CN106463582B - 发光半导体器件 - Google Patents

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Abstract

提出一种发光半导体器件，所述发光半导体器件具有：至少一个发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列、光耦合输出面(10)、与光耦合输出面(10)相对置的后侧面(11)和侧面(12)，所述侧面将光耦合输出面(10)和后侧面(11)连接；和载体本体(3)，所述载体本体具有成形体(4)，所述成形体形状配合地且直接地覆盖发光半导体芯片(1)的侧面(12)，其中载体本体(3)在发光半导体芯片(1)的光耦合输出面(10)上具有上侧(30)，在所述上侧上施加有介电镜(5)。

Description

发光半导体器件
相关申请的交叉参引
本申请要求德国专利申请10 2014 108 295.8的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
技术领域
提出一种发光半导体器件。
发明内容
特定实施方式的至少一个目的是：提出一种具有发光半导体芯片的发光半导体器件。
所述目的通过本发明的发光半导体器件来实现。所述发光半导体器件具有：至少一个发光半导体芯片，所述发光半导体芯片具有半导体层序列、光耦合输出面、与所述光耦合输出面相对置的后侧面和侧面，所述侧面将所述光耦合输出面和所述后侧面连接；载体本体，所述载体本体具有成形体，所述成形体形状配合地且直接地覆盖所述发光半导体芯片的所述侧面，其中所述载体本体在所述发光半导体芯片的所述光耦合输出面上具有上侧，在所述上侧上施加有介电镜，其中所述光耦合输出面至少部分地未被所述介电镜覆盖。主题的有利的实施方式和改进形式的特征从下面的描述和附图中得出。
根据至少一个实施方式，发光半导体器件具有发光半导体芯片，所述发光半导体芯片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有用于产生光的有源区域。尤其优选地，半导体层序列借助于外延法、例如借助于金属有机气相外延(MOVPE)或分子束外延(MBE)在生长衬底上生长。半导体层序列由此具有半导体层，所述半导体层沿着通过生长方向给定的设置方向相叠地设置。半导体层序列的层垂直于设置方向具有主延伸平面。下面，将平行于半导体层的主延伸平面的方向称作为横向方向。
发光半导体芯片尤其具有两个主表面，所述主表面垂直于生长方向设置。主表面中的一个构成为光耦合输出面，在半导体器件运行时产生的光经由所述光耦合输出面放射。此外，半导体芯片具有与光耦合输出面相对置的后侧面，所述后侧面形成半导体芯片的第二主表面。光耦合输出面和后侧面经由侧面彼此连接。除了通过光耦合输出面放射光之外，在运行时在有源层中产生的光也能够至少部分地经由侧面和/或后侧面放射。
发光半导体芯片能够根据要产生的光而具有基于不同的半导体材料体系的半导体层序列。基于InxGayAl1-x-yAs的半导体层序列例如适合于长波的、红外的至红色的辐射，基于InxGayAl1-x-yP的半导体层序列例如适合于红色的至黄色的辐射，并且基于InxGayAl1-x- yN的半导体层序列例如适合于短波的、可见的、即尤其适合于绿色的至蓝色的辐射和/或适合于UV辐射，其中分别适用的是：0≤x≤1和0≤y≤1。此外，基于锑化物、例如InSb、GaSb、AlSb或其组合的半导体层序列适合于长波的红外辐射。
发光半导体芯片的半导体层序列能够具有用于产生光的有源区域，例如常规的pn结、双异质结构、单量子系统结构(SQW结构)或多重量子系统结构(MQW结构)。半导体层序列除了有源区域之外能够包括其他的功能层和功能区域，例如p型或n型掺杂的载流子传输层、未掺杂的或者p型或n型掺杂的限域层、包覆层或波导层、势垒层、平坦化层、缓冲层、保护层和/或电极以及其组合。特别地，发光半导体芯片为了电接触能够在光耦合输出面和后侧面上分别具有电接触元件，例如呈大面积的或结构化的电极层的形式的电接触元件。涉及有源区域或其他功能层和区域的在此描述的结构对本领技术人员而言尤其在结构、功能和构造方面是已知的，进而关于此点不详细阐述。
生长衬底能够包括或者是绝缘体材料或半导体材料、例如上述化合物半导体材料体系。特别地，生长衬底能够包括蓝宝石、GaAs、GaP、GaN、InP、SiC、Si和/或Ge或者由这种材料构成。
生长工艺尤其能够在晶片复合件中进行。换言之，以晶片的形式提供生长衬底，在所述晶片上大面积地生长半导体层序列。生长的半导体层序列在另一方法步骤中能够分割成各个半导体芯片，其中通过分割能够形成半导体芯片的侧面。
此外，半导体层序列在分割之前能够转移到载体衬底上并且能够打薄生长衬底，即至少部分地或完全地移除生长衬底。
根据另一实施方式，发光半导体器件具有载体本体，所述载体本体承载发光半导体芯片。对此，载体本体能够具有成形体，所述成形体形状配合地和直接地覆盖半导体芯片的侧面。成形体尤其模制到发光半导体芯片上并且在横向方向上包围发光半导体芯片。换言之，成形体在半导体芯片的光耦合输出面的俯视图中围绕半导体芯片设置并且尤其模制到发光半导体芯片的全部侧面上。特别地，成形体能够构成为，使得不覆盖发光半导体芯片的光耦合输出面。发光半导体芯片的侧面能够完全地或从后侧面起观察朝光耦合输出面的方向覆盖至一定高度，使得成形体具有例如相对于光耦合输出面缩回的上侧。尤其优选地，能够完全地覆盖侧面，使得成形体具有与光耦合输出面齐平的上侧。此外，后侧面、即尤其电接触层的与半导体层序列相对置的面不具有成形体。此外，成形体的上侧也能够超出光耦合输出面，而不遮盖光耦合输出面。由此，能够提高载体本体的机械稳定性。
成形体尤其能够具有塑料材料，尤其硅酮、环氧树脂、环氧树脂硅酮杂化材料、聚酯、低熔点玻璃或低熔点玻璃陶瓷。在此，用“低熔点”表示如下玻璃或玻璃陶瓷，所述玻璃或玻璃陶瓷能够在成形工艺中在不损坏半导体芯片的温度下加工。此外，成形体能够具有附加材料，即例如塑料材料中的颗粒。例如，成形体能够具有用颗粒、如SiO2颗粒填充的环氧化物或由其构成。特别地，成形体能够形成机械稳定的元件，所述元件主要引起载体本体的稳定性。半导体芯片尤其嵌入成形体进而嵌入载体本体。
成形体尤其能够以模制工艺(“molding process”)实现，例如借助于喷射、浇注、压制、层压薄膜等实现。尤其优选地，成形体能够通过注塑工艺(“transfer molding”，转送成形)、例如薄膜注塑工艺，或模压工艺(“compression molding”，压缩成形)来形成。如果发光半导体器件具有多个发光半导体芯片，那么，所述发光半导体芯片能够嵌入共同的载体本体进而借助共同的成形体在一个方法步骤中环绕成形。
用于制造在此描述的成形体的方法例如在出版物WO 2011/015449A1中描述，其公开内容关于此点通过参考完全地并入本文。
根据另一实施方式，成形体至少部分地构成为是透射光的。此外也可行的是：成形体至少部分地构成为是光学反射的。这例如能够通过如下方式实现：光学反射的颗粒引入到成形体的基体材料中、尤其引入到用于成形体的上述材料中的一种中。在发光半导体芯片的侧面上射出的光于是能够至少部分地由成形体反射。
根据另一实施方式，在发光半导体芯片的光耦合输出面上设置有波长转换元件。在此，波长转换元件能够在借助成形体对半导体芯片环绕成形之前或之后设置在光耦合输出面上，并且尤其通过具有一种或多种波长转换材料的层形成。在载体本体中存在多个发光半导体芯片的情况下，能够将共同的波长转换元件设置在半导体芯片的下游，或替选于此，将自身的所分配的波长转换元件设置在每个半导体芯片的下游。
波长转换元件尤其具有至少一种或多种波长转换材料，所述波长转换材料适合于：将由发光半导体芯片或多个发光半导体芯片发射的光至少部分地转换成具有其他波长的光，使得发光半导体器件能够放射由半导体芯片发射的初级光和转换的次级光构成的混合光。例如，发光半导体芯片能够发射蓝光，所述蓝光由波长转换元件至少部分地转换成绿色的和红色的和/或黄色的光，使得半导体器件在运行时能够放射白光。波长转换元件例如能够以颗粒的形式施加，所述颗粒嵌入基体材料、例如嵌入塑料、如硅酮、或陶瓷中。在此，波长转换元件例如能够作为薄膜施加。此外，也可行的是：波长转换元件作为陶瓷小板施加，所述陶瓷小板包含波长转换材料或由陶瓷的波长转换材料构成。此外，波长转换元件也能够具有扩散材料，例如散射颗粒，以便调节光学的或电子光学的特性。波长转换元件尤其能够直接地施加到光耦合输出面上。
根据另一实施方式，载体本体在半导体芯片的光耦合输出面上具有上侧，在所述上侧上施加有介电镜。换言之，这表示：在载体本体的上侧上、即在横向方向上在半导体芯片的光耦合输出面旁边施加有如下材料：所述材料不仅是介电的进而是电绝缘的而且还对于光构成为是反射性的。特别地，介电镜对于在发光半导体芯片中在运行时产生的光构成为是反射性的。
在此描述的发光半导体器件基于如下考虑：在此处描述的具有载体本体的结构中，镜面化的构件上侧能够提高来自发光半导体器件中的光耦合输出，所述载体本体具有成形体，所述成形体模制到发光半导体芯片上。然而，如果使用金属镜，那么尤其在芯片棱边处在引导电流的区域中需要电绝缘，以便避免短路。因此，在器件上侧上的金属镜的情况下，为了电绝缘，必须使用介电材料、即例如所谓的旋涂介电质、即例如有机介电材料、例如基于漆的介电质。附加地，在金属镜中得到老化效果。因为在此处描述的发光半导体器件中使用介电镜，所以能够弃用金属镜，这消除与其关联的老化风险。此外，也能够可行的是：例如通过基于漆的介电质弃用钝化部，这提供成本优势，其中以与此处描述的介电镜组合的方式，也能够使用基于漆的介电质。
根据另一实施方式，介电镜具有至少一种无机介电材料。特别地，介电镜能够具有折射率不同的至少两个介电层。介电镜在此尤其能够称作为所谓的布拉格镜、也称作为“分布式布拉格反射器”(DBR)，所述布拉格镜具有折射率不同的至少两个介电层的周期序列。例如，多对折射率不同的第一和第二层能够相叠设置。
根据另一实施方式，无机介电材料具有氧化物，所述氧化物例如借助于化学气相沉积(“chemical vapor deposition”，CVD)、物理气相沉积(“physical vapordeposition”，PVD)或原子层沉积(”atomic layer deposition”，ALD)施加在载体本体的上侧上。尤其优选地，无机介电材料具有选自氧化硅、氧化铝、氧化钛和氧化钽的一种或多种材料。介电镜的介电层具有如下层厚度、尤其光学层厚度，所述层厚度从要反射的波长和分别应用的材料的折射率中得出。尤其地，介电层能够具有为在发光半导体芯片中在运行时产生的光的波长的四分之一或四分之一的数倍的光学厚度。对于介电镜的宽带反射的效果，所述介电镜也能够具有复杂的层结构。
根据另一实施方式，发光半导体器件具有电的半导体构件。电的半导体构件尤其能够在横向方向上在发光半导体芯片旁边设置在载体本体中。尤其地，电的半导体构件能够连同发光半导体芯片一起设置在载体本体的成形体中。在此，具有侧面的电的半导体构件、如发光半导体芯片能够由成形体环绕成形，使得成形体形状配合地和直接地连接到电的半导体构件的侧面上，如在上文中针对发光半导体芯片描述的那样。
根据另一实施方式，电的半导体构件构成为二极管，尤其构成为保护二极管。尤其地，电的半导体构件能够用于保护发光半导体器件和尤其用于保护发光半导体芯片免受静电放电(“electrostatic discharge”，ESD)，进而构成为ESD保护二极管。这种ESD保护二极管与发光半导体芯片反并联连接，以便保护发光半导体芯片免受在发光半导体芯片的截止方向上的超压。
根据另一实施方式，电的半导体构件设置在介电镜下方。换言之，这表示：电的半导体构件在介电镜下方进而以由所述介电镜覆盖的方式设置在成形体中。
根据另一实施方式，介电镜设置在发光半导体器件的整个上侧上，即设置在载体本体的整个上侧上，其中仅发光半导体芯片的光耦合输出面或发光半导体芯片的光耦合输出面的一部分不具有介电镜。因此，介电镜在载体本体的上侧和发光半导体芯片的光耦合输出面的俯视图中能够在横向方向上至少部分地或完全地包围发光半导体芯片。如果发光半导体器件在发光半导体芯片的光耦合输出面上具有波长转换元件，那么介电镜能够相应地在横向方向上至少部分地或完全地包围波长转换元件。换言之，发光半导体芯片的光耦合输出面能够至少部分地未被介电镜覆盖。介电镜因此能够具有开口，所述开口设置在光耦合输出面之上，并且穿过所述开口，光耦合输出面在对其进行观察时至少部分可见。此外，整个光耦合输出面也能够不具有介电镜，使得介电镜中的开口至少具有与光耦合输出面相同的或更大的横截面。在此，横截面在光耦合输出面或镜的俯视图中呈光耦合输出面的形状或者介电镜中的开口的形状。
根据另一实施方式，在载体本体的上侧上设置有电连接元件，所述电连接元件将发光半导体芯片的光耦合输出面和电的半导体构件的上侧导电地连接。电连接元件尤其能够是金属层，所述金属层建立半导体构件的上侧和发光半导体芯片的光耦合输出面上的电接触元件之间的电接触。对此，电的半导体构件同样能够具有电接触元件、例如呈电极层形式的电接触元件，或是直接通过电连接元件接触的。尤其地，发光半导体芯片在光耦合输出面上并且电的半导体构件在上侧上分别具有电接触元件，其中电接触元件借助于电连接元件导电地彼此连接。电连接元件例如能够具有下述材料中的一种或多种：铜、镍、银、金、钯、钛、铝。
此外，在发光半导体器件的后侧上能够存在用于接触发光半导体芯片和电的半导体构件的电接触元件和/或连接元件，所述后侧与承载本体的上侧和发光半导体芯片的光耦合输出面相对置。例如，在发光半导体芯片的与光耦合输出面相对置的后侧面上能够存在电接触元件和/或电连接元件，所述电接触元件和/或电连接元件也能够部分地在载体本体的成形体之上延伸。在与电的半导体构件的上侧相对置的后侧上，同样能够存在电接触元件和/或电连接元件，所述电接触元件和/或电连接元件同样能够至少部分地在载体本体的下侧之上延伸。
根据另一实施方式，电连接元件设置在介电镜和载体本体之间。尤其地，电连接元件能够构成为金属层，所述金属层至少部分地直接设置在载体本体上、即尤其直接设置在成形体上。在此，此外能够尤其有利的是：电连接元件在横向方向上包围发光半导体芯片。在此尤其优选地，电连接元件能够覆盖载体本体的尽可能大的面积，例如至少70％或至少80％或至少90％，因为介电镜的反射作用能够通过电连接元件附加地提高。此外，电连接元件能够完全由介电镜覆盖，使得电连接元件不与环境接触并且由介电镜连同载体本体一起封装。由此能够可行的是：将下述材料用于电连接元件：所述材料能够与环境中的物质、例如氧气、湿气或其他有害物质反应进而退化。
根据另一实施方式，电连接元件从载体本体起观察设置在介电镜上。在该情况下，能够尤其有利的是：电连接元件尽可能少地覆盖介电镜上的面。电连接元件尤其能够在两个贯通接触部之间延伸，所述贯通接触部设置在电的半导体构件的和发光半导体芯片的相应的电接触元件之上。电贯通接触部尤其能够穿过介电层并且与电的半导体构件的上侧和发光半导体芯片的光耦合输出面、尤其与其上的电接触元件导电连接。
电贯通接触部例如能够具有在更上文中针对电连接元件描述的材料中的一种或多种或由其构成。
附图说明
其他的优点、有利的实施方式和改进形式从下面结合附图描述的实施例中得出。
附图示出：
图1A和1B示出根据一个实施例的发光半导体器件的视图的示意图，和
图2A和2B示出根据另一实施例的发光半导体器件的视图的示意图。
具体实施方式
在实施例和附图中，相同的、同类的或起相同作用的元件能够分别设有相同的附图标记。示出的元件和其相互间的大小关系不视为是合乎比例的，更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解，能够夸大地示出个别元件，即例如层、构件、器件和区域。
在图1A和1B中示出发光半导体器件101的一个实施例。在此，图1A示出贯穿发光半导体器件101的剖面图，而在图1B中示出发光半导体器件101的一部分的俯视图。
发光半导体器件101具有至少一个发光半导体芯片1，所述发光半导体芯片构建用于：在运行时产生光。对此，发光半导体芯片1具有含有源区域的半导体层序列，在所述有源区域中，在将电流馈入发光半导体芯片时产生光。此外，发光半导体芯片1具有光耦合输出面10，在运行时产生的光经由所述光耦合输出面放射。发光半导体芯片1的后侧面11与光耦合输出面10相对置地设置。光耦合输出面10和后侧面11形成发光半导体芯片1的两个主表面，所述主表面经由侧面12彼此连接。发光半导体芯片1在半导体层序列方面以及例如也在衬底方面如在上文中在概述部分中描述的那样构成。
在所示出的实施例中，在发光半导体芯片1的光耦合输出面10上设置有波长转换元件2，所述波长转换元件构建用于：将在发光半导体芯片1中在运行时产生的光的一部分转换成其他波长的光。由此，发光半导体器件101在运行时能够放射混合色的光，即例如白光。替选于所示出的实施例，光耦合输出面10也能够不具有波长转换元件。此外，也能够可行的是：对波长转换元件2附加地或替选地，一个或多个光学元件、即例如扩散层或透镜设置在光耦合输出面上。
此外，发光半导体器件101具有载体本体3，所述载体本体具有成形体4，所述成形体形状配合地且直接地覆盖发光半导体芯片1的侧面12。成形体4能够通过在上文中在概述部分中描述的成形工艺模制到发光半导体芯片1上并且例如具有硅酮、环氧化物或其他在上文中在概述部分中提出的材料。在所示出的实施例中，成形体4进而载体本体3具有对应于发光半导体芯片1的高度的高度，使得载体本体3的上侧30在发光半导体芯片1的光耦合输出面10处与所述发光半导体芯片齐平。替选于此，载体本体3的上侧30也能够设置在发光半导体芯片1的光耦合输出面10的上方或下方。换言之，载体本体3能够具有比发光半导体芯片1更大的或更小的高度，其中成形体4不覆盖光耦合输出面10。
在载体本体3的上侧30上施加有介电镜5，所述介电镜具有无机介电材料。特别地，介电镜5具有至少两个介电层50、51，并且在所示出的实施例中具有折射率不同的至少两个介电层50、51的周期序列。因此，介电层5构成为所谓的布拉格镜，其中各个介电层50、51的厚度和材料选择为，使得所述介电层共同地引起对在运行时在发光半导体芯片1中产生的光的尽可能高的反射性。介电镜5的介电层50、51例如能够具有选自下述材料的一种或多种材料：氧化硅、氧化铝、氧化钛和氧化钽。
介电镜5尤其大面积地设置在载体本体3的上侧30上并且在横向方向上包围发光半导体芯片1的光耦合输出面10。尤其地，介电层5如在图1A中示出的那样甚至能够延伸至波长转换元件2并且在横向方向上包围所述波长转换元件。因此，发光半导体芯片1的光耦合输出面10至少部分是空出的并且未被介电镜5覆盖。介电镜5具有开口，所述开口设置在光耦合输出面10上方，并且穿过所述开口在观察所述光耦合输出面时至少部分地可见光耦合输出面10或可能存在的波长转换元件2。此外，整个光耦合输出面10或整个波长转换元件2能够不具有介电镜5，使得在介电镜5中的开口至少具有与光耦合输出面10或波长转换元件2相同的或更大的横截面。
此外，发光半导体器件101在载体本体3中具有电的半导体构件6，所述电的半导体构件如发光半导体芯片1那样由载体本体3的成形体4包围。对此。成形体4模制到电的半导体构件6上，以及模制到发光半导体芯片1上并且形状配合地且直接地覆盖电的半导体构件6的侧面62。电的半导体构件6尤其构成为保护二极管，优选构成为ESD保护二极管。
为了电接触电的半导体构件6和发光半导体芯片1的后侧11、61，电接触元件13、63施加到所述电的半导体构件和发光半导体芯片上，所述电接触元件也还能够覆盖载体本体3的一部分。在光耦合输出面10上以及在电的半导体构件6的上侧60上，存在其他的电接触元件13、63。所述其他的电接触元件借助于电连接元件7导电连接，所述电连接元件设置在载体本体3的上侧30上。尤其地，在所示出的实施例中，构成为金属层的电连接元件7设置在介电镜5之下，即设置在载体本体3和介电镜5之间。对此，在图1B中，示出发光半导体芯片1的光耦合输出面10和载体本体3的上侧30的俯视图，在所述俯视图中，未示出介电镜5，使得电连接元件7作为最上方的层可见。位于电连接元件7下方的进而不可见的元件用虚线表明。
如尤其在图1B中可见的，电连接元件7优选覆盖载体本体3的上侧30的尽可能大的面积，由此，总反射率能够连同介电镜5一起进一步提高。电连接元件7尤其能够完全设置在介电镜5下方，并且在此如在图1B中可见的那样，例如从载体本体3的边缘区域缩回，使得电连接元件7由介电镜5保护防止环境气体影响。
为了电接触发光半导体器件的上侧、即尤其发光半导体芯片1的光耦合输出面10上的电接触元件7，电连接元件7也能够在介电镜5下方的子区域中伸出。此外，例如在介电镜5上能够存在其他的电接触元件，所述其他的电接触元件经由穿过介电镜5的贯通接触部与电连接元件7导电连接。
在图2A和2B中示出发光半导体器件102的另一实施例，即示出图1A和1B的实施例的修改形式。因此，下面的描述主要限于与之前的实施例的区别。
图2A和2B的实施例的发光半导体器件102与之前的实施例的发光半导体器件101相反地具有下述电连接元件7，所述电连接元件设置在介电镜5上，使得介电镜5在载体本体3和电连接元件7之间构成。为了电接触发光半导体芯片1和电的半导体构件6，存在电贯通接触部8，所述电贯通接触部穿过介电镜5并且所述电贯通接触部连同电连接元件7一起将发光半导体芯片1的光耦合输出面10和电的半导体构件6的上侧60上的电接触元件13、63彼此电连接。在该情况下尤其有利的是：呈金属层的形式的电连接元件7具有尽可能小的面积扩展，即尤其在图2B中的俯视图中示出的那样，所述图2B与图1B中的俯视图不同地示出具有介电镜5的发光半导体器件102的俯视图。在此，能够尤其良好地识别出：介电镜5在横向方向上包围波长转换元件2并且覆盖载体本体3上的尽可能的大的面积。
在附图中示出的实施例替选地或附加地能够具有其他在上文中在概述部分中描述的特征。
本发明不通过根据实施例进行的描述局限于此。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求或实施例中说明时也如此。

Claims (17)

1.一种发光半导体器件，所述发光半导体器件具有：
至少一个发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列、光耦合输出面(10)、与所述光耦合输出面(10)相对置的后侧面(11)和侧面(12)，所述侧面将所述光耦合输出面(10)和所述后侧面(11)连接；和
载体本体(3)，所述载体本体具有成形体(4)，所述成形体形状配合地且直接地覆盖所述发光半导体芯片(1)的所述侧面(12)，
其中所述载体本体(3)在所述发光半导体芯片(1)的所述光耦合输出面(10)上具有上侧(30)，在所述上侧上施加有介电镜(5)，其中所述光耦合输出面(10)至少部分地未被所述介电镜(5)覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述介电镜(5)具有至少一种无机介电材料。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述介电镜(5)构成为具有至少两个折射率不同的介电层(50，51)的周期序列的布拉格镜。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中在所述发光半导体芯片(1)旁边在所述载体本体(3)中设置有电的半导体构件(6)，所述电的半导体构件具有侧面(62)，所述成形体(4)形状配合地且直接地连接到所述侧面上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述电的半导体构件(6)是保护二极管。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述电的半导体构件(6)设置在所述介电镜(5)下方，并且由所述介电镜(5)覆盖。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中在所述载体本体(3)的上侧(30)上设置有电连接元件(7)，所述电连接元件将所述发光半导体芯片(1)的所述光耦合输出面(10)和所述电的半导体构件(6)的上侧(60)导电地连接。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述电连接元件(7)是金属层。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述发光半导体芯片(1)在所述光耦合输出面(10)上并且所述电的半导体构件(6)在上侧(60)上分别具有电的接触元件(13，63)，并且所述接触元件(13，63)借助于所述电连接元件(7)导电地彼此连接。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述电连接元件(7)设置在所述介电镜(5)和所述载体本体(3)之间。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述电连接元件(7)在横向方向上包围所述发光半导体芯片(1)。
12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中从所述载体本体(3)起观察，所述电连接元件(7)设置在所述介电镜(5)上。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述电连接元件(7)借助于穿过所述介电镜(5)的电贯通接触部(8)与所述电的半导体构件(6)的上侧(60)并且与所述发光半导体芯片(1)的所述光耦合输出面(10)导电地连接。
14.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述成形体(4)不覆盖所述光耦合输出面(10)。
15.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述介电镜(5)覆盖所述载体本体(3)的整个上侧(30)。
16.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中在所述光耦合输出面(10)上设置有波长转换元件(2)。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述介电镜(5)在横向方向上包围所述波长转换元件(2)。
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