CN206370771U - 一种利用llc拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源 - Google Patents
一种利用llc拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源。包括：用于接收输入电压的初级线圈N1，与初级线圈N1匹配的次级线圈N2和次级线圈N3，次级线圈N2和次级线圈N3串联；用于吸收由于器件的寄生参数产生的电磁兼容干扰的EMC吸收电路，次级线圈N2的A2端通过EMC吸收电路连接次级线圈N3的B3端；次级线圈N2的A2端连接第一输出端，次级线圈N3的B3端连接第一输出端，次级线圈N2与次级线圈N3的节点连接第二输出端。通过实施本实用新型，优化电源EMC设计，减少EMC器件，降低成本，提高性价比，使电路本身产生的干扰大幅度的降低，在空间、成本、性能方面达到更好的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源领域，更具体地说，涉及一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源。
背景技术
LLC是目前电源发展较为成熟的电源拓扑，它因有着很高的转换效率而闻名于业界，因此一经出现就受到了广泛的推崇和快速普及。这种拓扑不但拥有很高的转换效率，而且电流电压应力小，电路产生的电磁干扰也小，同时电路关键元器件的要求也不高，在成本没有很大增加的情况下大幅度的提高了电器性能，所以才会在适配器、通讯电源、大功率充电器、逆变器以及LED照明电源等领域广泛使用。经典的LLC电路为一个串联谐振电感一个并联谐振电感和一个谐振电容组成，如图1所示。
现有电路结构缺点如下：
1.虽然比起其他电源拓扑产生的电磁干扰明显减小，但是EMC抑制电路中需要的共模电感体积较大；
2.变压器的寄生电容所产生的电磁干扰不可避免。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述电源中存在电磁电容干扰的缺陷，提供一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，包括：
用于接收输入电压的初级线圈N1，所述初级线圈N1的两端分别连接输入电路，所述初级线圈N1的B1端接地；
与所述初级线圈N1匹配的次级线圈N2和次级线圈N3，所述次级线圈N2和次级线圈N3串联，所述次级线圈N2的B2端连接所述次级线圈N3的A3端；
用于吸收由于器件的寄生参数产生的电磁兼容干扰的EMC吸收电路，所述次级线圈N2的A2端通过所述EMC吸收电路连接所述次级线圈N3的B3端；
所述次级线圈N2的A2端连接第一输出端，所述次级线圈N3的B3端连接所述第一输出端，所述次级线圈N2与所述次级线圈N3的节点连接第二输出端。
优选地，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述EMC吸收电路为电容C6，所述电容C6的一端连接所述次级线圈N2的A2端，所述电容C6的另一端连接所述次级线圈N3的B3端。
优选地，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述电容C6为贴片电容。
优选地，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述电容C6取值范围为100PF-220PF。
进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，所述输入电路包括第一输入电路和第二输入电路，所述第一输入电路连接第一输入端，所述第二输入电路连接第二输入端；
所述第一输入电路连接所述第二输入电路，所述第二输入电路接地；
所述第一输入电路连接所述初级线圈N1的A1端，所述第二输入电路连接所述初级线圈N1的B1端。
进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，
所述第一输入电路包括：场效应管Q1和电容C1，所述场效应管Q1的栅极连接所述第一输入端，所述场效应管Q1的漏极通过所述电容C1连接所述场效应管Q1的源极，所述场效应管Q1的漏极连接母线输入端Vin，所述场效应管Q1的源极连接所述初级线圈N1的A1端；
所述第二输入电路包括：场效应管Q2和电容C2，所述场效应管Q2的栅极连接所述第二输入端，所述场效应管Q2的漏极通过所述电容C2连接所述场效应管Q2的源极，所述场效应管Q2的源极连接所述初级线圈N1的B1端；
所述场效应管Q1的源极连接所述场效应管Q2的漏极。
进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，还包括绕组LS和电容C5，所述场效应管Q1的源极通过所述绕组LS连接所述初级线圈N1的A1端，所述初级线圈的B1端通过所述电容C5连接所述场效应管Q2的源极。
进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，还包括用于吸收所述次级线圈N2和次级线圈N3产生的干扰的第一抗干扰电路和第二抗干扰电路；
所述第一抗干扰电路的输入端连接所述次级线圈N2的A2端，所述第一抗干扰电路的输出端连接第一输出端；
所述第二抗干扰电路的输入端连接所述次级线圈N3的B3端，所述第二抗干扰电路的输出端连接所述第一输出端；
所述次级线圈N2的B2端连接第二输出端。
进一步，本实用新型所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，
所述第一抗干扰电路包括电阻R1、电容C3、二极管D1，所述次级线圈N2的A2端通过串联所述电阻R1和电容C3连接所述第一输出端；所述次级线圈N2的A2端连接所述二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接所述第一输出端；
所述第二抗干扰电路包括电阻R2、电容C4、二极管D2，所述次级线圈N3的B3端通过串联所述电阻R2和电容C4连接所述第一输出端；所述次级线圈N3的B3端连接所述二极管D2的正极，所述二极管D2的负极连接所述第一输出端。
另，本实用新型还构造一种电源，所述电源包括上述利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路。
优选地，电源包括但不限于适配器、通讯电源、大功率充电器、逆变器以及LED照明电源等。
实施本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源，具有以下有益效果：利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，包括：用于接收输入电压的初级线圈N1，所述初级线圈N1的两端分别连接输入电路，所述初级线圈N1的B1端接地；与所述初级线圈N1匹配的次级线圈N2和次级线圈N3，所述次级线圈N2和次级线圈N3串联，所述次级线圈N2的B2端连接所述次级线圈N3的A3端；用于吸收由于器件的寄生参数产生的电磁兼容干扰的EMC吸收电路，所述次级线圈N2的A2端通过所述EMC吸收电路连接所述次级线圈N3的B3端；所述次级线圈N2的A2端连接第一输出端，所述次级线圈N3的B3端连接所述第一输出端，所述次级线圈N2与所述次级线圈N3的节点连接第二输出端。通过实施本实用新型，优化电源EMC设计，减少EMC器件，降低成本，提高性价比，使电路本身产生的干扰大幅度的降低，在空间、成本、性能方面达到更好的效果。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
图1是现有技术中LLC电路的结构示意图；
图2是本实用新型一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路的结构示意图；
图3是本实用新型一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路的优选实施例的电路图；
图4-7是本实用新型一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路与现有技术对比结果图。
具体实施方式
为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本本实用新型的具体实施方式。
如图2-3所示，是本发明的优选实施例。
本实施例将变压器线圈之间产生的寄生电容和次级整流二极管PN结电容在高频工作下所产生的辐射干扰进行旁路耦合而衰减掉。通过其产生机理可知此旁路电容需加在次级整流二极管之前变压器次级线圈之后才会起到最佳的耦合效果。
常规LLC电源转换拓扑的变压器次级线圈两端是不可以并联电容的，因为此电容放在变压器次级端与整个次级线圈并联，由变压器的特性可知，其电容的容量等效到初级绕组为1/n2，因此就会出现电容与变压器的初级线圈的励磁电感形成并联关系，它的出现将LLC电路的二阶函数特性改变成LLCC三阶函数特性，使得谐振腔的频率特性更加复杂。但是相对于工作频率而言，电磁干扰频率是工作频率的上百倍，由电容的阻抗特性1/ωC可知容量越小阻抗越高，频率越高阻抗越低。
所以本实施例使用一颗容量很小的电容去耦合频率很高的电磁干扰信号，因为次级的电容等效到初级其容量减小为本身的1/n2，所以取一颗容量很小的电容就不会对主电路的工作参数产生影响，但又能很好的耦合10MHZ到300MHZ的共模干扰问题。
参考图2，图2是本实用新型一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路的结构示意图。
本实施例公开一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，包括：
用于接收输入电压的初级线圈N1，初级线圈N1的两端分别连接输入电路，初级线圈N1的B1端接地；
与初级线圈N1匹配的次级线圈N2和次级线圈N3，次级线圈N2和次级线圈N3串联，次级线圈N2的B2端连接次级线圈N3的A3端；
用于吸收由于器件的寄生参数产生的电磁兼容干扰的EMC吸收电路，次级线圈N2的A2端通过EMC吸收电路连接次级线圈N3的B3端；
次级线圈N2的A2端连接第一输出端，次级线圈N3的B3端连接第一输出端，次级线圈N2与次级线圈N3的节点连接第二输出端。
进一步，本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，输入电路包括第一输入电路和第二输入电路，第一输入电路连接第一输入端，第二输入电路连接第二输入端；
第一输入电路连接第二输入电路，第二输入电路接地；
第一输入电路连接初级线圈N1的A1端，第二输入电路连接初级线圈N1的B1端。
参考图4，图3是本实用新型一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路的优选实施例的电路图。
优选地，本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，EMC吸收电路为电容C6，电容C6的一端连接次级线圈N2的A2端，电容C6的另一端连接次级线圈N3的B3端。可以理解，EMC吸收电路可选择与电容功能相似的其他电路。
优选地，电容C6为贴片电容。
优选地，电容C6取值范围为100PF-220PF。
进一步，本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，
第一输入电路包括：场效应管Q1和电容C1，场效应管Q1的栅极连接第一输入端，场效应管Q1的漏极通过电容C1连接场效应管Q1的源极，场效应管Q1的漏极连接母线输入端Vin，场效应管Q1的源极连接初级线圈N1的A1端。场效应管Q1的源极连接二极管的正极，该二极管的负极连接场效应管Q1的漏极。
第二输入电路包括：场效应管Q2和电容C2，场效应管Q2的栅极连接第二输入端，场效应管Q2的漏极通过电容C2连接场效应管Q2的源极，场效应管Q2的源极连接初级线圈N1的B1端。场效应管Q2的源极连接二极管的正极，该二极管的负极连接场效应管Q2的漏极。
场效应管Q1的源极连接场效应管Q2的漏极。
进一步，本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，还包括绕组LS和电容C5，场效应管Q1的源极通过绕组LS连接初级线圈N1的A1端，初级线圈的B1端通过电容C5连接场效应管Q2的源极。
进一步，本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，还包括用于吸收次级线圈N2和次级线圈N3产生的干扰的第一抗干扰电路和第二抗干扰电路；
第一抗干扰电路的输入端连接次级线圈N2的A2端，第一抗干扰电路的输出端连接第一输出端；
第二抗干扰电路的输入端连接次级线圈N3的B3端，第二抗干扰电路的输出端连接第一输出端；
次级线圈N2的B2端连接第二输出端。
进一步，本实用新型的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，
第一抗干扰电路包括电阻R1、电容C3、二极管D1，次级线圈N2的A2端通过串联电阻R1和电容C3连接第一输出端；次级线圈N2的A2端连接二极管D1的正极，二极管D1的负极连接第一输出端；
第二抗干扰电路包括电阻R2、电容C4、二极管D2，次级线圈N3的B3端通过串联电阻R2和电容C4连接第一输出端；次级线圈N3的B3端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接第一输出端。
具体的，工作原理为：当电路工作在高频状态下时，器件的寄生参数所产生的寄生干扰将不可忽略。如图3所示，场效应管Q1外加电容C1,场效应管Q2外加电容C2；整流二极管D1和D2外加RC吸收电路，用于吸收器件在高频工作中自身寄生电容和电感在器件导通和关断的过程中产生的高频自激振荡，此干扰若不加以吸收会通过电路主线路进行传播，造成电源EMC整体变差，增加EMC电路的设计难度。但是，变压器绕线之间也存在寄生电容，该寄生电容与电路走线之间的杂散漏感形成高频回路。整流二极管D1和D2外加的RC吸收仅仅只吸收了二极管本身的寄生电容和电感产生的干扰，而不能吸收变压器匝间电容与PCB板上走线(线路)之间在高频下形成回路而产生的干扰。本实施例通过设置电容C6来解决此问题，电容C6很好的阻断了变压器的次级线圈N2和次级线圈N3与公共端(地线端)之间产生的寄生干扰回路，能将干扰源所产生的干扰降到最低，减轻了EMC电路的设计压力，使得输入和输出的共模抑制电感有更大的减小空间，达到降低成本提升性能的目的。
另，本实用新型还构造一种电源，该电源包括上述利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路。
优选地，电源包括但不限于适配器、通讯电源、大功率充电器、逆变器以及LED照明电源等。
通过实施本实用新型，优化电源EMC设计，减少EMC器件，降低成本，提高性价比。本设计采用最通用最常见的廉价物料，改善LLC主电路产生的EMC干扰。在增加少量元件的前提下，使电路本身产生的干扰大幅度的降低，在空间、成本、性能方面达到更好的效果。
图4-7是本实用新型一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路与现有技术对比结果图。
在没加C6电容前辐射测试效果如图4和图5所示，其中，图4标示水平，图5标示垂直。
在增加C6电容后的辐射测试效果如图6和图7所示，其中，图6标示水平，图7标示垂直。
从图4和图6可见增加C6后辐射的水平极化方向整体有明显改善；图7和图5相比辐射在垂直极化方向也同样有很好的改善效果。
以上实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据此实施，并不能限制本实用新型的保护范围。凡跟本实用新型权利要求范围所做的均等变化与修饰，均应属于本实用新型权利要求的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，包括：
用于接收输入电压的初级线圈N1，所述初级线圈N1的两端分别连接输入电路，所述初级线圈N1的B1端接地；
与所述初级线圈N1匹配的次级线圈N2和次级线圈N3，所述次级线圈N2和次级线圈N3串联，所述次级线圈N2的B2端连接所述次级线圈N3的A3端；
用于吸收由于器件的寄生参数产生的电磁兼容干扰的EMC吸收电路，所述次级线圈N2的A2端通过所述EMC吸收电路连接所述次级线圈N3的B3端；
所述次级线圈N2的A2端连接第一输出端，所述次级线圈N3的B3端连接所述第一输出端，所述次级线圈N2与所述次级线圈N3的节点连接第二输出端。
2.根据权利要求1所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，所述EMC吸收电路为电容C6，所述电容C6的一端连接所述次级线圈N2的A2端，所述电容C6的另一端连接所述次级线圈N3的B3端。
3.根据权利要求2所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，所述电容C6为贴片电容。
4.根据权利要求2所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，所述电容C6取值范围为100PF-220PF。
5.根据权利要求1所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，所述输入电路包括第一输入电路和第二输入电路，所述第一输入电路连接第一输入端，所述第二输入电路连接第二输入端；
所述第一输入电路连接所述第二输入电路，所述第二输入电路接地；
所述第一输入电路连接所述初级线圈N1的A1端，所述第二输入电路连接所述初级线圈N1的B1端。
6.根据权利要求5所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，
所述第一输入电路包括：场效应管Q1和电容C1，所述场效应管Q1的栅极连接所述第一输入端，所述场效应管Q1的漏极通过所述电容C1连接所述场效应管Q1的源极，所述场效应管Q1的漏极连接母线输入端Vin，所述场效应管Q1的源极连接所述初级线圈N1的A1端；
所述第二输入电路包括：场效应管Q2和电容C2，所述场效应管Q2的栅极连接所述第二输入端，所述场效应管Q2的漏极通过所述电容C2连接所述场效应管Q2的源极，所述场效应管Q2的源极连接所述初级线圈N1的B1端；
所述场效应管Q1的源极连接所述场效应管Q2的漏极。
7.根据权利要求6所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，还包括绕组LS和电容C5，所述场效应管Q1的源极通过所述绕组LS连接所述初级线圈N1的A1端，所述初级线圈的B1端通过所述电容C5连接所述场效应管Q2的源极。
8.根据权利要求1所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，还包括用于吸收所述次级线圈N2和次级线圈N3产生的干扰的第一抗干扰电路和第二抗干扰电路；
所述第一抗干扰电路的输入端连接所述次级线圈N2的A2端，所述第一抗干扰电路的输出端连接第一输出端；
所述第二抗干扰电路的输入端连接所述次级线圈N3的B3端，所述第二抗干扰电路的输出端连接所述第一输出端；
所述次级线圈N2的B2端连接第二输出端。
9.根据权利要求8所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路，其特征在于，
所述第一抗干扰电路包括电阻R1、电容C3、二极管D1，所述次级线圈N2的A2端通过串联所述电阻R1和电容C3连接所述第一输出端；所述次级线圈N2的A2端连接所述二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接所述第一输出端；
所述第二抗干扰电路包括电阻R2、电容C4、二极管D2，所述次级线圈N3的B3端通过串联所述电阻R2和电容C4连接所述第一输出端；所述次级线圈N3的B3端连接所述二极管D2的正极，所述二极管D2的负极连接所述第一输出端。
10.一种电源，其特征在于，所述电源包括权利要求1-9任一所述的利用LLC拓扑的抗电磁兼容干扰电路；
所述电源包括适配器、通讯电源、大功率充电器、逆变器以及LED照明电源中的一种或多种。
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| CN201621262519.8U CN206370771U (zh) | 2016-11-18 | 2016-11-18 | 一种利用llc拓扑的抗电磁兼容干扰电路及电源 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114337294A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-12 | 深圳市崧盛电子股份有限公司 | Llc拓扑结构的磁集成变换器的设计方法及装置 |
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2016
- 2016-11-18 CN CN201621262519.8U patent/CN206370771U/zh active Active
Cited By (2)
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| CN114337294A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-12 | 深圳市崧盛电子股份有限公司 | Llc拓扑结构的磁集成变换器的设计方法及装置 |
| CN114337294B (zh) * | 2021-11-26 | 2023-12-08 | 深圳市崧盛电子股份有限公司 | Llc拓扑结构的磁集成变换器的设计方法及装置 |
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