CN106549644B - 放大器系统 - Google Patents

放大器系统 Download PDF

Info

Publication number
CN106549644B
CN106549644B CN201610766168.2A CN201610766168A CN106549644B CN 106549644 B CN106549644 B CN 106549644B CN 201610766168 A CN201610766168 A CN 201610766168A CN 106549644 B CN106549644 B CN 106549644B
Authority
CN
China
Prior art keywords
amplifier
input
output
terminal
mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610766168.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106549644A (zh
Inventor
马克·伯克豪特
阿曼德·迈克尔·斯特伊芬沃德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Top top technology (Hongkong) Co., Ltd.
Original Assignee
Top Top Technology Hongkong Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Top Top Technology Hongkong Co ltd filed Critical Top Top Technology Hongkong Co ltd
Publication of CN106549644A publication Critical patent/CN106549644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106549644B publication Critical patent/CN106549644B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/38—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
    • H03F3/387—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2175—Class D power amplifiers; Switching amplifiers using analogue-digital or digital-analogue conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45928—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H03F3/45968—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit by offset reduction
    • H03F3/45991—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit by offset reduction by using balancing means
    • H03F3/45995—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit by offset reduction by using balancing means using switching means
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R29/00—Monitoring arrangements; Testing arrangements
    • H04R29/001—Monitoring arrangements; Testing arrangements for loudspeakers
    • H04R29/003—Monitoring arrangements; Testing arrangements for loudspeakers of the moving-coil type
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R3/00—Circuits for transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R3/007—Protection circuits for transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R3/00—Circuits for transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R3/04—Circuits for transducers, loudspeakers or microphones for correcting frequency response
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/03—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being designed for audio applications
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/18—Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/462—Indexing scheme relating to amplifiers the current being sensed
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/471—Indexing scheme relating to amplifiers the voltage being sensed
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/72—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common gate configuration MOSFET
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45528—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more passive resistors and being coupled between the LC and the IC
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2400/00—Loudspeakers
    • H04R2400/01—Transducers used as a loudspeaker to generate sound aswell as a microphone to detect sound
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2420/00—Details of connection covered by H04R, not provided for in its groups
    • H04R2420/01—Input selection or mixing for amplifiers or loudspeakers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明描述了一种放大器系统。该放大器系统能够在第一操作模式中放大经由连接的扩音器传输的音频信号。在第二操作模式中，该放大器系统能够放大由作为麦克风逆向操作的该扩音器生成的信号。由于扩音器比麦克风比更不敏感，因此该放大器系统能够用于在高声压级下获取音频，例如在音乐会或在例如具有高水平风噪声的嘈杂环境中打电话时。

Description

放大器系统
技术领域
本公开涉及用于扩音器的放大器系统。
背景技术
音频信号在电子电路的第一应用中获取和再现。现如今，音频电子设备是普遍存在的，并且可以在电视机和高保真立体声音响设备、汽车音频系统并且最近在蜂窝电话和许多其它便携式应用中发现。这些电子设备中的绝大部分呈集成电路的形式。例子电路为智能扬声器驱动器，其最大化声输出同时确保该扬声器不被损坏。这通过预测膜偏移并且借助于扬声器模型估计音圈温度来完成。该膜偏移与声压级直接相关。通过反馈进入到该扬声器中的电流的实时测量值来消除该扬声器模型和现实世界之间的差异。
智能扬声器驱动器的核心为驱动实际扩音器的高效率D类放大器。该放大器由DC-DC升压变换器供电，该DC-DC升压变换器即使在低电池电压下仍确保高输出功率。该DC-DC升压变换器从数字域控制并且仅当在放大器输出端处需要高功率时才被启用。通过对音频信号进行粗略的包络跟踪来优化该DC-DC升压变换器和放大器的总效率。
包括模/数转换器(ADC)的集成负载电流感测用于测量通过扬声器的电流。测量的电流信息被反馈到嵌入式数字信号处理器(DSP)，其运行扬声器保护算法并且也用于通过增强较低的音频频率来改进扩音器声音输出的质量。
发明内容
在所附权利要求书中限定本公开的各个方面。在第一方面中，定义一种用于扩音器的放大器系统，该放大器系统包括用于将该放大器连接到扩音器的至少一个端；第一放大器，该第一放大器具有耦合到该至少一个端的输出端和用于接收音频输入信号的输入端；模/数转换器；传感器，该传感器具有耦合到该至少一个端的输入端和可切换地耦合到该模/数转换器的输出端，并且该传感器被配置成用于感测电流和电压中的至少一个；第二放大器，该第二放大器具有耦合到该至少一个端的输入端和可切换地耦合到该模/数转换器的输出端；控制器，该控制器耦合到该第一放大器、该第二放大器、该传感器和该模/数转换器，并且其中该控制器可以第一操作模式操作以启用该第一放大器、将该传感器的输出端耦合到该模/数转换器并且停用该第二放大器；并且可以第二操作模式操作以停用该第一放大器、停用该传感器、启用该第二放大器并且将该第二放大器的输出端耦合到该模/数转换器。
放大器系统可以连接到扩音器或扬声器。在第一操作模式中，该放大器系统可经由连接的扩音器放大用于输出的音频信号。在第二操作模式中，该放大器系统可放大由作为麦克风逆向操作的该扩音器生成的信号。扩音器比麦克风可能更不敏感并且可在高声压级下获取音频，例如在音乐会或在嘈杂环境中打电话，例如在高水平风噪声的户外环境中。该扩音器的特性可以用模/数转换器测量。该测量特性可以用于均衡所获取的音频信号。当使用该扩音器作为麦克风时，可以重复使用该模/数转换器以捕获在扩音器端上生成的输入信号。
在一个或多个实施例中，第二放大器输入端可切换地耦合到至少一个端，并且其中控制器可操作以通过在第一操作模式中将该第二放大器的输入端与该至少一个端解耦来停用该第二放大器。
在一个或多个实施例中，第二放大器包括单个放大级。
通过具有单个放大级而非通常用于麦克风放大器的双重放大级，可以显著降低在第二操作模式中的该功耗，允许在移动电话中“始终开启”感测应用程序，从而扬声器可以在低功率或待用操作模式中用作麦克风以检测声信号或振动。
在一个或多个实施例中，第二放大器包括MOS晶体管，该MOS晶体管被配置成共栅极操作模式。
当MOS晶体管具有可以连接到偏置电压的共栅极时，输入信号可以施加在输入晶体管的源极而非栅极。输入阻抗与该MOS晶体管的1/gm成比例，该输入阻抗可以在kΩ范围内，并且相比于可以在4-8Ω范围内的扩音器阻抗，该输入阻抗可被认为高到可忽略不计。此外，在共栅极拓扑结构的输入端处的共模电平自动固定在低于(任意)偏置电压的约一个阈值电压VTHn处。这可产生与传统的麦克风放大器相比噪声低得多的放大器。
在一个或多个实施例中，第二放大器的输入端包括一对差分输入端，并且其中该对差分输入端中的每个差分输入端可切换地耦合到相应对MOS晶体管的源极。
在一个或多个实施例中，放大器系统另外包括一对电流源，该对电流源中的每个电流源被布置在该对MOS晶体管中的相应一个MOS晶体管的源极和接地电势之间。
在一个或多个实施例中，第二放大器另外包括耦合到该对MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极的偏置电路，其中该偏置电路被配置成在弱反转区域中对该MOS晶体管进行偏置。
在一个或多个实施例中，放大器系统另外包括第一斩波稳定电路和第二斩波稳定电路，该第一斩波稳定电路布置在至少一个端和第二放大器的输入端之间，该第二斩波稳定电路串联布置在该第二放大器的输出端和模/数转换器之间，其中控制器被耦合到第该一斩波稳定电路和第二斩波稳定电路，并且其中在该第二操作模式中，该控制器被配置成将预定斩波频率施加到该第一斩波稳定电路和第二斩波稳定电路。
对放大器噪声的1/f噪声贡献可以通过使用斩波稳定来减小。
在放大器系统的一个或多个实施例中，传感器包括采样与保持电路。
在第二操作模式中的放大器系统的一个或多个实施例中，控制器被配置成基于扩音器的预定频率响应，均衡从连接到至少一个端的扩音器接收的音频信号。
在第一操作模式中的放大器系统的一个或多个实施例中，控制器可操作以感测在连接到至少一个端的扩音器中的线圈中流动的电流，并且从所检测电流生成预定频率响应。
放大器系统可从电流测量值中表征在第一操作模式中的扩音器，并且使用该表征信息以在该扩音器用作麦克风时改进该扩音器的处理。该表征和处理可以通过在数字信号处理器上运行的算法来实施。
在一个或多个实施例中，第一放大器包括D类音频放大器。
放大器系统的实施例可以包括在扩音器或扬声器放大器中
放大器系统的实施例可以包括在集成电路中。
放大器系统的实施例可以包括在移动装置中，例如移动电话、膝上型计算机、个人数字助理、可穿戴式装置、便携式医疗设备、mp3音乐播放器或其它便携式音频装置。
附图说明
本发明的实施例现仅借助于通过附图示出的例子来详细描述，在附图中：
图1示出了根据实施例的放大器系统。
图2示出了根据实施例的放大器系统。
图3示出了a)典型的麦克风放大器电路和b)在该典型的麦克风放大器电路中使用的例子可变跨导电路。
图4示出了例子扬声器频率响应的曲线图。
图5示出了根据实施例的放大器。
图6示出了根据实施例的放大器。
图7示出了根据实施例的放大器系统。
图8示出了根据实施例的放大器系统。
具体实施方式
图1示出了放大器系统100。控制器102可以连接到音频放大器106，该音频放大器106可以是扬声器放大器，例如D类放大器。音频放大器106可具有连接到音频输入端104的输入端。该音频放大器106可具有连接到扬声器连接端108的输出端。该音频放大器106的输出端可以是单端或差分输出端。该扬声器连接端108可以连接到电流传感器110的输入端。该电流传感器110的输出端可以连接到路由模块114的输入端。该扬声器连接端108可以连接到低噪声放大器112的输入端。术语“低噪声放大器”用于表示该放大器的主要功能是放大输入信号的同时添加可忽略的噪声，也就是说，相对于已经存在于该信号中的噪声而言，添加的噪声是可忽略的。
低噪声放大器112的输出端可以连接到路由模块114。该路由模块114的输出端可以连接到模/数转换器116的输入端。该模/数转换器116的输出端可以连接到输出端118。控制器102可以连接到该路由模块114。在操作中，扬声器连接端108可以连接到扩音器(未示出)，音频输入端104可以连接到音频源(未示出)。
在第一操作模式中，控制器102可启用音频放大器106，并且选择电流传感器110的输出端，该电流传感器110的输出端经由路由模块114连接到模/数转换器116的输入端。应理解，可以例如使用模拟多路复用器或由该控制器102控制的其它切换布置来实施该路由模块114。在这种第一操作模式中，由音频源生成的音频信号可以通过扬声器放大器106放大，并且然后通过扩音器输出。该电流传感器110可检测在连接到扬声器端108的扩音器的音圈中流动的电流。然后，该电流传感器110的输出可通过该模/数转换器116而数字化，并且随后在端118上输出。测量到的电流值可以用于控制音频信号的幅度，从而确保例如不会超出扬声器偏移限制。
在第二操作模式中，控制器102可停用音频放大器106。该音频放大器106的输出端可以设定为高阻抗模式或以其它方式与扬声器端108可切换地断开。该控制器102可以通过控制路由模块114将电流传感器110的输出端与模/数转换器116的输入端断开，并且将低噪声放大器112的输出端连接到模/数转换器116的输入端。在第二操作模式中，放大器系统100可以被配置成支持扬声器作为麦克风的操作模式，借此可以在扩音器的一个或多个端上诱发信号。该感应信号在通过该模/数转换器116转换成数字格式之前，可以通过低噪声放大器112放大以增大动态范围。这使得相对低成本的模/数转换器在第一操作模式中用于电流传感器，并且当扬声器被配置成麦克风时，在第二操作模式中将来自扬声器的信号数字化。
图2示出了放大器系统200。音频放大器202可具有输入端206和连接到扬声器端214和216的输出端。该音频放大器202可包括数字脉宽调制器208、数/模转换器210和放大器212的串联布置。该数字脉宽调制器208可具有连接到该音频输入端206的输入端。该数字脉宽调制器208后面是数/模转换器210。该数/模转换器210的输出端可以连接到D类音频放大器212的输入端。该D类音频放大器212可具有差分输入端和差分输出端。该D类放大器212可具有在相应的差分输出端和差分输入端之间连接的电阻器R1和R2。电流传感器220(其可包括例如采样与保持电路)可以连接到该扩音器连接端214和216。扬声器开关222可以连接到该扩音器端214和216。该扬声器开关222的输出端可以连接到低噪声放大器224。该低噪声放大器224的输出端可以连接到选择开关230。该电流传感器220的输出端可以连接到选择开关230。选择开关230的输出端可以连接到模/数转换器234的输入端。模/数转换器234的输出端可以连接到输出端232，并且控制器226可以经由一个或多个控制线228连接到该D类放大器212的控制输入端、采样与保持电流传感器电路220、选择开关230、低噪声放大器204和该扬声器开关222。扬声器218可以连接到该扬声器连接端214和216。
在第一操作模式中，控制器226可启用D类放大器212，并且选择电流传感器220的输出端以经由选择开关224连接到模/数转换器234的输入端。低噪声放大器224的输入端可以通过开路扬声器开关222与扬声器218断开。在这种第一操作模式中，由音频源(未示出)生成的音频信号可以通过扬声器放大器202放大，并且然后通过扩音器218输出。电流传感器220可检测在该扩音器218的音圈中流动的电流。然后，该电流传感器220的输出可通过模/数转换器234而数字化，并且然后在端232上输出。数字化的输出信号可以用于信号处理以例如改变音频信号特性，以确保不会超出扩音器218的扬声器偏移限制。技术人员将理解这种信号处理可以例如通过在数字信号处理器或DSP(未示出)上运行的算法实施。
在第二操作模式中，控制器226可停用D类放大器212。该D类放大器212的输出端可以设定为高阻抗模式或以其它方式可切换地与扬声器连接端214和216断开。通过控制选择开关230，该控制器226可将电流传感器220的输出端与模/数转换器234的输入端断开，并且将噪声放大器224的输出端连接到模/数转换器234的输入端。通过闭合在扬声器开关模块222中的开关，该控制器226可将该低噪声放大器224的输入端(其可以是差分输入端)连接到相应的扩音器连接端214和216。在第二操作模式中，放大器200可被配置成支持扬声器作为麦克风的操作模式，从而可以在扩音器的一个或多个端上感应信号。该感应的信号在通过模/数转换器234转换成数字格式之前，可以通过低噪声放大器224放大以增大动态范围。这使得相对低成本的模/数转换器在该第一操作模式中和在该扬声器作为麦克风的模式或第二操作模式均中用于电流传感器。扬声器218的频率响应可以通过在第一操作模式中使用电流传感器(例如在放大系统200中的电流传感器220)的电流测量来捕获。该频率响应可以被处理并且用于在第二操作模式期间调适(例如通过均衡)存在于输入端206上的音频输入信号。
在可以是当扬声器218作为麦克风操作时的第二操作模式中，低噪声放大器224可以实施为典型的麦克风放大器。此放大器的例子实施方案示出在图3中。图3A示出了典型麦克风放大器224′的整体结构，该典型麦克风放大器224′可以例如用于放大器系统200。差分输入端250可以连接到跨导输入级252。该跨导输入级252的差分输出端可以连接到另外的放大级256。该另外的放大级256的差分输出端中的每个差分输出端经由反馈电阻器Rf1和Rf2可以连接到该另外的放大级256的相应的差分输入端254中的每个差分输入端254。该跨导级252可以通过在图3B中示出的电路实施，该电路被布置为电阻简并差分对。差分对的晶体管T1和T2(在这个例子中晶体管T1和T2为PMOS晶体管)可具有经由可变电阻器Rs1和Rs2连接到电流源260的源极。该晶体管T1和T2中的每个晶体管的栅极连接到该对差分输入端250中的相应一个差分输入端250，并且晶体管T1和T2的漏极各自连接到差分输出端258中的相应一个差分输出端258。该差分输出端对258的输出端中的每个输出端258经由相应的电流源254和256可以连接到接地电势，该相应的电流源254和256可设定该差分输出端对258的操作点。图3的麦克风放大器通常与MEMS麦克风模块一起使用。此类模块包含麦克风和放大器IC，该放大器IC产生模拟电压或直接产生数字脉冲密度调制(PDM)流。MEMS麦克风和例如驻极体麦克风的其它麦克风具有电容性源极阻抗。因此，放大器跨导输入级252具有非常高的输入阻抗，这通过将差分输入端对250连接到晶体管T1和T2的栅极来实现。通过更改跨导Gm的值(通过例如改变电阻器Rs1和Rs2)并且通过更改Rf1和Rf2的值，可以将放大器的增益编程，以使得可以连接具有不同灵敏度的麦克风。由于高输入阻抗，低噪声放大器电路224′可能需要另外的共模校正电路。
图4示出了不同扩音器的频率响应的曲线图300，该频率响应在第一操作模式期间可以通过放大系统200的电流测量而捕获。x轴示出了在对数标度上的以赫兹为单位的介于20Hz和20kHz值之间的频率。y轴表示在特定频率值处的扬声器阻抗，该特定频率值在线性标度上介于4欧姆和24欧姆之间。为具有标称8欧姆阻抗的扬声器示出了第一扬声器响应曲线302和第二扬声器响应曲线304。该响应曲线302和304示出了由于该扩音器的机械共振的在约800Hz处22欧姆的共振峰。另外，该响应在20Hz和2kHz之间在8欧姆值处主要是平坦的。响应曲线302和304的阻抗值在2kHz频率之后增大到在20kHz频率下约22欧姆的值。这可能是由于扬声器线圈阻抗的电感成分在较高频率下占据主导地位。通过与虚线310比较可以看出，忽略机械共振成分，对于这些例子扬声器而言，频率响应约对应于通过复阻抗预期的频率响应，该复阻抗的电阻成分为8欧姆和电感为44μH。响应曲线306示出了用于响应曲线302但是在“开盒”中的同一扬声器。相比于同一扬声器在“闭盒”中的响应曲线302，响应曲线306示出了机械共振峰移位到约500Hz的较低频率。
图5示出了放大器系统400，该放大器系统400包括当扬声器被配置成麦克风时与扬声器一起使用的低噪声放大器电路402。低噪声放大器电路402可具有第一n型FET NT1和第二n型FET NT2。NT1和NT2的栅极可以连接在一起。NT1的源极可以连接到电流源406以提供偏置电流。NT2的源极可以连接到电流源408以提供偏置电流Ibias。该电流源406和该电流源408可在相应晶体管的源极和NT1与NT2的源极之间提供至接地电势的电流路径。NT1的源极可以连接到扬声器开关模块410中的第一开关。NT2的源极可以连接到该扬声器开关模块410中的第二开关。第一开关和第二开关可以由连接到该扬声器开关模块410的控制端412的控制器(未示出)控制。第一开关和第二开关可以实施为高压晶体管，例如高压nFET，从而该NFET中的每个NFET可以通过将栅极拉到接地电势而被切断。在此上下文中，“高压”意指高于标准CMOS电压电平，该标准CMOS电压电平可以是例如1.8V。高压可以是例如在5V至12V范围内的电压。这些NFET可以是在本文的各种例子中描述的D类放大器中使用的相同晶体管。NT1和NT2的漏极连接到一对差分输出端404的相应端。输入晶体管NT1和NT2的漏极可以经由一对输出电阻器Ro1和Ro2中的相应一个输出电阻器可操作地连接到电源电压。
在操作中，当扬声器用作麦克风输入端时，扩音器414的两个端中的每个端通过闭合扬声器开关模块410中的开关，可以可切换地耦合到晶体管NT1的源极和晶体管NT2的源极中的相应一个源极。相比于图3的电路，输入信号被施加在晶体管的源极而非栅极。NT1和NT2的栅极被偏置在任意的偏置电压Vbias。该偏置电压可以比对应于700mV偏置电压值的晶体管NT1和晶体管NT2的阈值电压高100至200毫伏。扩音器发现与输入晶体管NT1和NT2的1/gm成比例的输入阻抗，可以容易地在kΩ范围内并且可以被认为高到可忽略不计，因为如图3所示，扩音器阻抗通常在4Ω到8Ω之间。此外，在共栅极拓扑结构的输入端处的共模电平被自动固定在比(任意)偏置电压Vbias低约一个阈值电压VTHn处，因此不同于图3中描述的麦克风放大器224′，在该输入端处不需要另外的共模校正电路。在这种配置中，输入晶体管NT1和NT2基本上可以是等效差分输入端噪声的唯一贡献者。电流源406和408的噪声几乎全部为共模噪声，因为它们被扩音器有效地短路。输出电阻器RO1、RO2的噪声是不显著的，因为回到输入端计算，该噪声要除以放大器增益。在扬声器开关模块410中的开关的噪声可以忽略不计，只要该开关的接通电阻比1/gm输入阻抗小的多。放大器的增益是输入晶体管NT1和NT2的gm与输出电阻器RO1、RO2的乘积。输出端共模电平取决于偏置电流Ibias和输出电阻器RO1、RO2。
与具有两个级的放大器电路224′相比，放大器电路402仅具有一个级并因此需要低得多的操作功率。当结合到例如移动装置(例如移动电话)中时，这可允许“始终开启”的操作模式，从而该放大器电路与扬声器一起可以用于监测环境，并且例如如果当扩音器用作麦克风时激活信号由该扩音器生成，该放大器电路与扬声器一起可以用于唤醒系统。该放大器电路402可具有例如在50dB或更低的区域中的增益。
图6示出放大器系统500，该放大器系统500包括当扬声器被配置成麦克风时与该扬声器一起使用的低噪声放大器电路502，该低噪声放大器电路502调节输出端共模电平。该低噪声放大器电路502可包括FET晶体管NT5、NT6、PT3和PT4的偏置布置。PFET晶体管PT3和PT4可具有耦合到供电轨514的源极和耦合在一起的栅极。晶体管PT3的栅极连接到晶体管PT3的漏极。NFET晶体管NT5与NT6可具有连接在一起的栅极。NT6的栅极可以连接到NT6的漏极。PT3的漏极可以连接到NT5的漏极。PT4的漏极可以连接到NT6的漏极。NT5的源极可以经由参考电阻器Rref连接到接地516。
NT6的源极可以连接到接地516。晶体管NT5和NT6的栅极可以连接到NFET晶体管NT3和NT4的栅极。晶体管NT3和NT4的源极可以连接到接地轨516。晶体管NT3的漏极可以连接到晶体管NT1的源极。晶体管NT1的漏极可以连接到PFET晶体管PT1的漏极。PFET晶体管PT1的源极可以连接到供电轨514。晶体管NT4的漏极可以连接到晶体管NT2的源极。晶体管NT2的漏极可以连接到PFET晶体管PT2的漏极。PFET晶体管PT2的源极可以连接到供电轨514。经由第一输出电阻Ro1′和第二输出电阻Ro2′的串联布置，PFET PT1的漏极可以连接到差分输出端504的第一端，PFET PT2的漏极可以连接到差分输出端504的第二端。Ro1′和Ro2′之间的该公共节点可以连接到运算放大器506的非反相输入端。运算放大器506的输出端可以连接到PFET PT1和PT2的栅极。扬声器开关模块510可具有NFET NT7，其中源极或漏极中的一者连接到扬声器512的第一端，并且源极或漏极中的另一者连接到输入端NFET晶体管NT2的源极。该扬声器开关模块510可具有NFET NT8，其中源极或漏极中的一者连接到扬声器512的第二端，并且源极或漏极中的另一者连接到输入端NFET晶体管NT1的源极。晶体管NT7和NT8的栅极可以连接到控制端508。晶体管NT8和NT9可以用两个简单的高压晶体管(如在D类放大器中所使用的相同类型和击穿电压)实施。该扬声器可通过将开关晶体管NT8和NT9的栅极拉到接地来断开。
对于低噪声而言，输入晶体管可以在弱反转区域中进行偏置。在弱反转区域中，晶体管的gm通过以下公式给出：
Figure BDA0001100069110000111
其中ID为漏极电流，q/kT为热电压并且n为所谓的斜率因子，该斜率因子的值通常为约1.4。从方程(1)可以看出，gm并因此放大器的该增益与绝对温度T成反比。低噪声放大器电路502包括由晶体管PT3、PT4、NT5和NT6、NT3和NT4形成的偏置电路，该偏置电路具有与绝对温度成比例(PTAT)的偏置电流Ibias，也就是说“恒定的gm偏置”电路。该偏置电路可产生也与Rref成比例的通过NT3和NT4的PTAT电流。放大器电路502总增益可以与输出电阻器Rol′、Ro2′和参考电阻器的比率成比例，即假设Rol′和Ro2′具有电阻Ro，该比率将是Ro/Rref，并因此将理解的是，可以使其该增益变成可编程的。
放大器电路502可具有经由运算放大器506的共模反馈回路，该共模反馈回路将共模输出电平调节到被连接的模/数转换器(未示出)的所期望共模输入电平Vcm，如果Ro1′和Ro2′具有相等值，那么该所期望共模输入电平Vcm通常在电源电压的二分之一值处。
输入晶体管NT1和NT2可以被认为是主导的噪声源。放大器电路502可具有接近于理想的热噪声性能，也就是说，热噪声贡献仅是由于来自输入晶体管NT1和NT2的热噪声，并且来自其它电路系统的热噪声的贡献可以被认为是可忽略不计的。1/f噪声贡献可以通过增大该输入晶体管的栅极面积来减小。该放大器电路502可以被包括在例如例子放大器系统100和200中描述的低噪声放大器112或低噪声放大器224中
图7示出了放大器系统600。控制器602可以连接到第一或输入斩波稳定电路608和第二或输出斩波稳定电路604。控制器602可以连接到扬声器开关模块610。扬声器612可以经由该扬声器开关模块610可切换地连接到第一斩波稳定电路608。该第一斩波稳定电路608的输出端可以连接到低噪声放大器606的输入端。该低噪声放大器606可包括例如在例子放大器系统500中描述的放大器电路502，或在例子放大器系统400中描述的放大器电路402。该低噪声放大器606可具有差分输入端和差分输出端。低噪声放大器606的该输出端可以连接到该第二斩波稳定电路604的输入端。在第一操作模式中，该控制器602可将该扬声器612与该第一斩波稳定电路608断开并且将音频扬声器放大器(未示出)连接到该扬声器。在第二操作模式中，该控制器602可断开该音频扬声器放大器并且将斩波稳定电路608的输入端连接到该扬声器612。该控制器602可向输入斩波稳定电路608和输出斩波稳定电路604两者施加开关频率f。1/f噪声贡献可以通过该输入斩波稳定电路和输出斩波稳定电路来减小。斩波的实施相对简单，因为在电路中没有高阻抗节点。例如，技术人员将理解的是，该斩波稳定电路608、604可通常用4个开关或晶体管来实施。输入斩波器608可以通常用4个CMOS(低压)开关来实施，该CMOS开关可将接收器扬声器的端中的任一个选择性地连接到该低噪声放大器606的该差分输入端中的任一个。该输入斩波稳定电路608可以与包括两个高压开关的扬声器开关模块610串联。可替换的是，该输入斩波稳定电路608和该扬声器开关模块610的功能可以用4个高压开关实施。该斩波稳定电路608可以通过将来自该扬声器端的输入信号交换到该低噪声放大器606的该差分输入端周期性地将至低噪声放大器606的输入反相。该低噪声放大器606的输出可以通过该斩波稳定电路604与该输入同步反相，使得整体信号传递保持不变。这可调制DC偏移和信号带宽之外的低频1/f噪声。
图8示出放大器系统700，该放大器系统700可以实施为集成电路。控制器702可包括I2C接口704和I2S接口706、数字信号处理器(digital signal processor，DSP)708、低通滤波器710和存储器712，该存储器712可包括RAM和/或ROM。技术人员将理解的是，在该控制器702中描述的元件可以经由控制件和/或数据总线连接在一起。该控制器702的输出端可以连接到DC-DC升压电路742。该DC-DC升压电路742可将升高电压供应到音频放大器740。该音频放大器740可具有与该低通滤波器710的输出端连接的输入端。该低通滤波器710的该输出端可以连接到数字脉宽(digital pulse width，DPWM)调制模块720。数字脉宽调制模块720的输出端可以连接到数/模转换器722。数/模转换器722的输出端可以连接到D类放大器724。D类放大器724的输出端可以连接到第一扬声器连接端714和第二扬声器连接端718。电阻器R1和R2可以连接在该D类音频放大器的差分输出端中的每个差分输出端和该D类音频放大器的相应的差分输入端之间。该扬声器端714、718可以连接到扬声器开关模块738。该扬声器开关模块738可具有与低噪声放大器734的输入端连接的输出端。低噪声放大器734可以使用本文中描述的放大器电路中的一种来实施，例如包括但不限于放大器电路402、放大器电路502或放大器电路224′。低噪声放大器734的输出端可以连接到开关选择模块728中的第一开关730。第一扬声器连接端714可以连接到采样与保持电路736。第二扬声器连接端718可以连接到该采样与保持电路736。该采样与保持电路736的输出端可以连接到在开关选择模块728中的第二开关732。开关选择模块728的输出端可以连接到模/数转换器726的输入端。模/数转换器726的输出端可以连接到该控制器702。从该控制器到该D类放大器724、该开关选择模块728和该扬声器开关模块738的虚箭头线表示在该控制器702和相应的区块之间的各种控制线和/或路径。
在第一操作模式中(其可以被认为是正常模式，从而扬声器由D类放大器724驱动)，控制器702可启用该D类放大器724。通过闭合开关732，该控制器可将采样与保持电路736连接到模/数转换器726的输入端。通过打开开关730，该控制器702可断开低噪声放大器734的输出端。通过打开在扬声器开关模块738中的开关，该控制器702也可将该低噪声放大器734的输入端与扬声器端714、718断开。在该第一操作模式中，来自该控制器702的音频信号可以通过该D类放大器724放大并且被传输到扩音器716，该扩音器716连接到扩音器端714和718。该采样与保持电路736可采样表示流经该扩音器716的线圈的电流和/或跨该扩音器的端714、718的电压的值。在这些感测值通过模/数转换器726转换为数字格式之后，该控制器702可监测该感测值。该控制器702可使用该感测值控制该音频信号，使得不会超出扩音器716的膜偏移限制。该控制器702通过监测用于不同音频频率的通过该扩音器线圈的电流，可任选地或另外表征该扩音器的频率响应。这种表征的结果可以在存储器712中存储。
在第二操作模式中(该第二操作模式可以被认为是扬声器作为麦克风的模式)，控制器702可通过例如使输出端变为高阻抗来停用D类放大器724。通过闭合扬声器开关模块738的开关，扬声器端714和扬声器端718可以连接到低噪声放大器734的输入端。通过闭合开关730，该低噪声放大器734的输出端可以连接到模/数转换器726的输入端。通过打开开关732，可充当电流和/或电压传感器的采样与保持电路736可以与该模/数转换器726的该输入端断开。在这种第二操作模式中，在扬声器端714和718上检测的音频输入信号可以通过低噪声放大器734放大，并且通过模/数转换器726转换为数字格式。然后，音频信号可以通过控制器702处理。该控制器702可基于使用在存储器712中存储的参数在第一操作模式中进行的扬声器的表征，将来自扩音器的信号均衡。技术人员将理解可如何执行这种均衡。
在另外例子中，麦克风(未示出)可以连接到控制器702，并且该控制器702可根据该麦克风是否用作输入源(该输入源来自麦克风或扩音器)，在第二模式扬声器作为麦克风的模式和第一或正常模式之间进行切换。当典型的麦克风例如MEMS麦克风模块用于移动电话时，其具有约120dB的10％总谐波失真(THD)的声音过载点。例如在摇滚音乐会期间或在非常嘈杂环境(例如具有背景风噪声)中打电话时发生的较高声压级下，这可不利地影响音质。在此类情形中，该控制器可切换到使用该扩音器替代地作为麦克风。移动电话中使用的微型扬声器的灵敏度通常为20dB至30dB，低于MEMS麦克风的灵敏度，并因此在某些条件下可给出改进的音频体验。
本文中描述的放大器系统的例子可以并入到移动装置中，例如移动电话、智能手表、膝上型计算机、平板计算机、便携式医疗装置和便携式音频播放器。
尽管所附权利要求书是针对特定特征组合，但应理解，本发明的公开内容的范围还包括本文中明确地或隐含地公开的任何新颖特征或任何新颖特征组合或其任何一般化，而不管其是否涉及与当前在任何权利要求中主张的本发明相同的发明或其是否缓解与本发明所缓解的任一或全部技术问题相同的技术问题。
在单独实施例的上下文中描述的特征也可以组合地提供于单一实施例中。相反，为了简洁起见，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可以分开提供或以任何合适的子组合形式提供。
申请人特此提醒，在审查本申请案或由此衍生的任何另外的申请案期间，可根据此类特征和/或此类特征的组合而制订新的权利要求。
为完整性起见，还规定术语“包括”不排除其它要素或步骤，术语“一”或“一个”不排除多个，单个处理器或其它单元可实现在权利要求中所述的若干装置的功能，且权利要求中的参考符号不应被解释为限制权利要求的范围。

Claims (15)

1.一种用于扩音器的放大器系统，其特征在于，所述放大器系统包括：
至少一个端，所述至少一个端用于将放大器连接到扩音器；
第一放大器，所述第一放大器具有耦合到所述至少一个端的输出端和用于接收音频输入信号的输入端；
模/数转换器；
传感器，所述传感器具有耦合到所述至少一个端的输入端和可切换地耦合到所述模/数转换器的输出端，并且被配置成用于感测电流和电压中的至少一个；
第二放大器，所述第二放大器具有耦合到所述至少一个端的输入端和可切换地耦合到所述模/数转换器的输出端；
控制器，所述控制器耦合到所述第一放大器、所述第二放大器、所述传感器和所述模/数转换器，并且其中所述控制器在第一操作模式中可操作以
启用所述第一放大器以将所述传感器的所述输出端耦合到所述模/数转换器并且停用所述第二放大器；
并且在第二操作模式中停用所述第一放大器、停用所述传感器、启用所述第二放大器并且将所述第二放大器的所述输出端耦合到所述模/数转换器。
2.根据权利要求1所述的放大器系统，其特征在于，所述第二放大器输入端可切换地耦合到所述至少一个端，并且其中所述控制器可操作以通过在所述第一操作模式中将所述第二放大器的所述输入端与所述至少一个端解耦来停用所述第二放大器。
3.根据在前的任一项权利要求所述的放大器系统，其特征在于，所述第二放大器包括单个放大级。
4.根据权利要求1或2所述的放大器系统，其特征在于，所述第二放大器包括在共栅极操作模式中配置的MOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的放大器系统，其特征在于，所述第二放大器的所述输入端包括一对差分输入端，并且其中所述对差分输入端中的每个差分输入端可切换地耦合到相应的一对MOS晶体管的源极。
6.根据权利要求5所述的放大器系统，其特征在于，所述放大器系统另外包括一对电流源，所述对电流源中的每个电流源被布置在所述一对MOS晶体管中的相应一个MOS晶体管的源极和接地电势之间。
7.根据权利要求5所述的放大器系统，其特征在于，所述第二放大器另外包括耦合到所述一对MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极的偏置电路，其中所述偏置电路被配置成在弱反转区域中偏置所述MOS晶体管。
8.根据权利要求3所述的放大器系统，其特征在于，所述放大器系统另外包括第一斩波稳定电路和第二斩波稳定电路，所述第一斩波稳定电路布置在所述至少一个端和所述第二放大器的所述输入端之间，所述第二斩波稳定电路串联布置在所述第二放大器的所述输出端和所述模/数转换器之间，其中所述控制器耦合到所述第一斩波稳定电路和所述第二斩波稳定电路，并且其中在所述第二操作模式中，所述控制器被配置成向所述第一斩波稳定电路和所述第二斩波稳定电路施加预定的斩波频率。
9.根据权利要求1或2所述的放大器系统，其特征在于，所述传感器包括采样与保持电路。
10.根据权利要求1或2所述的放大器系统，其特征在于，在所述第二操作模式中，所述控制器被配置成基于连接到所述至少一个端的扩音器的预定频率响应，将从所述扩音器接收的音频信号均衡。
11.根据权利要求10所述的放大器系统，其特征在于，在所述第一操作模式中，所述控制器可操作以感测在连接到所述至少一个端的扩音器中的线圈中流动的电流，并且从所述线圈中流动的电流生成所述预定频率响应。
12.根据权利要求1或2所述的放大器系统，其特征在于，所述第一放大器包括D类音频放大器。
13.一种扬声器放大器，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的放大器系统。
14.一种集成电路，其特征在于，包括根据权利要求1至12中任一项所述的放大器系统。
15.一种移动装置，其特征在于，包括根据权利要求1至12中任一项所述的放大器系统。
CN201610766168.2A 2015-09-17 2016-08-30 放大器系统 Active CN106549644B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15185741.4 2015-09-17
EP15185741.4A EP3145216B1 (en) 2015-09-17 2015-09-17 Amplifier system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106549644A CN106549644A (zh) 2017-03-29
CN106549644B true CN106549644B (zh) 2021-12-10

Family

ID=54148440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610766168.2A Active CN106549644B (zh) 2015-09-17 2016-08-30 放大器系统

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9680429B2 (zh)
EP (1) EP3145216B1 (zh)
CN (1) CN106549644B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3790191B1 (en) 2016-04-22 2022-05-04 Goodix Technology (HK) Company Limited Amplifiers
US10063251B2 (en) * 2016-07-15 2018-08-28 Mediatek Inc. Low-noise current-in class D amplifier with slew rate control mechanism
US10516955B2 (en) * 2017-03-31 2019-12-24 Synaptics Incorporated Correction of current measurement in an amplifier
CN107071127A (zh) * 2017-04-28 2017-08-18 维沃移动通信有限公司 一种录音方法和移动终端
KR20190037844A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 엘지전자 주식회사 이동 단말기
US10085089B1 (en) * 2017-11-17 2018-09-25 Synaptics Incorporated Load current sensing circuit for class-D amplifier
US10432242B1 (en) * 2018-05-09 2019-10-01 Morse Micro Pty Ltd Low noise broadband amplifier with resistive matching
US10506336B1 (en) * 2018-07-26 2019-12-10 Cirrus Logic, Inc. Audio circuitry
US10542361B1 (en) * 2018-08-07 2020-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonlinear control of loudspeaker systems with current source amplifier
US11184725B2 (en) * 2018-10-09 2021-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for autonomous boundary detection for speakers
CN109546979B (zh) * 2019-01-15 2023-09-19 上海艾为电子技术股份有限公司 一种喇叭的电流检测电路
US10944366B2 (en) 2019-03-04 2021-03-09 STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd Advanced load current monitoring circuit and method for a class-AB amplifier
CN110149445B (zh) * 2019-06-06 2020-10-30 四川赛科安全技术有限公司 一种消防电话分机语音回传电路及实现方法
US11304001B2 (en) 2019-06-13 2022-04-12 Apple Inc. Speaker emulation of a microphone for wind detection
CN116076088A (zh) * 2020-05-22 2023-05-05 罗格斯大学 智能耳机系统及方法
CN111682853B (zh) * 2020-06-15 2023-05-16 电子科技大学 一种电容耦合斩波放大器的交替电容网络
DE102022205384A1 (de) 2022-05-30 2023-11-30 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Ansteuerschaltung für einen mikroelektromechanischen Schallerzeuger und Schallerzeugungssystem

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5692042A (en) * 1995-05-31 1997-11-25 Casio Phonemate, Inc. Speakerphone controlled by a comparator with hysteresis
JP3629145B2 (ja) * 1998-06-24 2005-03-16 沖電気工業株式会社 音声認識装置
US6996435B2 (en) * 2001-11-19 2006-02-07 Neurostream Technologies Inc. Implantable signal amplifying circuit for electroneurographic recording
JP3946667B2 (ja) * 2003-05-29 2007-07-18 松下電器産業株式会社 能動型騒音低減装置
US7092534B2 (en) * 2004-03-02 2006-08-15 Via Telecom Co., Ltd. Method and system for reducing pop noise of a sound broadcasting instrument
US7459972B2 (en) * 2005-11-02 2008-12-02 Marvell World Trade Ltd. Amplifiers with compensation
US7397306B2 (en) * 2005-11-02 2008-07-08 Marvell World Trade Ltd. High-bandwidth high-gain amplifier
CN201100959Y (zh) * 2006-06-28 2008-08-13 胡强 骨感应音频双向收发装置
US8248161B2 (en) * 2006-08-11 2012-08-21 Motorola Solutions, Inc. Wide-band low-noise CMOS amplifier
US8270630B2 (en) * 2009-08-04 2012-09-18 Apple Inc. Automatic and dynamic noise cancellation for microphone-speaker combinations
US8150058B2 (en) * 2009-08-04 2012-04-03 Apple Inc. Mode switching noise cancellation for microphone-speaker combinations used in two way audio communications
US9131296B2 (en) * 2011-09-19 2015-09-08 Apple Inc. Auto-configuring audio output for audio performance and fault detection
US8890608B2 (en) * 2012-02-29 2014-11-18 Texas Instruments Incorporated Digital input class-D audio amplifier
US8638249B2 (en) * 2012-04-16 2014-01-28 Infineon Technologies Ag System and method for high input capacitive signal amplifier
US9129586B2 (en) * 2012-09-10 2015-09-08 Apple Inc. Prevention of ANC instability in the presence of low frequency noise
US9124965B2 (en) * 2012-11-08 2015-09-01 Dsp Group Ltd. Adaptive system for managing a plurality of microphones and speakers
US9008344B2 (en) * 2013-03-14 2015-04-14 Cirrus Logic, Inc. Systems and methods for using a speaker as a microphone in a mobile device
EP2802074B1 (en) * 2013-05-08 2015-08-05 Nxp B.V. Amplifier circuit and amplification method
US20140369529A1 (en) * 2013-06-12 2014-12-18 Avnera Corporation Switched-Mode Audio Amplifier Employing Power-Supply Audio- Modulation
JP5749391B1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-15 ジーエヌ リザウンド エー／エスＧｎ Ｒｅｓｏｕｎｄ Ａ／Ｓ 切替可能な電源電圧を備える聴覚装置
CN203883980U (zh) * 2014-05-27 2014-10-15 山东共达电声股份有限公司 一种声电转换芯片、声电转换系统及移动终端

Also Published As

Publication number Publication date
CN106549644A (zh) 2017-03-29
EP3145216B1 (en) 2018-11-14
US20170085233A1 (en) 2017-03-23
US9680429B2 (en) 2017-06-13
EP3145216A1 (en) 2017-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106549644B (zh) 放大器系统
US8958576B2 (en) Dynamically biased amplifier
KR101588501B1 (ko) 프로그램가능 이득 증폭기를 위한 시스템 및 방법
US8395448B2 (en) Apparatus and method for miller compensation for multi-stage amplifier
KR101670477B1 (ko) 클래스 ab 오디오 증폭기 출력단 전압 보호 방법 및 장치
CN112470400B (zh) D类开环放大器的增益控制
JP5504032B2 (ja) オーディオ信号増幅回路
US20150010171A1 (en) Circuit for Use with a Loudspeaker for Portable Equipments
US10712304B2 (en) MEMS sensors
US7259627B1 (en) True differential microphone amplifier
KR101601449B1 (ko) 마이크로폰 증폭기용 시스템 및 방법
US20180270588A1 (en) Mems transducer amplifiers
US9571046B2 (en) Amplifier circuit for a two-wire interface
US20140010384A1 (en) Microphone amplifier circuit
JP2008148147A (ja) 増幅回路、それを用いたオーディオ再生装置ならびに電子機器
JP5438483B2 (ja) 増幅回路、その起動方法、およびそれらを用いたオーディオ再生装置ならびに電子機器
JP5514036B2 (ja) オーディオ用増幅器およびそれを用いた電子機器
JP5433615B2 (ja) 音響用プッシュプル増幅装置
JP2005197904A (ja) 増幅器及び半導体集積回路
KR20040001734A (ko) 출력 파형 왜곡을 방지할 수 있는 ｄ급 전력 증폭기
KR100570441B1 (ko) 오디오디바이스의 마이크잭 회로
Reddy et al. A High Gain Medium Power Audio Amplifier Circuit
CN111263271A (zh) 增益切换降噪电路及其降噪方法和音频装置
CN118102170A (zh) 具扬声器保护机制的电子装置
JPH11312936A (ja) ミュート回路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200312

Address after: Room 2113, 21 / F, Sheung Shui Plaza, 39 long Chen Road, Sheung Shui, Hong Kong, China

Applicant after: Top top technology (Hongkong) Co., Ltd.

Address before: Holland high tech park, Eindhoven 60 zip code: 5656AG

Applicant before: NXP B.V.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant