CN106656092A - 一种提高大功率ldmos器件稳定性的内匹配设计方法 - Google Patents

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杜寰
任建伟
丛密芳
李科
黄启俊
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    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H7/38—Impedance-matching networks

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Abstract

本发明公开了一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R，本发明通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。

Description

一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法
技术领域
本发明涉及一种微电子、射频微波测量方法，特别涉及一种LDMOS器件内匹配方法。
背景技术
针对目前大功率器件的内匹配电路设计，一般使用LC组成的“T”型网络结构或者“π”型匹配网络结构进行匹配，如图1-2所示，实现将裸芯片较小的阻抗值匹配到适合测试的阻抗。针对器件工作频率较低的范围，器件本身特性导致低频段稳定性较差，容易产生振荡，最终造成器件烧毁甚至导致测试仪器烧毁。为了达到更高的输出功率，器件栅宽逐渐增大，芯片的输入阻抗变得越来越低，器件无载Q值会变得很高，馈送电信号的幅度不平衡和相位不平衡的问题加重，尤其在器件的较低工作频段，不稳定性就表现的更加明显。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在管壳内部使用合适的内匹配电路一方面可以提升工作频段的阻抗值，另一方面可以很好的解决低频振荡问题，降低失配反射，降低功率损耗，使封装的器件能够在低频段稳定工作且发挥最佳RF性能，保证器件的可靠性。
本发明的目的是这样实现的：一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R。
作为本发明的进一步改进，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R-L-C-L。
作为本发明的进一步改进，所述多晶电阻R上还并联有电容C，即从管芯向外的第一结构为R-C-L-C-L。
作为本发明的进一步改进，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-C-L-C-L-C-L。
作为本发明的进一步改进，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-L-C-L-C-L。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的。
附图说明
图1为现有技术中“T”型网络结构和“π”网络结构示意图。
图2为现有技术中“T”型网络结构和“π”网络结构电路原理图。
图3为本发明中“T”型网络结构示意图。
图4为本发明中“T”型网络结构电路原理图。
图中：DIE 器件管芯，Inductor 电感，Capacitor 电容，Resistor 电阻。
具体实施方式
如图3-4所示的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R，多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，多晶电阻R上还并联有电容C，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-L-C-L-C-L。
本发明用在射频微波大功率器件的内匹配封装中，用此方法封装的LDMOS器件，低频振荡可以得到很好的抑制，且可以在一定程度上扩展工作带宽，使器件在低频段可以稳定的工作，最终充分验证管子的性能。
本发明并不局限于上述实施例，在本发明公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R。
2.根据权利要求1所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R-L-C-L。
3.根据权利要求2所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，所述多晶电阻R上还并联有电容C，即从管芯向外的第一结构为R-C-L-C-L。
4.根据权利要求3所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-C-L-C-L-C-L。
5.根据权利要求2所述的一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，如果提升的阻抗值较小，可在第一结构的基础上继续增加LC结构，即R-L-C-L-C-L。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000340739A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Nec Corp 内部整合型出力ｆｅｔ
CN102255606A (zh) * 2011-07-25 2011-11-23 中国科学院微电子研究所 基于e类功率放大电路的固态射频电源
CN102340290A (zh) * 2010-07-21 2012-02-01 中国科学院微电子研究所 一种适用于高频功率器件的稳定网络
US20120194272A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Integra Technologies, Inc. Rf power amplifier including broadband input matching network
US8736379B1 (en) * 2013-02-08 2014-05-27 Infineon Technologies Ag Input match network for a power circuit

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000340739A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Nec Corp 内部整合型出力ｆｅｔ
CN102340290A (zh) * 2010-07-21 2012-02-01 中国科学院微电子研究所 一种适用于高频功率器件的稳定网络
US20120194272A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Integra Technologies, Inc. Rf power amplifier including broadband input matching network
CN102255606A (zh) * 2011-07-25 2011-11-23 中国科学院微电子研究所 基于e类功率放大电路的固态射频电源
US8736379B1 (en) * 2013-02-08 2014-05-27 Infineon Technologies Ag Input match network for a power circuit

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