CN106552939A - 用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法 - Google Patents

用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法 Download PDF

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Abstract

提供了用于单晶超级合金和金属的直写的方法。本方法可包括：使用第一加热器(24)将位于底板(22)上的基底(23)加热到预定温度；使用激光(26)在基底(23)表面上形成熔池(34)；将超级合金粉末(32)引入到熔池(34)；测定熔池(34)的温度；在控制器(40)处接收测定的温度；和使用与控制器(40)连通的辅助热源(41)以调节熔池(34)的温度。预定温度低于基底的熔点。激光(26)和底板(22)能够相对于彼此移动，其中激光(26)用于直接金属沉积。也大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的设备(20)。

Description

用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法
技术领域
本公开涉及用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法。
背景技术
燃气涡轮发动机的涡轮区段位于燃烧器区段的下游并包含转子轴和一个或更多个涡轮级，涡轮级各自具有通过轴安装或以其他方式支撑的涡轮盘(转子)和安装于盘的外围并从其径向延伸的涡轮叶片。在燃烧器和涡轮区段内的构件通常由超级合金材料形成，以当处于由热燃烧气体引起的升高的温度时提供可接受的机械特性。现代的高压力比燃气涡轮发动机中的较高压缩机出口温度可能也需要将高性能镍超级合金用于压缩机盘、有叶片盘、和其他构件。用于给定的构件的适当的合金成分和微观结构取决于该构件经受的特定温度、应力、和其他条件。
例如，翼型件构件例如叶片和导叶通常由等轴、定向凝固(DS)、或单晶(SX)超级合金形成。定向凝固(DS)或单晶(SX)涡轮翼型件当与等轴晶体配对件相比时具有优越得多的蠕变强度、热疲劳抗性以及耐磨性。在具体使用中，已证明DS或SX涡轮翼型件当与等轴晶体配对件相比时关于蠕变强度和热疲劳抗性具有九倍之多的相对寿命和关于耐磨性的高于三倍的相对寿命。
然而，单晶铸造是慢且昂贵的过程。在设计变更的情况下，必须制作新的模具。由于镍超级合金的高熔化温度，通常需要昂贵的陶瓷模具。另一方面，数字制造方法(如果成功应用)可制造单晶而不需要模具，并因此使得设计经济。
发明内容
本发明的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或可根据描述变得明显，或可通过本发明的实施习得。
大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的方法。在一个实施例中，本方法包括：使用第一加热器将位于底板的上的基底加热至预定温度；使用激光以在基底表面上形成熔池(melt pool)；将超级合金粉末引入至熔池；测定熔池的温度；在控制器处接收测定的温度；和使用与控制器连通的辅助热源以调整熔池的温度。预定温度低于基底的熔点。激光和底板能够相对于彼此移动，其中激光用于直接金属沉积。
在一个实施例中，本方法包括：使用第一加热器将基底加热至预定温度；使用激光在位于底板上的基底的表面上形成熔池；将超级合金粉末引入至熔池；测定熔池的温度；在控制器处接收测定的温度；和使用与控制器连通的冷却源以调整熔池的温度。预定温度低于基底的熔点。激光和底板能够相对于彼此移动，激光用于直接金属沉积。
还大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的设备。在一个实施例中，本设备包括：激光，其具有功率输出；底板，其构造成用于将基底保持在其上；DMD头，其构造成将超级合金粉末的射流供应到基底上；感应加热源，其定位为将底板上的基底加热到预定温度；辅助加热器件和冷却器件中的至少一者；和用于控制辅助加热器件和冷却器件中的该至少一者的控制器，其中，控制器响应于基底上的熔池和基底中的至少一者的测定温度。
技术方案1：一种用于单晶超级合金和金属的直写的方法，所述方法包括：
使用第一加热器将基底加热到预定温度，其中，所述预定温度低于所述基底的熔点；
使用激光在所述基底的表面上形成熔池，其中，所述基底位于底板上，并且其中，所述激光和所述底板能够相对于彼此移动，所述激光用于直接金属沉积；
将超级合金粉末引入到所述熔池；
测定所述熔池的温度；
在控制器处接收测定的温度；和
使用与所述控制器连通的辅助热源来调节所述熔池的温度。
技术方案2：根据技术方案1所述的方法，其中，测定的温度低于基准温度，且其中，使用所述辅助热源调节所述熔池的温度包括：
提高所述辅助热源的功率。
技术方案3：根据技术方案1所述的方法，其中，测定的温度高于基准温度，且其中，使用所述辅助热源调节所述熔池的温度包括：
降低所述辅助热源的功率。
技术方案4：根据技术方案1所述的方法，其中，所述辅助热源为第二激光。
技术方案5：根据技术方案1所述的方法，还包括：
使用与所述控制器连通的冷却源调节所述熔池的温度。
技术方案6：根据技术方案5所述的方法，其中，所述冷却源为在可变气体流量下被引导到所述熔池处的冷却气体。
技术方案7：根据技术方案6所述的方法，其中，测定的温度低于所述基准温度，且其中，使用所述冷却源调整所述熔池的温度包括：
减少去往所述熔池的所述冷却气体的气体流量。
技术方案8：根据技术方案6所述的方法，其中，测定的温度高于所述基准温度，且其中，使用所述冷却源调整所述熔池的温度包括：
增加去往所述熔池的所述冷却气体的气体流量。
技术方案9：一种用于单晶超级合金和金属的直写的方法，所述方法包括：
使用第一加热器将基底加热到预定温度，其中，所述预定温度低于所述基底的熔点；
使用激光在所述基底的表面上形成熔池，其中，所述基底位于底板上，且其中，所述激光和所述底板能够相对于彼此移动，所述激光用于直接金属沉积；
将超级合金粉末引入到所述熔池；
测定所述熔池的温度；
在控制器处接收测定的温度；和
使用与所述控制器连通的冷却源调节所述基底的温度。
技术方案10：根据技术方案9所述的方法，其中，所述冷却源为在可变气体流量下被引导到所述基底处的冷却气体。
技术方案11：根据技术方案10所述的方法，其中，测定的温度低于基准温度，且其中，使用所述冷却源调整所述基底的温度包括：
减少去往所述基底的所述冷却气体的气体流量。
技术方案12：根据技术方案10所述的方法，其中，测定的温度高于基准温度，且其中，使用所述冷却源调整所述基底的温度包括：
增加去往所述基底的所述冷却气体的气体流量。
技术方案13：根据技术方案9所述的方法，其中，所述冷却源是熔炉，且其中，所述基底位于所述熔炉内。
技术方案14：根据技术方案13所述的方法，其中，测定的温度低于基准温度，且其中，使用所述冷却源调整所述基底的温度包括：
提高所述熔炉的温度。
技术方案15：根据技术方案13所述的方法，其中，测定的温度高于基准温度，且其中，使用所述冷却源调整所述基底的温度包括：
降低所述熔炉的温度。
技术方案17：一种用于单晶超级合金和金属的直写的设备，其包括：
激光，其具有功率输出；
底板，其构造成用于将基底保持在其上；
DMD头，其构造成将超级合金粉末的射流供给到所述基底上；
感应加热源，其定位为将所述底板上的所述基底加热到预定温度；
辅助加热器件和冷却器件中的至少一者；和
用于控制所述辅助加热器件和所述冷却器件中的所述至少一者的控制器，其中，所述控制器响应于在所述基底上的熔池和所述基底中的至少一者的测定温度。
技术方案18：根据技术方案17所述的设备，包括所述冷却器件，其中，所述冷却器件包含气源，所述气源具有由与所述控制器连通的阀门控制的可变流动速率。
技术方案19：根据技术方案17所述的设备，包括所述冷却器件，其中，所述冷却器件包括熔炉，所述基底位于所述熔炉中。
技术方案20：根据技术方案17所述的设备，还包括：
高温计，其构造成测量在所述基底上的熔池和所述超级合金粉末中的至少一者的温度，其中，所述高温计与所述控制器连通。
通过参照下列描述和所附权利要求，本发明的这些和其他特征、方面及优点将变得更好理解。并入本说明书中并组成其一部分的附图例示出了本发明的实施例，并与说明一起用来解释本发明的原理。
附图说明
在参照附图的说明书中阐述本发明的完整和能够实现的公开，包括对本领域技术人员而言的最佳实施方式，在附图中：
图1是根据本发明实施例的物品例如燃气涡轮叶片的透视图；
图2例示出根据一个实施例的示范性设备；
图3例示出利用图2的设备的根据一个实施例的熔池温度控制过程；
图4是根据一个实施例的用于熔池温度控制器的算法的流程图；
图5例示出根据一个实施例的另一示范性设备；
图6例示出利用图5的设备的根据一个实施例的熔池温度控制过程；
图7例示出根据一个实施例的另一示范性设备；
图8例示出利用图7的设备的根据一个实施例的熔池温度控制过程；且
图9是根据一个实施例的用于熔池温度控制器的算法的流程图。
本说明书和附图中参考符号的重复使用意于表示本发明的相同或相似特征或元件。
部件列表
10 物品
12 翼型件
14 附连件
16 平台
18 开口
20 设备
21 工作台
22 底板
23 单晶基底
24 感应热源
25 线性运动台
26 激光
28 DMD头
30 粉末金属输送系统
32 超级合金粉末
33 包层
34 熔池
36 熔池温度控制器
38 高温计
39 透镜
40 激光功率控制器
41 辅助热源
43 激光
42 方法
44 步骤
46 步骤
48 步骤
50 步骤
51 步骤
52 步骤
53 步骤
54 步骤
60 冷却室
61 供给管路
62 冷却气体
63 控制器
72 方法
74 步骤
78 步骤
80 步骤
82 步骤
84 步骤
76 步骤
77 步骤
79 步骤
81 步骤。
具体实施方式
现在将详细地参照在附图中例示出一个或更多个实例的本发明的实施例。各实例是作为本发明的解释而非本发明的限制来提供的。事实上，在本发明中可进行各种更改和变化而不脱离本发明的精神和范畴这点对于本领域技术人员将是显而易见的。例如，作为一个实施例的部分例示或描述的特征可与其他实施例一起使用以产生又一实施例。因此，意图当此种更改和变化在所附权利要求和它们的等同物的范围内时，本发明覆盖此种更改和变化。
直接金属沉积(DMD)，数字添加制造工艺，使用智能闭环反馈系统以提供用于先进燃气涡轮技术的经济的解决方案。方法和设备在本文中大体上是用于通过将固液界面处的温度梯度维持在接近为常数的非常窄的窗口内而促进的用于三维单晶形状的直写而提供的。
这种三维单晶形状具有作为燃气涡轮发动机叶片的特定效用。参见附图，图1描述作为涡轮叶片示出的燃气涡轮发动机的物品10。燃气涡轮叶片10包括翼型件12、侧向延伸平台16、将燃气涡轮叶片10附连到涡轮盘(未示出)的处于燕尾件形式的附连件14。在一些构件中，多个冷却通道延伸通过翼型件12的内部，在翼型件12的表面中的开口18中终止。
在示范实施例中，构件物品10基本上为单晶。即，构件产品10具有按照体积至少大约百分之80、且更优选为按照体积至少大约百分之95％的具有单晶体取向的单晶粒。可能存在较少体积分率的其他晶体取向，还有由低角度边界分离的区。单晶结构是通过合金成分的定向凝固(通常从种晶或者诱导单晶的生长和单晶粒取向的其他结构)来制备。
本文中讨论的示范性合金成分的用途不限于燃气涡轮叶片10，且其可用于其他物品中，例如燃气涡轮喷嘴、导叶、护罩、或用于燃气涡轮发动机的其他构件。
参考图2，大体上示出了用于使用与用于制造半导体的浮区法类似的过程来提供用于SX生长的稳定温度梯度和环境的设备20。设备20通常包括布置有其他部件的工作台21。单晶底板22被用于启动外延生长。单晶基底23示为位于单晶底板22上的平台27上。单晶底板22能够相对于设备20在竖直方向上移动。如图所示，线性运动架25位于工作台21上以控制单晶底板22的竖直运动。
在一个实施例中，基底是具有与沉积物基本上相同成分的单晶种晶。例如，基底和所沉积材料都可为镍基超级合金，例如在美国专利号No.6,074,602中公开的商业上称为Ren é N5的镍基超级合金。
引入感应热源24以在单晶基底23上保持稳定的温度梯度。如图所示，感应热源24为相对于设备20静止的加热线圈。因此，单晶底板22可相对于感应加热源24竖直地移动，以控制单晶基底23离感应加热源24的距离。当位于平台27上时，基底23可位于感应热源24内。
激光26示为离开DMD头28，以用于使单晶在单晶基底23上生长。如图所示，4kW激光26用于形成单晶镍基超级合金样本。然而，任何激光或者热源，例如具有足够功率以熔化金属粉末的电子束将足够用于该过程。在示出的本实施例中描述的实验仅使用4KW中的几百瓦。DMD头28能够在水平面中沿X和Y轴二者移动，以允许控制激光26的位置。因此，设备10允许3轴运动架用于形成单晶样本。
如在图3中更具体地示出的，DMD头28利用DMD粉末金属输送系统30，以用于使超级合金粉末32流到通过激光26产生的熔池34。在一个实施例中，超级合金粉末32包括镍基超级合金粉末。然而，根据需要，任何适合的超级合金可包括在粉末32中。
通过使用感应加热源24，单晶基底23的温度升高到接近熔化温度(例如，当基底23是镍基超级合金时，大约1200℃)。感应加热源24帮助维持固体和液体界面上的热梯度。
当熔池34是由于接触粉末32和基底23的激光26的加入而由包层33形成的时，然后粉末32沉积到单晶基底23上。即，来自激光26的能量的加入提高了粉末32和单晶基底23的局部温度，以形成熔池34。
包层是与基底的成分类似的成分。金属粉末通常是具有适当的尺寸和用于在包层中实现所需化学性质的化学成分的气体雾化的金属粉末。
在特定的实施例中，沉积气氛由不活泼气体(例如Ar、He、N2等)形成以用于氧化保护。例如，不活泼气体可流过包含设备10的沉积室(未示出)。
现参照图3，大体上示出熔池温度控制器36。熔池温度控制器36构造成维持基本上恒定的熔池温度，维持固体和液体界面上的热梯度。高温计38和其透镜39测定熔池34的温度并对控制器36发送模拟信号。控制器36处理将模拟信号转换成熔池34的实际温度并比较熔池34的温度和基准温度，基准温度给予最好的沉积品质。
如果熔池34的温度高于基准温度，则控制器36发送较低电压的信号到激光功率控制器40以降低激光功率。假使熔池温度低于基准温度，则控制器36增大激光功率。随着晶体生长，较低部分将由于激光热源离得更远而开始冷却，从而导致固液界面温度梯度的扰动。感应加热源24矫正该问题。
图2和3示出一个实施例，其包括辅助热源41，该辅助热源41以激光43形式示出，与控制器36连通以调节熔池的温度。如果熔池34的温度高于基准温度，则控制器36发送较低电压的信号到辅助热源41以降低辅助激光43的功率。如果熔池34的温度低于基准温度，则控制器36发送较高电压的信号到辅助热源41，以增大辅助激光43的功率。
图4示出用于由控制器36使用的示范性方法42。在44处，读取高温计模拟输入，以确定熔池温度。在46处，沉积过程开始。在48处，将溶池温度与基准温度相比较。如果熔点温度高于基准温度，则发送信号到激光功率控制器以在50处降低激光功率，并且/或者到辅助热源控制器(例如，辅助激光功率控制器)以在51处降低辅助热源(例如辅助激光)的功率。相反，如果熔点温度低于基准温度，则发送信号到激光功率控制器以在52处提高激光功率，并且/或者到辅助热源控制器(例如，辅助激光功率控制器)以在53处提高辅助热源(例如，辅助激光)的功率。在54处，测定溶池温度，并重复该过程。因此，在沉积期间可实时控制溶池温度。
图5-8示出实施例，这些实施例包括冷却源，该冷却源以冷却室60的形式示出，与控制器36(图6和8)连通以调节基底23的温度。通过基底23定位在冷却室60内，基底23中的热梯度可通过在基底23一端处(例如在熔池34上)的感应加热和/或辅助加热和在基底23相反端处的冷却而得到控制。基底23的单独冷却和熔池34的加热导致可实现在生长的基底内的热梯度且根据需要将该热梯度维持为预定的热梯度。在一个实施例中，该预定的热梯度被选择为以便实现外延晶体生长。
在图5和6中所示出的实施例中，冷却室60构造成将基底23保持在其中，其中感应热源24位于冷却室60的开口端。例如，冷却室60可为包括面朝激光26的开口端的封闭室。冷却室60可利用辐射以用于冷却基底23，例如在常规的铸造方法中利用的布里奇曼熔炉(Bridgman furnace)中，以用于冷却基底23。参考图6，冷却室60示为熔炉，其通过来自其底部和/或侧表面的辐射来冷却和加热基底23，其温度通过控制器63调节。例如，如果基底23的温度高于基准温度(例如，基底23和熔池34之间的温度梯度不足)，则控制器63降低室60的温度以便冷却基底23。备选地，如果基底23的温度低于基准温度(例如基底23和熔池34之间的温度梯度太大)，则控制器63发送信号以降低室60的温度以便使基底23变暖。
备选地，图7和8的实施例示出包括气体供应管路61的冷却室60，气体供应管路61将冷却气体62提供至冷却室60中以控制基底23的温度。参考图8，阀64在供应管路61中并与控制器36连通以调节去往冷却室60的冷却气体62的流量。如果基底23的温度高于期望温度(例如熔池34和基底23之间的温度梯度不足)，则控制器36对供给管60中的可调节阀64发送信号以提高气体喷射62的流动速率。如果基底23的温度低于期望温度(例如，熔池34和基底23之间的温度梯度太大)，则控制器36对供给管60中的可调节阀64发送信号以降低气体喷射62的流动速率。
基底23的温度可以通过任何适当的装置测定，例如高温计、热成像装置等，其可以是测定熔池温度的同一装置或不同装置。在一个实施例中，热成像装置不仅可用于在单个点处测定基底23的温度，也可以用于在多个点处测定基底的温度，以确定沿着基底23的温度梯度。
图9示出了用于由控制器36使用的示范性方法72。在74处，沉积过程开始。在78处，将熔池温度与基准温度相比较。如果熔化温度高于基准温度，则对激光功率控制器发送信号以在80处降低激光功率。相反，如果熔化温度低于基准温度，则对激光功率控制器发送信号以在82处提高激光功率。在84处，测定熔池温度，并重复该过程。因此，可在沉积期间实时控制熔池温度。同时，在76处测定基板的温度并将其与基准温度比较。如果基底温度低于基准温度，则对冷却室发送信号以在79处减少冷却。相反，如果基底温度高于基准温度，则对冷却室发送信号以在77处增加冷却。在81处，测定基底温度，并重复该过程。因此，可测定和调整熔池和基底二者的温度的实时监控，这可导致其间的温度梯度的控制。
应当注意，在图2-8中示出的实施例可以结合到单个系统中。即，辅助热源41和冷却源62二者可同时并与彼此结合地用于设备20中。
在一个实施例中，控制器36和/或激光功率控制器40可以包括计算机或者其他适当的处理单元。因此，在若干实施例中，控制器36可包括适当的计算机可读指令，该计算机可读指令在被实行时，将控制器36构造为执行各种不同的功能，例如接收，传送和/或执行激光功率输出控制信号、辅助热源功率控制信号、和/或冷却源控制信号。
计算机一般包括处理器和存储器。处理器可以是任何已知的处理装置。存储器可包括任何适当的计算机可读介质或者媒介，包括但不限于RAM、ROM、硬驱动器、闪存驱动器或者其他存储器装置。存储器储存能够由处理器访问的信息，包括可由处理器执行的指令。指令可为当由处理器执行时导致处理器提供期望功能的任何指令集。例如，指令可为以计算机可读形式交付的软件指令。当使用软件时，任何适当的程序、脚本、或其他类型的语言或语言的组合可用于实现包含在本文中的教导。备选地，指令可以通过硬连线逻辑或者其他电路实现，包括但不限于专用电路。
存储器也可包括可由处理器取回、操纵、或储存的数据。例如，在接收从高温计测定的温度后，存储器可储存温度信息。另外，存储器可储存用于各种基底材料和/或粉末材料的基准温度。
计算装置可包括用于在网络上访问信息的网络接口。网络可包括网络的组合，例如Wi-Fi网络、LAN、WAN、因特网、蜂窝网络、和/或其他适当的网络，并可包括任何数量的有线或无线通信链接。例如，计算装置可通过有线或无线的网络与高温计、激光功率控制器、辅助热源控制器、和/或冷却源控制器通信。
单晶的生长速率如等式1所示的那样取决于固体中的温度梯度：
Rmax＝(Ks·Gs)/(ps·H)
其中：Rmax为最高晶体生长速率，Ks为固体沉积晶体的导热率，Gs为固液界面处的温度梯度，Ps为固体密度，且H为熔融潜热。应当注意的是，Ks、Ps和H为材料特性且不可受到处理的控制，但Gs可以。因此，组合的激光和感应加热提供了附加的参数以提高生长速率。
本教导从而消除了用于使单晶生长的昂贵模具的需要，且因此消除了从构思到实现的前置时间。因而，双加热系统提供了加工灵活性和提高生产率的途径。预期在一些实施例中，可以使用除了激光和感应之外的备选热源。这种备选加热源可包括电子束、等离子弧、电弧、电阻加热等。然而，对于所使用的特定的热源，可能需要修定的控制算法。
本书面说明使用示例以公开包括最佳实施方式的本发明，并且还使任何本领域技术人员能够实践本发明，包括制造并且使用任何设备或系统并且实行任何合并的方法。本发明的可取得专利的范围由权利要求限定，并且可包含其他本领域人员想到的示例。如果这种其他示例包含不与权利要求的文字语言不同的结构元件，或如果它们包括与权利要求的文字语言无显著差别的等同结构元件，则它们意图在权利要求的范围内。

Claims (10)

1.一种用于单晶超级合金和金属的直写的方法，所述方法包括：
使用第一加热器(24)将基底(23)加热到预定温度，其中，所述预定温度低于所述基底的熔点；
使用激光(26)在所述基底(23)的表面上形成熔池(34)，其中，所述基底(23)位于底板(22)上，并且其中，所述激光(26)和所述底板(22)能够相对于彼此移动，所述激光(26)用于直接金属沉积；
将超级合金粉末(32)引入到所述熔池(34)；
测定所述熔池(34)的温度；
在控制器(36)处接收测定的温度；和
使用与所述控制器(36)连通的辅助热源(41)来调节所述熔池(34)的温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，测定的温度低于基准温度，且其中，使用所述辅助热源(41)调节所述熔池(34)的温度包括：
提高所述辅助热源(41)的功率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，测定的温度高于基准温度，且其中，使用所述辅助热源(41)调节所述熔池(34)的温度包括：
降低所述辅助热源(34)的功率。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助热源(41)为第二激光。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用与所述控制器(36)连通的冷却源(60)调节所述熔池(34)的温度。
6.一种用于单晶超级合金和金属的直写的方法，所述方法包括：
使用第一加热器(24)将基底(23)加热到预定温度，其中，所述预定温度低于所述基底的熔点；
使用激光(26)在所述基底(23)的表面上形成熔池(34)，其中，所述基底(23)位于底板(22)上，且其中，所述激光(26)和所述底板(22)能够相对于彼此移动，所述激光(26)用于直接金属沉积；
将超级合金粉末引入到所述熔池(34)；
测定所述熔池(34)的温度；
在控制器(36)处接收测定的温度；和
使用与所述控制器(36)连通的冷却源(60)调节所述基底(23)的温度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述冷却源(60)为在可变气体流量下被引导到所述基底(23)处的冷却气体(62)。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述冷却源(60)是熔炉，且其中，所述基底位于所述熔炉(60)内。
9.一种用于单晶超级合金和金属的直写的设备(20)，其包括：
激光(26)，其具有功率输出；
底板(22)，其构造成用于将基底(23)保持在其上；
DMD头(28)，其构造成将超级合金粉末(32)的射流供给到所述基底(23)上；
感应加热源(24)，其定位为将所述底板(22)上的所述基底(23)加热到预定温度；
辅助加热器件(41)和冷却器件(60)中的至少一者；和
用于控制所述辅助加热器件(41)和所述冷却器件(60)中的所述至少一者的控制器(36)，其中，所述控制器(36)响应于在所述基底(23)上的熔池(34)和所述基底(23)中的至少一者的测定温度。
10.根据权利要求9所述的设备，包括所述冷却器件(60)，其中，所述冷却器件(60)包括熔炉，所述基底(23)位于所述熔炉中。
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