CN106547128A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；像素电极，连接到薄膜晶体管；顶板层，设置为经由在像素电极上的多个微腔与像素电极分开；液晶层，填充多个微腔；包封层，设置在顶板层上并密封多个微腔；切口，贯穿基底和包封层。

Description

显示装置

本申请要求于2015年9月22日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0134062号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

描述的技术总体上涉及一种显示装置。

背景技术

液晶显示器(在下文中称作LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD包括设置有电场产生电极(例如，像素电极和共电极)的两个显示面板以及插入在所述两个显示面板之间的液晶层。在LCD中，电压被施加到电场产生电极，以在液晶层中产生电场。由于产生的电场，液晶层的液晶分子取向，入射光的偏振被控制，从而显示图像。

形成液晶显示器的两个显示面板可以是薄膜晶体管阵列面板和相对的显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中，传输栅极信号的栅极线与传输数据信号的数据线形成为交叉，并且可以形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的像素电极。遮光构件、滤色器和共电极等可以形成在相对的显示面板或薄膜晶体管阵列面板上。

然而，在传统的液晶显示器中，需要两个基底，构成元件分别形成在两个基底上。结果，这样的显示装置重且贵，并且制造工艺花费时间长。

在此背景技术部分中公开的以上信息仅为了增强对本公开的背景的理解，因此它可能包含不形成对于本领域普通技术人员而言已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开通过利用一个基底制造显示装置，提供了一种具有减少的重量、厚度、成本和工艺时间的显示装置。

本公开利用包括一个基底的显示装置提供了一种可伸缩的显示装置。

根据示例性实施例的显示装置可以包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；像素电极，连接到薄膜晶体管；顶板层，设置为经由在像素电极上的多个微腔与像素电极分开；液晶层，设置在多个微腔中；包封层，设置在顶板层上并密封多个微腔；以及切口，贯穿基底和包封层。

切口可以设置在多个微腔中的相邻的微腔之间。

切口可以设置在彼此相邻的像素电极之间。

显示装置还可以包括设置在基底上的栅极线和数据线，切口可以沿与栅极线或数据线平行的方向延伸。

切口可以不与栅极线、数据线和薄膜晶体管叠置。

切口还可以贯穿顶板层。

显示装置还可以包括在基底上沿第一方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线和第四栅极线，第二栅极线和第三栅极线可以包括在与第一方向垂直的第二方向上绕过的绕过部分，切口可以被绕过部分部分地包围。

切口可以沿第二方向延伸。

显示装置还可以包括与第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线和第四栅极线交叉的数据线，数据线可以沿与切口平行的方向延伸。

多个切口可以以Z形图案设置。

多个切口中的一个可以设置在第三栅极线与第四栅极线之间并且可以被第三栅极线的绕过部分部分地包围，多个切口中的另一个可以设置在第一栅极线与第二栅极线之间并且可以被第二栅极线的绕过部分部分地包围。

显示装置还可以包括在基底上沿第二方向延伸的第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线，第二数据线和第三数据线可以包括在与第二方向垂直的第一方向上绕过的绕过部分，切口可以被绕过部分部分地包围。

切口可以沿第一方向延伸。

显示装置还可以包括与第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线交叉的栅极线，栅极线可以沿与切口平行的方向延伸。

多个切口可以以Z形图案设置。

多个切口中的一个可以设置在第一数据线与第二数据线之间并且被第二数据线的绕过部分部分地包围，多个切口中的另一个可以设置在第三数据线与第四数据线之间并可以被第三数据线的绕过部分部分地包围。

显示装置还可以包括：多条栅极线，在基底上沿第一方向延伸并连接到薄膜晶体管；以及多条数据线，在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸并连接到薄膜晶体管，多条栅极线可以分别包括在第二方向上绕过的绕过部分，切口可以被绕过部分部分地包围。

多条栅极线的绕过部分可以具有相同长度。

切口的长度可以是像素电极的一边的长度的两倍或者更多倍。

多个切口可以以Z形图案设置。

根据示例性实施例的显示装置具有下面的效果。根据示例性实施例的显示装置利用一个基底制造而成，并具有减少的重量、厚度、成本和工艺时间。另外，通过形成贯穿基底的切口，可以容易地实现可伸缩的显示装置。

附图说明

图1是根据示例性实施例的显示装置的平面图。

图2是根据示例性实施例的显示装置的平面图。

图3是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。

图4是沿线IV-IV截取的根据图3的示例性实施例的显示装置的剖视图。

图5是沿线V-V截取的根据图3的示例性实施例的显示装置的剖视图。

图6是根据示例性实施例的显示装置的平面图。

图7是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。

图8是沿线VIII-VIII截取的根据图7的示例性实施例的显示装置的剖视图。

图9是沿线IX-IX截取的根据图7的示例性实施例的显示装置的剖视图。

图10是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。

图11是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。

具体实施方式

在下文中将参照示出了本公开的示例性实施例的附图更加充分地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。

在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中同样的附图标记指示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该层、膜、区域或基底的元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，则可以不存在中间元件。

图1是根据示例性实施例的显示装置的平面图。显示装置包括由诸如玻璃或塑料的材料制成的基底110。

微腔305设置在基底110上并被顶板层360覆盖。顶板层360沿行方向延伸，多个微腔305设置在顶板层360之下。然而，本公开不限制于此，顶板层360可以沿列方向延伸。

微腔305可以以矩阵形式布置，第一区域V1设置在沿列方向相邻的微腔305之间，第二区域V2设置在沿行方向相邻的微腔305之间。

第一区域V1设置在多个顶板层360之间。在接触第一区域V1的部分中，微腔305未被顶板层360覆盖以被暴露。这些部分被称作注入孔。

注入孔形成在微腔305的两个边缘处。注入孔包括第一注入孔307a和第二注入孔307b。第一注入孔307a形成为使微腔305的第一边缘的侧向表面暴露，第二注入孔307b形成为使微腔305的第二边缘的侧向表面暴露。相邻的微腔305的第一边缘的侧向表面和第二边缘的侧向表面彼此面对。

每个顶板层360形成为在相邻的第二区域V2之间与基底110分隔开，以形成微腔305。即，顶板层360形成为覆盖除了形成有注入孔307a和307b的第一边缘和第二边缘的侧向表面之外的剩余的侧向表面。

显示装置的上述结构只是示例，各种修改是可行的。例如，可以不同地布置微腔305、第一区域V1和第二区域V2，多个顶板层360可以在第一区域V1中彼此连接，每个顶板层360的一部分可以形成为在第二区域V2中与基底110分隔开，以使相邻的微腔305彼此连接。

图2是根据示例性实施例的显示装置的平面图。图2中示出的显示装置是与图1中示出的显示装置相同的装置。当示出图1和图2中示出的构成元件时，为简单起见，通过单独的附图分别示出构成元件。此外，图1和图2共同示出微腔305。

如图2中所示，多条栅极线G1、G2、G3和G4以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5形成在基底上。另外，形成连接到多条栅极线G1、G2、G3和G4以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5的多个像素电极191。多个像素电极191以包括多个像素行和多个像素列的矩阵形状设置，每个像素电极191形成在微腔305中。切口CP形成在多个微腔305之间。

多条栅极线G1、G2、G3和G4主要沿第一方向延伸。例如，第一方向可以是水平方向。多条栅极线G1、G2、G3和G4包括第一栅极线G1、第二栅极线G2、第三栅极线G3和第四栅极线G4。即，在平面图中，第二栅极线G2位于第一栅极线G1下方，第三栅极线G3位于第二栅极线G2下方，第四栅极线G4位于第三栅极线G3下方。图2仅示出四条栅极线G1、G2、G3和G4。图2示出全部栅极线的一部分，四条栅极线G1、G2、G3和G4可以重复地设置在基底110上。

第一栅极线G1和第四栅极线G4沿第一方向延伸，并且不单独地包括绕过部分。第二栅极线G2和第三栅极线G3包括沿第一方向延伸的主线412和413以及在第二方向上绕过的绕过部分512和513。第二方向可以是与第一方向垂直的方向。例如，第二方向可以是竖直方向。第二栅极线G2可以包括在第二像素列与第三像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分512，以及在第四像素列与第五像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分512。第三栅极线G3可以包括在第一像素列与第二像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分513，以及在第三像素列与第四像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分513。

在平面图中，第二栅极线G2的绕过部分512从第二栅极线G2的主线412沿向下的方向突出。在平面图中，第三栅极线G3的绕过部分513从第三栅极线G3的主线413沿向上的方向突出。第二栅极线G2的绕过部分512和第三栅极线G3的绕过部分513交替地突出。即，第二栅极线G2的绕过部分512和第三栅极线G3的绕过部分513从第二像素行的左端和第三像素行的右端交替地设置。

第二栅极线G2的绕过部分512延伸到与第三栅极线G3相邻的位置。然而，第二栅极线G2的绕过部分512不与第三栅极线G3交叉。第三栅极线G3的绕过部分513延伸到与第二栅极线G2相邻的位置。然而，第三栅极线G3的绕过部分513不与第二栅极线G2交叉。第二栅极线G2和第三栅极线G3被施加有不同的信号，第二栅极线G2和第三栅极线G3被设置为彼此不短路。

多条数据线D1、D2、D3、D4和D5基本沿第二方向延伸。多条数据线D1、D2、D3、D4和D5可以与栅极线G1、G2、G3和G4交叉，并且可以沿与第二栅极线G2和第三栅极线G3的绕过部分512和513平行的方向延伸。多条数据线D1、D2、D3、D4和D5包括第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3、第四数据线D4和第五数据线D5。即，在平面图中，第二数据线D2位于第一数据线D1的右方，第三数据线D3位于第二数据线D2的右方，第四数据线D4位于第三数据线D3的右方，第五数据线D5位于第四数据线D4的右方。图2示出全部数据线的一部分，五条数据线D1、D2、D3、D4和D5可以重复地设置在基底110上。

每个像素电极191连接到多条栅极线G1、G2、G3和G4中的一条，并且连接到多条数据线D1、D2、D3、D4和D5中的一条。虽然没有示出，但是每个像素电极191可以不直接连接到多条栅极线G1、G2、G3和G4以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5，而是可以通过薄膜晶体管连接。例如，薄膜晶体管可以包括连接到栅极线G1、G2、G3和G4的控制端、连接到数据线D1、D2、D3、D4和D5的输入端以及连接到像素电极191的输出端。

切口CP可以沿第二方向延伸。即，切口CP可以沿与数据线D1、D2、D3、D4和D5以及绕过部分512和513平行的方向延伸。切口CP被绕过部分512和513部分地包围。位于第一像素列与第二像素列之间的切口CP被第三栅极线G3的绕过部分513包围，并从与第二栅极线G2相邻的位置延伸到与第四栅极线G4相邻的位置。位于第二像素列与第三像素列之间的切口CP被第二栅极线G2的绕过部分512包围，并从与第三栅极线G3相邻的位置延伸到与第一栅极线G1相邻的位置。位于第三像素列与第四像素列之间的切口CP被第三栅极线G3的绕过部分513包围，并从与第二栅极线G2相邻的位置延伸到与第四栅极线G4相邻的位置。位于第四像素列与第五像素列之间的切口CP被第二栅极线G2的绕过部分512包围并从与第三栅极线G3相邻的位置延伸到与第一栅极线G1相邻的位置。

多个切口CP可以以Z形图案设置。即，多个切口CP不设置为彼此平行。例如，从最远的左方起的第二切口CP和第四切口CP位于比第一切口CP和第三切口CP更上侧。

切口CP的长度可以是像素电极191的一边的长度的两倍或更多倍。像素电极191可以基本形成为包括两条长边和两条短边的四边形。在这种情况下，切口CP的长度可以是像素电极191的长边的长度的两倍或更多倍，如图2中所示，可以是长边的长度的大约三倍。

接下来，将参照图3至图5描述根据示例性实施例的显示装置的像素的结构。图3是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图，图4是沿线IV-IV截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图，图5是沿线V-V截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图。图3至图5示出连接到第二栅极线G2、第三栅极线G3、第一数据线D1和第二数据线D2的四个像素。

参照图3至图5，栅极线G2和G3以及从栅极线G2和G3突出的栅电极124形成在基底110上。基底110可以由例如玻璃或塑料的柔性的材料制成。栅极线G2和G3主要沿第一方向延伸并传输栅极信号。栅极线G2和G3分别包括主线412和绕过部分512以及主线413和绕过部分513。主线412和413分别位于在列方向上相邻的两个微腔305之间。即，主线412和413位于第一区域V1中。绕过部分512和513分别位于沿行方向相邻的两个微腔305之间。即，绕过部分512和513位于第二区域V2中。

在平面图中，栅电极124从栅极线G2和G3向下或向上突出。然而，本公开不限制于此，栅电极124的突出形状可以改变，栅电极124可以不从栅极线G2和G3突出，并且可以一体地位于栅极线G2和G3上。

栅极绝缘层140形成在栅极线G2和G3以及栅电极124上。栅极绝缘层140可以由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。另外，栅极绝缘层140可以由单层或多层形成。

半导体154形成在栅极绝缘层140上。半导体154可以与栅电极124叠置。半导体154可以由非晶硅、多晶硅或金属氧化物制成。

欧姆接触(未示出)可以分别形成在半导体154上。欧姆接触可以由硅化物或掺杂有高浓度n-型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成。

数据线D1和D2、源电极173以及漏电极175形成在半导体154和栅极绝缘层140上。数据线D1和D2传输数据信号并主要沿第二方向延伸，从而与栅极线G2和G3交叉。数据线D1和D2分别位于在行方向上相邻的两个微腔305之间。即，数据线D1和D2位于第二区域V2中。

源电极173形成为从数据线D1和D2在栅电极124上突出。即，源电极173的至少一部分可以与栅电极124叠置。漏电极175形成为与源电极173分开。漏电极175的至少一部分可以与栅电极124叠置。在本示例性实施例中，源电极173和漏电极175的形状形成为杆形，然而本公开不限制于此，源电极173和漏电极175的形状可以改变。例如，源电极173可以形成为包围漏电极175的弯曲的U形形状。在其他实施例中，漏电极175可以形成为包围源电极173的弯曲的U形形状。另外，源电极173和漏电极175与栅电极124部分地叠置，然而本公开不限制于此。源电极173和漏电极175可以不与栅电极124叠置，并且可以以预定的间隔分开。

栅电极124、源电极173和漏电极175连同半导体154一起形成薄膜晶体管(TFT)。在这种情况下，薄膜晶体管的沟道形成在源电极173和漏电极175之间的半导体154中。

钝化层180形成在数据线D1和D2、源电极173、漏电极175以及半导体154上。钝化层180可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可以由单层或多层形成。

滤色器230形成在在钝化层180上的每个像素PX中。每个滤色器230可以展示红色、绿色和蓝色的原色中的一种。然而，通过滤色器230显示的颜色不限制于红色、绿色、蓝色三种原色，滤色器230可以展示青色、品红色、黄色和白色系颜色中的一种。滤色器230可以不形成在第一区域V1和/或第二区域V2处。

遮光构件220形成在相邻的滤色器230之间的区域处。遮光构件220形成在像素PX的边界和开关元件上，以防止漏光。即，遮光构件220可以形成在第一区域V1和第二区域V2中。滤色器230和遮光构件220可以在一些区域中叠置。

第一绝缘层240可以形成在滤色器230和遮光构件220上。第一绝缘层240可以由有机绝缘材料形成，并且可以用来使滤色器230和遮光构件220的上表面平面化。第一绝缘层240可以由双层(包括由有机绝缘材料制成的第一层和由无机绝缘材料制成的第二层)制成。在一些实施例中，第一绝缘层240可以被省略。

钝化层180、遮光构件220和第一绝缘层240具有接触孔185。接触孔185暴露薄膜晶体管的至少一部分，具体地，暴露漏电极175的至少一部分。

像素电极191形成在第一绝缘层240上。像素电极191可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明金属氧化物制成。像素电极191基本以具有两条长边和两条短边的矩形形状形成，并且具有与薄膜晶体管叠置的部分被倒角的形状。然而，像素电极191的形状不限制于此，并且可以改变。此外，像素电极191可以由具有横向主干、纵向主干以及从横向主干、纵向主干延伸的多个微小分支的形状制成。另外，一个像素电极191可以被划分为两个子像素电极。在这种情况下，施加到两个子像素电极的电压可以被区分，以改善可见度，并且连接到两个子像素电极的薄膜晶体管的布置可以改变。

共电极270形成在像素电极191上，以与像素电极191分开预定的距离。微腔305形成在像素电极191与共电极270之间。即，微腔305被像素电极191和共电极270包围。共电极270沿行方向延伸，并且形成在微腔305之上且在第二区域V2中。共电极270形成为覆盖微腔305的上面的一部分和侧面的一部分。微腔305的尺寸可以根据显示装置的尺寸和分辨率而改变。

本公开不限制于此，共电极270可以形成在设置在像素电极191和共电极270之间的绝缘层上。在这种情况下，微腔305可以形成在共电极270上。

共电极270可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明金属材料制成。预定的电压可以被施加到共电极270，在像素电极191和共电极270之间可以产生电场。

取向层11和21分别形成在像素电极191之上和共电极270之下。取向层11和21包括第一取向层11和第二取向层21。第一取向层11和第二取向层21可以是竖直的取向层，并可以由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷、聚酰亚胺等的取向材料制成。第一取向层11和第二取向层21可以在微腔305的边缘的侧壁处彼此连接。

第一取向层11形成在像素电极191之上。第一取向层11可以直接形成在未覆盖有像素电极191的第一绝缘层240之上。另外，第一取向层11也可以形成在第一区域V1中。第二取向层21形成在共电极270之下，以面对第一取向层11。

包括液晶分子310的液晶层形成在像素电极191和共电极270之间形成的微腔305之内。当未施加电场时，具有负介电各向异性的液晶分子310可以沿与基底110垂直的方向站立。在这种情况下，液晶分子310可以垂直取向。然而，本公开不限制于此，当未施加电场时，液晶分子可以具有正介电各向异性，并且可以水平取向。

当施加数据电压时，像素电极191与共电极270产生电场，以确定设置在微腔305中的液晶分子310的方向。穿过液晶层的光的亮度因由电场确定的液晶分子310的方向而改变。

第二绝缘层350可以形成在共电极270上。第二绝缘层350可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料形成，并且在一些实施例中其可以被省略。

顶板层360形成在第二绝缘层350上。顶板层360可以由有机材料制成。顶板层360沿行方向形成，并且形成在微腔305之上且在第二区域V2中。顶板层360形成为覆盖微腔305的上面和侧面的一部分。顶板层360可以通过固化工艺被硬化，以保持微腔305的形式。顶板层360形成为利用微腔305与像素电极191分开。

共电极270和顶板层360形成为不覆盖在微腔305的边缘处的侧面的一部分，微腔305的未被共电极270和顶板层360覆盖的部分被称作注入孔。注入孔包括暴露在微腔305的第一边缘处的侧面的第一注入孔307a和暴露在微腔305的第二边缘处的侧面的第二注入孔307b。第一边缘面对第二边缘，例如，在平面图中，第一边缘可以是微腔305的上边缘，第二边缘可以是微腔305的下边缘。微腔305在制造显示装置的过程中被注入孔307a和307b暴露，使得取向剂或液晶分子310可以通过注入孔307a和307b注入微腔305中。

第三绝缘层370可以形成在顶板层360上。第三绝缘层370可以由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。第三绝缘层370可以形成为覆盖顶板层360的顶表面和侧表面。第三绝缘层370具有保护由有机材料制成的顶板层360的功能，并且在一些实施例中可以被省略。

包封层390可以形成在第三绝缘层370上。包封层390形成为覆盖注入孔307a和307b，其中，微腔305的一部分通过注入孔307a和307b暴露于外部。即，包封层390可以密封微腔305，使得形成在微腔305中的液晶分子310不被排放到外部。由于包封层390接触液晶分子310，使得包封层390可以优选地由不与液晶分子310反应的材料制成。例如，包封层390可以由聚对二甲苯等制成。

包封层390可以形成为例如双层和三层的多层。双层被构造有由不同材料制成的两个层。三层被构造有其中相邻层的材料彼此不同的三个层。例如，包封层390可以包括由有机绝缘材料制成的第一层和由无机绝缘材料制成的第二层。

形成贯穿基底110和包封层390的切口CP。切口CP可以一起贯穿形成在基底110与包封层390之间的构成元件。例如，切口CP可以贯穿栅极绝缘层140、钝化层180、遮光构件220、第一绝缘层240、共电极270、第二绝缘层350、顶板层360和第三绝缘层370中的一个或更多个，或者它们全部。

切口CP形成为贯穿基底110。在这种情况下，基底110可以通过多个切口CP沿两个或更多个方向容易地弯曲。即，可以容易地实现可伸缩的显示装置。例如，显示装置可以以诸如圆顶状的非平面形状形成。

通常，液晶层位于两个基底之间。当形成切口以贯穿两个基底时，液晶层的液晶分子会泄露到外部。因此，利用一般的液晶显示器不易实现可伸缩的显示装置。

在本示例性实施例中，多个微腔设置在一个基底上，液晶层位于每个微腔中。每个微腔被独立地密封，切口形成在微腔之间的区域中。因此，虽然形成切口，但是液晶层的液晶材料不会泄露到外部。

在基底110上形成诸如薄膜晶体管、像素电极191、共电极270、顶板层360、包封层390等的构成元件后，随后可以形成贯穿一个或更多个构成元件的切口CP。可以通过激光切割工艺形成切口CP。然而，本公开不限制于此，可以通过利用各种切割工艺形成切口CP。

切口CP不与栅极线G2和G3、数据线D1和D2、薄膜晶体管等叠置。切口CP沿与栅极线G2和G3的主线412和413交叉的方向延伸。当以传统方式形成贯穿栅极线G2和G3的切口CP时，会发生栅极线G2和G3的断开。在本示例性实施例中，栅极线G2和G3包括绕过部分512和513，绕过部分512和513包围切口CP，从而防止栅极线G2和G3因切口CP而断开。

切口CP沿与数据线D1和D2平行的方向延伸。当以传统方式形成贯穿数据线D1和D2的切口CP时，会发生数据线D1和D2的断开。在本示例性实施例中，切口CP形成为与数据线D1和D2平行并且具有预定的间隔，从而防止数据线D2和D3因切口CP而断开。

尽管在附图中未示出，但是偏光器可以形成在显示装置的上表面和下表面上。偏光器可以包括第一偏光器和第二偏光器。第一偏光器可以附着到基底110的下表面，第二偏光器可以附着到包封层390。

接下来，将参照图6至图9描述根据示例性实施例的显示装置。图6至图9中示出的显示装置与图1至图5中示出的显示装置基本相似。在本示例性实施例中，数据线包括绕过部分。

图6是示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。如图6中所示，多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及多条数据线D1、D2、D3和D4形成在基底上。另外，形成连接到多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及多条数据线D1、D2、D3和D4的多个像素电极191。多个像素电极191以包括多个像素列和多个像素行的矩阵形状设置，每个像素电极191位于微腔305中。切口CP位于多个微腔305之间。

在前面的示例性实施例中，一些栅极线包括绕过部分。然而，在本示例性实施例中，栅极线G1、G2、G3、G4和G5不包括绕过部分。而是，数据线D2和D3包括绕过部分522和523。

栅极线G1、G2、G3、G4和G5基本沿第一方向延伸，数据线D1、D2、D3和D4基本沿与第一方向垂直的第二方向延伸。

第一数据线D1和第四数据线D4沿第二方向延伸，并且不包括绕过部分。第二数据线D2和第三数据线D3包括沿第二方向延伸的主线422和423，以及在第一方向上绕过的绕过部分522和523。第二数据线D2可以包括在第一像素行与第二像素行之间在第一方向上绕过的第一绕过部分522，以及在第三像素行和第四像素行之间在第一方向上绕过的第二绕过部分522。第三数据线D3可以包括在第二像素行与第三像素行之间在第一方向上绕过的第一绕过部分523，以及在第四像素行与第五像素行之间在第一方向上绕过的第二绕过部分523。

在平面图中，第二数据线D2的绕过部分522自第二数据线D2的主线422向右突出。在平面图中，第三数据线D3的绕过部分523自第三数据线D3的主线423向左突出。第二数据线D2的绕过部分522和第三数据线D3的绕过部分523交替地突出。即，第二数据线D2的绕过部分522和第三数据线D3的绕过部分523从第二像素列和第三像素列的上端至下端交替地设置。

第二数据线D2的绕过部分522从与第一数据线D1相邻的位置延伸到与第三数据线D3接近的位置。然而，第二数据线D2的绕过部分522不与第三数据线D3交叉。第三数据线D3的绕过部分523从与第四数据线D4相邻的位置延伸到与第二数据线D2接近的位置。然而，第三数据线D3的绕过部分523不与第二数据线D2交叉。由于第二数据线D2和第三数据线D3施加有不同的信号，所以第二数据线D2和第三数据线D3被设置为彼此不短路。

切口CP可以沿第一方向延伸。即，切口CP可以沿与栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及绕过部分522和523平行的方向延伸。切口CP被绕过部分522和523部分地包围。位于第一像素行与第二像素行之间的切口CP被第二数据线D2的绕过部分522包围，并从与第三数据线D3相邻的位置延伸到与第一数据线D1接近的位置。位于第二像素行与第三像素行之间的切口CP被第三数据线D3的绕过部分523包围，并从与第二数据线D2相邻的位置延伸到与第四数据线D4接近的位置。位于第三像素行与第四像素行之间的切口CP被第二数据线D2的绕过部分522包围，并从与第三数据线D3相邻的位置延伸到与第一数据线D1接近的位置。位于第四像素行下方的切口CP被第三数据线D3的绕过部分523包围，并从与第二数据线D2相邻的位置延伸到与第四数据线D4接近的位置。

多个切口CP可以以Z形图案设置。即，多个切口CP不设置为彼此平行。例如，从顶部起设置的第一切口CP和第三切口CP被布置成比第二切口CP和第四切口CP更向左侧。

切口CP的长度可以是像素电极191的一边的长度的两倍或者更多倍。像素电极191可以形成为包括两条长边和两条短边的四边形。在这种情况下，切口CP的长度可以形成为是像素电极191的短边的长度的大约两倍或者更多倍，如图6中所示，切口CP的长度可以形成为短边的长度的大约三倍。

图7是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图，图8是沿线VIII-VIII截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图，图9是沿线IX-IX截取的根据示例性实施例的显示装置的剖视图。图7至图9示出连接到第一栅极线G1、第二栅极线G2、第二数据线D2和第三数据线D3的四个像素。

参照图7至图9，栅极线G1和G2以及从栅极线G1和G2突出的栅电极124形成在基底110上。栅极线G1和G2沿近似第一方向延伸并传输栅极信号。栅极线G1和G2分别位于在列方向上相邻的两个微腔305之间。即，栅极线G1和G2位于第一区域V1中。

在平面图中，栅电极124在栅极线G1和G2下方突出。然而，本公开不限制于此，栅电极124的突出形状可以改变，栅电极124可以不从栅极线G1和G2突出而是一体地位于栅极线G1和G2上。

数据线D2和D3传输数据信号并沿第二方向延伸，从而与栅极线G1和G2交叉。数据线D2和D3包括位于在行方向上相邻的两个微腔305之间的主线422和423，以及位于在列方向上相邻的两个微腔305之间的绕过部分522和523。主线422和423位于第二区域V2中，绕过部分522和523位于第一区域V1中。

形成连接到数据线D2和D3的源电极173以及与源电极173分开的漏电极175，在源电极173和漏电极175上形成钝化层180、滤色器230、遮光构件220、像素电极191、微腔305、共电极270、顶板层360和包封层390等。

形成贯穿基底110和包封层390的切口CP。切口CP可以一起贯穿位于基底110和包封层390之间的一个或更多个构成元件。在本示例性实施例中，通过切口CP可以容易地实现可伸缩的显示装置。

切口CP不与栅极线G1和G2、数据线D2和D3以及薄膜晶体管等叠置。切口CP沿与数据线D2和D3的主线422和423交叉的方向延伸。当切口CP以传统方式贯穿数据线D2和D3时，会发生数据线D2和D3的断开。在本示例性实施例中，数据线D2和D3包括主线422和423以及包围切口CP的绕过部分522和523，从而防止数据线D2和D3因切口CP而断开。

切口CP沿与栅极线G1和G2平行的方向延伸。当切口CP以传统方式贯穿栅极线G1和G2时，会发生栅极线G1和G2的断开。在本示例性实施例中，切口CP形成为以预定的间隔与栅极线G1和G2平行，从而防止栅极线G1和G2因切口CP而断开。

接下来，将参照图10描述根据示例性实施例的显示装置。图10中示出的根据示例性实施例的显示装置与图1至图5中示出的显示装置基本相似。在本示例性实施例中，所有的栅极线包括绕过部分。

图10是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。如图10中所示，多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5形成在基底上。另外，形成连接到多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5的多个像素电极191。多个像素电极191以包括多个像素列和多个像素行的矩阵形状设置，每个像素电极191位于微腔305中。切口CP位于多个微腔305之间。

多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5包括第一栅极线G1、第二栅极线G2、第三栅极线G3、第四栅极线G4和第五栅极线G5。栅极线G1、G2、G3、G4和G5分别包括沿第一方向延伸的主线431、432、433、434和435以及在第二方向上绕过的绕过部分531、532、533、534和535。

第一栅极线G1可以包括在第一像素列与第二像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分531，以及在第三像素列与第四像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分531。第二栅极线G2可以包括在第二像素列与第三像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分532，以及在第四像素列与第五像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分532。第三栅极线G3可以包括在第一像素列与第二像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分533，以及在第三像素列与第四像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分533。第四栅极线G4可以包括在第二像素列与第三像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分534，以及在第四像素列与第五像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分534。第五栅极线G5可以包括在第二像素列与第三像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分535，以及在第四像素列与第五像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分535。

切口CP可以沿第二方向延伸。切口CP可以沿与数据线D1、D2、D3、D4和D5以及绕过部分531、532、533、534和535平行的方向延伸。切口CP被绕过部分531、532、533、534和535部分地包围。

多个切口CP可以以Z形图案设置，多个切口CP的长度可以不同。例如，位于第一栅极线G1与第二栅极线G2之间的切口CP的长度可以形成为是像素电极191的长边的长度的大约三倍。位于第三栅极线G3与第四栅极线G4之间的切口CP的长度也可以形成为是像素电极191的长边的长度的大约三倍。位于第四栅极线G4与第五栅极线G5之间的切口CP的长度也可以形成为是像素电极191的长边的长度的大约两倍。

第一栅极线G1的绕过部分531的长度可以与第二栅极线G2的绕过部分532的长度不同。第二栅极线G2的绕过部分532的长度可以与第三栅极线G3的绕过部分533的长度基本相同。另外，第一栅极线G1的绕过部分531的长度可以与第四栅极线G4的绕过部分534的长度以及第五栅极线G5的绕过部分535的长度基本相同。

接下来，将参照图11描述根据示例性实施例的显示装置。图11中示出的根据示例性实施例的显示装置与图1至图5中示出的显示装置基本相似。在本示例性实施例中，所有的栅极线的长度基本相同。

图11是根据示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。如图11中所示，多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5形成在基底上。另外，形成连接到多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5以及多条数据线D1、D2、D3、D4和D5的多个像素电极191。多个像素电极191以包括多个像素列和多个像素行的矩阵形状设置，每个像素电极191位于微腔305中。切口CP位于多个微腔305之间。

多条栅极线G1、G2、G3、G4和G5包括第一栅极线G1、第二栅极线G2、第三栅极线G3、第四栅极线G4和第五栅极线G5。栅极线G1、G2、G3、G4和G5分别包括沿第一方向延伸的主线441、442、443、444和445以及在第二方向上绕过的绕过部分541、542、543、544和545。

第一栅极线G1可以包括在第一像素列与第二像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分541，以及在第三像素列与第四像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分541。第二栅极线G2可以包括在第二像素列与第三像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分542，以及在第四像素列与第五像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分542。第三栅极线G3可以包括在第一像素列与第二像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分543，以及在第三像素列与第四像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分543。第四栅极线G4可以包括在第二像素列与第三像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分544，以及在第四像素列与第五像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分544。第五栅极线G5可以包括在第一像素列与第二像素列之间在第二方向上绕过的第一绕过部分545，以及在第三像素列与第四像素列之间在第二方向上绕过的第二绕过部分545。

栅极线G1、G2、G3、G4和G5的绕过部分541、542、543、544和545从主线441、442、443、444和445沿同一方向突出。例如，栅极线G1、G2、G3、G4和G5的绕过部分541、542、543、544和545可以从主线441、442、443、444和445向下突出。

栅极线G1、G2、G3、G4和G5的绕过部分541、542、543、544和545的长度可以基本相同。栅极线G1、G2、G3、G4和G5的绕过部分541、542、543、544和545的长度可以形成为是像素电极191的长边的长度的大约两倍。栅极线G1、G2、G3、G4和G5包括绕过部分541、542、543、544和545，并且绕过部分541、542、543、544和545具有基本相同的长度，使得栅极线G1、G2、G3、G4和G5的长度可以基本相同。因此，可以防止施加到栅极线的信号被延迟。

切口CP可以沿第二方向延伸。切口CP可以沿与数据线D1、D2、D3、D4和D5以及绕过部分541、542、543、544和545平行的方向延伸。切口CP被绕过部分541、542、543、544和545部分地包围。多个切口CP可以以Z形图案设置。

虽然已经结合目前被认为是实际示例性实施例的内容描述了本公开，但是将理解的是，本公开不限制于所述公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在本公开的精神和范围之内的各种修改和等同布置。

<符号的描述>

110：基底

G1、G2、G3、G4、G5：栅极线

D1、D2、D3、D4、D5：数据线

412、413、422、423、431、432、433、434、435、441、442、443、444、445：主线

512、513、522、523、531、532、533、534、535、541、542、543、544、545：绕过部分

191：像素电极

270：共电极

305：微腔

307a、307b：注入孔

360：顶板层

390：包封层

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

薄膜晶体管，设置在所述基底上；

像素电极，连接到所述薄膜晶体管；

顶板层，设置为经由设置在所述像素电极上的多个微腔与所述像素电极分开；

液晶层，设置在所述多个微腔中；

包封层，设置在所述顶板层上并密封所述多个微腔；以及

切口，贯穿所述基底和所述包封层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述切口位于所述多个微腔中的相邻的微腔之间，

其中，所述切口位于彼此相邻的像素电极之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

栅极线和数据线，设置在所述基底上，

所述切口沿与所述栅极线或所述数据线平行的方向延伸，

其中，所述切口不与所述栅极线、所述数据线和所述薄膜晶体管叠置。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述切口还贯穿所述顶板层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线和第四栅极线，在所述基底上沿第一方向延伸，

所述第二栅极线和所述第三栅极线包括在与所述第一方向垂直的第二方向上绕过的绕过部分，

所述切口被所述绕过部分部分地包围，

其中，所述切口沿所述第二方向延伸。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

多个切口以Z形图案设置，

其中，所述多个切口中的一个位于所述第三栅极线与所述第四栅极线之间并且被所述第三栅极线的所述绕过部分部分地包围，

所述多个切口中的另一个位于所述第一栅极线与所述第二栅极线之间并且被所述第二栅极线的所述绕过部分部分地包围。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线，在所述基底上沿第二方向延伸，以及

栅极线，与所述第一数据线、所述第二数据线、所述第三数据线和所述第四数据线交叉，

其中，所述第二数据线和所述第三数据线包括在与所述第二方向垂直的第一方向上绕过的绕过部分，

所述切口被所述绕过部分部分地包围，

所述切口沿所述第一方向延伸，

所述栅极线沿与所述切口平行的方向延伸。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

多个所述切口以Z形图案设置，

其中，所述多个切口中的一个位于所述第一数据线与所述第二数据线之间并且被所述第二数据线的所述绕过部分部分地包围，

所述多个切口中的另一个位于所述第三数据线与所述第四数据线之间并且被所述第三数据线的所述绕过部分部分地包围。

9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

多条栅极线，在所述基底上沿第一方向延伸并连接到所述薄膜晶体管；以及

多条数据线，在所述基底上沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸并连接到所述薄膜晶体管，其中，

所述多条栅极线分别包括在所述第二方向上绕过的绕过部分，

所述切口被绕过部分部分地包围，

其中，所述多条栅极线的所述绕过部分具有相同长度。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述切口的长度是所述像素电极的一边的长度的两倍或者更多倍。