CN106531885A - 一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层。同时，本发明还公开了该神经仿生器件的制备方法。本发明所制备的器件能根据突触前刺激和突触后刺激的时间差而改变电阻，能够模仿生物突触的特性，其高低阻态发生缓慢变化且范围稳定；出现多个稳定阻态并具有良好的保持特性，在重复施加电脉冲刺激的情况下，电阻能保持高低阻转化较高的重复性，是一种性能更为稳定、应用前景更为广阔的神经仿生器件。
Description
技术领域
本发明涉及微电子器件技术领域，具体地说是一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法。
背景技术
在信息技术领域，减小存储单元的面积是发展当前数据存储技术的一个主要驱动力。但是，在未来15 到20 年之内，当前的存储技术将达到其物理极限，难以再进一步发展。为了促使存储技术的持续发展，需要找到一种新的发展方向。其一种可能的发展方向是从生物学仿生而来的认知存储，它不像当前的存储器只有数据存储这种单一功能，而是像人的记忆一样丰富多彩，能够实现数据存储、信息处理以及最重要的认知功能，如可适应、学习、具有洞察力、新知识的构建等等。这种认知存储的功能作为驱动力的数据存储技术需要利用具有认知功能的器件搭建人工神经网络，因此，开发认知存储器这种具有认知功能的微电子器件，就是目前行业内研究的热点。
在认知存储器中，用作构建人工神经网络的电子突触器件，是最基本的一种认知存储器。电子突触器件如同神经突触，是不同神经元之间的连接，具有用以表征神经元之间连接强度的突触权重，并且在不同的刺激下，突触权重能进行相应的改变，从而实现学习和记忆的功能。然而，在神经网络当中，神经突触数目庞大，需要减小电子突触器件的面积和功耗，才有可能构建具有一定规模、一定认知功能的神经网络。近年来，人们通过大量实验和测试，发现忆阻器这种新型的电子元器件具有类似优良的特性，其中忆阻器的记忆功能和可操控性和生物体神经突触有很高的相似性。人类大脑中存在1011-1014个神经元，而连接这些神经元的突触数量则高达1015。神经突触由三部分组成：突触前膜、突触后膜以及两膜间的窄缝——突触间隙，其间距通常为20-40nm。在电信号刺激下，携带传递信息的神经递质由突触前神经元通过突触间隙单向传输到突触后神经元。因此，突触前后膜类似于忆阻器的两端金属电极，而突触间隙类似于忆阻器的介质层，其厚度约为数十纳米。
突触可塑性是生物体神经突触的最基本特性，突触会随着神经元之间连接强度的强弱动态的刺激或抑制信号，使得信号保持连续变化。这就要求器件能够在施加电信号作用下，实现电阻值的渐变。忆阻器能够模拟神经突触，最基本的依据是他们都有非线性电学性质，即利用忆阻器两类电学性质（变化迥异的高、低两种电阻状态，来实现电阻缓变行为）应用于神经突触的模拟中。但是，目前的仿生器件由于其神经仿生层材料和结构设计不合理导致器件在施加电压时存在高低阻态之间转换连续性较差、器件的稳定度较低以及电阻改变的重复性较低的缺陷。
发明内容
本发明的目的就是提供一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法，以解决现有神经仿生器件存在施加电压时存在高低阻态之间转换连续性较差、器件稳定性较差等问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层。
所述第一Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；所述第一Ag膜层的膜厚为1-3nm；所述第二层Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；所述第二Ag膜层的膜厚为2-4nm；所述第三Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；所述第三Ag膜层的膜厚为3-5nm；所述第四Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm。
所述神经仿生层的厚度为18-40nm。
所述Ag电极层的厚度为50-300nm；所述Ag电极层为均匀分布在所述神经仿生层上的若干直径为80-200μm的圆形电极。
本发明还提供了一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件的制备方法，包括以下步骤：
（a）将Pt/Ti/SiO2/Si衬底依次在丙酮、酒精和去离子水中分别用超声波清洗，然后取出用 N2吹干；
（b）将清洗好的Pt/Ti/SiO2/Si衬底固定到磁控溅射设备腔体的衬底台上，并将腔体抽真空至1×10-4-4×10-4Pa；
（c）在腔体内的两个靶台上分别放置Ga2O3靶材和Ag靶材，向腔体内通入Ar和O2，调整接口阀使腔体内的压强维持在2-5Pa，打开控制三氧化二镓靶材起辉的射频源，调整射频源功率为130-180W，使Ga2O3靶材起辉，预溅射10-15min；
（d）预溅射完毕后，开始正式溅射，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上生长Ga2O3膜层，正式溅射时间为15-25min，得厚度为3-7nm的第一Ga2O3膜层；
（e）打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流电源功率为5-20W，使Ag靶材起辉，预溅射2-5min，开始正式溅射，在第一Ga2O3膜层上生长Ag膜层，正式溅射时间为30s-2min，得厚度为1-3nm的第一Ag膜层；再放进退火炉中进行退火，退火温度为400℃、时间为3min，让第一Ag膜层进行扩散，使得第一Ga2O3膜层上生长了银晶粒；
（f）退火处理后，打开控制Ga2O3靶材起辉的射频源，调整直流源功率为130-180W，使Ga2O3靶材起辉，预溅射10-15min，开始正式溅射，在第一Ag膜层上生长Ga2O3膜层，正式溅射时间为15-25min，得厚度为3-7nm的第二Ga2O3膜层；
（g）打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流源功率为5-20W，使Ag靶材起辉，预溅射2-5min，开始正式溅射，在第二Ga2O3膜层上生长Ag膜层，正式溅射时间为30s-2min，得厚度为2-4nm的第二Ag膜层；再放进退火炉进行退火，温度为400℃，时间为3min，让第二Ag膜层进行扩散，使得第二Ga2O3膜层上生长了银晶粒；
（h）退火处理后，打开控制Ga2O3靶材起辉的射频源，调整直流源功率为130-180W，使Ga2O3靶材起辉，预溅射10-15min，开始正式溅射，在第二Ag膜层上生长Ga2O3膜层，正式溅射时间为15-25min，得厚度为3-7nm的第三Ga2O3膜层；
（i）打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流源功率为5-20W，使Ag靶材起辉，预溅射2-5min，开始正式溅射，在第三Ga2O3膜层上生长Ag膜层，正式溅射时间为30s-2min，得厚度为2-4nm的第三Ag膜层；再放进退火炉进行退火，温度为400℃，时间为3min，让第二Ag膜层进行扩散，使得第三Ga2O3膜层上生长了银晶粒；
（j）退火处理后，打开控制Ga2O3靶材起辉的射频源，调整直流源功率为130-180W，使Ga2O3靶材起辉，预溅射10-15min，开始正式溅射，在第三Ag膜层上生长Ga2O3膜层，正式溅射时间为15-25min，得厚度为3-7nm的第四Ga2O3膜层；
（j）在形成第四Ga2O3膜层后的Pt/Ti/SiO2/Si衬底上放置掩膜版，将磁控溅射设备腔体抽真空至1×10-4-4×10-4Pa；
（k）向腔体内通入流量为20-30sccm的Ar，调整接口阀使腔体内的压强维持在2-5Pa，打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流源功率为5-20W，使Ag靶材起辉，预溅射3-5min；开始正式溅射5-10min，在第四Ga2O3膜层上形成厚度为50-300nm的Ag电极层。
本发明制备方法中步骤（c）中所述Ar和O2的通入流量比为20-30sccm: 20-30sccm。
本发明制备方法中步骤（j）所述的掩膜版上均布有直径为80-200μm的圆形孔。
本发明制备方法中步骤（k）所述Ag电极层为均匀分布在所述神经仿生层上的若干圆形电极。
本发明通过将神经仿生层设计为七个膜层，即第一层是三氧化二镓膜层，第二层是银膜层，第三层是三氧化二镓膜层，第四层是银膜层，第五层是三氧化二镓膜层，第六层是银膜层，第七层是三氧化二镓膜层，通过使用了特定氧化物和特定金属分别溅射特定厚度的膜层，并采用特定退火工艺处理，使得银膜层充分扩散到三氧化二镓膜层里，得到了一种高阻态与低阻态之间能发生缓慢的变化、有多个稳定的高低阻态且保持良好特性、可实现神经仿生要求的神经仿生器件。本发明所制备的器件，其两端分别作为两个输入端，分别为突触前刺激和突触后刺激，能根据突触前刺激和突触后刺激的时间差而改变电阻，能够模仿生物突触的特性，在施加不同电脉冲的刺激下改变其电阻的阻值，其高低阻态会发生缓慢变化，且范围稳定；出现多个稳定阻态并具有良好的保持特性，在重复施加电脉冲刺激的情况下，电阻能保持高低阻转化较高的重复性，是一种性能更为稳定、应用前景更为广阔的神经仿生器。
附图说明
图1是本发明所提供的神经仿生器件的结构示意图。
图2是本发明中用于制备神经仿生器件的磁控溅射设备的结构示意图。
图3是本发明实施例2所制备的神经仿生器件正向调制电流-电压关系图。
图4是本发明实施例2所制备的神经仿生器件负向调制电流-电压关系图。
图5是本发明实施例2所制备的神经仿生器件负向调制保持特性关系图。
图6是本发明实施例2所制备的神经仿生器件正向调制保持特性关系图。
图7是本发明实施例2所制备的神经仿生器件所要实现的脉冲时间依赖的可塑性（STDP）功能图。
具体实施方式
下面实施例用于进一步详细说明本发明，但不以任何形式限制本发明。
实施例1
本发明所提供的神经仿生器件，其结构如图1所示，包括最底层的Pt/Ti/SiO2/Si衬底1、衬底1上的神经仿生层2，神经仿生层2上的Ag电极层3。其神经仿生层2位于衬底1的Pt膜层上。
其中神经仿生层2由七层膜层依次叠加构成，由下至上依次为膜厚为3-7nm的第一Ga2O3膜层21、膜厚为1-3nm的第一Ag膜层22、膜厚为3-7nm的第二Ga2O3膜层23、膜厚为2-4nm的第二Ag膜层24、膜厚为3-7nm的第三Ga2O3膜层25、膜厚为3-5nm的第三Ag膜层26、膜厚为3-7nm的第四Ga2O3膜层27。其神经仿生层2的总厚度控制在18-80nm范围内。
Ag电极层3的厚度可以在50-300nm范围内；Ag电极层3为均匀分布在所述神经仿生层2上的若干直径为80-200μm的圆形电极。
实施例2
本发明所提供的神经仿生器件的制备方法包括如下步骤：
一、在衬底上形成神经仿生层
（1）准备衬底
选择Pt/Ti/SiO2/Si作为衬底，然后将Pt/Ti/SiO2/Si衬底放在丙酮中用超声波清洗10min，然后在放入酒精中用超声波清洗10min，再用夹子取出放入去离子水中用超声波清洗5min，最后取出，用N2吹干。
（2）将衬底放入腔体并抽真空
采用如图2所示的磁控溅射设备，打开磁控溅射设备腔体4，拿出压片台7，用砂纸打磨去掉表面污渍，用丙酮清洗打磨下来的废物和表面附着的有机物，用酒精最后擦拭干净。将清洗好的Pt/Ti/SiO2/Si衬底放在压片台7上压片，压片时保证Pt/Ti/SiO2/Si衬底稳固压在压片台7上并且压平，保证溅射时候生长薄膜均匀。将整理好的压片台7放入腔体4内的衬底台8上，固定好后关闭腔体4，对腔体4抽真空至2×10-4Pa。
（3）通入气体
在腔体4内的压片台7的下方设置有两个靶台5，靶台5上用于放置靶材6。本发明中两个靶台上所放置的靶材分别为三氧化二镓（Ga2O3）靶材和银（Ag）靶材。三氧化二镓靶材由磁控溅射设备腔体外的射频源来控制其起辉，银靶材由磁控溅射设备腔体外的直流源来控制其起辉。在银靶材的上方设置有可对银靶材进行遮挡的第一挡板，在三氧化二镓靶材上方设置有可对三氧化二镓靶材进行遮挡的第二挡板。第一挡板和第二挡板均可由磁控溅射设备腔体外的相应按钮来控制其旋转。
首先通过充气阀9向腔体4内通入氩气（Ar）和氧气（O2），Ar和O2向腔体内通入的流量比为25sccm : 25sccm，调整接口阀使腔体内的压强维持在3Pa，打开控制三氧化二镓靶材起辉的射频源，调整射频源功率为130W，使三氧化二镓靶材起辉，预溅射15min。
（4）第一Ga2O3膜层的形成
在三氧化二镓预溅射之后，打开第二挡板，开始正式溅射20min，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上形成一层Ga2O3膜层，即为第一Ga2O3膜层。
（5）第一Ag膜层的形成
将三氧化二镓靶材挡住，打开控制银靶材起辉的直流电源，调整功率为10w，使银靶材起辉，预溅射5min，然后打开第一挡板，正式溅射10s，得第一Ag膜层，然后将溅射好的器件，放进退火炉，用400℃，退火3min，使第一Ag膜层扩散进入第一Ga2O3膜层内，使达到第一Ga2O3膜层上生长了银晶粒的效果。
（6）第二Ga2O3膜层的形成
形成第一Ag膜层后，第一挡板将银靶材挡住，打开控制三氧化二镓靶材起辉的射频源，调整射频源功率为150W，使三氧化二镓靶材起辉，预溅射15min，在三氧化二镓预溅射之后，打开挡板，开始正式溅射20min，在第一层银膜层上第二Ga2O3膜层。
（7）第二Ag膜层的形成
用第二挡板将三氧化二镓靶材挡住，打开直流源，仍由第一挡板将银靶材挡住，打开控制银靶材起辉的直流电源，调整直流源功率为10W，使银靶材起辉，预溅射5分钟，之后移去第一挡板，正式溅射15s，在第二Ga2O3膜层上形成第二Ag膜层，再送进退火炉进行400℃，3min的退火，使第二Ag膜层扩散进入第二Ga2O3膜层内，使达到第二Ga2O3膜层上生长了银晶粒的效果。
（8）第三Ga2O3膜层的形成
形成第二Ag膜层后，第一挡板将银靶材挡住，打开控制三氧化二镓靶材起辉的射频源，调整射频源功率为150W，使三氧化二镓靶材起辉，预溅射15min，在三氧化二镓预溅射之后，打开挡板，开始正式溅射20min，在第二层银膜层上形成第三Ga2O3膜层。
（9）第三Ag膜层的形成
用第二挡板将三氧化二镓靶材挡住，打开直流源，仍由第一挡板将银靶材挡住，打开控制银靶材起辉的直流电源，调整直流源功率为10W，使银靶材起辉，预溅射5min，之后移去第一挡板，正式溅射25s，在二氧化钛膜层上形成第三Ag膜层，再送进退火炉进行400℃，3min的退火，使第三Ag膜层扩散进入第三Ga2O3膜层内，使达到第三Ga2O3膜层上生长了银晶粒的效果。
（10）第四Ga2O3膜层的形成
形成第三Ag膜层后，用第一挡板将银靶材挡住，打开控制三氧化二镓靶材起辉的射频源，调整射频源功率为150W，使三氧化二镓靶材起辉，预溅射15min，在三氧化二镓预溅射之后，打开挡板，开始正式溅射20min，在第三层Ag膜层上形成第四Ga2O3膜层。
二、在神经仿生层上形成电极层
（1）关闭射频源，通过接口阀10泄压，打开磁控溅射设备腔体4，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底形成有神经仿生层的第四Ga2O3膜层上放置掩膜版，掩膜版上均匀密布有直径为90μm的圆形孔。
（2）对腔体抽真空至2×10-4Pa，腔体内通入流量为25sccm的Ar，调整接口阀10使腔体内的压强维持在3Pa，打开控制银靶材起辉的直流源，调整直流源功率为10W，使银靶材起辉，预溅射5min；之后正式溅射10min，在第四Ga2O3膜层上形成Ag电极层，即制备了神经仿生器件。
以上所述的实施方式是本发明所保护的制备方法中的任意一种实施例，其只要在权利要求及说明书中所描述的工艺参数的范围内均可获得本发明所要保护的神经仿生器，且所制备的神经仿生器件与本实施例制备的器件具有同样或类似的性能。
本发明所制造出来的器件具有电子突触功能，一般突触的功能，具体为活动时序依赖突触可塑性（Spike-Time-Depend Plasticity, STDP），涉及到突触前刺激和突触后刺激的共同作用。在电子突触器件中，器件的两端分别代表了突触前和突触后，两个极性的电脉冲分别施加在这两端作为突触前刺激和突触后刺激，以改变电压值作为不同的刺激，来改变电阻。
实施例3
对实施例2制备的神经仿生器件依次施加七次0-1-0V的正电压进行扫描，其结果如图3所示。在实施例2所制备的神经仿生器件的Ag电极层依次施加七次0-1-0V的电压扫描时，当施加第一次电压扫描时，在电压到达0.8v时，神经仿生器件阻值开始出现变化，且可以出现稳定状态。通过连续施加扫描电压，仿生器件可以实现记忆功能，即新一次扫描的起始电阻值都是上一次扫描的末尾电阻值。
对实施例2制备的神经仿生器件依次施加七次不同负电压进行扫描，其结果如图4所示。在实施例2所制备的神经仿生器件的Ag电极层依次施加七次不同负电压扫描时，每次扫描神经仿生器件的阻值都会发生由低阻态向高阻态的转变，并且会出现稳定状态。通过施加负向连续扫描电压，仿生器件同样会实现记忆功能，即每一次扫描出的电阻初始阻值都是上一次的末尾电阻值。
对实施例2所制备的神经仿生器件的Ag电极层施加四个不同恒定负向电压对其保持特性进行检测，其结果如图5所示。在实施例2所制备的神经仿生器件的Ag电极层施加四个不同恒定负向电压时，每施加一个恒定负向电压都会对应一个稳定的电阻值。
对实施例2所制备的神经仿生器件的Ag电极膜施加一个恒定的电压值对其保持特性进行检测，变量为扫描圈数，其结果如图6所示。在施加电压恒定的情况下，无论扫描多少圈都会对应一个稳定的电阻值，并且随之扫描圈数增加，电阻呈现减小趋势。
对实施例2所制备的神经仿生器件所要实现的脉冲时间依赖的可塑性（STDP）进行模拟，其结果如图7所示。图7为时间窗口为 1μs 的奇对称 I 型 STDP 的突触前后脉冲（b）对应 STDP 功能实现。Δt>0 时权重增加（器件电阻减小），Δt<0 时权重减小（器件电阻增大）；|Δt|越小，权重变化量|ΔW|越大，|Δt|→∞时，|ΔW|=0。由此表明本本发明所制备的器件具备神经突触仿生器件的要求。
以上所述的具体实施方式对本发明的技术方案和有益效果进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的最优选实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充和等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层。
2.根据权利要求1所述的基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，所述第一Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；所述第一Ag膜层的膜厚为1-3nm；所述第二层Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；所述第二Ag膜层的膜厚为2-4nm；所述第三Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；所述第三Ag膜层的膜厚为3-5nm；所述第四Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm。
3.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，所述神经仿生层的厚度为18-40nm。
4.根据权利要求2所述的基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，所述Ag电极层的厚度为50-300nm。
5.一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（a）将Pt/Ti/SiO2/Si衬底依次在丙酮、酒精和去离子水中分别用超声波清洗，然后取出用 N2吹干；
（b）将清洗好的Pt/Ti/SiO2/Si衬底固定到磁控溅射设备腔体的衬底台上，并将腔体抽真空至1×10-4-4×10-4Pa；
（c）在腔体内的两个靶台上分别放置Ga2O3靶材和Ag靶材，向腔体内通入Ar和O2，调整接口阀使腔体内的压强维持在2-5Pa，打开控制三氧化二镓靶材起辉的射频源，调整射频源功率为130-180W，使Ga2O3靶材起辉，预溅射10-15min；
（d）预溅射完毕后，开始正式溅射，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上生长Ga2O3膜层，正式溅射时间为15-25min，得第一Ga2O3膜层；
（e）打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流电源功率为5-20W，使Ag靶材起辉，预溅射2-5min，开始正式溅射，在第一Ga2O3膜层上生长Ag膜层，正式溅射时间为30s-2min，得第一Ag膜层；再放进退火炉中进行退火，退火温度为400℃、时间为3min，让第一Ag膜层进行扩散，使得第一Ga2O3膜层上生长了银晶粒；
（f）退火处理后，打开控制Ga2O3靶材起辉的射频源，调整直流源功率为130-180W，使Ga2O3靶材起辉，预溅射10-15min，开始正式溅射，在第一Ag膜层上生长Ga2O3膜层，正式溅射时间为15-25min，得第二Ga2O3膜层；
（g）采用如步骤（e）同样的溅射方法在第二Ga2O3膜层上生长第二Ag膜层；并采用同样的方法做退火处理；
（h）采用如步骤（f）同样的溅射方法在第二Ag膜层上生长第三Ga2O3膜层；
（i）采用如步骤（e）同样的溅射方法在第三Ga2O3膜层上生长第三Ag膜层，并采用同样的方法做退火处理；
（j）在采用如步骤（f）同样的溅射方法在第三Ag膜层上生长第四Ga2O3膜层；
（k）在形成第四Ga2O3膜层后的Pt/Ti/SiO2/Si衬底上放置掩膜版，将磁控溅射设备腔体抽真空至1×10-4-4×10-4Pa；向腔体内通入流量为20-30sccm的Ar，调整接口阀使腔体内的压强维持在2-5Pa，打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流源功率为5-20W，使Ag靶材起辉，预溅射3-5min；开始正式溅射5-10min，在第四Ga2O3膜层上形成Ag电极层。
6.根据权利要求5所述的基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件的制备方法，其特征在于，步骤（c）中所述Ar和O2的通入流量比为20-30sccm: 20-30sccm。
7.根据权利要求5所述的基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件的制备方法，其特征在于，步骤（d）中控制第一Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；步骤（e）中控制第一Ag膜层的膜厚为1-3nm；步骤（f）中控制第二层Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；步骤（g）中控制第二Ag膜层的膜厚为2-4nm；步骤（h）中控制第三Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm；步骤（i）中控制第三Ag膜层的膜厚为3-5nm；步骤（j）中控制第四Ga2O3膜层的膜厚为3-7nm。
8.根据权利要求5所述的基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件的制备方法，其特征在于，步骤（k）中Ag电极层的厚度为50-300nm。
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