CN106711287B - 太阳能电池板抛光装置 - Google Patents
太阳能电池板抛光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106711287B CN106711287B CN201611263082.4A CN201611263082A CN106711287B CN 106711287 B CN106711287 B CN 106711287B CN 201611263082 A CN201611263082 A CN 201611263082A CN 106711287 B CN106711287 B CN 106711287B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pickling
- atomization chamber
- alkali cleaning
- solar panel
- alkali
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 40
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002663 nebulization Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本专利公开了一种太阳能电池板抛光装置，包括PECVD装置、碱洗结构、酸洗结构和传送带，所述PECVD结构位于传送结构进料端，酸洗结构位于传送结构出料端，所述碱洗结构位于PECVD结构和酸洗结构之间，所述传送带相应分为碱洗段和酸洗段，所述酸洗段长度长于碱洗段长度，所述传送带出料端为水洗结构。本装置抛光效果好。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池板制造装置领域，具体涉及一种太阳能电池板抛光装置。
背景技术
常规晶体硅太阳能电池生产中，经过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结等工序，最终制成太阳能电池片。太阳能电池的背面印刷有铝背场与背电极，其中铝背场的作用有两点：1）与硅共熔结晶形成重掺杂的P+层，降低硅体内的费米能级，提高电压；2）由于硅片厚度较薄，对入射到硅片内部的长波长的光无法完全吸收，铝层将未吸收的光再次反射至硅片内部，增加了光的利用率，提高了电流。如果在铝背场印刷前对硅片背面进行抛光处理，就可有利于形成更均匀的背场和提高光反射率，从而减少背表面的复合和增加光谱响应，提高太阳能电池的转换效率。但是现有的抛光装置仍会产生阶梯状，导致接触不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种避免抛光效果不好导致接触不良的太阳的电池板抛光装置。
为达到上述目的，本发明的基础方案如下：一种太阳能电池板抛光装置，包括PECVD装置、碱洗结构、酸洗结构和传送带，所述PECVD结构位于传送结构进料端，酸洗结构位于传送结构出料端，所述碱洗结构位于PECVD结构和酸洗结构之间，所述传送带相应分为碱洗段和酸洗段，所述酸洗段长度长于碱洗段长度，所述传送带出料端为水洗结构。
本发明的工作原理及有益效果如下：将太阳能电池板放置在传送带上，会首先经过PECVD装置进行处理，在硅片上镀上一层保护膜。然后经过传送带传送至碱洗结构下方，对太阳能电池板进行碱洗，对硅片背面进行抛光。在传送带碱洗段完成碱洗后进入到酸洗段，酸洗段长度长于碱洗段长度，这样在酸洗段不仅可以中和碱液，更可以对太阳鞥电池板的金属离子进行去除，避免阶梯状的产生，提高硅片背面的光滑度与洁净度，最后进行水洗，去除太阳能电池板表面的酸液，完成抛光，避免有阶梯状的出现。
优选方案一：作为基础方案的优选方案，所述碱洗结构包括碱液仓和雾化腔，所述碱液仓与雾化腔连通，所述雾化腔上的上部设有风管，雾化腔上碱洗液管和多个音叉。雾化腔的设置，增加碱液的冲击力，实现冲击带电，形成带正电荷的雾化碱液。风管设置在雾化腔的上部，风管的出风口与雾化通道对应；防止碱液管位于风管上方的时候，一些大液滴在下落到雾化腔底面，容易被风管的风吹走。雾化腔下部设置多个音叉，当水冲击音叉的时候，音叉会发处声音并高频振动，只要一个音叉发出声音振动，其他的音叉都会高频振动，高频振动可以将碱液振动雾化。碱洗效果更好。
优选方案二：作为优选方案一的优选方案，所述酸洗结构包括酸液仓和雾化腔，所述酸液仓与雾化腔连通，所述雾化腔上的上部设有风管，雾化腔上酸洗液管和多个音叉。雾化腔的设置，增加酸液的冲击力，实现冲击带电，形成带正电荷的雾化酸液。风管设置在雾化腔的上部，风管的出风口与雾化通道对应；防止酸液管位于风管上方的时候，一些大液滴在下落到雾化腔底面，容易被风管的风吹走。雾化腔下部设置多个音叉，当水冲击音叉的时候，音叉会发处声音并高频振动，只要一个音叉发出声音振动，其他的音叉都会高频振动，高频振动可以将酸液振动雾化。酸洗效果更好。
优选方案三：作为优选方案二的优选方案，所述酸液仓内的酸为HCl、HNO3的一种或混合酸，酸洗效果更好。
优选方案四：作为优选方案二的优选方案，所述酸洗结构和碱洗结构的温度均为70-100℃，此温度使抛光效果更好。
优选方案五：作为优选方案三的优选方案，所述水洗结构为超声波水洗结构，采用超声水洗，可以使硅片表面更加均匀，提高反射率，进而完善抛光效果。
附图说明
图1是碱洗结构的示意图；
图2是本发明太阳能电池板抛光装置实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
说明书附图中的附图标记包括：碱液仓1、碱洗液管2、雾化腔3、风管4、音叉5、PECVD装置6、碱洗结构7、酸洗结构8、水洗结构9、酸洗段10、传送带11、碱洗段12。
实施例基本如附图1所示：一种太阳能电池板抛光装置，包括PECVD装置6、碱洗结构7、酸洗结构8和传送带11，PECVD结构位于传送结构进料端，酸洗结构8位于传送结构出料端，碱洗结构7位于PECVD结构和酸洗结构8之间，传送带11相应分为碱洗段12和酸洗段10，酸洗段10长度长于碱洗段12长度，传送带11出料端为水洗结构9。
本发明的工作原理及有益效果如下：将太阳能电池板放置在传送带11上，会首先经过PECVD装置6进行处理，在硅片上镀上一层保护膜。然后经过传送带11传送至碱洗结构7下方，对太阳能电池板进行碱洗，对硅片背面进行抛光。在传送带11碱洗段12完成碱洗后进入到酸洗段10，酸洗段10长度长于碱洗段12长度，这样在酸洗段10不仅可以中和碱液，更可以对太阳鞥电池板的金属离子进行去除，避免阶梯状的产生，提高硅片背面的光滑度与洁净度，最后进行水洗，去除太阳能电池板表面的酸液，完成抛光，避免有阶梯状的出现。
碱洗结构7包括碱液仓1和雾化腔3，碱液仓1与雾化腔3连通，雾化腔3上的上部设有风管4，雾化腔3上碱洗液管2和多个音叉5。雾化腔3的设置，增加碱液的冲击力，实现冲击带电，形成带正电荷的雾化碱液。风管4设置在雾化腔3的上部，风管4的出风口与雾化通道对应；防止碱液管位于风管4上方的时候，一些大液滴在下落到雾化腔3底面，容易被风管4的风吹走。雾化腔3下部设置多个音叉5，当水冲击音叉5的时候，音叉5会发处声音并高频振动，只要一个音叉5发出声音振动，其他的音叉5都会高频振动，高频振动可以将碱液振动雾化。碱洗效果更好。酸洗结构8包括酸液仓和雾化腔3，酸液仓与雾化腔3连通，雾化腔3上的上部设有风管4，雾化腔3上酸洗液管和多个音叉5。雾化腔3的设置，增加酸液的冲击力，实现冲击带电，形成带正电荷的雾化酸液。风管4设置在雾化腔3的上部，风管4的出风口与雾化通道对应；防止酸液管位于风管4上方的时候，一些大液滴在下落到雾化腔3底面，容易被风管4的风吹走。雾化腔3下部设置多个音叉5，当水冲击音叉5的时候，音叉5会发处声音并高频振动，只要一个音叉5发出声音振动，其他的音叉5都会高频振动，高频振动可以将酸液振动雾化。酸洗效果更好。
将太阳能电池板放置在传送带11上，会首先经过PECVD装置6进行处理，在硅片上镀上一层保护膜。然后经过传送带11传送至碱洗结构7下方，对太阳能电池板进行碱洗，对硅片背面进行抛光。在传送带11碱洗段12完成碱洗后进入到酸洗段10，酸洗段10长度长于碱洗段12长度，这样在酸洗段10不仅可以中和碱液，更可以对太阳鞥电池板的金属离子进行去除，避免阶梯状的产生，提高硅片背面的光滑度与洁净度，最后进行水洗，去除太阳能电池板表面的酸液，完成抛光，避免有阶梯状的出现。
酸液仓内的酸为HCl、HNO3的一种或混合酸，酸洗效果更好。酸洗结构8和碱洗结构7的温度均为70-100℃，此温度使抛光效果更好。水洗结构9为超声波水洗结构9，采用超声水洗，可以使硅片表面更加均匀，提高反射率，进而完善抛光效果。
以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。
Claims (3)
1.一种太阳能电池板抛光装置，其特征在于，包括PECVD装置、碱洗结构、酸洗结构和传送带，所述PECVD结构位于传送结构进料端，酸洗结构位于传送结构出料端，所述碱洗结构位于PECVD结构和酸洗结构之间，所述传送带相应分为碱洗段和酸洗段，所述酸洗段长度长于碱洗段长度，所述传送带出料端为水洗结构，所述碱洗结构包括碱液仓和雾化腔，所述碱液仓与雾化腔连通，所述雾化腔上的上部设有风管，雾化腔上碱洗液管和多个音叉，所述酸洗结构包括酸液仓和雾化腔，所述酸液仓与雾化腔连通，所述雾化腔上的上部设有风管，雾化腔上酸洗液管和多个音叉。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池板抛光装置，其特征在于，所述酸液仓内的酸为HCl、HNO3的一种或混合酸。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池板抛光装置，其特征在于，所述水洗结构为超声波水洗结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611263082.4A CN106711287B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 太阳能电池板抛光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611263082.4A CN106711287B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 太阳能电池板抛光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106711287A CN106711287A (zh) | 2017-05-24 |
| CN106711287B true CN106711287B (zh) | 2018-07-03 |
Family
ID=58905473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611263082.4A Expired - Fee Related CN106711287B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 太阳能电池板抛光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106711287B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107946216A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-20 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 硅片湿刻工艺 |
| CN107958858A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-24 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 硅片湿刻装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8309389B1 (en) * | 2009-09-10 | 2012-11-13 | Sionyx, Inc. | Photovoltaic semiconductor devices and associated methods |
| CN104037257A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-10 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 太阳能电池及其制造方法、单面抛光设备 |
| CN104241610A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-12-24 | 超威电源有限公司 | 铅酸蓄电池极板表面加酸方法和装置 |
| CN204093649U (zh) * | 2014-07-31 | 2015-01-14 | 超威电源有限公司 | 喷雾装置 |
| CN104538297A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-22 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种对硅片背表面进行抛光处理的方法 |
| CN105047757A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-11-11 | 遵义师范学院 | 太阳能电池背抛光的方法 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611263082.4A patent/CN106711287B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8309389B1 (en) * | 2009-09-10 | 2012-11-13 | Sionyx, Inc. | Photovoltaic semiconductor devices and associated methods |
| CN104037257A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-10 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 太阳能电池及其制造方法、单面抛光设备 |
| CN104241610A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-12-24 | 超威电源有限公司 | 铅酸蓄电池极板表面加酸方法和装置 |
| CN204093649U (zh) * | 2014-07-31 | 2015-01-14 | 超威电源有限公司 | 喷雾装置 |
| CN104538297A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-22 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种对硅片背表面进行抛光处理的方法 |
| CN105047757A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-11-11 | 遵义师范学院 | 太阳能电池背抛光的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106711287A (zh) | 2017-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN205999474U (zh) | 真空蒸镀装置 | |
| CN106711287B (zh) | 太阳能电池板抛光装置 | |
| CN102437234A (zh) | 一种太阳能电池片印刷返工次品的处理方法 | |
| CN209969066U (zh) | 一种太阳能多晶硅片超声波清洗设备 | |
| CN207103242U (zh) | 一种硅片清洗装置及链式机台 | |
| CN107096782A (zh) | 一种MicroLED玻璃基板超声波清洗方法 | |
| CN101312225A (zh) | 在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法 | |
| CN207026000U (zh) | 一种晶振除尘设备 | |
| CN102078866A (zh) | 薄膜片状基板的掩膜清洗烘干工艺 | |
| CN207602528U (zh) | 半导体晶片兆声清洗装置 | |
| CN208437287U (zh) | 一种太阳能电池生产用清洗烘干装置 | |
| CN209227057U (zh) | 制作hit硅电池的气相沉积装置 | |
| CN207596996U (zh) | 晶硅雾化制绒装置 | |
| CN101447530B (zh) | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 | |
| CN204289404U (zh) | 一种硅片清洗槽 | |
| CN111215398A (zh) | 掩模板的清洗系统和清洗方法 | |
| CN206727096U (zh) | 一种太阳能电池干法制绒的弹片装置 | |
| CN203030580U (zh) | 一种常压等离子体自由基清洗设备 | |
| CN211938071U (zh) | 一种高效的半导体晶圆清洗装置 | |
| CN105478236B (zh) | 可防止阳极管结垢的湿式电除尘器 | |
| CN211629045U (zh) | 一种双晶圆反应腔式去胶机 | |
| CN208315500U (zh) | 灯管回收及清洗一体机 | |
| CN110517975B (zh) | 一种cmp后清洗装置及其清洗方法 | |
| CN207727145U (zh) | 一种太阳能电池片双面镀膜的平板式pecvd机台 | |
| CN101494252A (zh) | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180703 Termination date: 20181230 |