CN106558624B - 一种快速恢复二极管及其制造方法 - Google Patents
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- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 7
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8611—Planar PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66128—Planar diodes
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- Power Engineering (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
Description
技术领域
本发明涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快速恢复二极管及其制造方法。
背景技术
随着电力电子技术的发展，各种变频电路和斩波电路的应用不断扩大，电力电子电路中的回路有的采用换流关断的晶闸管，有的采用具有自关断能力的新型电力电子器件，而这两种器件都需要一个与之并联的快速恢复二极管。早期的工艺条件要求尽可能引入少的复合中心进行半导体器件制造，但如此制造的器件开关速度慢，无法适应高频应用的需求。为了满足电力电子系统对高频性能要求，无论是开关管，还是续流用的二极管，都需要用受控的方法将复合中心引入晶格，降低少子寿命，提高器件的开关速度。如果对器件有更高频的要求，则需在引入更多的复合中心的同时还需优化结构。
目前通常采用以下两种方式在器件中引入复合中心。第一种是对硅中呈现深能级的杂质进行热扩散：通常采用重金属金或铂，由于其扩散速度快，无法精确控制深度，因此为全局寿命控制方式。第二种是通过高能粒子轰击硅晶体，在晶体中产生空穴和间隙原子形式的晶格损伤：一般采用电子辐照、氢注入或氦注入；电子辐照通常为贯穿方式，即复合中心在器件中的分布是恒定的，因此仍旧为全局寿命控制；氢注入和氦注入可以通过控制注入能量实现限定深度注入，在最有效区域实现寿命控制，即通常说的局域寿命控制，局域寿命控制技术是高端器件常用的寿命控制方式。
采用激光退火实现深能级杂质限定深度分布，同样可以实现局域寿命控制，这是一个可以获得低漏电同时器件特性又好的一种折中方案。但激光退火在介质层表面近1500℃的高温，如此的高温会导致终端介质层出现无法预知的问题，严重的可能导致反向耐压失效。
发明内容
本发明的目的是提供一种快速恢复二极管及其制造方法，克服现有技术存在的不足，实现了金属局域寿命控制。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种快速恢复二极管，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)。
所述的快速恢复二极管的第一优选方案，所述氧化层(2)的厚度为
所述的快速恢复二极管的第二优选方案，所述多晶层(5)的材料为硅，厚度为
所述的快速恢复二极管的第三优选方案，所述深能级掺杂区(4)的掺杂杂质为金、铂或钯。
一种所述的快速恢复二极管的制造方法，该方法包括如下步骤：
1)初始氧化：清洗N型硅衬底，高温氧化所述衬底于表面生成氧化层；
2)形成有源区和分压环：通过涂胶、曝光、显影、刻蚀和去胶形成有源区和终端区窗口；
3)形成PN结：形成掩蔽层，注入硼，于1100～1300℃氮气下推结5～25um；
4)多晶生长：淀积多晶层，掺杂磷杂质：
5)寿命控制：光刻，刻蚀多晶，暴露有源区窗口，注入或溅射深能级杂质，并激光退火进行推结；
6)多晶场板：再次光刻，刻蚀多晶，实现终端场板结构；
7)阳极金属电极：蒸发或者溅射Al，通过光刻，刻蚀，去胶，合金，形成表面金属淀积，进行表面钝化；
8)阴极金属电极：形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag背面金属电极。
所述的快速恢复二极管的制造方法的第一优选技术方案，步骤3)所述掩蔽层的厚度为
所述的快速恢复二极管的制造方法的第二优选技术方案，步骤3)所述硼的注入剂量为1e13～1e15。
所述的快速恢复二极管的制造方法的第三优选技术方案，步骤3)所述推结的温度为1200℃。
所述的快速恢复二极管的制造方法的第四优选技术方案，步骤4)所述多晶的掺杂源为POCl3或磷。
与最接近的现有技术比，本发明具有如下有益效果：
1)本发明方法利用多晶实现激光退火终端保护，可避免激光退火工艺导致终端受损以致耐压失效，本方法同样适用于其它需要局域寿命控制的功率器件；
2)本发明采用的多晶同时可作为场板，不增加额外的保护介质层，可实现成本控制。
附图说明
图1：N型硅衬底；
图2：N型硅衬底场氧化层；
图3：有源区分压环光刻刻蚀后芯片剖面图；
图4：有源区激光退火后结构图；
图5：终端场板结构图；
其中：
1N型硅衬底层；2SiO2层；3P+层；4深能级掺杂层；5多晶。
具体实施方式
以下通过具体实施例并结合附图进一步对本发明进行描述，但本发明并不限于以下实施例。
实施例1
一种所述的快速恢复二极管的制造方法，该方法包括如下步骤：
1)初始氧化：对均匀掺杂的N型硅衬底(见图1)进行清洗后，使用高温氧化的方法，在硅片表面生长氧化层2，厚度见图2；
2)形成有源区和分压环：通过涂胶，曝光，显影，刻蚀，去胶，形成有源区和终端区窗口；
3)形成PN结：为防止注入损伤，生长氧化层作为掩蔽层，后续进行硼注入，剂量为1e13-1e15，1200℃氮气下推结5-25μm，见图3；
4)多晶生长：淀积多晶厚度为利用POCl3或注入磷进行掺杂：
5)寿命控制：光刻，刻蚀多晶，露出有源区窗口，注入或溅射深能级杂质，并通过激光退火进行推结，见图4；
6)多晶场板：再次光刻，刻蚀多晶，实现终端场板结构，见图5；
7)阳极金属电极：蒸发或者溅射Al，通过光刻，刻蚀，去胶，合金，形成表面金属淀积，进行表面钝化；
8)阴极金属电极；形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag背面金属电极。
Claims (1)
1.一种快速恢复二极管的制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，其特征在于，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；
所述氧化层(2)的厚度为
所述多晶层(5)的材料为硅，厚度为
所述深能级掺杂区(4)的掺杂杂质为金、铂或钯；
其特征在于，该方法包括如下步骤：
1)初始氧化：对均匀掺杂清洗N型硅衬底，高温氧化所述衬底于表面生成氧化层，在硅片表面生长氧化层(2)，厚度
2)形成有源区和分压环：涂胶、曝光、显影、刻蚀和去胶形成有源区和终端区窗口；
3)形成PN结：生长氧化层掩蔽层，注入硼，剂量为1e13-1e15，于1200℃氮气下推结5～25um；
4)多晶生长：淀积多晶厚度为利用POCl3或注入磷进行掺杂：
5)寿命控制：光刻，刻蚀多晶，暴露有源区窗口，注入或溅射深能级杂质，并激光退火进行推结；
6)多晶场板：再次光刻，刻蚀多晶，实现终端场板结构；
7)阳极金属电极：蒸发或者溅射Al，光刻，刻蚀，去胶，合金，形成表面金属淀积，进行表面钝化；
8)阴极金属电极：形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag背面金属电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510638966.2A CN106558624B (zh) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510638966.2A CN106558624B (zh) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106558624A CN106558624A (zh) | 2017-04-05 |
| CN106558624B true CN106558624B (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=58418156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510638966.2A Active CN106558624B (zh) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106558624B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114093928B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-01-13 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种快恢复二极管的铂掺杂方法 |
| CN115458583B (zh) * | 2022-09-01 | 2023-12-08 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法 |
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| CN102569067A (zh) * | 2012-02-17 | 2012-07-11 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法 |
| CN104157569A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-11-19 | 清华大学 | 快恢复二极管制造工艺方法 |
| CN104934372A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜及其制作方法、相关器件 |
-
2015
- 2015-09-30 CN CN201510638966.2A patent/CN106558624B/zh active Active
Patent Citations (5)
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|---|---|
| CN106558624A (zh) | 2017-04-05 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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