CN106687853A - 光调制器及光开关 - Google Patents

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CN106687853A CN201580046480.8A CN201580046480A CN106687853A CN 106687853 A CN106687853 A CN 106687853A CN 201580046480 A CN201580046480 A CN 201580046480A CN 106687853 A CN106687853 A CN 106687853A
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市川润郎
市川润一郎
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Abstract

光调制器具备：中继基板；第1传输通路，设置于中继基板的平面上，沿着中继基板的平面传输从外部输入的电信号；第2传输通路，设置于中继基板，沿与平面不同的方向传输电信号；调制部，利用由第1传输通路及第2传输通路传输的电信号对光信号进行调制；及屏蔽件，对从第1传输通路与第2传输通路的接合部分放出的电信号的放射成分进行屏蔽。

Description

光调制器及光开关
技术领域
该发明涉及一种光调制器及光开关。
本申请基于2014年08月29日在日本申请的日本专利申请2014-175188号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
近年来，光收发机(光转发器)的小型化及低成本化正在进行中。
随之，搭载于光收发机内的光调制器模块中，占用面积尺寸的小型化也得到发展，并且避免使用同轴连接器，将多个信号线一并进行表面安装而连接的方式逐渐成为行业规格(OIF2014.099.00)，并对其进行研究、开发。
关于此，已知有如下光调制器模块，其具备：光调制器，具备信号电极及接地电极；导电性的壳体，容纳光调制器，并与光调制器的接地电极导通；基板，在一面形成有通过焊锡或导电性粘接剂与壳体的外壁连接的接地电极，在另一面形成有信号电极；及引脚，将光调制器的信号电极和基板的信号电极进行电连接(参考专利文献1)。
并且，已知有如下光调制器，其包含：光调制元件，具备具有电光效应的基板、形成于基板上的光波导及用于对通过光波导内的光进行调制的调制电极；及连接基板，配置于基板的外部，用于向光调制元件供给驱动光调制元件的微波信号，其中，在连接基板上形成有信号输入端部和信号输出端部，且在连接基板上设有抑制输入到信号输入端部的微波信号的放射模式与信号输出端部的再耦合的再耦合抑制构件(参考专利文献2)。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-48121号公报
专利文献2：日本特开2007-139987号公报
发明的概要
发明要解决的技术课题
然而，现有的光调制器模块中，因从设置于基板的引脚或通孔朝向铅垂上方或铅垂下方向壳体内放出的电信号的放射成分在壳体的内壁面反射而引起的空腔共振现象，有时导致输入到光调制器模块的电信号的透射特性劣化。
因此，本发明是鉴于上述现有技术的问题而完成的，其提供一种能够抑制电信号的透射特性的劣化的光调制器及光开关。
用于解决技术课题的手段
本发明的一方式为光调制器，其具备：中继基板；第1传输通路，设置于所述中继基板的平面上，沿着所述平面传输从外部输入的电信号；第2传输通路，设置于所述中继基板，沿与所述平面不同的方向传输所述电信号；调制器，利用由所述第1传输通路及所述第2传输通路传输的所述电信号对光信号进行调制；及屏蔽件，对从所述第1传输通路与所述第2传输通路的接合部分放出的所述电信号的放射成分进行屏蔽。
并且，本发明的另一方式为上述中所记载的光调制器，其具备设置有所述中继基板和所述调制部的壳体，所述屏蔽件为与所述壳体分体设置的部件，且与所述壳体电连接。
并且，本发明的另一方式为上述中所记载的光调制器，其中，所述中继基板为层叠多个层而成的多层基板。
并且，本发明的另一方式为上述中所记载的光调制器，其中，所述屏蔽件为至少覆盖所述接合部分的所述放射成分的放射侧的板状物体或架设于所述放射侧的焊线。
并且，本发明的另一方式为光开关，其具备：中继基板；第1传输通路，设置于所述中继基板的平面上，沿着所述平面传输从外部输入的电信号；第2传输通路，设置于所述中继基板，沿与所述平面不同的方向传输所述电信号；调制部，利用由所述第1传输通路及所述第2传输通路传输的所述电信号对光信号进行调制；屏蔽件，对从所述第1传输通路与所述第2传输通路的接合部分放出的所述电信号的放射成分进行屏蔽；及开关，切换所述光信号的输出。
发明效果
根据本发明，可以提供一种能够抑制电信号的透射特性的劣化的光调制器及光开关。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的光调制器1的结构例的剖视图。
图2是表示从铅垂上方朝向铅垂下方观察图1所示的光调制器1时的壳体2内部的一例的图。
图3是从铅垂上方朝向铅垂下方观察图1所示的壳体2内部的一例时的图。
图4是表示不具备屏蔽件3-1的光调制器X的结构例的图。
图5是表示光调制器X从柔性电缆C向光调制部芯片L传输的RF信号的透射特性与RF信号的振动频率的关系的一例的图。
图6是从铅垂上方朝向铅垂下方观察第2实施方式所涉及的光调制器1的壳体2内部的一例时的图。
图7是表示第2实施方式所涉及的屏蔽件3-1的俯视图及侧视图的一例的图。
图8是从铅垂上方朝向铅垂下方观察第3实施方式所涉及的光调制器1的壳体2内部的一例时的图。
图9是表示第3实施方式所涉及的屏蔽件3-1的侧视图的一例的图。
图10是表示第4实施方式所涉及的屏蔽件3-1的侧视图的一例的图。
具体实施方式
＜第1实施方式＞
以下，参考附图对本发明的第1实施方式进行说明。图1是表示第1实施方式所涉及的光调制器1的结构例的剖视图。光调制器1例如通过柔性电缆C与外部连接。外部是指其他基板，例如光通信用的信号源等。以下，为了方便说明，将光通信用的信号源简称为信号源来进行说明。并且，以下，其他基板设为搭载于信号源内部的基板来进行说明。光调制器1被输入从信号源输出的RF(Radio Frequency)信号。光调制器1将从信号源获取的RF信号经由中继基板B和焊线W向光调制部芯片L传输并对光信号进行调制。另外，将本实施方式中的RF信号设为通过光调制部芯片L将光信号调制为微波的波长的程度的振动频率(例如为数十[GHz]左右)，但也可以是其他的振动频率。RF信号为电信号的一例。
光调制器1具备光调制部芯片L、壳体2、5层的中继基板B1～B4及2张屏蔽件3-1、3-2。另外，光调制器1可以具备5张以上的中继基板，也可以具备3张以下的中继基板。并且，光调制器1可以具备3张以上的屏蔽件，也可以仅具备1张屏蔽件。以下，为了方便说明，除非需要将中继基板B1～B4区分说明，否则统称为中继基板B来进行说明。并且，以下除非需要将屏蔽件3-1、3-2区分说明，否则统称为屏蔽件3来进行说明。
光调制部芯片L具备含有铌酸锂的基板，利用光调制器1所获取的RF信号，对从未图示的光源输入到未图示的含有铌酸锂的基板的光信号进行调制。光调制部芯片L为调制部的一例。
壳体2为内部设有中继基板B、屏蔽件3及光调制部芯片L的金属制容器。壳体2例如由SUS(Steel Special Use Stainless)材料等形成。另外，本实施方式中，将壳体2设为长方体形状，但也可以代替此而为其他形状。
中继基板B1～B4分别为具备1个以上的通孔V的陶瓷制的基板，是设有传输RF信号的传输通路F的基板。在此，传输通路F为传输通路F1～F10的总称。并且，中继基板B1～B4为在上层和下层这两层设有前述的传输通路F的基板。另外，中继基板B1～B4也可以在上层和下层中的任一方设有传输通路的基板。
通孔V为贯穿中继基板B且用于对中继基板B的上层的传输通路F和下层的传输通路F进行中继的线路。并且，如图1所示，通孔V为中心导体CC和接地导体GC以同轴为中心而同心圆状设置且在中心导体CC与接地导体GC之间的空间设有电介质DB(例如，氧化铝或玻璃等)的同轴线路。本实施方式中，通孔V中，例如中心导体CC的直径为0.1毫米，接地导体GC的内径为1.36毫米，电介质DB的介电常数为9.8，但代替此，也可以是其他的直径或其他的介电常数。在此，图1所示的箭头S1～箭头S12分别表示由通孔V1～通孔V12各自的中心导体CC传输的RF信号的传输方向。另外，设置于中继基板B1～B4的上层和下层中的任一方或两方的传输通路F为第1传输通路的一例。并且，通孔V为第2传输通路的一例。
中继基板B1具备通孔V1、通孔V6及通孔V7。中继基板B2具备通孔V2、通孔V5及通孔V8。中继基板B3具备通孔V3、通孔V4、通孔V9及通孔V10、通孔V11(图1中，通孔V11被通孔V10遮挡而观察不到)。中继基板B4具备通孔V12。另外，本实施方式中，设所谓通孔V的呼称为表示通孔V1～通孔V12中的任1个的呼称。
如图1所示，中继基板B中从壳体2的内部空间的底面侧依次层叠有中继基板B1、中继基板B2、中继基板B3、中继基板B4。并且，中继基板B经由屏蔽件3-2与壳体2粘接。通过如此粘接，中继基板B具有由屏蔽件3-1和屏蔽件3-2夹住的结构。通过设为这种结构，光调制器1能够更可靠地抑制由后述的RF信号(即，电信号)的放射成分引起的空腔共振现象。除此以外，若陶瓷制的中继基板B直接粘接于金属制的壳体2，则有时因中继基板B与壳体2之间的热所引起的体积变化之差而产生裂缝。为了抑制该裂缝，优选最下层的中继基板B1与壳体2经由屏蔽件3-2粘接。
并且，中继基板B1与屏蔽件3-2通过绝缘体I电分离。该绝缘体I例如抑制图1所示的通孔V6、传输通路F4、通孔V7中的一部分或全部与屏蔽件3-2电连接的情况。并且，最下层的中继基板B1以能够从柔性电缆C经由玻璃引脚等输入RF信号的方式连接。
以下，将层叠的中继基板B1～中继基板B4统称为多层基板来进行说明。多层基板将从柔性电缆C获取的RF信号经由设置于中继基板B的传输通路、通孔V及焊线W传输至光调制部芯片L。通过将中继基板进行多层化，能够将为了进行阻抗匹配所需的电极集成化。在此，参考图1及图2对通过多层基板进行的RF信号的传输进行说明。图2是表示从铅垂上方朝向铅垂下方观察图1所示的光调制器1时的壳体2内部的一例的图。另外，图2中，为了方便说明，省略了屏蔽件3-1。
RF信号通过经由通孔V而传输至分别设置于构成多层基板的中继基板B1～中继基板B4的传输通路F。换言之，RF信号通过经由通孔V而在多层基板中沿图1中层叠中继基板B的方向(上下方向)传输。并且，RF信号经由图1及图2中由箭头表示的传输通路F1～F10从通孔V1传输至通孔V12。并且，RF信号从通孔V12通过设置于中继基板B4的上层的传输通路传输至焊线W。传输至焊线W的RF信号经由焊线W传输至光调制部芯片L，并对光信号进行调制。另外，上述中所说明的中继基板B1～中继基板B4各自中的设置通孔V及传输通路F的位置、通孔V及传输通路F的形状等仅仅是一例，并不限于这些。并且，为了简化图，图2中的传输通路F以与通孔V的接地导体GC接触的方式示出，但实际上以不与通孔V的接地导体GC接触的方式设置于中继基板B。
屏蔽件3-1例如为覆盖图2所示的多层基板的最上层上的大致整个面的板状物体。另外，屏蔽件3-1也可以是分别设置于多层基板的多个层中的一部分或全部之间的结构。并且，屏蔽件3-1的材质为导电性材料，例如为金、铝、铜等。并且，屏蔽件3-1为与壳体2分体设置的部件。在此，参考图3对屏蔽件3-1进行说明。图3是从铅垂上方朝向铅垂下方观察图1所示的壳体2内部的一例时的图。如图3所示，“大致整个面”表示中继基板B4的上层中除设置焊线W的位置的附近N以外的范围。另外，屏蔽件3-1也可以是覆盖图2所示的多层基板上的整个面的板状物体。此时，设RF信号从多层基板向光调制部芯片L的传输是从中继基板B之间通过焊线W来进行。
并且，屏蔽件3-1对从图2所示的各通孔V的正上方朝向壳体2的内部空间(壳体2内部的上表面)放出的RF信号的放射成分进行屏蔽。另外，将从正上方观察通孔V时的通孔V的面为电信号的放射成分的放出面的一例。在此，参考图4对屏蔽件3-1所屏蔽的RF信号的放射成分进行说明。图4是表示不具备屏蔽件3-1的光调制器X的结构例的图。另外，图4中省略了传输通路F。
当光调制器X不具备屏蔽件3-1时，通孔V沿通孔V的正上方方向(从构成图4所示的多层基板的中继基板B1朝向中继基板B4的方向)对壳体2的内部空间放出RF信号的放射成分。以下，为了方便说明，将RF信号的放射成分简称为放射成分来进行说明。在图4中的各通孔V的正上方示出的箭头表示该放射成分。来自各通孔V的放射成分的放出是因在通孔V传输RF信号时通孔V作为天线发挥功能而引起的现象。若向壳体2的内部空间放出沿该通孔V的正上方方向放出的放射成分，则壳体2反射该放射成分。
当引起这种反射时，若满足规定的条件，则被放出的放射成分与被反射的放射成分发生干涉而发生空腔共振现象。前述规定的条件是指RF信号的4分之1波长与从放射成分被放出的位置至放射成分被反射的位置为止的距离(例如，在从通孔V12放出的放射成分的情况下，为图4所示的高度h)一致的情况。例如，当将高度h设为3mm时，放射成分被再耦合的传输距离为6mm。此时，当RF信号的频率在25GHz附近时，发生空腔共振现象，如后述那样，因空腔共振现象而导致RF信号的透射特性衰减。
当发生空腔共振现象时，由于引起共振的放射成分的影响，光调制器X从柔性电缆C向光调制部芯片L传输的RF信号的透射特性劣化。图5是表示光调制器X从柔性电缆C向光调制部芯片L传输的RF信号的透射特性与RF信号的振动频率的关系的一例的图。以下，为了方便说明，将光调制器X从柔性电缆C向光调制部芯片L传输的RF信号的透射特性简称为透射特性来进行说明。
图5所示的坐标图的横轴表示RF信号的振动频率(例如，单位为[GHz])。另外，RF信号的波长与振动频率的倒数成正比，因此图5中示出RF信号的振动频率与前述透射特性的关系。图5所示的坐标图的纵轴表示透射特性(单位为[dB])。如图5所示，可知透射特性具有RF信号的振动频率变大(即，RF信号的波长变小)时减少的倾向。该减少倾向根据光调制器X中的传输效率而产生(当传输效率为100％时，不会劣化)。并且，从图5所示的坐标图能够确认在RF信号为某一振动频率时所产生的下陷D。下陷D表示在RF信号的某一振动频率附近透射特性急剧变小的部位。该下陷D由前述的空腔共振现象而产生。
屏蔽件3-1为了不产生这种由空腔共振现象产生的下陷D，通过覆盖多层基板的上层而对从通孔V的正上方放出的放射成分进行屏蔽。并且，屏蔽件3-1优选接地。屏蔽件3-1的接地方法在其一例中设为如图1所示那样通过金属线G连接于壳体2，但代替此，也可以是利用其他方法接地的结构。通过如此设置，屏蔽件3-1在对放射成分的一部分进行屏蔽时，屏蔽件3-1本身不会作为天线发挥功能。其结果，屏蔽件3-1不会向壳体2与多层基板之间的空洞内放出放射成分，而能够高效地对放射成分进行屏蔽。另外，屏蔽件3-1也可以是不接地的结构。此时，优选通过某种方法高效地进行放射成分的屏蔽(即，抑制从屏蔽件3-1放射的放射成分)。
另外，放射成分在构成多层基板的中继基板B各自之间也引起反射。但是，例如，当中继基板B的厚度(构成图1所示的多层基板的中继基板B层叠的方向的厚度)为0.25毫米左右时，RF信号的波段为数百MHz～数十GHz，因此RF信号的4分之1波长与从放射成分被放出的位置至放射成分被反射的位置为止的距离不一致。因此，不会发生由该反射引起的空腔共振现象。
屏蔽件3-2与壳体2直接连接，或者经由金属线等间接连接。
并且，与屏蔽件3-1同样地对从通孔V放出的放射成分进行屏蔽。屏蔽件3-2对从各通孔V的正下方放出的放射成分进行屏蔽。并且，屏蔽件3-2以壳体2和中继基板B1不会因由热产生的体积变化而破损的方式粘接。并且，在屏蔽件3-2的上侧除了设有多层基板以外，如图1所示，还设有光调制部芯片L。并且，屏蔽件3-2的材质为导电性材料，例如为金、铝、铜等。
如以上说明，本实施方式所涉及的光调制器1具备：中继基板B；传输通路F，设置于中继基板B的平面上，沿着中继基板B的平面传输从外部(例如，信号源等)输入的RF信号；通孔V，设置于中继基板B，沿与中继基板B的平面不同的方向传输RF信号；调制部，利用由传输通路F及通孔V传输的RF信号对光信号进行调制；及屏蔽件3-1，对从传输通路F与通孔V的接合部分放出的放射成分进行屏蔽。由此，光调制器1能够抑制RF信号的透射特性的劣化。
＜第2实施方式＞
以下，参考附图对本发明的第2实施方式进行说明。另外，第2实施方式中，对与第1实施方式相同的构成部标注相同的标号并省略其说明。第2实施方式所涉及的光调制器1的屏蔽件3-1如图6所示为仅设置于多层基板上的通孔V的正上方且遮盖通孔V的圆盘状物体，来代替覆盖图2所示的多层基板上的大致整个面的板状物体。图6是从铅垂上方朝向铅垂下方观察第2实施方式所涉及的光调制器1的壳体2内部的一例时的图。另外，图6中，省略了屏蔽件3-1与壳体2的连接及传输通路F。
如图6所示，屏蔽件3-1仅设置于各通孔V的正上方。在此，例如当中心导体CC的直径为0.1毫米、接地导体GC的内径为1.36毫米、电介质DB的介电常数为9.8的通孔V设置于中继基板B时，屏蔽件3-1通过具有如图7所示的结构，能够充分屏蔽从通孔V放出的放射成分。能够充分屏蔽的状态表示，即使在因未彻底屏蔽而漏出的放射成分引起前述空腔共振现象的情况下，该空腔共振现象也仅为在光调制器1的透射特性中不产生下陷D的程度的状态。并且，屏蔽件3-1通过仅设置于通孔V的正上方，能够更可靠地抑制因某种现象而放射成分向屏蔽件3-1与壳体2之间泄漏时发生的空腔共振现象。图7是表示第2实施方式所涉及的屏蔽件3-1的俯视图及侧视图的一例的图。
图7(A)中示出屏蔽件3-1的俯视图。并且，图7(B)中示出屏蔽件3-1的侧视图。如图7(A)所示，屏蔽件3-1的上表面具有直径为1.36毫米的圆形状的面积(遮盖通孔V的范围)以上的面积。并且，如图7(B)所示，屏蔽件3-1的侧面的厚度为0.1毫米以上。另外，这些数值是如上述那样中心导体CC的直径为0.1毫米、接地导体GC的内径为1.36毫米、电介质DB的介电常数为9.8的通孔V设置于中继基板B时的一例。若通孔V的中心导体CC的直径、接地导体GC的内径、电介质DB的介电常数中的一部分或全部改变时，相对应地，屏蔽件3-1的直径或厚度与图7所示的值不同。并且，屏蔽件3-1只要能够遮盖通孔V，则无需为圆形状，可以是四边形状，也可以是其他形状。如此，屏蔽件3-1通过以仅遮盖通孔V的正上方的方式设置，就能够充分屏蔽从通孔V放出的放射成分。另外，通孔V的正上方为第1传输通路与第2传输通路的接合部分的放射成分的放射侧的一例。
如以上说明，第2实施方式所涉及的光调制器1中，仅设置于通孔V的正上方的圆形状的屏蔽件3-1设置于多层基板上。由此，光调制器1能够得到与第1实施方式相同的效果。
＜第3实施方式＞
以下，参考附图对本发明的第3实施方式进行说明。另外，第3实施方式中，对与第1实施方式相同的构成部标注相同的标号并省略其说明。第3实施方式所涉及的光调制器1的屏蔽件3-1为如图8所示那样以在多层基板上的通孔V的正上方2根金属线交叉的方式设置的焊线或比焊线粗的带状物，来代替覆盖图2所示的多层基板上的大致整个面的板状物体。
图8是从铅垂上方朝向铅垂下方观察第3实施方式所涉及的光调制器1的壳体2内部的一例时的图。另外，图8中，省略了屏蔽件3-1与壳体2的连接及传输通路F。如图6所示，屏蔽件3-1仅设置于各通孔V的正上方。在此，当中心导体CC的直径为0.1毫米、接地导体GC的内径为1.36毫米、电介质DB的介电常数为9.8的通孔V设置于中继基板B时，屏蔽件3-1通过具有如图9所示的结构，能够减少从通孔V放出的放射成分。此时，放射成分减少至第2实施方式中所说明的能够“充分屏蔽”的程度。
图9是表示第3实施方式所涉及的屏蔽件3-1的侧视图的一例的图。另外，图9中，仅示出图8所示的屏蔽件3-1的2根金属线中的1根，而省略了另1根。如图9所示，屏蔽件3-1以从通孔V的中心至屏蔽件3-1为止的高度为0.96毫米、屏蔽件3-1的金属线的长度LW为2.36毫米的方式设置于通孔V的正上方。另外，这些数值是如上述那样中心导体CC的直径为0.1毫米、接地导体GC的内径为1.36毫米、电介质DB的介电常数为9.8的通孔V设置于中继基板B时的一例。若通孔V的中心导体CC的直径、接地导体GC的内径、电介质DB的介电常数中的一部分或全部改变，则相对应地，屏蔽件3-1的直径或厚度与图9所示的值不同。
并且，屏蔽件3-1以使具有图9所示的结构的金属线如图8所示那样在通孔V的正上方交叉的方式设置。若通过图9所示的屏蔽件3-1的结构来减少从通孔V放出的放射成分，则从通孔V放出的放射成分只引起在光调制器1的RF信号的透射特性中不产生下陷D的程度的空腔共振现象。由此，屏蔽件3-1能够抑制由从通孔V放出的放射成分引起的空腔共振现象，其结果，能够抑制在光调制器1的透射特性中产生下陷D的情况。
另外，屏蔽件3-1可以代替在通孔V的正上方2根金属线交叉的结构，而是例如在通孔V的正上方2根金属线平行排列而设置的结构，也可以是设有1根金属线的结构，还可以是设有3根以上的金属线的结构等使用1根以上的金属线的其他结构。
如以上说明，第3实施方式所涉及的光调制器1中，屏蔽件3-1作为以在多层基板上的通孔V的正上方2根金属线交叉的方式设置的焊线设置于多层基板上。由此，光调制器1能够得到与第1实施方式相同的效果。
＜第4实施方式＞
以下，参考附图对本发明的第4实施方式进行说明。另外，第4实施方式中，对与第1实施方式相同的构成部标注相同的标号并省略其说明。第4实施方式所涉及的光调制器1的屏蔽件3-1为如图10所示那样以在多层基板上的通孔V的正上方2根金属线交叉的方式设置的网状物体，来代替覆盖图2所示的多层基板上的大致整个面的板状物体。
图10是表示第4实施方式所涉及的屏蔽件3-1的侧视图的一例的图。如图10所示，作为该网状物体的屏蔽件3-1利用通过通孔V的正上方的2根金属线来减少从通孔V放出的放射成分。此时，放射成分减少至第2实施方式中所说明的能够“充分屏蔽”的程度。由此，屏蔽件3-1抑制由从通孔V放出的放射成分引起的空腔共振现象。其结果，屏蔽件3-1能够抑制在光调制器1的透射特性中产生下陷D。另外，通过通孔V的正上方的金属线只要能够充分屏蔽从通孔V放出的放射成分，则可以是2根以外的数量。
如以上说明，第4实施方式所涉及的光调制器1中，屏蔽件3-1作为以在多层基板上的通孔V的正上方2根金属线交叉的方式设置的网状物体设置于多层基板上。由此，光调制器1能够得到与第1实施方式相同的效果。
＜第5实施方式＞
以下，对本发明的第5实施方式进行说明。另外，第5实施方式中，对与第1实施方式相同的构成部标注相同的标号并省略其说明。第5实施方式所涉及的光开关4具备：第1～第4实施方式中所说明的光调制器1；及开关，切换光调制器1的光调制部芯片L从未图示的光源向含有铌酸锂的基板输入的光信号的开/关(对输出进行切换)。
另外，第5实施方式所涉及的光开关4可以代替具备切换光调制器1的光调制部芯片L从未图示的光源向铌酸锂输入的光信号的开/关(对输出进行切换)的开关的结构，而是具备当通过光调制器1调制的光信号的输出目标有多个时选择这些多个输出目标中的任1个作为输出目标的开关的结构。
如以上说明，第5实施方式所涉及的光开关4由于具备第1～第4实施方式中所说明的光调制器1，因此能够得到与第1实施方式相同的效果。
另外，屏蔽件3-1也可以是将上述中说明的实施方式中的一部分或全部组合而成的结构。
＜本发明所涉及的背景＞
以下，对本发明所涉及的背景，以图4所示的不具备屏蔽件3-1的光调制器X为例进行说明。光调制器X中，因从设置于中继基板B的引脚或通孔V朝向铅垂上方或铅垂下方向壳体2内放出的RF信号的放射成分反射在壳体2的内壁面而引起的空腔共振现象，有时导致输入到光调制器X的RF信号的透射特性劣化。
作为对在空腔共振现象下透射特性劣化的情况有效的解决对策，有如下方法：减小壳体2的内部空间，使空腔共振的频率高于光调制器X所使用的频带的方法；在光调制器X中的最大使用频带下使空腔共振成为衰减状态的方法。
然而，壳体2的高度受到安装于内部的组件的尺寸的限制。例如，需要确保安装于光调制部芯片L上的偏置监视器用的光检测器、包含配置于中继基板B上的阻抗变量器的芯片电容器或芯片电阻、安装有用于使RF信号终止的终端电阻的基板等光调制器X内部的电子组件的安装空间。并且，如偏振多重调制器那样搭载有多个偏振旋转元件、相位差板或准直器透镜等数mm左右的光学组件的结构中，难以减小壳体2本身的高度。
并且，当使用LiNbO3等强电介质结晶材料作为光调制部芯片L的材料时，芯片上的信号配线一般使用高纵横比且宽带隙(信号线的高度/宽度之比较大，一般为1以上，并且接地电极间的宽度为50μm以上)的CPW(Co-Planar Waveguide)。此时，若在光调制部芯片L的信号线路的上方有导体，则透射特性等劣化。举出一例，若在CPW的接地电极间距离的大致2倍以下的高度的位置有金属壳体内壁，则对阻抗或微波的传播速度带来影响(对实效折射率带来频率依赖性)，导致透射特性劣化。
并且，由于宽带化或低驱动电压化，光调制部芯片L的光传播方向的长度必须为数十毫米。这样会发生多个基板模式的重叠，还成为影响信号劣化的原因之一。
如此，光调制器X中，难以减小壳体2的高度，要求对从设置于中继基板B的引脚或通孔V向铅垂上方或铅垂下方放出的RF信号的放射成分进行屏蔽的某种方法。光调制器1通过屏蔽件3-1和屏蔽件3-2来对从设置于中继基板B的引脚或通孔V向铅垂上方或铅垂下方放出的RF信号的放射成分进行屏蔽，与光调制器X相比，能够更可靠地抑制透射特性的劣化。
以上，参考附图对该发明的实施方式进行了详述，但具体结构并不限于该实施方式，只要不脱离该发明的宗旨，则可以进行变更、替换、删除等。
标号说明
1 光调制器，2 壳体，3、3-1、3-2 屏蔽件，4 光开关。

Claims (5)

1.一种光调制器，其具备：
中继基板；
第1传输通路，设置于所述中继基板的平面上，沿着所述平面传输从外部输入的电信号；
第2传输通路，设置于所述中继基板，沿与所述平面不同的方向传输所述电信号；
调制部，利用由所述第1传输通路及所述第2传输通路传输的所述电信号对光信号进行调制；及
屏蔽件，对从所述第1传输通路与所述第2传输通路的接合部分放出的所述电信号的放射成分进行屏蔽。
2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，
所述光调制器具备设置有所述中继基板和所述调制部的壳体，
所述屏蔽件为与所述壳体分体设置的部件，且与所述壳体电连接。
3.根据权利要求1或2所述的光调制器，其中，
所述中继基板为层叠多个层而成的多层基板。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光调制器，其中，
所述屏蔽件为至少覆盖所述接合部分的所述放射成分的放射侧的板状物体或架设于所述放射侧的焊线。
5.一种光开关，其具备：
中继基板；
第1传输通路，设置于所述中继基板的平面上，沿着所述平面传输从外部输入的电信号；
第2传输通路，设置于所述中继基板，沿与所述平面不同的方向传输所述电信号；
调制部，利用由所述第1传输通路及所述第2传输通路传输的所述电信号对光信号进行调制；
屏蔽件，对从所述第1传输通路与所述第2传输通路的接合部分放出的所述电信号的放射成分进行屏蔽；及
开关，切换所述光信号的输出。
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