CN106630989A - 一种高红外发射率陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高红外发射率陶瓷及其制备方法，属于无机非金属功能陶瓷材料领域。本发明的高红外发射率陶瓷，其制备原料包括按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3。本发明以富镁冶金镍渣为原料，达到废物利用的同时能够在不额外添加过渡金属氧化物的情况下具有高红外发射率、颜色较浅、抗弯强度高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及无机非金属功能陶瓷材料领域，具体而言，涉及一种高红外发射率陶瓷及其制备方法。
背景技术
红外辐射陶瓷材料是一种用途广泛的新型功能材料，已在红外辐射加热节能领域得到成功应用。近年来，常温下应用的红外辐射陶瓷材料也引起了人们的广泛关注，在医疗保健、新型建筑材料等领域有广阔的应用前景。其中，堇青石具有热膨胀系数低、介电常数低、介电损耗小、化学稳定性高等优点，作为一种天然矿物已得到广泛研究，以其优良的红外辐射性能而备受人们的重视。然而，在现有的多数堇青石体系红外辐射材料中，普遍添加了过渡金属氧化物，材料多为黑色或深色，限制了材料的应用范围。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
富镁冶金镍渣是一种冶金工业固体废弃物，其年产量大，利用率较低，逐年堆弃的镍渣不仅占用土地，对渣场周围环境造成严重污染，同时又造成资源的浪费。我国的镍产量近几年增长迅速，由此伴随产生的镍渣产量巨大，而目前这些镍渣还不能得到合理有效的利用。经研究发现，富镁冶金镍渣中除了含有镍、铁、钴等元素以外，其还包括SiO2、Al2O3和MgO，并且在镍渣中占有较大比重，而SiO2、Al2O3和MgO这些成分也是陶瓷的主要化学组成。
因此，本发明的目的在于提供一种高红外发射率陶瓷，其以富镁冶金镍渣为原料，达到废物利用的同时能够在不额外添加过渡金属氧化物的情况下具有高红外发射率、颜色较浅、抗弯强度高等优点。
本发明的另一目的在于提供一种高红外发射率陶瓷的制备方法，其以富镁冶金镍渣为原料，能够实现废物利用，并且对富镁冶金镍渣利用率高，而且制备工艺简单、煅烧温度低、操作方便。
本发明的实施例是这样实现的：
一种高红外发射率陶瓷，制备高红外发射率陶瓷的原料包括按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3。
一种高红外发射率陶瓷的制备方法，制备方法包括：将按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3混合，造粒后制成陶瓷胚体，然后将陶瓷胚体进行煅烧。
本发明实施例的有益效果是：
本发明实施例的高红外发射率陶瓷，以富镁冶金镍渣为原料，不需要额外添加过渡金属氧化物，有效解决了现有镍渣利用率低、制备的红外辐射陶瓷材料颜色太深的问题。本发明实施例的高红外发射率陶瓷具有红外辐射率高、颜色较浅、力学性能优异的优点，其中，红外辐射率可达到0.92，抗弯强度可达到80MPa。同时，本发明实施例添加Y2O3能够进一步使陶瓷颜色变浅。
本发明实施例的高红外发射率陶瓷的制备方法，充分利用富镁冶金镍渣，对富镁冶金镍渣的利用率高达40％，具有利用率高、煅烧温度低、操作方便等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例的高红外发射率陶瓷的XRD衍射图谱；
图2为本发明实施例的高红外发射率陶瓷的扫描电镜图片。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本发明实施例的高红外发射率陶瓷，其原料包括按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3。
进一步地，在本发明较佳的实施例中，制备高红外发射率陶瓷的原料包括按重量百分比计的32－35％的富镁冶金镍渣、30.2－30.5％的Al2O3、28.7－30.3％的SiO2、3－6％的Y2O3和3－4％的K2CO3。
进一步地，在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣来源于金属镍和镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。
进一步地，在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO。
进一步地，在本发明较佳的实施例中，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的50－60％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的5－10％，MgO占富镁冶金镍渣总量的30－40％。
进一步地，在本发明较佳的实施例中，高红外发射率陶瓷在波长为1－22μm的波段内的红外发射率为88－90％。
进一步地，在本发明较佳的实施例中，高红外发射率陶瓷在波长为8－14μm的波段内的红外发射率为90－92％。
本发明实施例的高红外发射率陶瓷的制备方法包括：
步骤1：原料混合
将富镁冶金镍渣在转速为300－500转/min的条件下球磨3－5h。球磨后，将按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3混合，获得胚体原料。
进一步，优选地，将按重量百分比计的32－35％的富镁冶金镍渣、30.2－30.5％的Al2O3、28.7－30.3％的SiO2、3－6％的Y2O3和3－4％的K2CO3混合。
本发明实施例的高红外发射率陶瓷的制备方法以富镁冶金镍渣为原料，能够在不添加过渡金属氧化物的前提下，利用富镁冶金镍渣中固有的铁、锰、镍等元素，以及镍渣中所包含的SiO2、Al2O3和MgO等可作为陶瓷组分的物质，来获得高红外发射率陶瓷，避免了现有的红外发射陶瓷因加入过渡金属氧化物而导致陶瓷颜色深的问题。同时，本发明实施例的制备方法还将作为工业废物的富镁冶金镍渣变废为宝，节约了生产成本，也有利于环保。而且，本发明实施例的制备方法还添加Y2O3，其作为原料之一，能够进一步使陶瓷的颜色变浅，其与富镁冶金镍渣中固有的铁、锰、镍等深色元素，能够在颜色上相互抵消，从而获得浅色的高红外发射率陶瓷，进而扩大高红外发射率陶瓷的应用范围。
步骤2：造粒
将胚体原料与添加剂混合，在造粒机中进行造粒。添加剂包括粘结剂、分散剂、消泡剂和润滑剂。其中，粘结剂可以是聚乙烯醇或羧甲基纤维素，或者本领域中的其他常用粘结剂。分散剂可以是水玻璃、六偏磷酸钠或碳酸钠，或者本领域中的其他常用分散剂。消泡剂可以是醇类、酯类或表面活性剂，或者本领域中的其他常用消泡剂。润滑剂可以是油酸、乳化石蜡或甘油，或者本领域中的其他常用润滑剂。其中，润滑剂可选择性地添加。
在进行造粒时，可以按照本领域的常规工艺进行。
步骤3：制胚
将造粒后的胚体原料制成陶瓷胚体。优选地，制胚时的成形压力为5－12MPa。在进行制胚时，也可以按照本领域的常规工艺进行。
步骤4：煅烧
将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以2－5℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至300－400℃，并保温1－2h。然后，以3－5℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1200－1300℃，并保温2－4h。本发明实施例的高红外发射率陶瓷的制备方法与现有的堇青石体系红外辐射陶瓷相比，其煅烧温度更低(制备现有的堇青石体系红外辐射陶瓷的煅烧温度为1300－1400℃)，降低了对设备的要求，节约了成本。煅烧结束后，将陶瓷随炉温将至室温。
经过煅烧后，获得的高红外发射率陶瓷主要以堇青石相为主，其具有高红外发射率。在波长为1－22μm的波段内，本发明实施例的高红外发射率陶瓷的红外发射率为88－90％。在波长为8－14μm的波段内，本发明实施例的高红外发射率陶瓷的红外发射率为90－92％。同时，本发明实施例的高红外发射率陶瓷在扫描电镜下观测到的结构致密，经过测试，其抗弯强度可达80MPa。
实施例1
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取32％富镁冶金镍渣、30.5％Al2O3、28.7％SiO2、3.8％Y2O3和5％K2CO3，也即是，32g富镁冶金镍渣、30.5g Al2O3、28.7g SiO2、3.8g Y2O3和5g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的55％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的8％，MgO占富镁冶金镍渣总量的30％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为400转/min的条件下球磨4h。球磨后，将32g富镁冶金镍渣、30.5g Al2O3、28.7g SiO2、3.8g Y2O3和5g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与聚乙烯醇、水玻璃、表面活性剂、油酸混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为8MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以3.5℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至350℃，并保温1.5h。然后，以4℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1250℃，并保温3h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
实施例2
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取32.8％富镁冶金镍渣、30.2％Al2O3、29.5％SiO2、5.3％Y2O3和2.2％K2CO3，也即是，32.8g富镁冶金镍渣、30.2gAl2O3、29.5g SiO2、5.3g Y2O3和2.2g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的50％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的5％，MgO占富镁冶金镍渣总量的40％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为300转/min的条件下球磨5h。球磨后，将32.8g富镁冶金镍渣、30.2g Al2O3、29.5g SiO2、5.3g Y2O3和2.2g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与羧甲基纤维素、六偏磷酸钠、苯乙醇油酸酯、乳化石蜡混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为10MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以2℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至300℃，并保温1h。然后，以3℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1200℃，并保温2h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
实施例3
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取33.6％富镁冶金镍渣、30.3％Al2O3、26.4％SiO2、6.2％Y2O3和3.5％K2CO3，也即是，33.6g富镁冶金镍渣、30.3gAl2O3、26.4gSiO2、6.2gY2O3和3.5g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于金属镍冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的50％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的5％，MgO占富镁冶金镍渣总量的32.5％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为400转/min的条件下球磨4h。球磨后，将33.6g富镁冶金镍渣、30.3g Al2O3、26.4g SiO2、6.2g Y2O3和3.5g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与聚乙烯醇、碳酸钠、表面活性剂、甘油混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为9MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以3.5℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至350℃，并保温1.5h。然后，以4℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1250℃，并保温3h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
实施例4
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取32％富镁冶金镍渣、30.5％Al2O3、30.5％SiO2、3％Y2O3和4％K2CO3，也即是，32g富镁冶金镍渣、30.5g Al2O3、30.5g SiO2、3g Y2O3和4g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的55％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的10％，MgO占富镁冶金镍渣总量的30％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为500转/min的条件下球磨4h。球磨后，将32g富镁冶金镍渣、30.5g Al2O3、30.5g SiO2、3g Y2O3和4g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与聚乙烯醇、水玻璃、表面活性剂、油酸混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为12MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以5℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至400℃，并保温2h。然后，以5℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1300℃，并保温4h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
实施例5
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取30％富镁冶金镍渣、35％Al2O3、25％SiO2、7％Y2O3和3％K2CO3，也即是，30g富镁冶金镍渣、35g Al2O3、25g SiO2、7g Y2O3和3g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的60％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的5％，MgO占富镁冶金镍渣总量的30％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为400转/min的条件下球磨4h。球磨后，将30g富镁冶金镍渣、35g Al2O3、25g SiO2、7g Y2O3和3g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与聚乙烯醇、水玻璃、表面活性剂、油酸混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为10MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以5℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至400℃，并保温2h。然后，以5℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1300℃，并保温4h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
实施例6
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取40％富镁冶金镍渣、30％Al2O3、25％SiO2、3％Y2O3和2％K2CO3，也即是，40g富镁冶金镍渣、30g Al2O3、25g SiO2、3g Y2O3和2g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的58％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的6％，MgO占富镁冶金镍渣总量的32％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为500转/min的条件下球磨3h。球磨后，将40g富镁冶金镍渣、30g Al2O3、25g SiO2、3g Y2O3和2g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与聚乙烯醇、水玻璃、表面活性剂、油酸混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为12MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以3℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至300℃，并保温2h。然后，以5℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1200℃，并保温4h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
实施例7
称取100g高红外发射率陶瓷的原料，按重量百分比计称取30％富镁冶金镍渣、30％Al2O3、32％SiO2、3％Y2O3和5％K2CO3，也即是，30g富镁冶金镍渣、30g Al2O3、32g SiO2、3g Y2O3和5g K2CO3。其中，富镁冶金镍渣来源于镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。在本发明较佳的实施例中，富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO，按重量百分比计，SiO2占富镁冶金镍渣总量的58％，Al2O3占富镁冶金镍渣总量的6％，MgO占富镁冶金镍渣总量的32％，余量为铁、锰、镍等元素以及其他固体杂质。
本实施例的高红外发射率陶瓷是按照以下方法制备的。
将富镁冶金镍渣在转速为500转/min的条件下球磨3h。球磨后，将30g富镁冶金镍渣、30g Al2O3、32g SiO2、3g Y2O3和5g K2CO3混合，获得胚体原料。将胚体原料与聚乙烯醇、水玻璃、表面活性剂、油酸混合，在造粒机中造粒。将造粒后的胚体原料在压力为5MPa的条件下制成陶瓷胚体。将陶瓷胚体进行煅烧。煅烧时，先以2℃/min的升温速率将陶瓷胚体升温至350℃，并保温2h。然后，以3℃/min的升温速率继续将陶瓷胚体升温至1250℃，并保温2h。最后，将陶瓷随炉温将至室温，得到上述高红外发射率陶瓷。
试验例1高红外发射率陶瓷XRD物相分析和显微结构测试
用X射线衍射仪(XRD，D/Max2500)对实施例1－7所对提供的高红外发射率陶瓷进行物相组成分析，并采用扫描电子显微镜(SEM，JEOL－6310)进行微观形貌分析。
图1为实施例1所提供的高红外发射率陶瓷的XRD衍射图谱。从图1可以看出，高红外发射率陶瓷中以堇青石为主晶相。图2为实施例1所提供的高红外发射率陶瓷的SEM测试结果，扫描电镜的测试结果显示陶瓷的显微结构较为致密，存在少量的孔洞。
试验例2高红外发射率陶瓷的红外发射率测试
采用IR－2型双波段发射率测试仪在室温下对实施例1－7所提供的高红外发射率陶瓷进行双波段红外发射率测试，测试波段范围1－22μm和8－14μm，测试结果见表1。
表1红外发射率测试结果
从表1可以看出，本发明实施例1－7所提供的高红外发射率陶瓷在波长为1－22μm的范围内可达到0.88－0.90，即，88％－90％的高红外发射率。同时，在8－14μm的范围内可达到0.90－0.92，即，90％－92％的高红外发射率。
试验例3高红外发射率陶瓷抗弯强度测试
采用万能试验机对实施例1－4所对提供的多孔陶瓷进行抗弯强度测试。
抗弯强度是指材料抵抗弯曲不断裂的能力，主要用于考察陶瓷等脆性材料的强度。
测试方法：抗弯强度测试在英制Instron1195万能材料试验机上进行。用作测试的试条为3×4×35(mm×mm×mm)。采用三点弯曲法测量，跨距为30mm，加载速率为0.5mm/min。每个数据测试5根试条，然后取平均值。实验结果如表3所示。
表2抗弯强度测试结果
从表2可以看出，本发明提供的高红外发射率陶瓷，其力学性能较好，能够至少达到70Mpa，其中个别实施例的抗弯强度可达到80Mpa。
综上所述，本发明提供的高红外发射率陶瓷具有红外辐射率高、颜色较浅、力学性能优异的优点，红外辐射率可达到0.92，抗弯强度可达到80MPa。本发明提供的高红外发射率陶瓷的制备方法，该方法对富镁冶金镍渣的利用率高达40％，具有利用率高、煅烧温度低、操作方便等优点。本发明提供的高红外发射率陶瓷可应用于医疗保健、新型建筑材料等领域、特种墙体材料等多方面。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高红外发射率陶瓷，其特征在于，制备所述高红外发射率陶瓷的原料包括按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3。
2.根据权利要求1所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，制备所述高红外发射率陶瓷的原料包括按重量百分比计的32－35％的富镁冶金镍渣、30.2－30.5％的Al2O3、28.7－30.3％的SiO2、3－6％的Y2O3和3－4％的K2CO3。
3.根据权利要求1所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，所述富镁冶金镍渣来源于金属镍和镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。
4.根据权利要求3所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，所述富镁冶金镍渣包括SiO2、Al2O3和MgO。
5.根据权利要求4所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，按重量百分比计，SiO2占所述富镁冶金镍渣总量的50－60％，Al2O3占所述富镁冶金镍渣总量的5－10％，MgO占所述富镁冶金镍渣总量的30－40％。
6.根据权利要求1所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，所述高红外发射率陶瓷在波长为1－22μm的波段内的红外发射率为88－90％。
7.根据权利要求1所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，所述高红外发射率陶瓷在波长为8－14μm的波段内的红外发射率为90－92％。
8.一种高红外发射率陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al2O3、25－32％的SiO2、3－7％的Y2O3和2－5％的K2CO3混合，造粒后制成陶瓷胚体，然后将所述陶瓷胚体进行煅烧。
9.根据权利要求8所述的高红外发射率陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：将所述富镁冶金镍渣在转速为300－500转/min的条件下球磨3－5h。
10.根据权利要求8所述的高红外发射率陶瓷的制备方法，其特征在于，将所述陶瓷胚体进行煅烧包括：
以2－5℃/min的升温速率将所述陶瓷胚体升温至300－400℃，并保温1－2h；以及
以3－5℃/min的升温速率继续将所述陶瓷胚体升温至1200－1300℃，并保温2－4h。
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