CN106558642A - 一种精制光转换体贴合封装led的工艺方法及精制装备系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于精制光转换体贴合封装LED的工艺方法及精制装备系统，本发明的工艺方法包括异形微孔载体膜片的滚压塑形、半固化光转换膜片的精制成型、LED倒装芯片阵列膜片的准备、LED封装体元件的滚压贴合成型、LED封装体元件的固化成型和LED封装体元件裁切工序构建的流程式连续工艺。本发明具有精制光转换体的显著优点，特别是能够满足有机硅树脂光转换体贴合封装LED的流程式连续工艺需要，以利于提高工业化批量LED封装的生产效率和优品率。
Description
技术领域
本发明属于光转换体封装LED技术领域，特别是涉及一种精制有机硅树脂光转换体贴合封装LED的工艺方法及精制装备系统。
背景技术
LED具有高亮度、低热量、长寿命、环保、可再生利用等优点，被称为21世纪最有发展前景的新一代绿色照明光源。目前，虽然LED的理论寿命可以达到100000小时以上，然而在实际使用中，因为受到芯片失效、封装失效、热过应力失效、电过应力失效或/和装配失效等多种因素的制约，其中以封装失效尤为突出，而使得LED过早地出现了光衰或光失效的现象，这将阻碍LED作为新型节能型照明光源的前进步伐。为了解决这些问题，业界许多学者已开展了相关研究，并且提出了一些能够提高LED光效和实际使用寿命的改进措施。如近几年新发展起来的倒装LED与传统的正装LED相比，具有高光效、高可靠性和易于集成的优点，并且封装材料大幅简化，如传统正装LED封装的金线、固晶胶、支架等材料都不再需要；封装工艺流程也大幅简化，如传统正装LED封装工艺的固晶、焊线，甚至是分光等都不再需要，使得倒装LED得到越来越广泛的应用；但同时也要看到，现有倒装LED封装技术大多采用的是有机硅树脂类的光转换体与倒装LED芯片贴合的流延工艺、丝网印刷工艺、上下平板模工艺、单辊摆压工艺等，这些工艺及其相配套的封装装备均不能很好地解决有机硅树脂类光转换体存在的气孔、厚薄不均等瑕疵，造成光转换体封装LED的良品率低；同时还因生产效率低，使得产品成本居高不下。
中国专利申请201010204860.9公开了“一种倒装LED芯片的封装方法”，其步骤包括：(a)通过丝网印刷把光转换体涂覆于LED芯片表面，并对光转换体进行烘烤固化；(b)把LED芯片固定在芯片基板上，使LED芯片电极与芯片基板电极键合；(c)把LED芯片和芯片基板固定在支架反射杯的杯底；(d)利用导线将已固定的芯片基板的正负电极分别与支架的正负电极连接；(e)将封模或透镜盖在固定有LED芯片和芯片基板的支架上，并充满硅胶；(f)整体结构进行烘烤固化。该方法虽然通过丝网印刷工艺来提高光转换体涂覆厚度的均匀性，提高荧光粉颗粒分布的均匀性，以达到提高良品率的目的；但还存在以下明显不足：一是丝网印刷把有机硅树脂类的光转换体涂覆于LED芯片表面，之后在烘烤固化过程中因受热过应力影响，还是会导致光转换体涂层与LED芯片的涂覆面层局部产生气泡而形成凹凸不平的瑕疵；二是将封模或透镜盖充满硅胶与涂覆有光转换体的LED芯片封装，之后整体结构进行烘烤固化过程中因受热过应力影响，还是会导致封模或透镜盖中的硅胶面层局部产生气泡而形成凹凸不平的瑕疵。因不能解决LED芯片封装过程中受热过应力的影响，必然会导致LED光效下降；三是整个LED芯片封装工艺未配备智能控制系统进行控制，直接影响良品率的提升。
中国专利申请201310270747.4公开了“被覆有光转换体层的LED、其制造方法以及LED装置”，该方案包括：LED配置工序，在支撑片的厚度方向的一个面上配置LED；层配置工序，以被覆LED的方式在支撑片的厚度方向的一个面上配置光转换体层，所述光转换体层由含有通过活性能量射线的照射而固化的活性能量射线固化性树脂以及光转换体的荧光树脂组合物形成；固化工序，对光转换体层照射活性能量射线，使光转换体层固化；裁切工序，与LED对应地裁切光转换体层，从而得到具备LED、和被覆LED的光转换体层的被覆有光转换体层的LED；以及LED剥离工序，在裁切工序之后，将被覆有光转换体层的LED从支撑片剥离。该方法的目的在于提供光转换体均匀配置在LED的周围以防损伤，从而得到被覆有光转换体层的LED、以及具备该被覆有光转换体层的LED的LED装置；但还存在以下明显不足：一是光转换体的荧光树脂组合物在固化过程中，因受热过应力影响，还是会导致光转换体面层的局部产生气泡而形成凹凸不平的瑕疵；二是覆有光转换体层的LED，仍然会受到热过应力影响，导致LED使用中出现光效下降；三是整个封装工艺中的工序比较繁琐，封装LED的生产效率不高；四是上下平板模工艺，会导致倒装芯片发生位移，必然会造成良品率降低。
中国专利申请：201380027218.X公开了“树脂片材层合体及使用其的半导体发光元件的制造方法”，该方案所述树脂片材层合体是在基材上设置有含荧光体树脂层，所述含荧光体树脂层具有多个区块，基材具有长度方向和宽度方向，所述多个区块在长度方向上重复配置成列。虽然该方案的发明目的在于，通过所述树脂片材层合体，提高贴附有含荧光体树脂层的半导体发光元件的颜色和亮度的均匀性、制造的容易性、设计的自由度等，但还存在以下明显不足：一是采用的荧光体树脂片材为固化的荧光体树脂片材，将无法有效消除其中可能残留的气孔、凹凸不平或其它加工瑕疵等；二是在粘接工序中，将加压工具自半导体发光元件侧向进行加压，会损伤半导体发光元件；三是采用荧光体树脂层中含粘接剂粘接工艺，很难清除被粘接后的半导体发光元件中的残留物，粘接过程极易产生气孔，会造成良品率降低，同时，粘接层的存在还降低了LED元件的出光效率；四是与半导体发光元件的发光面粘接的荧光体树脂片材的基材没有被剥离，会直接影响半导体发光元件的光效；五是荧光体树脂层以多个区块在长度方向上重复配置成列的方式呈现，然而实现该荧光体树脂层的多个区块配置，实际操作程序繁琐，将影响整个元件的封装效率，多个块区在位置上的布置差错会直接影响后续与发光元件之间的贴合的精确度，而多个区块之间在大小与厚度方面如果不能满足一致性的要求，则可能会导致严重的产品一致性问题。
综上所述，如何克服现有技术所存在的不足已成为当今于光转换体封装LED技术领域中亟待解决的重大难题之一。
发明内容
本发明的目的是为克服现有技术所存在的不足而提供一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法及精制装备系统，本发明具有精制光转换体的显著优点，特别是能够满足有机硅树脂光转换体贴合封装LED的流程式连续工艺需要，以利于提高工业化批量LED封装的生产效率和优品率。
根据本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，它包括异形微孔载体膜片的滚压塑形、半固化光转换膜片的精制成型、LED倒装芯片阵列膜片的准备、LED封装体元件的滚压贴合成型、LED封装体元件的固化成型和LED封装体元件裁切工序构建的流程式连续工艺，其基本步骤包括如下：
步骤1，异形微孔载体膜片的滚压塑形：将微孔载体膜片通过相向对准的带有凸块阵列的第一滚压装置与带有凹槽阵列的第二滚压装置进行滚压塑形，从而得到带凹槽阵列的异形微孔载体膜片；其中：所述微孔载体膜片的微孔孔径不大于10μm；
步骤2，半固化光转换膜片的精制成型：将步骤1所述异形微孔载体膜片传送至带有凹槽阵列的平面传送装置A上继续传送前行，同时通过定量加料器向所述异形微孔载体膜片上配置包括光转换材料和有机硅树脂的混合浆料，从而形成具有固定厚度的混合浆料层，之后继续传送前行进入精制装置中进行负压抽吸和光照辐射，从而得到精制的半固化光转换膜片；其中：所述精制装置包括光照辐射器B和负压抽吸器C，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸器C设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸器D产生抽吸力与所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上；或者所述精制装置包括光照辐射器C和负压抽吸磁振器D，两者相向对准设置，所述光照辐射器C设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸磁振器D设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸磁振器D产生的抽吸力、磁振力和所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上；所述平面传送装置A中的凹槽阵列的凹槽形状和尺寸与所述带凹槽阵列的第二滚压装置中的凹槽形状相同和尺寸相等，即所述异形微孔载体膜片中的凹槽与平面传送装置A中的凹槽相向紧密匹配。
步骤3：LED倒装芯片阵列膜片的准备：获得LED倒装芯片阵列膜片，所述LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片是以阵列方式排列于承载膜片上；其中，所述LED倒装芯片是指单个LED倒装芯片或LED倒装芯片组件；其中所述LED倒装芯片组件由两个或两个以上的单个LED倒装芯片组合而成；
步骤4：LED封装体元件的滚压贴合成型：在真空加热的条件下，将步骤2所述的半固化光转换膜片传送至带凹槽阵列的第四滚压装置上，然后与设置在第三滚压装置上的所述LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片进行相向对准的滚压贴合，从而得到LED封装体元件；所述第四滚压装置中的凹槽阵列的凹槽形状和尺寸与所述第二滚压装置中的凹槽阵列的凹槽形状相同和尺寸相等；
步骤5：LED封装体元件的固化成型：在真空条件下，采用加温或/和光固化方式，将步骤4所述LED封装体元件通过固化装置E进行固化，得到固化LED封装体元件。
步骤6：LED封装体元件的裁切：剥离步骤5所述固化LED封装体元件的异形载体膜片，对固化LED封装体元件进行裁切至形成具有可分割为单颗LED封装体元件的切缝，从而制得带切缝的成品LED封装体元件。
为了更好地解决现有LED倒装芯片封装工艺中所存在的问题，本发明巧妙地设计了一种精制光转换体贴合封装LED的新工艺。本发明的精制封装原理在于：一是利用辊轮滚压使微孔载体膜片塑形，并在被塑形的微孔载体膜片上配置包括光转换材料和有机硅树脂的混合浆料，得到所需的如弧形、半圆球形或矩形等发光面层形状的半固化有机硅光转换膜片；二是对半固化光转换膜片的精制成型，即利用精制装置所产生的负压抽吸力或负压抽吸力、磁振力和光照辐射能量协同作用于所述配置有混合浆料的异形微孔载体膜片上，以有效地消除半固化有机硅树脂光转换膜片中可能残留的气孔、凹凸不平或其它加工瑕疵等，从而得到无气孔、平整以及厚度均匀的精制半固化机硅树脂光转换膜片；三是本发明运用滚压原理将异形微孔载体膜片的塑形、光转换膜片的精制成型、LED封装元件的滚压贴合成型三道工序有机集成为一体，不仅革除了现有技术的外加粘结层工艺，而且能够保证光转换膜片与LED倒装芯片高质量贴合封装；四是本发明为流程式连续工艺，有利于满足批量生产LED封装体元件的加工条件和保证规格尺寸完全一致，不仅提高了LED封装体元件的生产效率，同时提高了成品LED封装体元件的光色一致性，使优品率大幅提升。
本发明与现有技术相比其显著的优点在于：
一是本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的新工艺，属于流程式连续滚压贴合封装LED的新制式工艺，它克服了现有流延工艺、丝网印刷工艺、上下平板模压工艺和单辊摆压工艺等旧制式工艺所存在的贴合封装LED的出光效率、生产效率和优品率明显不足的问题；本发明能够满足半固化有机硅树脂光转换体贴合封装LED的需要，从而提高工业化批量LED封装的生产效率和优品率。
二是在被塑形的微孔载体膜片上制得带有弧形、半圆球形或矩形等异形发光面层形状的半固化光转换膜片，再通过对半固化光转换膜片的精制，能够有效的消除光转换膜片中可能残留的气孔、凹凸不平以及其它加工瑕疵等，从而显著地提高成品LED封装体元件的光色一致性、出光均匀性和出光效率。
三是本发明运用了滚压原理，将异形微孔载体膜片的塑型、光转换膜片的精制成型、LED封装元件的滚压贴合成型的三道工序有机集成为一体，不仅革除了现有技术的外加粘结层工艺，提高了异形光转换膜片与LED倒装芯片贴合封装的质量，而且还有利于配套连续化工艺的装备系统及实施智能控制，更好地满足工业化批量封装LED的生产要求，从而显著提高工业化批量封装LED的生产效率。
四是本发明提出的新工艺方法及精制装备系统广泛适用于光转换体特别是有机硅树脂光转换体与各种功率大小LED倒装芯片的贴合封装工艺，完全满足工业化批量封装LED过程中对产品生产工艺过程实施精细化加工的需求。
附图说明
图1为本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的流程方框示意图。
图2为本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的第一个流程布局结构示意图。
图3为本发明图2所示异形微孔载体膜片的滚压塑形的工序示意图。
图4为本发明图2所示在异形微孔载体膜片上形成混合浆料层的工序示意图。
图5为本发明图2所示LED封装体元件的滚压贴合成型的工序示意图。
图6为本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的第二个流程布局结构示意图。
图7为本发明图6所示载体膜片的滚压塑形的工序示意图。
图8A为本发明制得的成品LED封装体元件的平面结构示意图。
图8B为本发明拉伸制得的成品单颗LED封装体元件的平面结构示意图。
图9A为本发明制得的弧形LED封装体元件，其中9A-1为左视图，9A-2为右视图，9A-3为仰视图，9A-4为立体图。
图9B为本发明制得的半圆形LED封装体元件，其中9B-1为左视图，9B-2为右视图，9B-3为仰视图，9B-4为立体图。
图9C为本发明制得的矩形LED封装体元件，其中9C-1为左视图，9C-2为右视图，9C-3为仰视图，9C-4为立体图。
本发明附图中的编号说明如下：
1-1带凸块阵列的第一单辊轮。
1-2带凹槽阵列的第二平面传送装置。
1-3带凹槽阵列的第二单辊轮。
1-4第一单辊轮上的凸块。
1-5第二平面传送装置上的凹槽。
1-6第二单辊轮上的凹槽。
2-1定量加料器。
2-2带凹槽阵列的平面传送装置A。
2-3定量加料器上的刮刀。
2-4出料口。
2-5平面传送装置A上的凹槽。
3-1光照辐射器B。
3-2负压抽吸器C。
3-3负压抽吸磁振器D。
4-1第三光面的单辊轮。
4-2第四带凹槽阵列的单辊轮。
4-3LED倒装芯片。
4-4承载膜片。
4-5第四单辊轮上的凹槽。
5固化装置E。
6剥离裁切装置。
7收卷辊。
8-1载体膜片。
8-2具有固定厚度的混合浆料层。
8-3半固化光转换膜片。
8-4LED封装体元件。
9-1缓冲辊。
9-2LED倒装芯片缓冲辊。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
实施例1。参见图1、图2和图6所示，本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，它包括异形微孔载体膜片的滚压塑形、半固化光转换膜片的精制成型、LED倒装芯片阵列膜片的准备、LED封装体元件的滚压贴合成型、LED封装体元件的固化成型和LED封装体元件裁切工序构建的流程式连续工艺，其具体步骤包括如下：
步骤1，异形微孔载体膜片的滚压塑形：将微孔载体膜片通过相向对准的带有凸块阵列的第一滚压装置与带有凹槽阵列的第二滚压装置进行滚压塑形，从而得到带凹槽阵列的异形微孔载体膜片；其中：所述微孔载体膜片的微孔孔径不大于10μm；
步骤2，半固化光转换膜片的精制成型：将步骤1所述异形微孔载体膜片传送至带有凹槽阵列的平面传送装置A上继续传送前行，同时通过定量加料器向所述异形微孔载体膜片上配置包括光转换材料和有机硅树脂的混合浆料，从而形成具有固定厚度的混合浆料层，参见图4所示；之后继续传送前行进入精制装置B中进行负压抽吸和光照辐射，从而得到精制的半固化光转换膜片；其中：所述精制装置B包括光照辐射器C和负压抽吸器D，两者相向对准设置，所述光照辐射器C设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸器D设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸器D产生抽吸力与所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上；其中：所述负压抽吸器C的负压值≧100Pa；所述平面传送装置A中的凹槽阵列的凹槽形状和尺寸与所述带凹槽阵列的第二滚压装置2中的凹槽形状相同和尺寸相等，即所述异形微孔载体膜片中的凹槽与平面传送装置A中的凹槽贴合匹配；
步骤3，LED倒装芯片阵列膜片的准备：获得LED倒装芯片阵列膜片，所述LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片是以阵列方式排列于承载膜片上；其中，所述LED倒装芯片是指单个LED倒装芯片或LED倒装芯片组件；其中所述LED倒装芯片组件由两个或两个以上的单个LED倒装芯片组合而成；
步骤4，LED封装体元件的滚压贴合成型：在真空加热的条件下，将步骤2所述的半固化光转换膜片传送至带凹槽阵列的第四滚压装置上，然后与设置在第三滚压装置上的所述LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片进行相向对准的滚压贴合，从而得到LED封装体元件；所述第四滚压装置中的凹槽阵列的凹槽形状和尺寸与所述第二滚压装置中的凹槽阵列的凹槽形状相同和尺寸相等；
步骤5，LED封装体元件的固化成型：在真空条件下，采用加温或/和光固化方式，将步骤4所述LED封装体元件通过固化装置E进行固化，得到固化LED封装体元件。
步骤6，LED封装体元件的裁切：剥离步骤5所述固化LED封装体元件的异形微孔载体膜片，对固化LED封装体元件进行裁切至形成具有可分割为单颗LED封装体元件的切缝，从而制得带切缝的成品LED封装体元件。
特别需要说明的是：
本发明适用于对与LED倒装芯片结构类同的光电器件或电子器件的生产加工。
凡透光率高、耐温性好的现有有机硅树脂均可选择用于本发明的工艺方法，为了满足普通LED封装体元件在使用时的回流焊温度以及长期使用时的热、光等老化耐受条件，本发明优选采用甲基乙烯基有机硅树脂；现有量子点荧光体、荧光粉均可选择用于本发明的工艺方法。
通常情况下，本发明采用的混合浆料中不需要包括粘接剂；当选择在极端条件下使用成品LED封装体元件，需要进一步增强光转换体与LED之间的粘接力时，本发明采用的混合浆料中可以包括粘接剂。
本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的进一步优选方案是：
步骤1所述异形微孔载体膜片的滚压塑形是指将所述载体膜片通过带凸块阵列的第一单辊轮或带凸块阵列的第一平面传送装置与带凹槽阵列的第二单辊轮或带凹槽阵列的第二平面传送装置进行滚压塑形；所述带有凸块阵列的第一滚压装置为所述带凸块阵列的第一单辊轮或带凸块阵列的第一平面传送装置，所述带有凹槽阵列的第二滚压装置为所述带凹槽阵列的第二单辊轮或带凹槽阵列的第二平面传送装置；其中，所述第一滚压装置和第二滚压装置中至少一个为单辊轮。参见图3、图7所示，其中，当异形微孔载体膜片通过带凸块阵列的第一单辊轮和带凹槽阵列的第二平面传送装置进行滚压塑形时的工序参见图3所示；当异形微孔载体膜片通过带凸块阵列的第一单辊轮和带凹槽阵列的第二单辊轮进行滚压塑形时的工序参见图7所示。
步骤1所述异形微孔载体膜片的材质为聚酯、聚烯烃或聚醚。
步骤1所述滚压塑形的温度为50-150℃；优选滚压塑型温度为80-120℃。
步骤1所述带凹槽阵列的异形微孔载体膜片中的凹槽外形形状为弧形、半圆球形或矩形；所述凸块阵列中凸块的形状为弧形、半圆球形或矩形；所述凹槽阵列的凹槽形状与所述凸块阵列的凸块形状相匹配。
步骤2所述混合浆料还包括粘接剂。
步骤2所述的光转换材料为量子点荧光体或荧光粉。
步骤2所述平面传送装置A的材质为碳素钢、不锈钢、铝合金、铜合金或耐高温树脂。
步骤2所述精制装置包括光照辐射器B和负压抽吸磁振器D，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸磁振器D设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸磁振器D产生的抽吸力、磁振力和所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上；其中：所述负压抽吸磁振器的负压值≧100Pa、磁场强度值≧1mT，振动频率≧20Hz。
步骤2所述精制装置为隧道式固化装置，采用多温区的程序升温和多温区的程序降温，其中：所述多温区的程序升温的温度由室温至50-120℃；所述多温区的程序降温的温度为50-120℃至室温、各温区持续固化时间可调，光照辐射时间为3-60min；优选的多温区的程序升温的温度由室温至80℃-100℃，多温区的程序降温的温度为80℃-100℃至室温。
步骤2所述精制装置采用恒温光照辐射，所述恒温光照辐射的温度为50-120℃，所述恒温光照辐射的时间为3-60min；优选的恒温光照辐射的温度为80℃-100℃。
步骤3所述承载膜片为可拉伸承载膜片，所述可拉伸承载膜片的材质为耐高温的聚酯、聚二甲基硅氧烷或聚氯乙烯中的一种。
步骤4所述LED封装体元件的滚压贴合成型是指将半固化光转换膜片传送至带凹槽阵列的第四单辊轮或带凹槽阵列的第四平面传送装置中，然后与设置在光面的第三单辊轮或光面的第三平面传送装置上的LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片进行相向对准滚压贴合；所述第三滚压装置为光面的第三单辊轮或光面的第三平面传送装置，所述第四滚压装置为带凹槽阵列的第四单辊轮或带凹槽阵列的第四平面传送装置；其中，所述第三滚压装置和第四滚压装置中至少一个为单辊轮。步骤4中当半固化光转换膜片通过带凹槽阵列的第四单辊轮和设置在光面的第三单辊轮上的LED倒装芯片进行相向对准滚压贴合时的工序参见图5所示。
步骤4所述LED封装体元件的滚压贴合成型的滚压贴合温度为50-120℃；最佳滚压贴合成型的温度为80-100℃。
步骤5所述加温固化的固化温度为140-180℃、固化时间为≥1h；最佳固化温度为150-160℃，固化时间为2h。
步骤5所述光固化为活性能量射线固化。
步骤6所述对固化LED封装体元件进行裁切是指将固化LED封装体元件通过相向对准设置的带有阵列刀口的第五滚件和第六光面滚件进行滚压裁切，得到具有分割为单颗LED封装体元件切缝的成品LED封装体元件；所述切缝为缝宽20μm以内；最佳切缝缝宽为15μm；其中：
所述带有阵列刀口的第五滚件5为带有阵列刀口的第五单辊轮5或带有阵列刀口的第五平面传送装置，所述第六光面滚件为光面的第六单辊轮或光面的第六平面传送装置；所述带有阵列刀口的第五滚件和第六光面滚件中至少一个为单辊轮；所述第五滚件中的阵列刀口为具有阵列矩形格子的刀口；其中，所述矩形格子的尺寸和成品单颗LED封装体元件的尺寸相等；所述辊与辊或辊与平面的间距不超过所述LED倒装芯片阵列膜片中承载膜的厚度。
需要说明的是：当异形微孔载体膜片通过带凸块阵列的第一单辊轮和带凹槽阵列的第二平面传送装置进行滚压塑形，且半固化光转换膜片通过带凹槽阵列的第四单辊轮和设置在光面的第三单辊轮上的LED倒装芯片进行相向对准滚压贴合时，本发明工艺流程布局参见图2所示；当异形微孔载体膜片通过带凸块阵列的第一单辊轮和带凹槽阵列的第二单辊轮进行滚压塑形，且半固化光转换膜片通过带凹槽阵列的第四单辊轮和设置在光面的第三单辊轮上的LED倒装芯片进行相向对准滚压贴合时，本发明工艺流程布局参见图6所示。
根据需要，本发明可将步骤6所述带切缝的成品LED封装体元件，再通过拉伸机对其可拉伸承载膜片进行拉伸扩膜，使得带切缝的成品LED封装体元件在拉伸后即沿切缝分割，从而制得成品单颗LED封装体元件。参见图8A、图8B所示。
本发明制得的成品单颗LED封装体元件可以为弧形LED封装体元件、半圆球形LED封装体元件和矩形LED封装体元件；参见图9A、图9B和图9C所示。
本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，特别适用于有机硅树脂光转换体与各种功率大小的LED倒装芯片的贴合封装工艺。
实施例2：本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法所采用的精制装备系统，它包括用于将异形微孔载体膜片滚压塑形的异形微孔载体膜片滚压塑形装置、用于在塑形后的异形微孔载体膜片上形成半固化光转换膜的半固化光转换膜片精制成型装置和用于LED封装体元件滚压贴合成型的滚压贴合装置；所述异形微孔载体膜片滚压塑形装置、半固化光转换膜片精制成型装置和滚压贴合装置依次设置，构成协同联动的工序装备；其中：
所述异形微孔载体膜片滚压塑形装置包括相向对准设置的带有凸块阵列的第一滚压装置与带有凹槽阵列的第二滚压装置；所述滚压贴合装置包括相向对准设置的带有凹槽阵列的第四滚压装置与光面的第三滚压装置；
所述半固化光转换膜片精制成型装置包括至少包含光转换材料和有机硅树脂的混合浆料的定量加料器、设置在定量加料器正下方的带凹槽阵列的平面传送装置A以及用于半固化光转换膜片精制成型的精制装置。
本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法所采用的精制装备及后续装备系统的具体实施方案进一步公开如下：
精制装备系统中所述带有凸块阵列的第一滚压装置为带有凸块阵列的第一单辊轮或带有凸块阵列的第一平面传送装置；所述带有凹槽阵列的第二滚压装置为带有凹槽阵列的第二单辊轮或带凹槽阵列的第二平面传送装置；所述第一滚压装置和第二滚压装置至少一个为单辊轮；参见图3和图7所示，其中，当第一滚压装置为带凸块阵列的第一单辊轮、第二滚压装置为带凹槽阵列的第二平面传送装置时的滚压塑形装置的结构参见图3所示；当第一滚压装置为带凸块阵列的第一单辊轮、第二滚压装置为带凹槽阵列的第二单辊轮时的滚压塑形装置的结构参见图7所示。
精制装备系统中所述光面的第三滚压装置为光面的第三单辊轮或光面的第三平面传送装置，带有凹槽阵列的第四滚压装置为带有凹槽阵列的第四单辊轮或带凹槽阵列的第四平面传送装置；所述第三滚压装置和第四滚压装置至少一个为单辊轮。当第三滚压装置为光面的第三单辊轮和第四滚压装置为带凹槽阵列的第四单辊轮时的滚压贴合装置的结构参见图5所示。
所述带凹槽阵列的平面传送装置A中的凹槽的形状和尺寸与所述带有凹槽阵列的第二滚压装置中的凹槽的形状相同和尺寸相等；所述带有凹槽阵列的第四滚压装置中的凹槽形状和尺寸与所述带有凹槽阵列的第二滚压装置中的凹槽的形状相同和尺寸相等。
所述凸块阵列中的凸块形状为弧形、半圆球形或矩形；所述凸块阵列中的凸块的形状和尺寸与所述凹槽阵列中的凹槽的形状和尺寸相匹配。
所述异形微孔载体膜片滚压塑形装置设有调节辊与辊间距或辊与平面传送装置间距的位移调节装置；所述滚压贴合装置设有调节辊与辊间距或辊与平面传送装置间距的位移调节装置。
所述异形微孔载体膜片滚压塑形装置中的单辊轮径向跳动距离≤2μm；所述滚压贴合装置中的单辊轮径向跳动距离≤2μm。
所述定量加料器包括真空搅拌部件和至少一个出料口；所述出料口为一列出料口。
所述精制装置的第一个方案包括光照辐射器B和负压抽吸器C，还包括温度调控部件和平面传送装置A的通道；其中，所述光照辐射器B和负压抽吸器C两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸器C设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸器C产生抽吸力与所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上；其中：所述负压抽吸器C的负压值≧100Pa。
所述精制装置的第二个方案包括光照辐射器B和负压抽吸磁振器D，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸磁振器D设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸磁振器D产生的抽吸力、磁振力和所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形载体膜片上；其中：所述负压抽吸磁振器的负压值≧100Pa、磁场强度值≧1mT，振动频率≧20Hz。
所述后续装备系统中还包括用于制得固化LED封装体元件的固化装置E；所述固化装置E位于所述滚压贴合装置后端的工序装备；所述固化装置E为隧道式控温装置或隧道式光照装置；所述隧道式控温装置包括加温部件、温度调控部件和平面传送装置A的通道；所述隧道式光照装置包括光照部件、光照强度调控部件和平面传送装置A的通道。
所述后续装备系统中还包括用于裁切所述固化LED封装体元件至形成具有可分割为单颗LED封装体元件的裁切装置；所述裁切装置位于所述固化装置E后端的工序装备。
所述裁切装置包括相向对准设置的带有阵列刀口的第五滚件和第六光面滚件；所述带有阵列刀口的第五滚件为带有阵列刀口的第五单辊轮或带有阵列刀口的第五平面传送装置，所述第六光面滚件为光面的第六单辊轮或光面的第六平面传送装置；所述带有阵列刀口的第五滚件和第六光面滚件中至少一个为单辊轮；其中：所述第五滚件中的阵列刀口为具有阵列矩形格子的刀口；其中，所述矩形格子的尺寸和单颗LED封装体元件的尺寸相等；所述裁切装置设有调节辊与辊间距或辊与平面传送装置间距的位移调节装置。
所述精制装备及后续装备系统的异形微孔载体膜片滚压塑形装置、半固化光转换膜片精制成型装置、滚压贴合装置、固化装置E和裁切装置依次协同联动，构成流程式连续工序装备。
需要说明的是：当第一滚压装置为带凸块阵列的第一单辊轮、第二滚压装置为带凹槽阵列的第二平面传送装置、第三滚压装置为光面的第三单辊轮和第四滚压装置为带凹槽阵列的第四单辊轮时，与本发明配套的流程式连续工序装备参见图2所示；当第一滚压装置为带凸块阵列的第一单辊轮、第二滚压装置为第二带凹槽阵列的单辊轮、第三滚压装置为光面的第三单辊轮和第四滚压装置为带凹槽阵列的第四单辊轮时，与本发明配套的流程式连续工序装备参见图6所示。
本发明的具体实施方式中凡未涉到的说明属于本领域的公知技术，可参考公知技术加以实施。
本发明经反复试验验证，取得了满意的试用效果。
以上具体实施方式及实施例是对本发明提出的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法及技术思想的具体支持，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在本技术方案基础上所做的任何等同变化或等效的改动，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
Claims (22)
1.一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，它包括异形微孔载体膜片的滚压塑形、半固化光转换膜片的精制成型、LED倒装芯片阵列膜片的准备、LED封装体元件的滚压贴合成型、LED封装体元件的固化成型和LED封装体元件裁切工序构建的流程式连续工艺，其基本步骤包括如下：
步骤1，异形微孔载体膜片的滚压塑形：将微孔载体膜片通过相向对准的带有凸块阵列的第一滚压装置与带有凹槽阵列的第二滚压装置进行滚压塑形，从而得到带凹槽阵列的异形微孔载体膜片；其中：所述微孔载体膜片的微孔孔径不大于10μm；
步骤2，半固化光转换膜片的精制成型：将步骤1所述异形微孔载体膜片传送至带有凹槽阵列的平面传送装置A上继续传送前行，同时通过定量加料器向所述异形微孔载体膜片上配置包括光转换材料和有机硅树脂的混合浆料，从而形成具有固定厚度的混合浆料层，之后继续传送前行进入精制装置中进行负压抽吸和光照辐射，从而得到精制的半固化光转换膜片；其中：所述精制装置包括光照辐射器B和负压抽吸器C，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸器C设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸器C产生抽吸力与所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上；所述平面传送装置A中的凹槽阵列的凹槽形状和尺寸与所述带凹槽阵列的第二滚压装置中的凹槽形状相同和尺寸相等，即所述异形微孔载体膜片中的凹槽与平面传送装置A中的凹槽贴合紧密匹配；
步骤3：LED倒装芯片阵列膜片的准备：获得LED倒装芯片阵列膜片，所述LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片是以阵列方式排列于承载膜片上；其中，所述LED倒装芯片是指单个LED倒装芯片或LED倒装芯片组件；其中所述LED倒装芯片组件由两个或两个以上的单个LED倒装芯片组合而成；
步骤4：LED封装体元件的滚压贴合成型：在真空加热的条件下，将步骤2所述的半固化光转换膜片传送至带凹槽阵列的第四滚压装置上，然后与设置在第三滚压装置上的所述LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片进行相向对准的滚压贴合，从而得到LED封装体元件；所述第四滚压装置中的凹槽阵列的凹槽形状和尺寸与所述第二滚压装置中的凹槽阵列的凹槽形状相同和尺寸相等；
步骤5：LED封装体元件的固化成型：在真空条件下，采用加温或/和光固化方式，将步骤4所述LED封装体元件通过固化装置E进行固化，得到固化LED封装体元件；
步骤6：LED封装体元件的裁切：剥离步骤5所述固化LED封装体元件的异形微 孔载体膜片，对固化LED封装体元件进行裁切至形成具有可分割为单颗LED封装体元件的切缝，从而制得带切缝的成品LED封装体元件。
2.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述异形微孔载体膜片的滚压塑形是指将所述异形微孔载体膜片通过带凸块阵列的第一单辊轮或带凸块阵列的第一平面传送装置与带凹槽阵列的第二单辊轮或带凹槽阵列的第二平面传送装置进行滚压塑形；所述带有凸块阵列的第一滚压装置为所述带凸块阵列的第一单辊轮或带凸块阵列的第一平面传送装置，所述带有凹槽阵列的第二滚压装置为所述带凹槽阵列的第二单辊轮或带凹槽阵列的第二平面传送装置；其中，所述第一滚压装置和第二滚压装置中至少一个为单辊轮。
3.根据权利要求1或2所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤4所述LED封装体元件的滚压贴合成型，是指将半固化光转换膜片传送至带凹槽阵列的第四单辊轮或带凹槽阵列的第四平面传送装置中，然后与设置在光面的第三单辊轮或光面的第三平面传送装置上的LED倒装芯片阵列膜片中的LED倒装芯片进行相向对准滚压贴合；所述第三滚压装置为光面的第三单辊轮或第三光面的平面传送装置，所述第四滚压装置为带凹槽阵列的第四单辊轮或带凹槽阵列的第四平面传送装置；其中，所述第三滚压装置和第四滚压装置中至少一个为单辊轮。
4.根据权利要求1或2所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述异形微孔载体膜片的材质为聚酯、聚烯烃或聚醚。
5.根据权利要求4所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述滚压塑形的温度为50-150℃。
6.根据权利要求1、2或5所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述带凹槽阵列的异形载体膜片中的凹槽外形形状为弧形、半圆球形或矩形；所述凸块阵列中凸块的形状为弧形、半圆球形或矩形；所述凹槽阵列的凹槽形状与所述凸块阵列的凸块形状相匹配。
7.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述混合浆料还包括粘接剂。
8.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述平面传送装置A的材质为碳素钢、不锈钢、铝合金、铜合金或耐高温树脂。
9.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述精制装置包括光照辐射器B和负压抽吸磁振器D，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸磁振器D设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸磁振器D产生的抽吸力、磁振力和所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上。
10.根据权利要求1或9所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述精制装置为隧道式固化装置，采用多温区的程序升温和多温区的程序降温，其中：所述多温区的程序升温的温度由室温至50-120℃；所述多温区的程序降温的温度为50-120℃至室温、各温区持续固化时间可调，光照辐射时间为3-60min。
11.根据权利要求1或9所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述精制装置采用恒温光照辐射，所述恒温光照辐射的温度为50-120℃，所述恒温光照辐射的时间为3-60min。
12.根据权利要求1或7所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述的光转换材料为量子点荧光体或荧光粉。
13.根据权利要求3所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤4所述LED封装体元件的滚压贴合成型的滚压贴合温度为50-120℃。
14.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤5所述加温固化的固化温度为140-180℃、固化时间为≥1h。
15.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤5所述光固化为活性能量射线固化。
16.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤6所述对固化LED封装体元件进行裁切是指将固化LED封装体元件通过相向对准设置的带有阵列刀口的第五滚件和第六光面滚件进行滚压裁切；其中：
所述带有阵列刀口的第五滚件为带有阵列刀口的第五单辊轮或带有阵列刀口的第五平面传送装置，所述第六光面滚件为光面的第六单辊轮或光面的第六平面传送装置；所述带有阵列刀口的第五滚件和第六光面滚件中至少一个为单辊轮；
所述第五滚件中的阵列刀口为具有阵列矩形格子的刀口；其中，所述矩形格子的尺寸和成品单颗LED封装体元件的尺寸相等；
所述辊与辊或辊与平面的间距不超过所述LED倒装芯片阵列膜片中承载膜的厚度。
17.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤6所述切缝为缝宽20μm以内。
18.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤3所述承载膜片为可拉伸承载膜片，所述可拉伸承载膜片的材质为耐高温的聚酯、聚二甲基硅氧烷或聚氯乙烯。
19.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法，其特征在于，还包括将步骤6所述带切缝的成品LED封装体元件，再通过拉伸机对其可拉伸承载膜片进行拉伸扩膜，使得带切缝的成品LED封装体元件在拉伸后即沿切缝分割，从而制得成品单颗LED封装体元件。
20.根据权利要求1所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的精制装备系统，其特征在于，它包括用于将异形微孔载体膜片滚压塑形的异形微孔载体膜片滚压塑形装置、用于形成半固化光转换膜片的半固化光转换膜片精制成型装置和用于LED封装体元件滚压贴合成型的滚压贴合装置；所述异形微孔载体膜片滚压塑形装置、半固化光转换膜片精制成型装置和滚压贴合装置依次设置，构成协同联动的工序装备；其中：
所述异形微孔载体膜片滚压塑形装置包括相向对准设置的带有凸块阵列的第一滚压装置与带有凹槽阵列的第二滚压装置；所述滚压贴合装置包括相向对准设置的带有凹槽阵列的第四滚压装置与光面的第三滚压装置；
所述半固化光转换膜片精制成型装置包括至少包含光转换材料和有机硅树脂的混合浆料的定量加料器、设置在定量加料器正下方的带凹槽阵列的平面传送装置A以及用于半固化光转换膜片成型的精制装置。
21.根据权利要求20所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的精制装备系统，其特征在于，所述精制装置包括光照辐射器B和负压抽吸器C，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸器C设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸器C产生抽吸力与所述光照辐射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形微孔载体膜片上。
22.根据权利要求20所述的一种精制光转换体贴合封装LED的工艺方法的精制装备系统，其特征在于，精制装置包括光照辐射器B和负压抽吸磁振器D，两者相向对准设置，所述光照辐射器B设置于平面传送装置A的上部，所述负压抽吸磁振器D设置于平面传送装置A的下部，由所述负压抽吸磁振器D产生的抽吸力、磁振力和所述光照辐 射能量协同作用于所述装有混合浆料的异形载体膜片上。
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|---|---|---|---|---|
| US20070090387A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-26 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits |
| CN101839427A (zh) * | 2010-04-07 | 2010-09-22 | 华南理工大学 | 一种大尺寸直下式led背光源及制备方法 |
| CN102169927A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-08-31 | 东莞市万丰纳米材料有限公司 | 一种led芯片图形衬底制备装置 |
| CN102881780A (zh) * | 2011-07-15 | 2013-01-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光模组及其制造方法 |
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