CN106575519A - 用于在垂直sttm叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层 - Google Patents

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Abstract

一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。

Description

用于在垂直STTM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层
技术领域
存储器器件，并且特别是自旋转移矩存储器(STTM)器件。
背景技术
集成电路中的特征的缩放一直是不断成长的半导体产业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征通常使得能够在半导体芯片的有限的面积上增大功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上包含增大数量的存储器器件，从而为产品的制造提供增大的容量。然而，越来越多的容量的驱动并不是没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得越来越重要。
自旋转矩器件的操作基于自旋转移矩的现象。如果电流通过被称为固定磁性层的磁化层，则它将被自旋极化。随着每个电子的通过，其自旋(角动量)将被转移到被称为自由磁性层的下一个磁性层中的磁化，并将在这种下一层的磁化上引起小变化。这实际上是转矩引起的磁化进动。由于电子的反射，转矩也施加在相关联的固定磁性层的磁化上。最后，如果电流超过某一临界值(由磁性材料及其环境引起的阻尼给出)，则自由磁性层的磁化将通过通常在约一到几十纳秒的电流脉冲来切换。固定磁性层的磁化可以保持不变，因为由于几何结构或者由于相邻的反铁磁层，相关联的电流低于其阈值。
自旋转移矩可以用于翻转磁性随机存取存储器中的有源元件。与使用磁场翻转有源元件的常规磁性随机存取存储器(MRAM)相比，自旋转移矩存储器或STTM具有较低功率消耗和较好的可缩放性的优点。然而，在STTM器件制造和使用领域仍然需要显著的改进。
附图说明
图1示出了用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的实施例的材料层叠置体的截面图；
图2示出了具有下层结晶形式的部分磁性隧道结叠置体和具有给定厚度的非晶形式的部分磁性隧道结叠置体的各向异性能量常数；
图3例示了根据实施例的包括自旋转移矩元件的自旋转移矩存储器位单元的示意图。
图4示出了根据实施例的电子系统的框图。
图5是实现一个或多个实施例的内插件。
图6示出了计算装置的实施例。
具体实施方式
描述了具有增强的稳定性的自旋转移矩存储器(STTM)器件和存储器阵列，以及制造具有增强的稳定性的STTM器件和存储器阵列的方法。在以下描述中，阐述了许多具体细节，例如具体磁性层集成和材料状况，以便提供对实施例的透彻理解。对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践实施例。在其它情况下，不详细描述诸如集成电路设计布局的公知特征，以便不会不必要地模糊实施例。此外，应理解，附图中所示的各种实施例是示例性的表示，并且不一定按比例绘制。
一个或多个实施例涉及用于增大垂直STTM系统中的稳定性的方法。应用可以包括在嵌入式存储器、嵌入式非易失性存储器(NVM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、磁性隧道结(MTJ)器件、NVM、垂直MTJ、STTM和非嵌入式或独立存储器中的使用。在实施例中，通过包括并置的并与固定自由磁性层接触的非晶导电籽晶层来实现垂直STTM器件中的稳定性，如下文更详细描述的。
稳定性是面对基于STTM的器件和由其制造的存储器阵列的缩放时的问题。随着缩放继续，对于适合缩放的单元尺寸的较小的存储器元件的需要已经在垂直STTM的方向上驱动产业，垂直STTM对于小存储器元件尺寸具有更高的稳定性。常见的垂直STTM通过三种方法实现，所有这些方法都依赖于界面调谐以从包括磁性层的材料叠置体得到最大量的垂直强度，并且因此得到稳定性。
图1例示了用于常规自旋转移矩存储器(STTM)器件的材料层叠置体的实施例的截面图。将从底部到顶部(如所观察到的)描述存储器叠置体的各个层，其中每个后面的层被并置并与先前描述的层接触。存储器叠置体被例示为多个层，每个层具有矩形形状。应当理解，层的截面形状可以代表性地取决于(除其它方面外)材料性质、引入技术和/或工具、以及任何下面的层的形状(例如，表面)。因此，作为矩形形状的例示应当被广义地解释为包括其它可能的截面形状，包括但不限于梯形、平行四边形或其它多边形形状。
参考图1，材料层叠置体100包括例如钽的非晶导电层110。与非晶导电层110并置并接触的是第一电极120。在一个实施例中，第一电极120是具有结晶形式的钌材料。在第一电极120上或覆盖第一电极120的是例如非铁磁材料的导电层130，非铁磁材料例如是具有结晶形式的钽。导电层130上是合成反铁磁体(SAF)135。代表性地，SAF 135由通过钌层分开的钴铂异质结构层构成。在不希望受理论束缚的情况下，对于垂直存储器叠置体，基于由钌层通过RKKY相互作用而耦合的钴铂异质结构的SAF意味着在钌层的相对侧上的钴铂异质结构将倾向于具有垂直磁矩，但是在相反的方向上。
在SAF 135上的是籽晶层140。关于籽晶层140的细节在下文讨论。在籽晶层140上的是固定磁性层150、电介质层或自旋过滤器160和自由磁性层170，在该实施例中，其共同表征材料层叠置体100的磁性隧道结(MTJ)部分。在一个实施例中，固定磁性层150的材料和自由磁性层170的材料均为钴-铁-硼(CoFeB)。在一个实施例中，电介质层160是诸如氧化镁(MgO)的氧化物。在该实施例中，在MTJ上或覆盖MTJ的(具体地在自由磁性层170上)是诸如钽的非铁磁材料的导电层180，之后是例如钌材料的第二电极190。
在一个实施例中，材料叠置体100被制造为提供垂直磁各向异性。在一个实施例中，再次参考作为平台的材料叠置体100的特征，由CoFeB组成的自由磁性层170具有的厚度使得从自由磁性层170中的铁/钴(Fe/Co)获得的垂直分量与电介质层160中的氧相互作用(例如，在层或膜的界面处与氧化镁(MgO)层160相互作用)，该垂直分量在自由CoFeB层170的面内分量中占主导地位。自由磁性层170的代表性厚度小于2纳米(例如1纳米)。在适于提供垂直各向异性的材料叠置体的一个实施例中，例如CoFeB的固定磁性层150具有小于2纳米(例如1纳米)的厚度。
在上文描述的实施例中，固定材料层150和/或自由磁性层170的厚度相对较薄(小于2纳米)。垂直STTM器件的稳定性的量度是各向异性能量常数Ki的值，较高的值指示增大的稳定性。在一个方面中，垂直叠置体的稳定性(Ki)将取决于磁性层(CoFeB层)与电介质层(MgO层)之间的界面。在一个实施例中，籽晶层140在与MTJ部分的固定磁性层150的界面处具有非晶形式。
并置与具有非晶取向的籽晶层140相邻并接触的固定磁性层150倾向于增大垂直存储器叠置体的稳定性，因为这种籽晶层倾向于比具有结晶取向的层更光滑或更平坦。虽然不希望受理论束缚，但是人们相信平滑/平坦的非晶籽晶层140允许固定磁性层150是平滑/平坦的，这激励固定磁性层150与氧化物层160之间的垂直取向的矢量。
在上文描述的实施例中，与叠置体100中的固定磁性层150并置并接触的籽晶层140具有非晶形式。用于籽晶层140的适当的材料包括非铁磁金属材料、碳材料或金属玻璃材料。在一个实施例中，籽晶层140的代表性厚度被限制为将允许SAF 135与固定磁性层150之间的磁性耦合的厚度。在一个实施例中，籽晶层140的代表性厚度小于2纳米。在特定实施例中，籽晶层140在5埃至的数量级上。籽晶层140可以是单一材料。替代地，籽晶层140可以由多种材料(例如，多个层或其中不同的层可能不容易被识别的组合)组成。代表性地，在导电层130具有结晶形式的情况下，在导电层130上(与其接触)的沉积材料可能倾向于采用结晶形式。在一个实施例中，可以在导电层130上引入第一材料，然后是具有比第一材料的结晶形式占优势的非晶形式的第二材料，其中第一材料和第二材料共同包括籽晶层140。在一个实施例中，例如CoFeB的第一材料可以从其与导电层130的接触采取结晶形式。籽晶层140的第二材料具有非晶形式并且将结晶形式转变为非晶形式，使得与固定磁性层150并置的籽晶层140的表面具有非晶形式。代表性地，第二材料是钽。
在用于STTM器件的材料层叠置体的以上实施例中，描述了邻近籽晶层的固定磁性层。在另一实施例中，自由磁性层和固定磁性层可以颠倒，并且自由磁性层邻近籽晶层(例如，自由磁性层与诸如图1中的籽晶层140的籽晶层并置并接触)。根据这种实施例，SAF邻近固定磁性层设置，使得在叠置体中，固定磁性层设置在电介质层或自旋过滤器与SAF之间。
在某些方面和至少一些实施例中，某些术语具有某些可定义的含义。例如，“自由”磁性层是存储计算变量的磁性层。“固定”磁性层是具有固定磁化(在磁性上比自由磁性层更硬)的磁性层。隧道势垒(例如隧道电介质或隧道氧化物)是位于自由磁性层与固定磁性层之间的隧道势垒。固定磁性层可以被图案化以产生通往相关联电路的输入和输出。可以在使电流通过输入电极时通过自旋转移矩效应写入磁化。可以在向输出电极施加电压时经由隧道磁阻效应来读取磁化。在实施例中，电介质层208的作用是产生大的磁阻比。磁阻是当两个铁磁层具有反平行磁化时的电阻之间的差和具有平行磁化的状态的电阻的比率。
制造用于例如自旋转移矩存储器位单元的层叠置体100的方法可以包括标准微电子制造工艺，例如光刻、蚀刻、薄膜沉积、平面化(例如化学机械抛光(CMP))、扩散、计量、牺牲层的使用、蚀刻停止层的使用、平面化停止层的使用和/或与微电子部件制造相关联的任何其它动作。
图2示出了具有下层结晶的部分MTJ叠置体和具有给定厚度的下层非晶导电膜的部分MTJ叠置体的各向异性能量常数Ki。图2示出包括籽晶层210的结构205，籽晶层210是例如钽(例如，Ta(110))的结晶膜。籽晶层210是由CoFeB的固定磁性层210和MgO的电介质层230组成的部分MTJ。覆盖部分MTJ的是钽的导电层240，然后是钌的电极245。如所示，结晶钽的籽晶层210具有结晶形式，其被例示为具有多个晶界的晶粒，晶粒倾向于增加层的表面粗糙度(在与固定磁性层210的界面处的粗糙度)。图2还示出了包括非晶钽膜的籽晶层260的结构215。覆盖籽晶层260的是包括CoFeB的固定磁性层270和MgO的电介质层280的部分MTJ。覆盖部分MTJ的是钽的导电层290，然后是钌的电极295。因为籽晶层260是非晶的，所以与固定磁性层270的界面倾向于是平滑的。
图2中的相邻的每个结构是示出作为固定磁性层厚度的函数的每个叠置体的垂直磁各向异性的曲线图。如所示，对于大约1.3纳米数量级的固定磁性层厚度，包括固定磁性层270下面的非晶籽晶层的结构250在其有效垂直磁各向异性方面比在固定磁性层220下面的籽晶层210是结晶态的结构205具有约2倍的提高。
包括磁性材料层和导电氧化物层的层叠置体(例如，用于诸如图1中所示的磁性隧道结中)可以用于制造为存储器位单元。图3例示了包括自旋转移矩元件305的自旋转移矩存储器位单元300的示意图。
参考图3，单元305包括以下层的材料叠置体：例如钽的非晶导电层310；例如钌的第一电极320；例如钽的导电层330；例如石墨或金属氧化物的籽晶层340；CoFeB的固定磁性层350；MgO的电介质层360；CoFeB的自由磁性层370；例如钽的导电层380；以及例如钌的第二电极190。
在实施例中，自旋转移矩元件305基于垂直磁性。第一电极320可以电连接到位线332。第二电极390可以与晶体管334耦合。晶体管334可以以本领域技术人员将理解的方式与字线336和源极线338连接。自旋转移矩存储器位单元300还可以包括附加的读和写电路(未示出)、感测放大器(未示出)、位线基准(未示出)等，如本领域技术人员将理解的，以用于自旋转移矩存储器位单元300的操作。应当理解，多个自旋转移矩存储器位单元300可以操作地彼此连接以形成存储器阵列(未示出)，其中存储器阵列可以并入非易失性存储器器件中。应当理解，晶体管334可以连接到固定磁性层电极316或自由磁性层电极312，尽管仅示出了后者。
图4例示了根据实施例的电子系统400的框图。电子系统400可以对应于例如便携式系统、计算机系统、过程控制系统或利用处理器和相关联的存储器的任何其它系统。电子系统400可以包括微处理器402(具有处理器404和控制单元406)、存储器器件408和输入/输出装置410(应当理解，在各种实施例中，电子系统400可以具有多个处理器、控制单元、存储器器件单元和/或输入/输出装置)。在一个实施例中，电子系统400具有定义由处理器404对数据执行的操作以及处理器404、存储器器件408和输入/输出装置410之间的其它事务的一组指令。控制单元406通过循环通过使得指令被从存储器器件408检索到并被执行的一组操作来协调处理器404、存储器器件408和输入/输出装置410的操作。存储器器件408可以包括如上文所描述的存储器位单元。在实施例中，存储器器件408被嵌入在微处理器402中，如图4所描绘的。
图5例示了包括一个或多个实施例的内插件500。内插件500是用于将第一衬底502桥接到第二衬底504的中间衬底。第一衬底502可以是例如集成电路管芯。第二衬底504可以是例如存储器模块，其包括如上文所描述的存储器位单元。通常，内插件500的目的是将连接扩展到更宽的间距或将连接重新布线到不同的连接。例如，内插件500可以将集成电路管芯耦合到球栅阵列(BGA)506，其可以随后耦合到第二衬底504。在一些实施例中，第一衬底502和第二衬底504附接到内插件500的相对侧。在其它实施例中，第一衬底502和第二衬底504附接到内插件500的同一侧。并且在另外的实施例中，三个或更多个衬底通过内插件500来互连。
内插件500可以由环氧树脂、玻璃纤维增强的环氧树脂、陶瓷材料或诸如聚酰胺的聚合物材料形成。在另外的实施方式中，内插件可以由替代的刚性或柔性材料形成，其可以包括与上文描述的用于半导体衬底中的材料相同的材料，例如硅、锗以及其它III-V族和IV族材料。
内插件可以包括金属互连508和通孔510，包括但不限于穿硅通孔(TSV)512。内插件500还可以包括嵌入式器件514，其包括无源器件和有源器件二者。这样的器件包括但不限于电容器、去耦电容器、电阻器、电感器、熔丝、二极管、变压器、传感器和静电放电(ESD)器件。诸如射频(RF)器件、功率放大器、电源管理器件、天线、阵列、传感器和MEMS器件的更复杂的器件也可以形成在内插件500上。
根据实施例，本文公开的设备或工艺可以用于内插件500的制造。
图6例示了根据一个实施例的计算装置600。计算装置600可以包括多个部件。在一个实施例中，这些部件附接到一个或多个母板。在替代的实施例中，这些组件被制造在单个片上系统(SoC)管芯上而不是母板上。计算装置600中的部件包括但不限于集成电路管芯602和至少一个通信芯片608。在一些实施方式中，通信芯片608被制造为集成电路管芯602的一部分。集成电路管芯602可以包括CPU 604以及经常用作高速缓冲存储器的管芯上存储器606，其可以由自旋转移矩存储器提供，该自旋转移矩存储器包括如上文所描述的单元，该单元包括与固定磁性层并置并接触的非晶导电籽晶层的材料叠置体。
计算装置600可以包括可以或可以不物理地和电耦合到母板或者在SoC管芯内制造的其它部件。这些其它部件包括但不限于易失性存储器610(例如，具有如上文所描述的单元的STTM或STTM-RAM)、非易失性存储器612(例如ROM或闪存)、图形处理单元614(GPU)、数字信号处理器616、加密处理器642(在硬件内执行加密算法的专用处理器)、芯片组620、天线622、显示器或触摸屏显示器624、触摸屏控制器626、电池628或其它电源、功率放大器(未示出)、全球定位系统(GPS)装置644、罗盘630、运动协处理器或传感器632(其可以包括加速度计、陀螺仪和罗盘)、扬声器634、相机636、用户输入装置638(例如键盘、鼠标、手写笔和触摸板)和大容量存储装置640(例如硬盘驱动器、光盘(CD)、数字多用盘(DVD)等)。
通信芯片608实现用于往返于计算装置600传输数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用经调制的电磁辐射经由非固体介质来传送数据的电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并不暗示相关联的装置不包含任何导线，尽管在一些实施例中它们可能不包括。通信芯片608可以实现多种无线标准或协议中的任何一种，包括但不限于Wi-Fi(IEEE 802.11族)、WiMAX(IEEE 802.16族)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙及其衍生物、以及被指定为3G、4G、5G及更高代的任何其它无线协议。计算装置600可以包括多个通信芯片608。例如，第一通信芯片608可以专用于诸如Wi-Fi和蓝牙的较短距离无线通信，并且第二通信芯片608可以专用于诸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等的较长距离无线通信。
计算装置600的处理器604包括一个或多个器件，例如晶体管或金属互连。术语“处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据，以将该电子数据转换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其它电子数据的任何器件或器件的一部分。
通信芯片608也可以包括根据实施例形成的一个或多个器件，例如晶体管或金属互连。
在各种实施例中，计算装置600可以是膝上型计算机、上网本计算机、笔记本计算机、超级本计算机、智能电话、平板电脑、个人数字助理(PDA)、超移动PC、移动电话、桌面计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字相机、便携式音乐播放器或数字视频记录器。在另外的实施方式中，计算装置600可以是处理数据的任何其他电子装置。
示例
示例1是用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中电介质层设置在固定磁性层与自由磁性层之间，并且所述固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。
在示例2中，示例1的材料层叠置体中的固定磁性层包括钴-铁-硼(CoFeB)。
在示例3中，示例1的材料层叠置体具有垂直磁各向异性。
在示例4中，示例3的固定磁性层包括CoFeB和小于2纳米的厚度。
在示例5中，示例1的材料叠置体中的籽晶层包括第一材料和第二材料。
在示例6中，示例5的第一材料包括CoFeB，并且第二材料包括设置在第一材料与固定磁性层之间的钽。
在示例7中，示例1、2、3或5中任一个的材料叠置体中的籽晶层包括碳。
在示例8中，示例1、2、3或5中任一个的材料叠置体中的籽晶层包括金属玻璃材料。
示例9是一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；固定磁性层，其与籽晶层并置并接触；电介质层，其设置在固定磁性层与自由磁性层之间；第一电极，其设置在材料叠置体的第一侧上；第二电极，其设置在材料叠置体的第二侧上；以及晶体管器件，其耦合到顶部电极或底部电极中的一个。
在示例10中，示例9的存储器器件的叠置体中的固定磁性层包括钴-铁-硼(CoFeB)。
在示例11中，示例10的存储器器件中的叠置体具有垂直磁各向异性。
在示例12中，示例11的存储器器件的叠置体中的固定磁性层包括小于2纳米的厚度。
在示例13中，示例9的存储器器件的叠置体中的籽晶层包括第一材料和第二材料。
在示例14中，示例13的存储器器件中的第一材料包括CoFeB，并且第二材料包括设置在第一材料与固定磁性层之间的钽。
在示例15中，示例9或10中的任一个的存储器器件的叠置体中的籽晶层包括碳或金属玻璃材料。
在示例16中，示例9或10中的任一个的存储器器件中的材料叠置体的第二侧与第一侧相对。
示例17是一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，固定磁性层与籽晶层并置并接触；以及在材料叠置体上形成第二电极。
在示例18中，示例17的方法中的叠置体具有垂直磁各向异性。
在示例19中，示例18的方法中的形成材料叠置体包括将固定磁性层形成到小于2纳米的厚度。
在示例20中，示例19的方法中的固定磁性层包括钴-铁-硼(CoFeB)。
在示例21中，通过示例17-20的方法中的任一个来制造非易失性存储器器件。
在示例22中，存储器器件的阵列中的每一个通过示例17-20的方法中的任一个来制造。
例示的实施方式的以上描述(包括摘要中描述的内容)，不旨在是穷尽的或将本发明限于所公开的精确形式。虽然为了说明的目的本文描述了本发明的具体实施方式和示例，但是如相关领域的技术人员将认识到的，在本发明的范围内的各种等效修改是可能的。
根据上文的详细描述，可以对本发明进行这些修改。在所附权利要求中使用的术语不应被解释为将本发明限制于在说明书和权利要求中所公开的具体实施方式。更确切地说，本发明的范围完全由所附权利要求来确定，所附权利要求将根据所确定的权利要求解释的原则来解释。

Claims (22)

1.一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，所述材料层叠置体包括：
固定磁性层；
电介质层；
自由磁性层；以及
非晶导电籽晶层，
其中，所述电介质层设置在所述固定磁性层与所述自由磁性层之间，并且所述固定磁性层设置在所述电介质层与所述籽晶层之间。
2.根据权利要求1所述的材料层叠置体，其中，所述固定磁性层包括钴-铁-硼(CoFeB)。
3.根据权利要求1所述的材料层叠置体，其中，所述叠置体具有垂直磁各向异性。
4.根据权利要求3所述的材料层叠置体，其中，所述固定磁性层包括CoFeB和小于2纳米的厚度。
5.根据权利要求1所述的材料层叠置体，其中，所述籽晶层包括第一材料和第二材料。
6.根据权利要求5所述的材料层叠置体，其中，所述第一材料包括CoFeB，并且所述第二材料包括设置在所述第一材料与所述固定磁性层之间的钽。
7.根据权利要求1、2、3或5中的任一项所述的材料层叠置体，其中，所述籽晶层包括碳。
8.根据权利要求1、2、3或5中的任一项所述的材料层叠置体，其中，所述籽晶层包括金属玻璃材料。
9.一种非易失性存储器器件，包括：
材料叠置体，包括：
非晶导电籽晶层；
固定磁性层，所述固定磁性层与所述籽晶层并置并接触；
电介质层，所述电介质层设置在所述固定磁性层与自由磁性层之间；
第一电极，所述第一电极设置在所述材料叠置体的第一侧上；
第二电极，所述第二电极设置在所述材料叠置体的第二侧上；以及
晶体管器件，所述晶体管器件耦合到顶部电极或底部电极之一。
10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述固定磁性层包括钴-铁-硼(CoFeB)。
11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述叠置体具有垂直磁各向异性。
12.根据权利要求11所述的存储器器件，其中，所述固定磁性层包括小于2纳米的厚度。
13.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述籽晶层包括第一材料和第二材料。
14.根据权利要求13所述的存储器器件，其中，所述第一材料包括CoFeB，并且所述第二材料包括设置在所述第一材料与所述固定磁性层之间的钽。
15.根据权利要求9或10中的任一项所述的存储器器件，其中，所述籽晶层包括碳或金属玻璃材料。
16.根据权利要求9或10中的任一项所述的存储器器件，其中，所述材料叠置体的所述第二侧与所述第一侧相对。
17.一种方法，包括：
在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；
在所述非晶籽晶层上形成材料层叠置体，所述材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，所述固定磁性层与所述籽晶层并置并接触；以及
在所述材料叠置体上形成第二电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述叠置体具有垂直磁各向异性。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述材料叠置体包括：将所述固定磁性层形成到小于2纳米的厚度。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述固定磁性层包括钴-铁-硼(CoFeB)。
21.一种非易失性存储器器件，所述存储器器件通过根据权利要求17所述的方法来制造。
22.一种存储器器件的阵列，所述器件中的每一个通过根据权利要求17-20中任一项所述的方法来制造。
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