CN106625202A - 一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具 - Google Patents

一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具 Download PDF

Info

Publication number
CN106625202A
CN106625202A CN201610950264.2A CN201610950264A CN106625202A CN 106625202 A CN106625202 A CN 106625202A CN 201610950264 A CN201610950264 A CN 201610950264A CN 106625202 A CN106625202 A CN 106625202A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
polished
wafer
processing method
skin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610950264.2A
Other languages
English (en)
Inventor
徐云明
徐明阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZHEJIANG LANTE OPTICS CO Ltd
Original Assignee
ZHEJIANG LANTE OPTICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG LANTE OPTICS CO Ltd filed Critical ZHEJIANG LANTE OPTICS CO Ltd
Priority to CN201610950264.2A priority Critical patent/CN106625202A/zh
Publication of CN106625202A publication Critical patent/CN106625202A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种晶圆片的加工方法，属于机械技术领域。它解决了现有技术存在着加工精度不高的问题。本晶圆片的加工方法，该方法包括以下步骤：A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和白皮抛光皮；B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉对晶圆片毛坯快速抛光，得到半产品；C、二次抛光：将上述的半成品采用白皮抛光皮配合抛光液对其进行抛光；D、参数调整：对二次抛光后的晶圆片进行检测、分析，查看晶圆片抛光后的表面光洁度是否达到要求，如果未达到要求重新调整二次抛光的抛光作业时间。本加工方法加工精度高。

Description

一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具
技术领域
本发明属于机械技术领域，涉及一种晶圆片的加工方法及其该加工方法所使用的抛光夹具。
背景技术
在封装领域，一种叫做晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的技术正在彻底改变着整个封装世界，由于它具有尺寸小、成本低、成效高等特点，现今已有近50％的影像传感器芯片使用此项技术，并广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴电子、游戏机、安防、精准医疗等各大电子产品领域。
对于打底的晶圆片的需求迅速增加,同时对晶圆片的精度有了更高的要求。传统的加工方法已经不能满足产量及质量的要求.本专利的加工方法,可以使产品精度的达到国际领先水平,并可稳定的量产,解决了国内对高精度大口径晶圆片加工的空白。
发明内容
本发明的第一个目的是针对现有技术存在的上述问题，提供一种加工精度高的晶圆片加工方法。
本发明的第一个目的可通过下列技术方案来实现：
一种晶圆片的加工方法，该方法包括以下步骤：
A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和白皮抛光皮；
B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉对晶圆片毛坯快速抛光，得到半产品；
C、二次抛光：将上述的半成品采用白皮抛光皮配合抛光液对其进行抛光；
D、参数调整：对二次抛光后的晶圆片进行检测、分析，查看晶圆片抛光后的表面光洁度是否达到要求，如果未达到要求重新调整二次抛光的抛光作业时间。
备用好抛光材料后，一次抛光能快速完成抛光作业但是在晶圆片毛坯上还留有抛光余量。
二次抛光的抛光作业时间稍长，它能提高晶圆片表面的抛光精度和质量。
由于上述的抛光作业应用于工业生产中，因此，通过参数调整能及时修正抛光时间以及抛光进给量。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述的红皮抛光皮为含有氧化铈的抛光皮。它主要能提高抛光速率。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述的白皮抛光皮为含有氧化锆的抛光皮。它主要能提高抛光后晶圆片的光洁度。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述的红皮抛光皮和白皮抛光皮的厚度均为2—4毫米。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述一次抛光的抛光量为0.035～0.045mm。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述一次抛光的抛光时间为120—150分钟。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述二次抛光的抛光量为0.005—0.02mm。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述二次抛光的抛光时间为60—90分钟。
在上述的晶圆片的加工方法中，所述步骤C中的抛光液为氧化铈抛光液。
二次抛光中采用抛光液能明显提高其抛光质量，也就是说，晶圆片表面的光洁度。
本发明的第二个目的是提供上述加工方法中所使用的抛光夹具，本发明的第二个目的可通过下列技术方案来实现：
一种晶圆片的抛光夹具，包括呈圆盘状的盘体，其特征在于，所述盘体边沿处具有若干均布的齿牙，所述盘体中心具有定位孔，所述盘体上还具有贯穿的且用于放置晶圆片的抛光孔，所述抛光孔的数量至少为两个，相邻两抛光孔之间的盘体上还具有贯穿的校正孔。
本抛光夹具安装在对应的机架上后，定位孔内穿设有定位杆，保证整个盘体能绕定位孔转动。
需要抛光作业的晶圆片放置在抛光孔内，盘体转动过程中就能进行抛光作业。在校正孔内放置的小型晶圆片用于起到定位的作用，保证被抛光晶圆片伸出盘体的厚度是相同的，最终达到了控制抛光厚度的目的。
在上述的晶圆片的抛光夹具中，所述抛光孔的数量为三个且周向均布在上述盘体上。
该数量的抛光孔能尽量多的一次性的处理多个晶圆片。
在上述的晶圆片的抛光夹具中，上述校正孔位于相邻两抛光孔之间。
这样的设置能使盘体各处的高度均相等。
在上述的晶圆片的抛光夹具中，相邻两抛光孔之间具有至少三个校正孔且该三个校正孔形成一校正单元。
在上述的晶圆片的抛光夹具中，所述校正孔的孔径为抛光孔孔径的1/3—1/5。
在上述的晶圆片的抛光夹具中，所述每个校正单元与定位孔之间的距离均相等且上述的校正单元均布在盘体上。
与现有技术相比，本晶圆片的加工方法使用的抛光皮是专门定制的3mm抛光皮,抛光效率高。
同时，采用两步抛光的方式,第一步保证加工效率,第二步保证产品精度及表面光洁度，具有很高的实用价值。
另外，通过平面度测量仪(MSP)进行测量并进行数据分析,根据精确的测量结果来进行工艺参数调整,从而得到稳定的量产条件。
本晶圆片的抛光夹具由于在定位孔处安装有与其相匹配的小型晶圆片，因此，能保证被抛光作业晶圆片伸出盘体的高度，因此，其抛光质量能得到保证。
附图说明
图1是本晶圆片的抛光夹具的结构示意图。
图中，1、盘体；2、齿牙；3、定位孔；4、抛光孔；5、校正孔。
具体实施方式
实施例一
本一种晶圆片的加工方法包括以下步骤：
A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和白皮抛光皮；
B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉对晶圆片毛坯快速抛光，得到半产品；
C、二次抛光：将上述的半成品采用白皮抛光皮配合抛光液对其进行抛光；
D、参数调整：对二次抛光后的晶圆片进行检测、分析，查看晶圆片抛光后的表面光洁度是否达到要求，如果未达到要求重新调整二次抛光的抛光作业时间。
所述的红皮抛光皮为含有氧化铈的抛光皮。主要表现为提高抛光速率
所述的白皮抛光皮为含有氧化锆的抛光皮。主要表现为提高光洁度
所述的红皮抛光皮和白皮抛光皮的厚度均为3毫米。
所述一次抛光的抛光量为0.035mm。
所述一次抛光的抛光时间为120分钟。
所述二次抛光的抛光量为0.01mm。
所述二次抛光的抛光时间为60分钟。
所述步骤C中的抛光液为氧化硅抛光液。根据实际情况，所述步骤C中的抛光液为氧化铈抛光液也是可行的。
如图1所示，本晶圆片的抛光夹具，包括呈圆盘状的盘体，所述盘体边沿处具有若干均布的齿牙，所述盘体中心具有定位孔，所述盘体上还具有贯穿的且用于放置晶圆片的抛光孔，所述抛光孔的数量至少为两个，相邻两抛光孔之间的盘体上还具有贯穿的校正孔。
所述抛光孔的数量为三个且周向均布在上述盘体上。
上述校正孔位于相邻两抛光孔之间。
相邻两抛光孔之间具有至少三个校正孔且该三个校正孔形成一校正单元。
所述校正孔的孔径为抛光孔孔径的1/3。
所述每个校正单元与定位孔之间的距离均相等且上述的校正单元均布在盘体上。
实施例二
实施例一
本一种晶圆片的加工方法包括以下步骤：
A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和白皮抛光皮；
B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉对晶圆片毛坯快速抛光，得到半产品；
C、二次抛光：将上述的半成品采用白皮抛光皮配合抛光液对其进行抛光；
D、参数调整：对二次抛光后的晶圆片进行检测、分析，查看晶圆片抛光后的表面光洁度是否达到要求，如果未达到要求重新调整二次抛光的抛光作业时间。
所述的红皮抛光皮为含有氧化铈的抛光皮。主要表现为提高抛光速率
所述的白皮抛光皮为含有氧化锆的抛光皮。主要表现为提高光洁度
所述的红皮抛光皮和白皮抛光皮的厚度均为3毫米。
所述一次抛光的抛光量为0.045mm
所述一次抛光的抛光时间为150分钟。
所述二次抛光的抛光量为0.02mm。
所述二次抛光的抛光时间为90分钟。
所述步骤C中的抛光液为氧化硅抛光液，根据实际情况，所述步骤C中的抛光液为氧化铈抛光液也是可行的。
如图1所示，本晶圆片的抛光夹具，包括呈圆盘状的盘体，所述盘体边沿处具有若干均布的齿牙，所述盘体中心具有定位孔，所述盘体上还具有贯穿的且用于放置晶圆片的抛光孔，所述抛光孔的数量至少为两个，相邻两抛光孔之间的盘体上还具有贯穿的校正孔。
所述抛光孔的数量为三个且周向均布在上述盘体上。
上述校正孔位于相邻两抛光孔之间。
相邻两抛光孔之间具有至少三个校正孔且该三个校正孔形成一校正单元。
所述校正孔的孔径为抛光孔孔径的1/5。
所述每个校正单元与定位孔之间的距离均相等且上述的校正单元均布在盘体上。
实施例三
实施例一
本一种晶圆片的加工方法包括以下步骤：
A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和白皮抛光皮；
B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉对晶圆片毛坯快速抛光，得到半产品；
C、二次抛光：将上述的半成品采用白皮抛光皮配合抛光液对其进行抛光；
D、参数调整：对二次抛光后的晶圆片进行检测、分析，查看晶圆片抛光后的表面光洁度是否达到要求，如果未达到要求重新调整二次抛光的抛光作业时间。
所述的红皮抛光皮为含有氧化铈的抛光皮。主要表现为提高抛光速率
所述的白皮抛光皮为含有氧化锆的抛光皮。主要表现为提高光洁度
所述的红皮抛光皮和白皮抛光皮的厚度均为3毫米。
所述一次抛光的抛光量为0.04mm
所述一次抛光的抛光时间为130分钟。
所述二次抛光的抛光量为0.005mm。
所述二次抛光的抛光时间为70分钟。
所述步骤C中的抛光液为氧化铈抛光液。
所述步骤C中的抛光液为氧化铈抛光液。
如图1所示，本晶圆片的抛光夹具，包括呈圆盘状的盘体，所述盘体边沿处具有若干均布的齿牙，所述盘体中心具有定位孔，所述盘体上还具有贯穿的且用于放置晶圆片的抛光孔，所述抛光孔的数量至少为两个，相邻两抛光孔之间的盘体上还具有贯穿的校正孔。
所述抛光孔的数量为三个且周向均布在上述盘体上。
上述校正孔位于相邻两抛光孔之间。
相邻两抛光孔之间具有至少三个校正孔且该三个校正孔形成一校正单元。
所述校正孔的孔径为抛光孔孔径的1/4。
所述每个校正单元与定位孔之间的距离均相等且上述的校正单元均布在盘体上。

Claims (10)

1.一种晶圆片的加工方法，该方法包括以下步骤：
A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和白皮抛光皮；
B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉对晶圆片毛坯快速抛光，得到半产品；
C、二次抛光：将上述的半成品采用白皮抛光皮配合抛光液对其进行抛光；
D、参数调整：对二次抛光后的晶圆片进行检测、分析，查看晶圆片抛光后的表面光洁度是否达到要求，如果未达到要求重新调整二次抛光的抛光作业时间。
2.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述的红皮抛光皮为含有氧化铈的抛光皮。
3.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述的白皮抛光皮为含有氧化锆的抛光皮。
4.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述的红皮抛光皮和白皮抛光皮的厚度均为2—4毫米。
5.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述一次抛光的抛光量为0.035～0.045mm。
6.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述一次抛光的抛光时间为120—150分钟。
7.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述二次抛光的抛光量为0.01—0.02mm。
8.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述二次抛光的抛光时间为60—90分钟。
9.根据权利要求1所述的晶圆片的加工方法，其特征在于，所述步骤C中的抛光液为氧化铈抛光液。
10.一种晶圆片的抛光夹具，包括呈圆盘状的盘体，其特征在于，所述盘体边沿处具有若干均布的齿牙，所述盘体中心具有定位孔，所述盘体上还具有贯穿的且用于放置晶圆片的抛光孔，所述抛光孔的数量至少为两个，相邻两抛光孔之间的盘体上还具有贯穿的校正孔。
CN201610950264.2A 2016-11-02 2016-11-02 一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具 Pending CN106625202A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610950264.2A CN106625202A (zh) 2016-11-02 2016-11-02 一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610950264.2A CN106625202A (zh) 2016-11-02 2016-11-02 一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106625202A true CN106625202A (zh) 2017-05-10

Family

ID=58821513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610950264.2A Pending CN106625202A (zh) 2016-11-02 2016-11-02 一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106625202A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114800055A (zh) * 2022-04-28 2022-07-29 浙江美迪凯光学半导体有限公司 一种方形片的抛光工艺

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05169365A (ja) * 1991-11-15 1993-07-09 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウェハ両面研磨装置
CN1480992A (zh) * 2002-09-06 2004-03-10 大连淡宁实业发展有限公司 大面积平面晶片双面精密加工工艺
CN1836842A (zh) * 2006-04-19 2006-09-27 山东大学 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法
CN101934490A (zh) * 2010-08-10 2011-01-05 天津中环领先材料技术有限公司 超高电阻率硅抛光片的抛光工艺
CN201736114U (zh) * 2010-06-22 2011-02-09 嘉兴海盛电子有限公司 一种游星片
JP5982427B2 (ja) * 2014-06-09 2016-08-31 昭和電工株式会社 両面加工装置に用いられるキャリアプレート
CN206263785U (zh) * 2016-11-02 2017-06-20 浙江蓝特光学股份有限公司 一种晶圆片的抛光夹具

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05169365A (ja) * 1991-11-15 1993-07-09 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウェハ両面研磨装置
CN1480992A (zh) * 2002-09-06 2004-03-10 大连淡宁实业发展有限公司 大面积平面晶片双面精密加工工艺
CN1836842A (zh) * 2006-04-19 2006-09-27 山东大学 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法
CN201736114U (zh) * 2010-06-22 2011-02-09 嘉兴海盛电子有限公司 一种游星片
CN101934490A (zh) * 2010-08-10 2011-01-05 天津中环领先材料技术有限公司 超高电阻率硅抛光片的抛光工艺
JP5982427B2 (ja) * 2014-06-09 2016-08-31 昭和電工株式会社 両面加工装置に用いられるキャリアプレート
CN206263785U (zh) * 2016-11-02 2017-06-20 浙江蓝特光学股份有限公司 一种晶圆片的抛光夹具

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李林等: "《工程光学》", 31 August 2003, 北京理工大学出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114800055A (zh) * 2022-04-28 2022-07-29 浙江美迪凯光学半导体有限公司 一种方形片的抛光工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104290002B (zh) 一种柱面镜的加工方法
CN104191370B (zh) 全口径抛光中抛光盘表面形状的修正方法及装置
CN104772661A (zh) 全频段高精度非球面光学元件的加工方法
CN103801823A (zh) 晶片对准定位装置及方法
CN104057370B (zh) 一种高精度数控圆柱滚子精磨超精一体机床
CN104759964B (zh) 光学非球面元件的变形加工方法
CN104384876B (zh) 高精度齿轮制造方法
JP6523723B2 (ja) 単歯割出し研削法による傘歯車の研削加工方法
US20150251260A1 (en) Dressing device and gear grinding device
CN107470979A (zh) 锥形工件内腔加工找正方法及装置
CN104526889A (zh) 一种高精度压电式传感器用石英晶片制备方法
CN203292977U (zh) 高精度半球透镜的表面加工装置
CN105424279B (zh) 检测轴承保持架动不平衡量的方法
CN206263785U (zh) 一种晶圆片的抛光夹具
CN106625202A (zh) 一种晶圆片的加工方法及其抛光夹具
CN102615552A (zh) 一种全自动五轴加工曲面的在线检测技术
CN109807694A (zh) 一种控制异形光学窗口零件高平行差加工的质心上盘工装及抛光方法
CN115091287B (zh) 一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统
CN109318063A (zh) 激光陀螺槽片环槽抛光设备及方法
CN204253550U (zh) 伺服调整螺钉
CN102626901B (zh) 一种球头抛光轮的数控加工方法
CN206066084U (zh) 组合式机械对刀仪
CN210452327U (zh) 精密陶瓷加工用圆弧分度工装
CN104454890B (zh) 伺服调整螺钉及其加工方法
CN205703761U (zh) 一种智能化研磨机控制的系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170510