CN106588085A - 一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域,具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低的问题。制备方法:一、揉制面团;二、发酵与冻干得到多孔面团;三、炭化得到碳多孔骨架;四、烧结得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。本发明主要用于制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
Description
技术领域
本发明属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域,具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。
背景技术
多孔陶瓷具有很有独特的性能,例如:重量轻、比表面积大、耐高温以及化学性质稳定等,已经广泛应用在催化剂载体、高温过滤器、吸波、吸声和生物陶瓷等方面。其中,SiC多孔陶瓷除了具备密度小、孔隙率高、比表面积大的特点外,更具有热导率高、机械强度高、热膨胀系数小和抗热冲击强等SiC自身的特性。因此,SiC多孔陶瓷应用也越来越广泛。由SiC多孔陶瓷制成的轴承、喷咀、发动机部件、燃气机叶片和耐火材料等在航空航天、化工、汽车、冶金和机械等多个行业得到了广泛应用。
新世纪以来,航空航天飞行器的发展快速推进,尤其是随着宇航技术的发展,许多空天飞行器已经在美国开发并民用化。空天飞行器要求轻量化,并且能在复杂的太空环境下生存,因此空天飞行器用材料应具备抗太空各种辐射,并且基于轻量化考虑,空天飞行器材料还应该结构功能一体化,在具有功能性的前提下,还具有结构承载能力。鉴于SiC优异的物理化学性质,在航空航天中的使用需求越来越广泛和迫切。
现阶段,SiC多孔陶瓷的制备方法有很多,例如有机泡沫浸渍法、发泡法、添加造孔剂法和粒子烧结法等等。但这些制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低等缺点。
发明内容
本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低的问题,而提供一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法。
一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,具体是按以下步骤完成的:
一、揉制面团:利用去离子水将面粉和酵母混合均匀,并揉制成面团;
二、发酵与冻干:将面团先恒温发酵,然后冷冻干燥,得到多孔面团;
三、炭化:将多孔面团进行炭化处理,得到碳多孔骨架;
四、烧结:将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后烧结,再冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
本发明优点:一、本发明开发了一种简便、易于放大的制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷,该SiC多孔陶瓷实现结构功能一体化,本发明以面粉为原材料和酵母为发泡剂,先制备成多孔碳材料,然后在硅粉存在的环境下进行高温烧结,最终形成SiC多孔陶瓷,制备的多孔材料孔径可调、耐高温、力学承载性优异;二、通过改变酵母的用量来调节SiC多孔陶瓷中的孔径大小和分布情况;三、面粉中不加硅粉作为内部硅源时,可以得到由外到内SiC含量逐渐递减即SiC呈梯度分布的多孔陶瓷;面粉中加入硅粉作为内部硅源时,可以得到SiC分布均匀的多孔陶瓷;四、高温烧结时,通过改变外部硅源的量,可以调节SiC多孔陶瓷中SiC所占百分含量。
附图说
图1为实施例1制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
图2为实施例1制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的XRD图;
图3为实施例2制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
图4为实施例3制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
图5为实施例4制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
图6为实施例4制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的XRD图;
图7为实施例20制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;
图8为实施例20制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的XRD图。
具体实施方式
具体实施方式一:本实施方式是一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,具体是按以下步骤完成的:
一、揉制面团:利用去离子水将面粉和酵母混合均匀,并揉制成面团;
二、发酵与冻干:将面团先恒温发酵,然后冷冻干燥,得到多孔面团;
三、炭化:将多孔面团进行炭化处理,得到碳多孔骨架;
四、烧结:将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后烧结,再冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
本实施方式在SiC生成的过程中,体系中会发生如下化学反应:
SiO2(s)+Si(s)=2SiO(g) (1)
SiO2(s)+C(s)=SiO(g)+CO(g) (2)
SiO(g)+2C(s)=SiC(s)+CO(g) (3)
SiO(g)+3CO(g)=SiC(s)+2CO2(g) (4)
SiO气体经由碳多孔骨架的孔道进入其内部并与之反应生成SiC。
本实施方式开发了一种简便、易于放大的制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷,该SiC多孔陶瓷实现结构功能一体化,本实施方式以面粉为原材料和酵母为发泡剂,先制备成多孔碳材料,然后在硅粉存在的环境下进行高温烧结,最终形成SiC多孔陶瓷,制备的多孔材料孔径可调、耐高温、力学承载性优异。
通过改变酵母的用量来调节SiC多孔陶瓷中的孔径大小和分布情况。
面粉中不加硅粉作为内部硅源时,可以得到由外到内SiC含量逐渐递减即SiC呈梯度分布的多孔陶瓷。
高温烧结时,通过改变外部硅源的量,可以调节SiC多孔陶瓷中SiC所占百分含量。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一的不同点是:步骤一中所述的面粉与酵母的质量比为200:(1~5)。其他与具体实施方式一相同
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二之一不同点是:步骤一中所述的面粉的质量与去离子水的体积比为1g:(0.6mL~1mL)。其他与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同点是:步骤一中所述的面团中还包含硅粉,且所述面团中硅粉质量不高于面粉质量的1/4。其他与具体实施方式一至三相同。
本实施方式面粉中加入硅粉作为内部硅源时,可以得到SiC分布均匀的多孔陶瓷;
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同点是:步骤二中将面团在温度为35~45℃恒温条件下发酵5min~90min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥6h~24h,得到多孔面团。其他与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同点是:步骤三中将多孔面团放入管式炉中,以氮气作为保护气,在温度为800~1000℃下炭化处理0.5h~24h,得到碳多孔骨架。其他与具体实施方式一至五相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式六的不同点是:所述的惰性气体为氮气或氩气。其他与具体实施方式六相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同点是:步骤四中所述的反应硅源为硅粉或二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将二氧化硅粉末和硅粉用球磨机充分混合1h~10h,其中所述二氧化硅粉末与硅粉的摩尔比为(0.1~1):1。其他与具体实施方式一至七相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同点是:步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为1:(1~10)。其他与具体实施方式一至八相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同点是:步骤四中将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部,并将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后盖上刚玉盖子,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400~1600℃下烧结0.5h~24h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。其他与具体实施方式一至九相同。
本发明内容不局限于上述各实施方式的内容,其中一个或几个具体实施方式的组合同样也可以实现发明的目的。
采用下述试验验证本发明效果
实施例1:一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,具体是按以下步骤完成的:
一、揉制面团:利用20mL去离子水将20g面粉和0.2g酵母混合均匀,并揉制成面团;
二、发酵与冻干:将面团在温度为35℃恒温条件下发酵30min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团;
三、炭化:将多孔面团放入管式炉中,以氮气作为保护气,在温度为800℃下炭化处理2h,得到碳多孔骨架;
四、烧结:将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部,并将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后盖上刚玉盖子,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400℃下烧结2h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
本实施例步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将5.6g硅粉和12g二氧化硅粉末用球磨机充分混合10h。
本实施例所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:14.7g。
图1为实施例1制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;从图示可以看出,制备的SiC多孔陶瓷为微米和纳米相互嵌套的多级孔结构,这种结构使得多孔SiC陶瓷具有非常好的力学性能。该种多孔陶瓷材料的最大抗压强度为9.8MPa。
图2为实施例1制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的XRD图,图中▼表示SiC;在衍射角2θ为33.6°处为SiC的堆垛层错。此图显示制备的SiC多孔陶瓷为立方相3C-SiC陶瓷。无其他杂相和杂质混杂在多孔陶瓷中。
实施例2:本实施例与实施例1不同点是:步骤一中利用20mL去离子水将20g面粉和0.1g酵母混合均匀,并揉制成面团。其他与实施例1相同。
图3为实施例2制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;图示表明制备的SiC陶瓷为多孔结构陶瓷,该种多孔陶瓷材料的最大抗压强度为7.7MPa。。
实施例3:本实施例与实施例1不同点是:步骤一中利用20mL去离子水将20g面粉和0.4g酵母混合均匀,并揉制成面团。其他与实施例1相同。
图4为实施例3制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;图示表明制备的SiC陶瓷为多孔结构陶瓷,该种多孔陶瓷材料的最大抗压强度为6.8MPa。。
实施例4:一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,具体是按以下步骤完成的:
一、揉制面团:利用20mL去离子水将20g面粉、3.3g硅粉和0.2g酵母混合均匀,并揉制成面团;
二、发酵与冻干:将面团在温度为35℃恒温条件下发酵30min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团;
三、炭化:将多孔面团放入管式炉中,以氮气作为保护气,在温度为800℃下炭化处理2h,得到碳多孔骨架;
四、烧结:将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部,并将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后盖上刚玉盖子,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400℃下烧结2h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
本实施例步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将5.6g硅粉和12g二氧化硅粉末用球磨机充分混合10h。
本实施例所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为7.3g:14.7g。
图5为实施例4制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;图示表明制备的SiC陶瓷为多孔结构陶瓷,该种多孔陶瓷材料的最大抗压强度为7.2MPa。
图6为实施例4制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的XRD图,图中▼表示SiC;在衍射角2θ为33.6°处为SiC的堆垛层错。此图显示制备的SiC多孔陶瓷为立方相3C-SiC陶瓷。无其他杂相和杂质混杂在多孔陶瓷中。
实施例5:本实施例与实施例4不同点是:步骤一中利用20mL去离子水将20g面粉、1.5g硅粉和0.2g酵母混合均匀,并揉制成面团;步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为5.5g:14.7g。其他与实施例4相同。
实施例6:本实施例与实施例4不同点是:步骤一中利用20mL去离子水将20g面粉、6g硅粉和0.2g酵母混合均匀,并揉制成面团;步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为10g:14.7g。其他与实施例4相同。
实施例7:本实施例与实施例1不同点是:步骤二中将面团在温度为40℃恒温条件下发酵40min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团。其他与实施例1相同。
实施例8:本实施例与实施例1不同点是:步骤二中将面团在温度为40℃恒温条件下发酵90min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团。其他与实施例1相同。
实施例9:本实施例与实施例1不同点是:步骤二中将面团在温度为45℃恒温条件下发酵40min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团。其他与实施例1相同。
实施例10:本实施例与实施例1不同点是:步骤二中将面团在温度为450℃恒温条件下发酵90min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团。其他与实施例1相同。
实施例11:本实施例与实施例1不同点是:步骤三中将多孔面团放入管式炉中,以氮气作为保护气,在温度为1000℃下炭化处理12h,得到碳多孔骨架。其他与实施例1相同。
实施例12:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将11.2g硅粉和12g二氧化硅粉末用球磨机充分混合10h。其他与实施例1相同。
实施例13:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将16.8g硅粉和12g二氧化硅粉末用球磨机充分混合10h。其他与实施例1相同。
实施例14:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将22.4g硅粉和12g二氧化硅粉末用球磨机充分混合10h。其他与实施例1相同。
实施例15:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将28g硅粉和12g二氧化硅粉末用球磨机充分混合10h。其他与实施例1相同。
实施例16:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:7.3g。其他与实施例1相同。
实施例17:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:21.9g。其他与实施例1相同。
实施例18:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:29.2g。其他与实施例1相同。
实施例19:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:36.5g。其他与实施例1相同。
实施例20:一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,具体是按以下步骤完成的:
一、揉制面团:利用20mL去离子水将20g面粉和0.2g酵母混合均匀,并揉制成面团;
二、发酵与冻干:将面团在温度为35℃恒温条件下发酵30min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥24h,得到多孔面团;
三、炭化:将多孔面团放入管式炉中,以氮气作为保护气,在温度为800℃下炭化处理2h,得到碳多孔骨架;
四、烧结:将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部,并将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后盖上刚玉盖子,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400℃下烧结2h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
本实施例步骤四中所述的反应硅源为硅粉。
本实施例所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:4.7g。
图7为实施例20制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的SEM照片;图示表明制备的SiC陶瓷为多孔结构陶瓷,该种多孔陶瓷材料的最大抗压强度为8.2MPa。
图8为实施例20制备的耐高温结构型SiC多孔陶瓷的XRD图,图中▼表示SiC;在衍射角2θ为33.6°处为SiC的堆垛层错。此图显示制备的SiC多孔陶瓷为立方相3C-SiC陶瓷。无其他杂相和杂质混杂在多孔陶瓷中。
实施例21:本实施例与实施例20不同点是:步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为4g:9.4g。其他与实施例20相同。
实施例22:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1500℃下烧结3h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。其他与实施例1相同。
实施例23:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1600℃下烧结3h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。其他与实施例1相同。
实施例24:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1500℃下烧结5h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。其他与实施例1相同。
实施例25:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1600℃下烧结5h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。其他与实施例1相同。
实施例26:本实施例与实施例1不同点是:步骤四中将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部,并将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后盖上刚玉盖子,得到盛有反应物的刚玉坩埚;采用真空烧结方式,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400℃下烧结2h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。其他与实施例1相同。
Claims (9)
1.一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于它是按以下步骤完成的:
一、揉制面团:利用去离子水将面粉和酵母混合均匀,并揉制成面团;
二、发酵与冻干:将面团先恒温发酵,然后冷冻干燥,得到多孔面团;
三、炭化:将多孔面团进行炭化处理,得到碳多孔骨架;
四、烧结:将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后烧结,再冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述的面粉与酵母的质量比为200:(1~5);步骤一中所述的面粉的质量与去离子水的体积比为1g:(0.6mL~1mL)。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述的面团中还包含硅粉,且所述面团中硅粉质量不高于面粉质量的1/4。
4.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤二中将面团在温度为35~45℃恒温条件下发酵5min~90min,然后在冷冻干燥机中冷冻干燥6h~24h,得到多孔面团。
5.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤三中将多孔面团放入管式炉中,以惰性气体作为保护气,在温度为800~1000℃下炭化处理0.5h~24h,得到碳多孔骨架。
6.根据权利要求5所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于所述的惰性气体为氮气或氩气。
7.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤四中所述的反应硅源为硅粉或二氧化硅粉末/硅粉混合物;所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成:将二氧化硅粉末和硅粉用球磨机充分混合1h~10h,其中所述二氧化硅粉末与硅粉的摩尔比为(0.1~1):1。
8.根据权利要求1或7所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为1:(1~10)。
9.根据权利要求8所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于步骤四中将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部,并将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后盖上刚玉盖子,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以氩气作保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400~1600℃下烧结0.5h~24h,冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。
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