CN106711326A - 阻变存储器及其制备方法 - Google Patents
阻变存储器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106711326A CN106711326A CN201510797248.XA CN201510797248A CN106711326A CN 106711326 A CN106711326 A CN 106711326A CN 201510797248 A CN201510797248 A CN 201510797248A CN 106711326 A CN106711326 A CN 106711326A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistance layer
- alo
- storing device
- variable storing
- change resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002711 AuNi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001012508 Carpiodes cyprinus Species 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical group [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括在衬底上由下至上依次沉积的下电极、阻变层和上电极，其中，阻变层为AlOx阻变层，0.3<x<1.2。本发明提供的阻变存储器及其制备方法，不仅解决了现有的阻变存储器的阻变层质量差、制备工艺复杂、制备成本高以及与传统的CMOS工艺兼容性差的问题；而且还解决了现有的阻变存储器需要较大激活电压来激活而造成外围电路复杂的问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种阻变存储器及其制备方法。
背景技术
长久以来人们一直在寻求一种拥有高存储密度、快速编程、低成本、低能耗的非易失性存储器，即使断开电源后数据仍然能够保存。随着半导体器件的特征尺寸逐渐减小，基于电荷存储的传统存储技术将走到物理和技术的极限，例如，铁电存储器(FeRAM)和磁存储器(MRAM)受到器件缩放方面的挑战，最主要原因是在越来越小的器件中很难稳定保持住足够多的电子。
近来，基于非电荷存储机制的阻变存储器(RRAM)作为一种新型非易失性存储器受到了人们的广泛关注。图1为现有的阻变存储器的结构示意图，包括在衬底S上由下至上依次形成的下电极层1、钙钛氧化物阻变层2和上电极层3。采用图1所述的阻变存储器会存在以下问题：由于钙钛氧化物材料的成分较为复杂，难以获得所需的精确化学比的晶体结构，特别是采用磁控溅射方式，因此，不仅极大地影响了该钙钛氧化物的成膜质量；若采用其他方式，不仅与传统的CMOS工艺兼容性不好，在一定程度上阻碍其发展和应用，而且还制备成本高。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阻变存储器及其制备方法，不仅解决了现有的阻变存储器的阻变层质量差、制备工艺复杂、制备成本高以及与传统的CMOS工艺兼容性差的问题；而且还解决了现有的阻变存储器需要较大激活电压来激活而造成外围电路复杂的问题。
为解决上述问题之一，本发明提供了一种阻变存储器，所述阻变存储器包括在衬底上由下至上依次沉积的下电极、阻变层和上电极，其中，阻变层为AlOx阻变层，0.3<x<1.2。
具体地，所述上电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物；以及所述下电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物。
具体地，所述单质金属为Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；所述合金金属为AuNi、AlNi或AuTi；所述导电氧化物电极为ITO或IZGO；所述导电氮化物电极为AlN或TiN。
具体地，所述上电极和所述下电极的厚度的取值范围均为25～350nm。
具体地，所述AlOx阻变层的厚度的取值范围为18～230nm。
本发明还提供一种阻变存储器的制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成AlOx阻变层，0.3<x<1.2；在所述AlOx阻变层上形成上电极。
具体地，采用磁控溅射方法形成所述下电极、所述AlOx阻变层和所述上电极。
具体地，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺步骤包括：A，开启溅射电源，通入工艺气体，沉积所述AlOx阻变层；B，关闭溅射电源，持续通入工艺气体，以进行冷却；重复执行所述步骤A和B，直至所述AlOx阻变层厚度满足要求。
具体地，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺参数包括：工艺气体包括氧气和氩气，所述氧气的气体流量与所述氧气和所述氩气的总气体流量的比值范围为0.1％～5％。
具体地，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺参数包括：溅射电源采用脉冲直流电源，所述脉冲直流电源的输出脉冲直流信号的占空比的范围为5％～30％；脉冲频率范围在10～300kHz。
具体地，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺参数包括：工艺压强为12～17mT。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的阻变存储器与现有技术相比，由于阻变层采用结构相对简单的AlOx阻变层，因此，不仅制备工艺简单，且能够获得较满意的薄膜质量；而且还可采用与传统的CMOS工艺兼容性好且成本较低的磁控溅射方法沉积该AlOx阻变层，因此，可解决现有的阻变存储器的制备成本高以及与传统的CMOS工艺兼容性差的问题；另外，由于x的取值范围为0.3<x<1.2的AlOx阻变层的缺陷含量较高，因此，不需要大的激活电压来激活，从而可简化外围电路设计。
本发明提供的阻变存储器的制备方法与现有技术相比，由于形成结构相对简单的AlOx阻变层，因此，不仅制备工艺相对简单，且能够获得较满意的薄膜质量；而且可采用与传统的CMOS工艺兼容性好且成本较低的磁控溅射方法沉积该AlOx阻变层，因此，可解决现有的阻变存储器的制备成本高以及与传统的CMOS工艺兼容性差的问题；另外，由于x的取值范围为0.3<x<1.2的AlOx阻变层的缺陷含量较高，因此，不需要大的激活电压来激活，从而可简化外围电路设计。
附图说明
图1为现有的阻变存储器的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阻变存储器的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的阻变存储器的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的阻变存储器及其制备方法进行详细描述。
实施例1
图2为本发明实施例提供的阻变存储器的结构示意图。请参阅图2，本发明实施例提供的阻变存储器包括在衬底S上由下至上依次沉积的下电极10、阻变层11和上电极12，其中，阻变层11为AlOx阻变层，0.3<x<1.2。
本发明实施例提供的阻变存储器与现有技术相比，由于阻变层11采用结构相对简单的AlOx阻变层，因此，不仅制备工艺简单，且能够获得较满意的薄膜质量；而且还可采用与传统的CMOS工艺兼容性好且成本较低的磁控溅射方法沉积该AlOx阻变层，因此，可解决现有的阻变存储器的制备成本高以及与传统的CMOS工艺兼容性差的问题；另外，由于x的取值范围为0.3<x<1.2的AlOx阻变层11的缺陷含量较高，因此，不需要大的激活电压来激活，从而可简化外围电路设计。
在本实施例中，上电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物，以及下电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物，上电极和下电极二者可相同也可不同。具体地，单质金属为Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；合金金属为AuNi、AlNi或AuTi；导电氧化物电极为ITO或IZGO；导电氮化物电极为AlN或TiN。
衬底S一般由二氧化硅、玻璃、掺杂单晶硅、多晶硅或者其他绝缘材料制成，其主要起到支撑整个阻变存储器结构的作用。
优选地，上电极和下电极的厚度的取值范围均为25～350nm。
另外，优选地，AlOx阻变层11的厚度的取值范围为18～230nm，在该厚度范围内的AlOx阻变层11，不需要较大的激活电压进行激活，因此，可进一步简化外围电路的设计。
实施例2
图3为本发明实施例提供的阻变存储器的制备方法的流程图，请参阅图3，本发明实施例提供的阻变存储器的制备方法，包括以下步骤：
S1，预先清洗衬底。
具体地，衬底一般由二氧化硅、玻璃、掺杂单晶硅、多晶硅或者其他绝缘材料制成，其主要起到支撑整个阻变存储器结构的作用。借助该步骤S1来保证衬底清洁无污染，从而保证阻变存储器的品质。
S2，在衬底上形成下电极。
具体地，下电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物。具体地，单质金属为Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；合金金属为AuNi、AlNi或AuTi；导电氧化物电极为ITO或IZGO；导电氮化物电极为AlN或TiN。
S3，在下电极上形成AlOx阻变层，0.3<x<1.2。
S4，在AlOx阻变层上形成上电极。
具体地，上电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物。具体地，单质金属为Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；合金金属为AuNi、AlNi或AuTi；导电氧化物电极为ITO或IZGO；导电氮化物电极为AlN或TiN。
本发明实施例提供的阻变存储器的制备方法与现有技术相比，由于在步骤S3中形成结构相对简单的AlOx阻变层，因此，不仅制备工艺相对简单，且能够获得较满意的薄膜质量；而且可采用与传统的CMOS工艺兼容性好且成本较低的磁控溅射方法沉积该AlOx阻变层，因此，可解决现有的阻变存储器的制备成本高以及与传统的CMOS工艺兼容性差的问题；另外，由于x的取值范围为0.3<x<1.2的AlOx阻变层的缺陷含量较高，因此，不需要大的激活电压来激活，从而可简化外围电路设计。
在本实施例中，优选地，采用磁控溅射方法形成下电极、AlOx阻变层和上电极，这样，仅需要磁控溅射设备即可完成上述步骤S1～S3，因此，可降低设备投入成本，从而进一步降低生产成本。
步骤S3中，形成的AlOx阻变层的厚度的取值范围为18～230nm。
步骤S3中，采用磁控溅射方法形成AlOx阻变层的工艺参数包括：工艺气体包括氧气和氩气，所述氧气的气体流量与所述氧气和所述氩气的总气体流量的比值范围在0.1％～5％，用以形成x的取值范围为0.3<x<1.2的AlOx阻变层。
另外，采用磁控溅射方法形成AlOx阻变层的工艺参数还包括：溅射电源采用脉冲直流电源，脉冲直流电源的输出脉冲直流信号的占空比的范围为5％～30％；脉冲频率范围在10～300kHz；工艺压强为12～17mT。
具体地，在本实施例中，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺步骤包括：
A，开启溅射电源，通入工艺气体，沉积AlOx阻变层。
B，关闭溅射电源，持续通入工艺气体，以进行冷却。
重复执行所述步骤A和B，直至所述AlOx阻变层厚度满足要求。
下表为采用磁控溅射方法形成AlOx阻变层的工艺配方：
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括在衬底上由下至上依次沉积的下电极、阻变层和上电极，其中
所述阻变层为AlOx阻变层，0.3<x<1.2。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物；以及
所述下电极为单质金属、合金金属、导电的氧化物或导电的氮化物。
3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，所述单质金属为Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；所述合金金属为AuNi、AlNi或AuTi；所述导电氧化物电极为ITO或IZGO；所述导电氮化物电极为AlN或TiN。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极和所述下电极的厚度的取值范围均为25～350nm。
5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述AlOx阻变层的厚度的取值范围为18～230nm。
6.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上形成下电极；
在所述下电极上形成AlOx阻变层，0.3<x<1.2；
在所述AlOx阻变层上形成上电极。
7.根据权利要求6所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法形成所述下电极、所述AlOx阻变层和所述上电极。
8.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺步骤包括：
A，开启溅射电源，通入工艺气体，沉积所述AlOx阻变层；
B，关闭溅射电源，持续通入工艺气体，以进行冷却；
重复执行所述步骤A和B，直至所述AlOx阻变层厚度满足要求。
9.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺参数包括：工艺气体包括氧气和氩气，所述氧气的气体流量与所述氧气和所述氩气的总气体流量的比值范围为0.1％～5％。
10.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺参数包括：溅射电源采用脉冲直流电源，所述脉冲直流电源的输出脉冲直流信号的占空比的范围为5％～30％；脉冲频率范围在10～300kHz。
11.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法形成所述AlOx阻变层的工艺参数包括：工艺压强为12～17mT。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510797248.XA CN106711326A (zh) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 阻变存储器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510797248.XA CN106711326A (zh) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 阻变存储器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106711326A true CN106711326A (zh) | 2017-05-24 |
Family
ID=58933604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510797248.XA Pending CN106711326A (zh) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 阻变存储器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106711326A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101183681A (zh) * | 2006-11-16 | 2008-05-21 | 旺宏电子股份有限公司 | 用于提升保存能力的双稳态阻抗随机存取存储器结构 |
| US8116116B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-02-14 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Resistance RAM having oxide layer and solid electrolyte layer, and method for operating the same |
| CN102610749A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变型随机存储单元及存储器 |
| CN103474572A (zh) * | 2013-09-28 | 2013-12-25 | 复旦大学 | 一种基于柔性衬底的具有crs行为的阻变存储器及其制备方法 |
| CN103682090A (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 复旦大学 | 电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器 |
| CN104637971A (zh) * | 2013-11-08 | 2015-05-20 | 财团法人工业技术研究院 | 通孔结构、存储器阵列、三维电阻式存储器与其形成方法 |
| CN105789433A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 北京有色金属研究总院 | 一种阻变存储器及其制作方法 |
-
2015
- 2015-11-18 CN CN201510797248.XA patent/CN106711326A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101183681A (zh) * | 2006-11-16 | 2008-05-21 | 旺宏电子股份有限公司 | 用于提升保存能力的双稳态阻抗随机存取存储器结构 |
| US8116116B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-02-14 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Resistance RAM having oxide layer and solid electrolyte layer, and method for operating the same |
| CN102610749A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变型随机存储单元及存储器 |
| CN103682090A (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 复旦大学 | 电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器 |
| CN103474572A (zh) * | 2013-09-28 | 2013-12-25 | 复旦大学 | 一种基于柔性衬底的具有crs行为的阻变存储器及其制备方法 |
| CN104637971A (zh) * | 2013-11-08 | 2015-05-20 | 财团法人工业技术研究院 | 通孔结构、存储器阵列、三维电阻式存储器与其形成方法 |
| CN105789433A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 北京有色金属研究总院 | 一种阻变存储器及其制作方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CY LIN等: "Bistable Resistive Switching in Al2O3 Memory Thin Films", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 * |
| Y WU等: "AlOx-Based Resistive Switching Device with Gradual Resistance Modulation for Neuromorphic Device Application", 《IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI402980B (zh) | 具有緩衝層之電阻式記憶結構 | |
| CN103258857B (zh) | 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法 | |
| TWI502780B (zh) | 電阻式記憶體單元 | |
| CN101106171B (zh) | 包括可变电阻材料的非易失存储器 | |
| CN103904088B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| TW201802810A (zh) | 半導體裝置 | |
| Hu et al. | High speed and multi-level resistive switching capability of Ta2O5 thin films for nonvolatile memory application | |
| CN101826598B (zh) | 一种多态有机阻变存储器及制备方法 | |
| US10305033B2 (en) | Resistive random access memory | |
| JP2008244018A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Katiyar et al. | Unipolar resistive switching in planar Pt/BiFeO3/Pt structure | |
| US10714179B2 (en) | Hybrid memory devices | |
| CN102194995A (zh) | 一种基于氧化锌的极性可控阻变存储器及其制备方法 | |
| CN103490769A (zh) | 一种基于rram在fpga中应用的1t1r阵列及其制作方法 | |
| CN115275004A (zh) | 一种基于离子扩散和相变机制实现忆阻器忆阻的方法 | |
| TWI549263B (zh) | 記憶體結構及其製備方法 | |
| TWI553636B (zh) | 電阻式記憶體及其製作方法 | |
| CN106711326A (zh) | 阻变存储器及其制备方法 | |
| Xu et al. | Conversion from memory to threshold resistance switching behavior by modulating compliance current | |
| CN106299111B (zh) | 一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法 | |
| CN106282924A (zh) | 一种具有（004）晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法 | |
| CN105957962A (zh) | 一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法 | |
| Li et al. | Resistive switching in Nb-doped SrZrO3 memory films: An effective approach with a Cu modulation layer | |
| TWI764624B (zh) | 導電橋式記憶體元件的製作方法 | |
| CN101826597B (zh) | 一种有机阻变存储器及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100176 No. 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Applicant after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing, Wenchang Road, No. 8, No. Applicant before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170524 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |