎段均先用稀洗衣粉液浸泡1～2min，自来水冲洗2h；然后用400mg﹒L-1青霉素+200mg﹒L-1链霉素液浸泡15min，100mg﹒L-1PVP浸泡5min，用蒸馏水清洗30s。随后转入超净工作台，用70％酒精消毒30s，无菌水冲洗2次，30s·次-1；再用0.1％升汞消毒6.5min，无菌水冲洗4次，30s·次-1。最后切成长1～2cm的带芽茎段，接种于初代培养基中，培养约30d后，便可获得接穗与砧木腋芽萌发的组培苗。
(4)增殖培养基配制：DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.6％琼脂(w/v)+3.0mg﹒L-1 6-BA+0.2mg﹒L-1IBA，用1M NaOH调节pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min，待冷却至固体后使用。
(5)接穗与砧木的增殖培养：取滇楸与梓树初代培养中腋芽萌发的长1～2cm的幼芽，接种于增殖培养基中进行增殖，培养约35d后，便可获得大量增殖的接穗与砧木的组培苗。
(6)壮苗培养基配制：DKW(Driver and Kuniyuki Walnut)为基本培养基，添加2.5％蔗糖(w/v)+0.8％琼脂(w/v)+1.0mg﹒L-1 6-BA+0.1mg﹒L-1IBA，用1M NaOH调节pH至5.8～6.0。培养基于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min，待冷却至固体后使用。
(7)接穗与砧木的培育：取滇楸与梓树高于1cm的增殖试管苗，接种于壮苗培养基中，培养约40d后，便可获得生长旺盛的直径1.5～2mm、高≥4.0cm的接穗与砧木的组培苗用于微型嫁接。
(8)组培苗培养条件：所有植物材料均置于(25±2)℃的组培室内培养，随机排列，光照1500～2000lx，光照时间为16h﹒d-1。
2.嫁接方法与绑缚材料筛选步骤：
比较斜接法与劈接法2种嫁接方法，以及透明硅胶管与不透光锡纸(市售)2种嫁接绑缚材料对嫁接的影响，筛选适宜的组培苗微型嫁接方法与绑缚材料。其中，不透光锡纸(市售)为目前组培苗微型嫁接中常用的绑缚材料，以此作为对比。
(1)方法一：采用斜接法嫁接，以透明硅胶管为绑缚材料(图1)
①嫁接绑缚材料准备：选择透明硅胶管((内径*外径))为嫁接绑缚材料，剪成长度约1cm的短管，放入封口瓶内，于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
②接穗处理：壮苗培养40d左右，选取生长旺盛的滇楸组培苗(直径1.5～2mm，高≥4.0cm)，于超净工作台内，用刀片切取其形态学上端约2cm的茎段，产生斜切长度约0.5～0.6cm的切面，切口平整，保留3～4个芽及顶部1～2片幼叶。
③砧木处理：壮苗培养40d左右，选取生长旺盛的梓树组培苗(直径1.5～2mm，高≥4.0cm)，于超净工作台内，用刀片切除其茎顶、所有叶片与根部(或底部愈伤组织)，保留长约2cm的主茎部分作为砧木，抹除主茎上的芽，然后用刀片将砧木形态学上端斜切，产生长度约0.5～0.6cm的平滑切面。
④无菌微型嫁接：在超净工作台内，用镊子将切好的接穗和砧木放入无菌的透明硅胶管内，要求两者的切口紧密接触，形成层对齐，并在硅胶管内固定。整个嫁接过程保持无菌操作，最后将完成的嫁接苗插入生根培养基中培养，砧木插入培养基深约1cm，保持硅胶管不接触培养基，共嫁接30株，记录嫁接操作耗时。
⑤培养条件：嫁接苗接种于无菌的生根培养基(DKW基本培养基+2.5％蔗糖(w/v)+0.8％琼脂(w/v)+0.2mg﹒L-1NAA+0.1mg﹒L-1IBA)中，于(25±2)℃的组培室内培养，随机排列，光照1500～2000lx，光照时间为16h﹒d-1。于接种45d后统计嫁接成活率与嫁接苗生根率等。
(2)方法二(对比例1)：采用斜接法嫁接，以不透光锡纸(市售)为绑缚材料(图1)
①嫁接绑缚材料准备：选择锡纸(市售)为嫁接绑缚材料，剪成宽1.0～1.5cm的长方形，并做微弯曲状，放入封口瓶内，于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌20min。
②接穗处理：与嫁接方法(1)中的步骤②相同。
③砧木处理：与嫁接方法(1)中的步骤③相同。
④无菌微型嫁接：在超净工作台内，用镊子将接穗和砧木两者的切口紧密接触，形成层对齐，切口连接处放置在裁剪好的灭菌锡纸上，用镊子将锡纸缓慢卷起，紧密包裹并固定嫁接苗。整个嫁接过程保持无菌操作，最后将完成的嫁接苗插入生根培养基中培养，砧木插入培养基深约1cm，保持锡纸不接触培养基，共嫁接30株，记录嫁接操作耗时。
⑤培养条件：与嫁接方法(1)中的步骤⑤相同。
(3)方法三：采用劈接法嫁接，以透明硅胶管为绑缚材料(图2)
①嫁接绑缚材料准备：与嫁接方法(1)中的步骤①相同。
②接穗处理：壮苗培养40d，选取生长旺盛的滇楸组培苗(直径1.5～2mm，高≥4.0cm)，于超净工作台内，用刀片切取其形态学上端约2cm的茎段，产生斜切长度约0.5～0.8cm的楔形切面，切口平整，保留3～4个芽及顶部1～2片幼叶。
③砧木处理：壮苗培养40d，选取生长旺盛的梓树组培苗(直径1.5～2mm，高≥4.0cm)，于超净工作台内，用刀片切除其茎顶、所有叶片与根部(或底部愈伤组织)，保留长约2cm的主茎部分作为砧木，抹除主茎上的芽，然后用刀片将砧木形态学上端垂直劈开(纵切)，切口深约0.5～0.8cm。
④无菌微型嫁接：在超净工作台内，用镊子将接穗的楔形切面插入砧木中，使两者的切口紧密接触，形成层对齐。用无菌的透明硅胶管从砧木一侧缓慢套入嫁接茎段，准确固定在切口处。整个嫁接过程保持无菌操作，最后将完成的嫁接苗插入生根培养基中培养，砧木插入培养基深约1cm，保持硅胶管不接触培养基，共嫁接30株，记录嫁接操作耗时。
⑤培养条件：与嫁接方法(1)中的步骤⑤相同。
(4)方法四(对比例2)：采用劈接法嫁接，以不透光锡纸(市售)为绑缚材料(图2)
①嫁接绑缚材料准备：与嫁接方法(2)中的步骤①相同。
②接穗处理：与嫁接方法(3)中的步骤②相同。
③砧木处理：与嫁接方法(3)中的步骤③相同。
④无菌微型嫁接：在超净工作台内，用镊子将接穗的楔形切面插入砧木中，使两者的切口紧密接触，形成层对齐，切口连接处放置在裁剪好的无菌锡纸上，用镊子将锡纸缓慢卷起，紧密包裹并固定嫁接苗。整个嫁接过程保持无菌操作，最后将完成的嫁接苗插入生根培养基中培养，砧木插入培养基深约1cm，保持锡纸不接触培养基，共嫁接30株，记录嫁接操作耗时。
⑤培养条件：与嫁接方法(1)中的步骤⑤相同。
嫁接方法与绑缚材料筛选的试验结果见表1。通过表1的试验结果可知：(1)透明硅胶管在嫁接操作时视野清晰，操作方便，接穗与砧木容易固定，耗时短，嫁接口容易愈合，嫁接成活率高。锡纸作为绑缚材料时，嫁接操作耗时长，接穗与砧木容易失水，而且锡纸不易固定，易造成接穗与砧木形成层对不齐，嫁接口不易愈合，嫁接成活率低。(2)以透明硅胶管为绑缚材料时，采用斜接法嫁接操作方便，耗时最短，嫁接口容易愈合，嫁接成活率最高。采用劈接法嫁接时，操作耗时稍长且茎段易折断，效率略低。以锡纸(市售)为绑缚材料时，劈接法比斜接法更容易使接穗与砧木固定，嫁接操作耗时相对短一些，成活率略高。总体而言，采用斜接法嫁接，以透明硅胶管((内径*外径))为绑缚材料进行滇楸与梓树的试管苗微型嫁接最为适宜，嫁接操作简单，耗时短，嫁接口容易愈合，成活率高。
表1滇楸与梓树组培苗微型嫁接方法与绑缚材料对比
3.嫁接苗移栽：
(1)移栽基质准备：将育苗基质土(泥炭土：珍珠岩＝1:1)分装于塑料花盆内(60mm×90mm×70mm，底部有排水孔)，顶部预留约3cm便于覆土和浇水，保持基质土松散、透水和透气。
(2)嫁接苗移栽：嫁接40～45d，培养基内嫁接苗切口完全愈合，并成功生根(根系长度≥1cm)，接穗正常生长发育，有萌芽现象出现时，便可进行无菌嫁接苗移栽。移栽前，将组培瓶于自然环境下开盖放置24～48h。移栽时，用自来水洗净嫁接苗根部附着的琼脂培养基，保持茎段直立将苗根部种植于基质土内，覆土深1.5～2.5cm，浇透水，并覆盖透明塑料杯保湿。
4.嫁接苗移栽后的管理：
将移栽苗置于培养箱内培养，培养箱内湿度控制在70％～80％，温度控制在(25±2)℃，光照时间16h﹒d-1，期间不需要浇水。待15～20d后移除塑料杯，并用剪刀精准移除嫁接苗茎段上的硅胶管，任其自然生长。随后进行苗木常规管理，约3～4d浇水一次。移栽60d后，成活率可达到92.31％。

Claims (10)

1.一种滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，该方法包含下述步骤：
(1)接穗培育：于6～9月采集长势良好的滇楸1年生嫩枝进行初代培养、增殖培养和壮苗培养，获得大量茎段伸长、直径变粗的组培苗，备用；
(2)砧木培育：于6～9月采集长势良好的梓树1年生嫩枝进行初代培养、增殖培养和壮苗培养，获得大量茎段伸长、直径变粗的组培苗，备用；
(3)嫁接：
①接穗处理：壮苗培养35～45d，选取生长旺盛、直径1.5～2mm、高≥4.0cm的滇楸组培苗，于无菌环境下切取其形态学上端1.8～2.2cm的茎段，产生斜切长度0.5～0.6cm的平滑切面，保留3～4个芽及顶部1～2片幼叶；
②砧木处理：壮苗培养35～45d，选取生长旺盛、直径1.5～2mm、高≥4.0cm的梓树组培苗，于无菌环境下切除其茎顶、所有叶片及根部或底部愈伤组织，保留长2～3cm的主茎部分作为砧木，抹除主茎上的芽，然后将砧木形态学上端斜切，产生长度0.5～0.6cm的平滑切面；
③无菌微型嫁接：在无菌环境下，将切好的接穗和砧木放入灭菌的透明管内，接穗和砧木的切口紧密接触，使形成层对齐，并在透明管内固定；整个嫁接过程保持无菌操作，最后将完成的嫁接苗插入生根培养基中，于培养室内培养；
(4)嫁接苗移栽：将育苗基质土分装于花盆内，保持基质土松散、透水、透气；嫁接40～45d左右，培养基内嫁接苗切口完全愈合，苗成功生根，根系长度≥1cm，且接穗正常生长发育，有萌芽现象出现时，进行无菌嫁接苗移栽；移栽时，洗净嫁接苗根部附着的培养基，保持茎段直立将苗根部种植于基质土内，覆土深1.5～2.5cm，浇透水，并覆盖透明塑料杯；
(5)移栽后管理：将移栽苗置于湿度70％～80％、温度(25±2)℃的条件下培养，光照时间15～17h.d-1，期间不需要浇水；待15～20d后移除塑料杯，并移除嫁接苗茎段上的透明管，任其自然生长，随后进行苗木常规管理。
2.根据权利要求1所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(3)中所述的透明管为透明硅胶管。
3.根据权利要求2所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，所述的透明硅胶管的内径2.0～2.5mm，外径4.0～4.5mm。
4.根据权利要求1所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，所述的透明硅胶管的内径2.0mm，外径4.0mm。
5.根据权利要求1所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(1)和(2)的初代培养基配制方法为：以DKW为基本培养基，添加2.5％蔗糖+0.8％琼脂+1.0g﹒L-1活性炭+1.0mg﹒L-16-BA+0.1mg﹒L-1IBA，调节pH至5.8～6.0，灭菌；
步骤(1)和(2)的增殖培养基配制方法为：以DKW为基本培养基，添加2.5％蔗糖+0.6％琼脂+3.0mg﹒L-16-BA+0.2mg﹒L-1IBA，调节pH至5.8～6.0，灭菌；
步骤(1)和(2)的壮苗培养基配制方法为：以DKW为基本培养基，添加2.5％蔗糖+0.8％琼脂+1.0mg﹒L-16-BA+0.1mg﹒L-1IBA，调节pH至5.8～6.0，灭菌；
步骤(3)的生根培养基配制方法为：DKW为基本培养基，添加2.5％蔗糖+0.8％琼脂+0.2mg﹒L-1NAA+0.1mg﹒L-1IBA，调节pH至5.8～6.0，灭菌。
6.根据权利要求2所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(3)的透明硅胶管的灭菌方法为：将透明硅胶管剪成长度1.0～1.5cm的短管，放入封口瓶内，于121℃、1.1kg﹒cm2灭菌锅中灭菌15～20min。
7.根据权利要求2所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(3)的嫁接苗插入生根培养基中时，要求砧木插入培养基深0.8～1.2cm，保持透明硅胶管不接触培养基。
8.根据权利要求1所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(1)、(2)和(3)所有植物材料均置于(25±2)℃的组培室内培养，随机排列，光照1500～2000lx，光照时间为15～17h﹒d-1。
9.根据权利要求1所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(4)的无菌苗移栽前，组培瓶需于自然环境下开盖放置24～48h。
10.根据权利要求1所述滇楸与梓树的组培苗微型嫁接方法，其特征在于，步骤(4)的基质土采用泥炭土：珍珠岩＝1:1的体积比例混合的复合基质。
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