CN106601643B - 芯片的mos工艺角的测量方法、装置和系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

Description

芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统

技术领域

本发明涉及芯片的MOS工艺角测量领域，具体而言，涉及一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。

背景技术

在集成电路制造的过程中，由于工艺的偏差，生产出来芯片有不同的工艺角，芯片中各模块的性能受工艺角的偏差变化明显，为了达到符合要求的性能，需要在出厂时进行测量并微调，图1是根据现有技术的一种芯片的NMOS工艺角的测量电路的结构图，该电路由一个偏置电路和一个判断电路组成，其工作原理是一个不随工艺角变化的恒流源Ibn给NMOS提供电流偏置产生电压Vgsn，Vgsn的电压随工艺角变化，NMOS在slow工艺角时Vgsn最大为Vgsmax，在fast工艺角时Vgsn最小为Vgsmin，在typical工艺角时Vgsn介于Vgsmax和Vgsmin之间，通过合理设置Vsn和Vfn，使Vsn和Vfn满足关系式Vgsmax>Vsn>Vfn>Vgsmin，该电路就能鉴别出NMOS的工艺角。当Vgsn>Vsn时SN＝1，TN＝0，FN＝0，表示NMOS是slow工艺角；当Vgsn<Vfn时SN＝0，TN＝0，FN＝1，表示NMOS是fast工艺角；否则SN＝0，TN＝1，FN＝0，表示NMOS是typical工艺角。这种检测电路采用了NMOS的直流特性鉴别工艺角。相同地，可以借鉴该电路完成PMOS的工艺角的检测，上述检测方法增加了芯片的量产成本和降低了量产效率。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统，以至少解决现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法，包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断所述驱动电压是否处于稳定状态；在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

进一步地，在检测待测量芯片的驱动电压之前，所述方法还包括：控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

进一步地，在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，所述方法还包括：通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种芯片的MOS工艺角的测量装置，包括：检测单元，用于检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断单元，用于判断所述驱动电压是否处于稳定状态；比较单元，用于在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；确定单元，用于根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow，所述比较单元包括：第一比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第一确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，所述比较单元包括：第二比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第二确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，所述比较单元包括：第三比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第三确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，所述比较单元包括：第四比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第四确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，所述比较单元包括：第五比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；所述确定单元包括：第五确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

进一步地，所述装置还包括：保持单元，用于在检测待测量芯片的驱动电压之前，控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

进一步地，所述装置还包括：仿真单元，用于在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；生成单元，用于根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种芯片的MOS工艺角的测量系统，包括：待测量芯片，所述待测量芯片包括锁相环，所述锁相环包括电压控制振荡器，所述电压控制振荡器的输入端电压为所述待测量芯片的驱动电压；测量电路,与所述待测量芯片相连接，包括：检测信号输入端、工艺角判断阈值输入端、稳定指示信号输出端和工艺角指示信号输出端，其中，所述检测信号输入端与所述电压控制振荡器的输入端相连，用于获取所述待测量芯片的驱动电压，所述工艺角判断信号输入端用于输入所述待测量芯片的工节角判断阈值，所述稳定指示信号输出端用于指示所述驱动电压是否处于稳定状态，并且在所述驱动电压处于稳定状态时，所述稳定指示信号输出端输出高电平，所述工艺角指示信号输出端用于指示所述待测量芯片的MOS工艺角。

进一步地，所述工艺角指示信号输出端包括：SS工艺角指示信号输出端、SNFP工艺角指示信号输出端、TT工艺角指示信号输出端、FNSP工艺角指示信号输出端和FF工艺角指示信号输出端，在所述待测量芯片为SS工艺角时，所述SS工艺角指示信号输出端输出高电平；在所述待测量芯片为SNFP工艺角时，所述SNFP工艺角指示信号输出端输出高电平；在所述待测量芯片为TT工艺角时，所述TT工艺角指示信号输出端输出高电平；在所述待测量芯片为FNSP工艺角时，所述FNSP工艺角指示信号输出端输出高电平；在所述待测量芯片为FF工艺角时，所述FF工艺角指示信号输出端输出高电平。

在本发明实施例中，采用检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角的方式，通过将待检测芯片自带的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压与工艺角判断阈值进行比较，达到了测量待检测芯片的MOS工艺角的目的，从而实现了方便的测量出芯片的MOS工艺角的技术效果，进而解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据现有技术的一种芯片的NMOS工艺角的测量电路的结构图；

图2是根据本发明实施例的一种可选的芯片的MOS工艺角的测量系统的示意图；

图3是根据本发明实施例的一种可选的芯片的MOS工艺角的测量方法的流程图；

图4是根据本发明实施例的在预设输入频率下所述待测量芯片为不同MOS工艺角时驱动电压数据的仿真图；

图5是根据本发明实施例的一种可选的芯片的MOS工艺角的测量装置的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

根据本发明实施例，提供了一种芯片的MOS工艺角的测量系统的实施例，图2是根据本发明实施例的一种可选的芯片的MOS工艺角的测量系统的示意图，如图2所示，该系统包括：

待测量芯片，待测量芯片包括锁相环，锁相环包括电压控制振荡器，电压控制振荡器的输入端电压为待测量芯片的驱动电压。

测量电路,与待测量芯片相连接，包括：检测信号输入端、工艺角判断阈值输入端、稳定指示信号输出端和工艺角指示信号输出端，其中，检测信号输入端与电压控制振荡器的输入端相连，用于获取待测量芯片的驱动电压，工艺角判断信号输入端用于输入待测量芯片的工节角判断阈值，稳定指示信号输出端用于指示驱动电压是否处于稳定状态，并且在驱动电压处于稳定状态时，稳定指示信号输出端输出高电平，工艺角指示信号输出端用于指示待测量芯片的MOS工艺角。

待测量芯片中包括锁相环，锁相环中包括电压控制振荡器，电压控制振荡器的输入端电压即为驱动电压。测量电路用来测量待测量芯片的MOS工艺角，其中，测量电路的检测信号输入端与待测量芯片中电压控制振荡器的输入端相连，用于检测驱动电压的大小。保持锁相环的输入频率为预设频率不变，当锁相环锁定，驱动电压处于稳定状态时，测量电路的稳定指示信号输出端输出高电平。测量电路的工艺角判断阈值输入端用于设置工艺角判断阈值，该工艺角判断阈值用于表示待测量芯片为不同MOS工艺角时，驱动电压的临界值。在驱动电压处于稳定状态，即测量电路的稳定指示信号输出端输出高电平时，测量电路比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并通过工艺角指示信号输出端输出指示信号，指示待测量芯片的MOS工艺角。

在本发明实施例中，采用检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角的方式，通过将待检测芯片自带的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压与工艺角判断阈值进行比较，达到了测量待检测芯片的MOS工艺角的目的，从而实现了方便的测量出芯片的MOS工艺角的技术效果，进而解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

可选地，工艺角指示信号输出端包括：SS工艺角指示信号输出端、SNFP工艺角指示信号输出端、TT工艺角指示信号输出端、FNSP工艺角指示信号输出端和FF工艺角指示信号输出端，在待测量芯片为SS工艺角时，SS工艺角指示信号输出端输出高电平；在待测量芯片为SNFP工艺角时，SNFP工艺角指示信号输出端输出高电平；在待测量芯片为TT工艺角时，TT工艺角指示信号输出端输出高电平；在待测量芯片为FNSP工艺角时，FNSP工艺角指示信号输出端输出高电平；在待测量芯片为FF工艺角时，FF工艺角指示信号输出端输出高电平。测量电路的工艺角指示信号输出端包括SS工艺角指示信号输出端、SNFP工艺角指示信号输出端、TT工艺角指示信号输出端、FNSP工艺角指示信号输出端和FF工艺角指示信号输出端，测量电路比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小之后，根据比较结果确定待测量芯片的MOS工艺角，并通过工艺角指示信号输出端输出指示信号，其中，在确定待测量芯片为SS工艺角时，通过SS工艺角指示信号输出端输出高电平；在确定待测量芯片为SNFP工艺角时，通过SNFP工艺角指示信号输出端输出高电平；在确定待测量芯片为TT工艺角时，通过TT工艺角指示信号输出端输出高电平；在确定待测量芯片为FNSP工艺角时，通过FNSP工艺角指示信号输出端输出高电平；在确定待测量芯片为FF工艺角时，通过FF工艺角指示信号输出端输出高电平。

根据本发明实施例，提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法的方法实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

图3是根据本发明实施例的一种可选的芯片的MOS工艺角的测量方法的示意图，如图3所示，该方法包括如下步骤：

步骤S302，检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压。

待测量芯片中包括锁相环，锁相环中包括电压控制振荡器，电压控制振荡器的输入端电压为待测量芯片的驱动电压。检测电压控制振荡器的输入端电压，得到待测量芯片的驱动电压的大小。

步骤S304，判断驱动电压是否处于稳定状态。

步骤S306，在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型。

在锁相环工作过程中，驱动电压会不断变化，当锁相环完成锁定时，驱动电压保持不变，处于稳定状态。判断检测到的驱动电压是否处于稳定状态，在判断出驱动电压处于稳定状态时，比较驱动电压与预先设置的工艺角判断阈值的大小，其中，工艺角判断阈值为预先设置的待测量芯片为不同工艺角时驱动电压的临界值，用于区分待测量芯片的工艺角的类型。

步骤S308，根据比较结果确定待测量芯片的MOS工艺角。

根据驱动电压与预行列设置的工艺角判断阈值的大小比较结果，即可以确定出待测量芯片的MOS工艺角。

在本发明实施例中，采用检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角的方式，通过将待检测芯片自带的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压与工艺角判断阈值进行比较，达到了测量待检测芯片的MOS工艺角的目的，从而实现了方便的测量出芯片的MOS工艺角的技术效果，进而解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

可选地，工艺角判断阈值包括Vslow，在驱动电压稳定时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vslow的大小，得到比较结果；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角包括：在比较结果指示驱动电压大于等于Vslow时，确定芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

工艺角判断阈值包括Vslow，在驱动电压稳定时，比较驱动电压与工艺角判断阈值Vslow的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vslow，则确定待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在驱动电压稳定时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vslow和Vsnfp的大小，得到比较结果；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角包括：在比较结果指示驱动电压大于等于Vsnfp，且驱动电压小于Vslow时，确定芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在驱动电压稳定时，分别比较驱动电压与工艺角判断阈值Vslow和工艺角判断阈值Vsnfp的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vsnfp，并且驱动电压小于工艺角判断阈值Vslow，则确定待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在驱动电压稳定时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vsnfp和Vtt的大小，得到比较结果；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角包括：在比较结果指示驱动电压大于等于Vtt，且驱动电压小于Vsnfp时，确定芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在驱动电压稳定时，分别比较驱动电压与工艺角判断阈值Vsnfp和工艺角判断阈值Vtt的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vtt，并且驱动电压小于工艺角判断阈值Vsnfp，则确定待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，在驱动电压稳定时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vtt和Vfnsp的大小，得到比较结果；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角包括：在比较结果指示驱动电压大于等于Vfnsp，且驱动电压小于Vtt时，确定芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，在驱动电压稳定时，分别比较驱动电压与工艺角判断阈值Vtt和工艺角判断阈值Vfnsp的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vfnsp，并且驱动电压小于工艺角判断阈值Vtt，则确定待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vfnsp，在驱动电压稳定时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vfnsp的大小，得到比较结果；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角包括：在比较结果指示驱动电压小于Vfnsp时，确定芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

工艺角判断阈值包括Vfnsp，在驱动电压稳定时，比较驱动电压与工艺角判断阈值Vfnsp的大小，如果驱动电压小于工艺角判断阈值Vfnsp，则确定待测量芯片的MOS工艺角为FF工艺角。

可选地，在检测待测量芯片的驱动电压之前，方法还包括：控制待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

在待测量芯片中锁相环的输入频率发生变化时，电压控制振荡器的输入端电压也会发生变化，即在输入频率发生变化时，驱动电压也会随之变化。在检测待测量芯片的驱动电压与工艺角判断阈值进行比较之前，控制待测量芯片中的锁相环的输入频率保持为预设频率不变。

可选地，在比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定芯片的MOS工艺角之前，方法还包括：通过仿真获取在待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；根据驱动电压数据生成工艺角判断阈值。

比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，从而确定待测量芯片的MOS工艺角之前，要先合理设置工艺角判断阈值，从而确保芯片MOS工艺角测量结果的准确。可选地，通过仿真的方式确定工艺角判断阈值。在仿真时，要保持锁相环的输入频率为预设频率不变，获取到待测量芯片为不同的MOS工艺角时的驱动电压数据，根据获取到的驱动电压数据，选择合适的数值作为工艺角判断阈值。

图4是根据本发明实施例的在预设输入频率下芯片为不同MOS工艺角时驱动电压数据的仿真图，如图4所示，在待测量芯片为SS工艺角时，由仿真获取到的处于稳定状态的驱动电压为0.891V，在待测量芯片为SNFP工艺角时，由仿真获取到的处于稳定状态的驱动电压为0.878V，在待测量芯片为TT工艺角时，由仿真获取到的处于稳定状态的驱动电压为0.806V，在待测量芯片为FNSP工艺角时，由仿真获取到的处于稳定状态的驱动电压为0.748V，在待测量芯片为FF工艺角时，由仿真获取到的处于稳定状态的驱动电压为0.724V，根据仿真获取到的数据可以选择合理的数值作为工艺角判断阈值，如取仿真得到的相临两个驱动电压值的平均值，作为临界值，即工艺角判断阈值。

根据本发明实施例，还提供了一种用于实施上述终端桌面应用的启动方法的终端桌面应用的启动装置，该终端桌面应用的启动装置主要用于执行本发明实施例上述内容所提供的终端桌面应用的启动方法，以下对本发明实施例所提供的终端桌面应用的启动装置做具体介绍：

图5是根据本发明实施例的一种可选的芯片的MOS工艺角的测量装置的示意图，如图5所示，该装置包括：

检测单元501，用于检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；

待测量芯片中包括锁相环，锁相环中包括电压控制振荡器，电压控制振荡器的输入端电压为待测量芯片的驱动电压。检测单元501检测电压控制振荡器的输入端电压，得到待测量芯片的驱动电压的大小。

判断单元502，用于判断驱动电压是否处于稳定状态；

比较单元503，用于在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；

在锁相环工作过程中，驱动电压会不断变化，当锁相环完成锁定时，驱动电压保持不变，处于稳定状态。判断单元502判断检测到的驱动电压是否处于稳定状态，在判断出驱动电压处于稳定状态时，由比较单元503比较驱动电压与预先设置的工艺角判断阈值的大小，其中，工艺角判断阈值为预先设置的待测量芯片为不同工艺角时驱动电压的临界值，用于区分待测量芯片的工艺角的类型。

确定单元504，用于根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。

确定单元504根据驱动电压与预行列设置的工艺角判断阈值的大小比较结果，即可以确定出待测量芯片的MOS工艺角。

在本发明实施例中，采用检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角的方式，通过将待检测芯片自带的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压与工艺角判断阈值进行比较，达到了测量待检测芯片的MOS工艺角的目的，从而实现了方便的测量出芯片的MOS工艺角的技术效果，进而解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

可选地，工艺角判断阈值包括Vslow，比较单元包括：第一比较模块，用于在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vslow的大小，得到比较结果；确定单元包括：第一确定模块，用于在比较结果指示驱动电压大于等于Vslow时，确定芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

工艺角判断阈值包括Vslow，在驱动电压稳定时，第一比较模块比较驱动电压与工艺角判断阈值Vslow的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vslow，则第一确定模块确定待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，比较单元包括：第二比较模块，用于在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vslow和Vsnfp的大小，得到比较结果；确定单元包括：第二确定模块，用于在比较结果指示驱动电压大于等于Vsnfp，且驱动电压小于Vslow时，确定芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在驱动电压稳定时，第二比较模块分别比较驱动电压与工艺角判断阈值Vslow和工艺角判断阈值Vsnfp的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vsnfp，并且驱动电压小于工艺角判断阈值Vslow，则第二确定模块确定待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，比较单元包括：第三比较模块，用于在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vsnfp和Vtt的大小，得到比较结果；确定单元包括：第三确定模块，用于在比较结果指示驱动电压大于等于Vtt，且驱动电压小于Vsnfp时，确定芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在驱动电压稳定时，第三比较模块分别比较驱动电压与工艺角判断阈值Vsnfp和工艺角判断阈值Vtt的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vtt，并且驱动电压小于工艺角判断阈值Vsnfp，则第三确定模块确定待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，比较单元包括：第四比较模块，用于在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vtt和Vfnsp的大小，得到比较结果；确定单元包括：第四确定模块，用于在比较结果指示驱动电压大于等于Vfnsp，且驱动电压小于Vtt时，确定芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，在驱动电压稳定时，第四比较模块分别比较驱动电压与工艺角判断阈值Vtt和工艺角判断阈值Vfnsp的大小，如果驱动电压大于等于工艺角判断阈值Vfnsp，并且驱动电压小于工艺角判断阈值Vtt，则第四确定模块确定待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

可选地，工艺角判断阈值包括Vfnsp，比较单元包括：第五比较模块，用于在驱动电压稳定时比较驱动电压与Vfnsp的大小，得到比较结果；确定单元包括：第五确定模块，用于在比较结果指示驱动电压小于Vfnsp时，确定芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

工艺角判断阈值包括Vfnsp，在驱动电压稳定时，第五比较模块比较驱动电压与工艺角判断阈值Vfnsp的大小，如果驱动电压小于工艺角判断阈值Vfnsp，则第五确定模块确定待测量芯片的MOS工艺角为FF工艺角。

可选地，装置还包括：保持单元，用于在检测待测量芯片的驱动电压之前，控制待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

在待测量芯片中锁相环的输入频率发生变化时，电压控制振荡器的输入端电压也会发生变化，即在输入频率发生变化时，驱动电压也会随之变化。在检测待测量芯片的驱动电压与工艺角判断阈值进行比较之前，由保持单元控制待测量芯片中的锁相环的输入频率保持为预设频率不变。

可选地，装置还包括：仿真单元，用于在比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定芯片的MOS工艺角之前，通过仿真获取在芯片的锁相环的输入频率为预设频率，芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；生成单元，用于根据驱动电压数据生成工艺角判断阈值。

比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，从而确定待测量芯片的MOS工艺角之前，要先合理设置工艺角判断阈值，从而确保芯片MOS工艺角测量结果的准确。可选地，仿真单元通过仿真的方式确定工艺角判断阈值，在仿真时，要保持锁相环的输入频率为预设频率不变，获取到待测量芯片为不同的MOS工艺角时的驱动电压数据，根据获取到的驱动电压数据，选择合适的数值作为工艺角判断阈值。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种芯片的MOS工艺角的测量方法，其特征在于，包括：

检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；

判断所述驱动电压是否处于稳定状态；

在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在检测待测量芯片的驱动电压之前，所述方法还包括：

控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的方法，其特征在于，在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，所述方法还包括：

通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；

根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。

9.一种芯片的MOS工艺角的测量装置，其特征在于，包括：

检测单元，用于检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；

判断单元，用于判断所述驱动电压是否处于稳定状态；

比较单元，用于在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；

确定单元，用于根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，

所述比较单元包括：第一比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；

所述确定单元包括：第一确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，

所述比较单元包括：第二比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；

所述确定单元包括：第二确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

12.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，

所述比较单元包括：第三比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；

所述确定单元包括：第三确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

13.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，

所述比较单元包括：第四比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；

所述确定单元包括：第四确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

14.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，

所述比较单元包括：第五比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；

所述确定单元包括：第五确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

15.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

保持单元，用于在检测待测量芯片的驱动电压之前，控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

16.根据权利要求9至15任意一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

仿真单元，用于在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；

生成单元，用于根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。

17.一种芯片的MOS工艺角的测量系统，其特征在于，包括：

待测量芯片，所述待测量芯片包括锁相环，所述锁相环包括电压控制振荡器，所述电压控制振荡器的输入端电压为所述待测量芯片的驱动电压；

测量电路,与所述待测量芯片相连接，包括：检测信号输入端、工艺角判断阈值输入端、稳定指示信号输出端和工艺角指示信号输出端，其中，所述检测信号输入端与所述电压控制振荡器的输入端相连，用于获取所述待测量芯片的驱动电压，所述工艺角判断信号输入端用于输入所述待测量芯片的工节角判断阈值，所述稳定指示信号输出端用于指示所述驱动电压是否处于稳定状态，并且在所述驱动电压处于稳定状态时，所述稳定指示信号输出端输出高电平，所述工艺角指示信号输出端用于指示所述待测量芯片的MOS工艺角。

18.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，所述工艺角指示信号输出端包括：SS工艺角指示信号输出端、SNFP工艺角指示信号输出端、TT工艺角指示信号输出端、FNSP工艺角指示信号输出端和FF工艺角指示信号输出端，

在所述待测量芯片为SS工艺角时，所述SS工艺角指示信号输出端输出高电平；

在所述待测量芯片为SNFP工艺角时，所述SNFP工艺角指示信号输出端输出高电平；

在所述待测量芯片为TT工艺角时，所述TT工艺角指示信号输出端输出高电平；

在所述待测量芯片为FNSP工艺角时，所述FNSP工艺角指示信号输出端输出高电平；

在所述待测量芯片为FF工艺角时，所述FF工艺角指示信号输出端输出高电平。