CN106463462A - 基于底座的光发射器组件及其方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种基于底座的光发射器组件和相关的方法。在一些方面，光发射器组件包括陶瓷底座、被设置在该底座的第一侧上的至少第一对电迹线、被设置在该底座的第二侧上的至少第一对电接触、被设置在该底座的第一侧上的至少一个光发射器芯片以及围绕该至少一个光发射器芯片设置的非陶瓷反射器。第一对电接触被配置为与第一对电迹线电连通。至少一个芯片被配置为与第一对电迹线电连通。至少该反射器的一部分被配置为掩盖第一对电迹线的每根迹线的一部分。

Description

基于底座的光发射器组件及其方法
相关申请的交叉引用
本专利申请要求在2014年5月30日提交的美国专利申请No.14/292,331的优先权，其全部内容以引用方式并入本申请。
技术领域
本申请所公开的主题大体涉及光发射器组件及其方法。更具体地，本申请所公开的主题涉及基于底座的光发射器组件及相关方法。
背景技术
发光二极管(LED)或LED芯片为将电能转换为光的固态器件。LED芯片可以被用于可用于各种照明和光电应用的用于设置不同颜色和图案的光的光发射器组件或封装。光发射器组件可以包括可以被直接装配在底层电路组件或散热片(诸如印刷电路板(PCB)或金属芯印刷电路板(MCPCB))的表面上的表面贴装器件(SMD)。常规的SMD包括用塑料模制而成的引线框，其具有从塑料主体延伸的引线，并且引线被配置为直接装配到底层电路组件。SMD可以被用在各种LED灯泡和灯具应用中，并且逐渐发展为白炽光、荧光灯和金属卤化物高强度放电(HID)照明应用的替代品。
人们一直在寻求降低LED照明产品的成本的方法，以向客户设置更低的初始成本并鼓励他们采用LED产品。更加期望能够用更少的原材料组装元件，但该元件使用相同或更小的功率保持或增加亮度水平。
常规的SMD光发射器组件利用被装配在组件主体内的一或多个LED芯片。反射器腔与组件主体一体形成并且环绕LED芯片。通常，组件主体和反射器腔围绕电接触或引线模制而成。围绕引线框并形成反射器腔的单个模制组件主体可能既昂贵又耗时。
因此，尽管在市场上有可用的各种SMD光发射器组件，但仍存在可快速、高效和低成本制造的改进SMD组件及其方法的需要。在一些方面，基于改进的底座的SMD组件可以允许具有定制迹配置、定制反射器壁形状和/或大小、定制LED芯片连通性和/或定制光学元件的定制组件。此类组件可以是单芯片或多芯片组件，并可以使最终用户更容易从投资回报或投资回收率的角度来证明有理由更换到LED产品。
发明内容
根据本公开，本申请提供并描述了具有改进的可制造性和定制的基于底座的光发射器组件和方法。本申请所述的组件和方法可以有利地表现出改进的加工时间、易于制造和/或较低的加工成本。本申请所述的组件可以在面板上批量处理并且非常适合各种应用，诸如个人、工业和商业照明应用，包括例如灯泡和灯具产品和/或应用。
在一些方面，本申请所述的组件可以包括高反射底座和至少一个额外反射器。额外的反射器可以包括掩盖引线键合连接器、静电保护装置和/或用于提高亮度的导电迹线的反射壁或坝。因此，本公开的目的是提供基于底座的光发射器组件和方法，在一些方面，该光发射器组件和方法通过允许在面板上形成多个不同组件、但不会引起定做封装的费用。
本公开的这些目的以及从本申请的公开可以变的显而易见的其它目的至少全部或部分通过本申请所公开的主题得以实现。
附图说明
包括对于本领域的技术人员来说为最佳模式的本主题的完整和可行的公开在本说明书的剩余部分包括参考附图更详细阐述，其中：
图1A至1C为示出根据本公开的在分离之前的光发射器组件的面板或其部分的透视图；
图1D为根据本公开的图1C的剖面图；
图1E为示出根据本公开的光发射器组件的面板的透视图；
图2A至2D为示出根据本公开的分离的基于底座的光发射器组件的顶部透视图；
图2E至2H为示出根据本公开的基于底座的光发射器组件的剖视图；
图3A至3B为分别示出根据本公开的基于底座的光发射器组件的另一实施例的顶视图和底视图；
图4为根据本公开的组装了基于底座的光发射器组件的灯具；以及
图5为根据本公开的与基于底座的光发射器组件相关联的光学特性的图解说明。
具体实施方式
本申请所公开的主题涉及基于底座的光发射器组件及其方法，诸如基于底座的发光二极管(LED)组件及其方法。在一些方面，光发射器组件及其方法可为表面贴装设计(SMD)，但是本公开并不局限于SMD。本申请所设置的组件及其方法可以表现出改进的可制造性、增加的亮度，并且允许用于支持LED芯片的定制组件和允许其电连通性，而不会引起与定做陶瓷或塑料封装相关联的费用。
值得注意的是，基于底座的光发射器组件的各个底座可以从较大的材料面板(例如陶瓷基板)分离，并且允许多个不同和/或定制组件在该材料面板上形成。在一些方面，本申请所述的光发射器组件及其方法表现出改进的可制造性和改进的光反射。在光发射器组件从面板分离之前，光发射器组件可以在该面板上形成和批量处理。在一些方面，本申请所述的光发射器组件可以包括非金属底座材料，该非金属底座材料基本反射和基本不吸收从一或多个LED芯片发出的光。该组件可以包括为非陶瓷的额外的反射器，诸如反射坝或壁。
在一些方面，本申请的组件包括电接触或迹线，该电接触或迹线可以包括在底座的部分上面的最小表面积以减少对光的干扰。在一些方面，金属迹线与一或多个光发射器芯片(例如，LED芯片)分开并且可以靠近底座的最外边缘设置以减少对光的吸收干扰和/或潜在的堵塞。每根迹线可以被设置在反射器，诸如反射壁、“坝”或其它反射结构下面。
在一些方面，至少两根金属迹线或电接触的组合表面积的总量可以小于底座的顶部表面的总表面积的约80％、小于底座的顶部表面积的约60％、小于底座的顶部表面积的约40％、小于底座的顶部表面积的约10％或小于底座的顶部表面积的约20％。在一些方面，迹线并不暴露在底座的顶部表面上，而是被设置在反射器腔、壁或坝的下面。
现将详细参考本申请的主题的可能方面或实施例，其一或多个示例在附图中示出。所设置的每个示例用于解释本主题但不是为了起限制作用。实际上，作为一个实施例的一部分示出或描述的特征可以被用在另一实施例中以产生另外的实施例。本申请所描述和设想的主题旨在涵盖此类更改和变化。
如附图所示，出于说明目的，所设置的结构或部分的一些尺寸相对于其它结构和部分被夸大以说明本主题的总体结构。此外，本主题的各个方面参考在其它结构、部分或两者上形成的结构或部分来描述。本领域的技术人员应理解，参考在另一结构或部分“上面”或“上方”形成的结构假设另外的结构、部分或两者居于其间。
参考在另一结构或部分“上面”或“上方”形成但没有插置结构或部分的结构或部分在本申请中被描述为在该结构或部分上“直接”形成。类似地，应理解，在元件被称为“被连接到”、“附接到”或“耦接到”另一个元件时，那么它可以被直接连接、附接或耦接到另一个元件，或者可以存在插置元件。相反，如果元件被称为“被直接连接到”、“被直接附接到”或“被直接耦接到”另一个元件，则没有插置元件存在。
此外，相对术语，诸如“上”、“上方”、“上面”、“顶部”、“下面”或“底部”在本申请中被用于描述在附图中示出的一个结构或部分相对于另一结构或部分的关系。应理解，相对术语，诸如“上”、“上方”、“上面”、“顶部”、“下面”或“底部”旨在涵盖除了组件在附图中示出的取向之外的不同取向。例如，如果附图中的组件被翻转，则被描述为在其它结构或部分“上方”的结构或部分现在应被取向在其它结构或部分的“下面”。同样，如果附图中的组件沿轴线、被描述为在“上方”的结构或部分旋转，则其它结构或部分应被取向为“紧邻”其它结构或部分或在其“左侧”。相同的附图标号指的是整个附图的相同元件。
除非特别列出不存在一或多个元件，否则本申请所使用的术语“包括”、“包含”和“具有”应被解释为不排除存在一或多个元件的开放式术语。
如本申请所用，术语“通孔(through-hole)”、“通孔(thru-hole)”和/或“通孔(via)”是同义的并且指的是底座中的开口，其往往填充有和/或内衬有(例如，沿一或多个侧壁)允许在不同层、表面或组件的特征件之间存在导电管道或路径的导电材料。
如本申请所使用，“基于陶瓷的材料”或术语“基于陶瓷的”包括主要由陶瓷材料构成的材料，诸如由金属或类金属或非金属的化合物(例如，氮化铝、氧化铝、氧化铍、碳化硅)制成的无机、非金属材料。“基于非陶瓷的材料”主要由金属材料、有机(例如，聚合物)材料和/或可以被配制或模制的合成或半合成有机固体(例如，塑料)构成。
根据本申请所述的实施例的光发射器组件可以包括基于III-V族氮化物(例如，氮化镓(GaN))的LED芯片或激光体。LED芯片和激光体的制造通常是已知的并且只在本申请中简短描述。LED芯片或激光体可以在生长基板上制造，例如碳化硅(SiC)基板，诸如由北卡罗来纳州达勒姆的Cree公司制造和销售的那些器件。本申请也可以考虑其它生长基板，例如但不限于蓝宝石、硅(Si)和GaN。
虽然本申请所公开的LED芯片的各种实施例可以包括生长基板，但是本领域的技术人员应理解，包括LED芯片的外延层在其上面生长的晶体外延生长基板可以被去除，并且独立外延层可以被装配在替代载体基板或可以具有与初始基板不同的热、电、结构和/或光特性的基板上。本申请所述的主题并不局限于具有晶体外延生长基板的结构并且可以结合以下结构来使用：外延层已从它们的初始生长基板去除并被粘合到替代载体基板。
根据本主题的一些实施例的LED芯片例如可以在生长基板(例如，Si、SiC或蓝宝石基板)上制造以设置水平装置(在LED芯片的相同侧上具有至少两个电接触)或垂直装置(具有在LED芯片的相对侧上的电接触)。此外，生长基板可以在制造之后被保持在LED芯片上或被去除(例如，通过蚀刻、碾磨、抛光等)。例如，可以去除生长基板以减小所得到的LED芯片的厚度和/或跨垂直LED芯片的转发电压。水平装置(具有或不具有生长基板)，例如，可以为被粘合到(例如，使用焊料)载体基板或印刷电路板(PCB)的倒装芯片(flip chip)，或为引线键合(wirebonded)的。垂直装置(具有或不具有生长基板)可以具有被焊料粘合到载体基板、安装垫或PCB的第一端子(例如，阳极或阴极)以及被引线粘合到载体基板、电气元件或PCB的第二端子(例如，相对阳极或阴极)。
垂直和水平LED芯片结构的示例以示例的方式在Bergmann等人在美国专利公布号2008/0258130和Edmond等人在2010年9月7日公布的美国专利号7,791,061中论述，上述公开的全部内容以引用的方式并入本申请。
一个或多个LED芯片可以用一或多种荧光粉进行至少部分涂覆。荧光粉可以吸收来自LED芯片的光的一部分并以不同波长发出光，使得光发射器组件发出来自每个LED芯片和荧光粉的光的组合。在一个实施例中，光发射器组件发出来自LED芯片和荧光粉的光发射组合所产生的被感知为白光的光。在根据本主题的一个实施例中，白光发射组件可以由以蓝色波长光谱发射光的LED芯片和吸收一些蓝光并以绿色、黄色和/或红色波长光谱再次发出光的荧光粉构成。因此，该组件可以发出跨可见光谱的白光组合。在其它实施例中，LED芯片可以发出蓝色和黄色光的非白色光组合，如在美国专利号7,213,940中所述。本申请也设想发出红色光的LED芯片或涂覆荧光粉(吸收LED光并发出红色光)的LED芯片。
可以使用许多不同的方法用荧光粉涂覆LED芯片，其中一种合适的方法在名称均为“Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated UtilizingMethod(晶圆级荧光粉涂覆方法及利用该方法制造的器件)”的美国专利申请号11/656,759和11/899,790中有描述，这两个美国专利申请的全部内容通过引用被并入本申请。用于涂覆一或多个LED芯片的其它的合适方法在2011年11月15日公布的名称为“PhosphorCoating Systems and Methods for Light Emitting Structures and Packaged LightEmitting Diodes Including Phosphor Coating(荧光粉涂覆系统和用于包括荧光粉涂层的发光结构和封装发光二极管的方法)”的美国专利号8,058,088以及名称为“Systems andMethods for Application of Optical Materials to Optical Elements(用于向光学元件敷用光学材料的系统和方法)”的部分继续申请美国专利申请号12/717,048中有描述，上述公开的全部内容通过引用被并入本申请。LED芯片也可以使用其它合适的方法，诸如电泳沉积(EPD)来涂覆，其中，合适的EPD方法在名称为“Close Loop ElectrophoreticDeposition of Semiconductor Devices(半导体器件的闭环电泳沉积)”的美国专利申请号11/473,089中有描述，该专利申请的全部内容也通过引用被并入本申请。
应理解，根据本主题的光发射器组件及其方法也可以具有不同颜色的多个LED芯片，其中的一或多个LED芯片可以发出白光。
图1A至5示出如在本申请公开和描述的根据本主题的基于底座的光发射器组件和相关方法的实施例。在一些方面，基于底座的光发射器组件包括SMD组件，该SMD组件被适配连接到电路、线路、散热片和/或导电或导热表面的部分。图1A至1E示出的基板或面板的一部分(通常被命名为P)，一个或多个单独的基于底座的光发射器组件(例如，图2A至2H中的30)可以从该基板或面板分离、分开和/或以其它方式物理隔离。多个基于底座的SMD光发射器组件(例如，图2A至2H中的30)可以在面板P上面形成。在一些方面，因为定制组件可以很容易设置在面板P上面，所以面板P和其底座部分形成本申请中的新颖的SMD光发射器组件的基础材料。值得注意的是，多个光发射器组件可以在面板P上面形成和/或批加工，并随后从面板P上分离。然后，可以基于电气和/或光学特性对组件进行分类并被装运给客户或消费者。
在一些方面，面板P包括具有任何合适的长度和宽度的基板，诸如例如但不限于约4英寸(”)的长度L1，诸如例如约2英寸的宽度W1(例如，4”x2”)，使得约120个具有约5mm x5mm的单独底座的发射体组件(例如，图2A中的32)可以在该基板上形成和/或从其分离。在其它方面，面板P为约5英寸(“)的长度L1和/或宽度W1、约4英寸的长度L1和/或宽度W1、约3英寸的长度L1和/或宽度W1，或约2英寸的长度L1和/或宽度W1。然而，可以设置任何大小和/或形状的面板P。任何大小和/或数量的光发射器组件可以在面板P上形成并从该面板P分离。每个光发射器组件(例如，图2A至2H中的30)可以包括每边大于或小于5mm(即，每边10mm、每边8mm、每边7mm、每边4mm、每边3mm或小于每边3mm)的单独底座(例如，图2A中的32)。也可以分别设置非矩形或非正方形面板和组件。
在一些方面，面板P可以另外包括任何合适的高度或厚度，诸如例如在约0.3mm和2.0mm之间的厚度T1。例如，在一些方面，面板P包括约1mm或更小、约0.8mm或更小或约0.5mm或更小的厚度。在一些方面，面板P约为0.635mm厚。在其它方面，面板P约为0.35mm厚或更厚。如上所述，可以设置任何大小和/或形状的面板P。
在一些方面，面板P包括非金属材料，诸如被配置为提高光提取和反射的白色、银色或透光的基于陶瓷的材料。面板P可以包括高反射铝氧化物(例如，氧化铝或Al2O3)或氮化铝(AlN)面板，该面板具有反射粒子分散在其中。面板P也可以包括任何合适的氧化物陶瓷，诸如锆氧化物或氧化锆(ZrO2)或混合物或氧化锆和/或氧化铝合金的混合物、复合物。面板P可以包括基于粉末(例如，“绿色”)的陶瓷，其在附接到一或多个LED芯片(图1B中的14)之前被挤压和焙烧。面板P可以包括至少一个大体平坦或大体平的表面，一或多个LED芯片(图1B中的14)可以被支撑、装配和/或附接在该表面上。
值得注意的是，本申请所公开的光发射器组件可以被批形成和/或批加工，从而同时形成多个基于底座的并且以降低成本设置的和/或具有改进的可制造性的定制封装。例如，在分离为单独的光发射器组件之前，面板P可以设置有定制光发射器(例如，LED芯片的定制的大小、形状、颜色、数量和/或导通性)、迹线(例如，其定制的大小、形状和/或布置)、反射器(例如，其定制的大小、形状、材料、颜色、布置)和/或光学元件(例如，定制的形状、大小、布置、圆顶高度等)。LED芯片、迹线、反射器和/或光学元件的方面可以被定制以设置可根据客户和/或消费者要求在各种电气和/或光学规格工作的光发射器组件。
在一些方面，面板P对可见光为高反射的(例如，大于约90％)并设置热传导以及机械支撑。在一些方面，非金属和/或含有Al2O3的陶瓷材料表现出此类有利的质量。因此，面板P(即，及其在图2A中的底座32)可以包括基于陶瓷的含有Al2O3的材料主体。
在一些方面，面板P可以包括从低温共烧陶瓷(LTCC)材料或高温共烧陶瓷(HTCC)材料以及相关工艺浇筑而成的陶瓷主体。在一个实施例中，面板P可以从薄绿色陶瓷带材浇筑并随后焙烧。在使用的情况下，陶瓷带材可以包括本领域中已知的任何陶瓷过滤材料，例如，面板P可以包括玻璃陶瓷，诸如具有0.3至0.5的重量百分比的玻璃料的Al2O3或氮化铝(AlN)。在陶瓷带材被焙烧时，玻璃料可以被用作该陶瓷带材内的粘结剂和/或烧结抑制剂。
在一些方面，绿色陶瓷带材可以通过浇筑一层厚的玻璃料、陶瓷填料、一种或多种额外的粘结剂和挥发性溶剂的浆料分散而形成。浇筑层可以在低温加热以去除挥发性溶剂。绿色陶瓷带材面板P可以有利地包括任何期望的厚度，从而有助于在需要的情况下尺寸更薄。
面板P可以另外包括被包含在其中的各种光散射粒子中的任一种。合适的光散射粒子的示例可以例如包括Al2O3、TiO2、BaSO4、ZrO2和/或AlN的粒子。面板P可以通过可购自总部在科罗拉多州戈登(Golden)的CoorsTek公司的薄膜或厚膜加工技术及该公司的产品来制造。此类面板P可选地可以与其它材料(例如，氧化锆、ZrO2)一起焙烧以进一步提高光学和机械特性。在面板P被焙烧和/或烧结后，LED芯片14可以被安装到面板P上。
在一些方面，面板P类似于在2007年10月31日提交的美国实用新型专利申请号11/982,275和/或在2010年4月9日提交的美国实用新型专利申请号12/757,891中所述和/或使用在上述实用新型专利申请中所述的方法来设置。上述每个参考文献的全部内容通过引用并入本申请。
参考图1A，多个电接触，诸如导电迹线10可以被设置在面板P上面。在一些方面，多根迹线10包括用于向LED芯片(图1B中的14)设置电流的多对电接触(例如，阳极/阴极对)。迹线10包括设置在面板P上的导电材料，诸如金属或金属合金的面积。迹线10可以通过喷镀、电镀、化学镀、沉积(例如，化学、等离子体、蒸汽和/或物理沉积)、光刻处理、光致抗蚀剂处理、模板印刷和/或任何其它合适的工艺或技术沿面板P的顶部表面设置。迹线10可以为薄的，并且可以可选包括一层或多层的材料。迹线10可以但不必靠近从面板P形成的底座的最外区域设置，并且可选地用反射器或反射材料涂覆(例如，图1C中的反射壁18)。迹线10的大小、形状、数量、位置、厚度和/或材料可以被定制以用于各种照明应用。反射材料或反射器可以靠近底座的边缘设置。
通常被命名为12的导电通孔可以被设置在面板P的部分内。在图1A和1B中，与面板P相比，通孔12是相对小的，并且出于说明目的以黑色显示。通孔12更容易在图2A至2D中看到。通孔12可以包括贯穿面板P和/或在其内部延伸的多个开口、小孔和/或孔洞。通孔12可以但不必相对于面板厚度T1的垂直轴线垂直对齐或平行于该轴线。通孔12可以填充有和/或电镀有导电材料，使得顶部触点或迹线10可以与底部触点或迹线(例如，图2C的36和38)电连通。底部迹线(例如，36和38)可以被附接到面板P的背面上，该背面与设置LED芯片14的表面相对。在分离单独的器件30之前，多个底部迹线(例如，36和38)可以被设置在面板P上。
通孔12可以通过蚀刻、钻孔、刻图(scribing)、冲压在面板P中形成、在绿色陶瓷带材中形成或以其它方式形成，使得该通孔在内部贯穿并在面板P的一部分内延伸。在一些方面，通孔12可以通过激光钻孔已焙烧的HTCC面板P而形成。
现参考图1B，一个或多个LED芯片14可以设置在面板P上面并由其支撑。LED芯片14可以与一或多根迹线10间隔开。在一些方面，每个LED芯片14可以与其或其周围具有间隙，使得没有金属迹线靠近该芯片。这可以提高由LED芯片形成的光发射器的反射和亮度。在一个示例中，迹线10可以距最近的LED芯片14一定距离，使得在LED芯片14的至少100μm或更大距离内没有金属迹线。
在一些方面，至少一个LED芯片14被设置在每对迹线10之间。在一些方面，多个LED芯片14被设置在每对迹线10之间。LED芯片14可以彼此电连接并经由键合引线(wirebonds)16在迹线10之间串联连接。在其它方面，LED芯片14可以经由键合引线16被直接引线键合到迹线10并在两者之间电并联连接。可以在面板P上面设置LED芯片14的任何期望的连通性，包括串联和并联连接芯片的组合。设置在迹线10之间的LED芯片14的大小、形状、结构、颜色、数量和/或连通性可以被定制以用于各种照明应用。也可以设置LED芯片14和荧光粉/荧光体的各种组合，以用于设置从形成在面板P上面的光发射器发出的期望颜色和光。
在一些方面，每对迹线10可以包括相反电极性的第一和第二电接触，用于使电流流入和流出一或多个LED芯片14从而引起其照明。在一些方面，迹线10可以被完全设置在面板P的顶部表面上并且彼此并与LED芯片14间隔开。在一些方面，LED芯片14可以经由键合引线16电连通至迹线10。图1A至1B示出设置面板P、在面板P上设置迹线10、将LED芯片14附接至面板P并将LED芯片14彼此引线键合和/或至迹线10引线键合。LED芯片14可以通过粘合剂、焊料、助焊剂、金属、环氧树脂、硅树脂或任何其它附接方法和/或材料被附接到面板P或面板P的一部分。
在一些方面，面板P是反射性的并且包括从LED芯片14发出的光的主反射器。如图1C所示，可以在面板P上面设置、布置和/或形成额外的反射器或反射结构。额外的反射器和/或反射结构可以被设置在一或多个LED芯片14附近。值得注意的是，反射器或反射结构可选地可以设置在每根迹线10的部分上面以改善从面板P分离的组件(例如，图2A的30)的光的反射和/或防止光经由迹线10被吸收或堵塞。
在一些方面，反射器包括反射坝、结构或壁18，其包括通过工具或分配器D1分配的反射材料。在一些方面，多个反射壁18被分配在面板P上面和键合引线16的一部分上面。反射壁18也可以被分配在迹线10上面并覆盖迹线10。多个壁18可以在面板P上相交并形成壁网络，在壁之间可以设置有光学填料或填充材料(例如，图1E的22)。反射壁18也可以被分配在一或多个静电保护器件(即，图2A的ESD器件34)上面。反射壁18可以相交以用于在从面板P分离的相邻器件或组件之间形成壁或坝。在一些方面并且在分离后，反射壁18被切割、锯切或以其它方式暴露，以用于形成独立光发射器组件的外部表面或壁。
在一些方面，反射壁18可以包括颜色大体为白色或银色的反射材料。反射壁18可以包括非必须的或可挤压的非陶瓷和非金属材料。在一些方面，反射壁18为聚合物和/或塑料。在一些方面，反射壁18可以包括硅树脂矩阵或具有热解法二氧化硅的环氧树脂以及一或多种粘结剂、填料和/或分配在其中的反射粒子。反射粒子可以包括二氧化钛(TiO2)、过氧化锌(ZnO2)、二氧化硅(SiO2)或氧化锆(ZrO2)粒子。在其它方面，反射壁18对于发射光而言是至少部分透光的。反射壁18可以可选涂覆有和/或含有分配在其中的光学转换材料，诸如荧光体或荧光粉。
图1D为面板P的一部分和图1C中的反射壁18的剖面图。如图1D所示，反射壁18可以被设置为相对于面板P垂直设置的各种厚度或高度。例如，壁可以沿其纵向方向被分配在至少第一高度H1和第二高度H2。在一些方面，第一高度H1为总(例如，非重叠高度)高度以及第二高度H2为靠近交叉点或交点20的每个壁18的高度。在一些方面，第二高度H2等于第一高度H1的约一半，使得壁18(例如，甚至在重叠部分)跨面板P的高度大体保持一致。
在交点20，至少两个壁18的部分重叠或相交。第一高度H1可以为任何合适的高度，诸如例如在约0.2和1.2mm之间的高度。第二高度H2可以具有第一高度的约一半，或在约0.1和0.6mm之间的任何高度。在一些方面，第一高度H1约为0.7mm以及第二高度H2约为0.35mm。反射壁18可以在大体正交壁18之间的交点20被分配为至第二高度H2，使得在交点20的至少两个相交壁的总高度(例如，2x H2)并未超出或明显超出H1。即，在至少两个壁18相交的交点20处，每个壁18被分配为第二高度H2使得跨反射壁18的相交部分和非相交部分的大体一致的高度得以实现。在一些方面，第一高度H1的非重叠壁和由重叠壁组成的交点20、第二高度H2中的每者(例如，2个壁x H2)是大体一致的，并且可改变小于约0.1mm、小于约0.05mm或小于约0.01mm。
仍然参考图1D，反射壁18也可以包括任何合适的厚度T2。在一些方面，每个壁的厚度T2可以包括在约0.2和2.0mm之间的任何值，然而，可设置任何厚度T2。例如，壁厚T2可以为约2.0mm或更小、约1.0mm或更小或0.5mm或更小。
现参考图1E，通常被命名为22的填充材料可以被设置在面板P上面并且保留通孔壁18。在一些方面，填充材料22经由分配工具或分配器D2被分配在至少两个相对壁18的部分之间。在一些方面，填充材料可以被模制和固化。填充材料22可以包括用于产生光的某些形状、颜色和/或光束图案的光学元件。填充材料22可以包括平坦表面、曲面、圆顶面和/或它们的组合。在一些方面，填充材料22包括封装剂，封装剂的至少一部分被置于面板P的与装配LED芯片14的面相同的面上，和/或与放置迹线10的面相同的面或表面上。在一些方面，填充材料22在面板P的顶面上直接和/或间接形成，并且置于至少一个LED芯片14上面。由填充材料22组成的透镜、圆顶透镜或光学元件的阵列可以被分配和/或置于面板P和LED芯片14的对应阵列上。在一些方面，迹线10和LED芯片14被设置在面板P的正面上，并且SMD触点(例如，图2C的36、38)被设置在面板P的相反背面上。
值得注意的是，在一些方面，填充材料22包括非模制光学元件。填充材料22可以包括硅树脂基体、封装剂或塑料材料，其可以被直接置于或分配在面板P上面而不会引发与重叠模制透镜相关联的时间或费用。填充材料22可以被分配至壁18之间的任何高度，并且可以包括大于或小于第一高度H1(图1D)的高度。在从面板P分离独立的器件或组件之前，填充材料22可以被分配和可选地被固化。在一些方面，填充材料22可越过并往往覆盖壁18的顶部和/或侧面。
填充材料22可以设置各个光发射器组件的环境和机械保护(例如，图2A的30)。在一些方面，可选的光学转换材料层，诸如荧光粉或荧光体可以被直接敷用在一或多个LED芯片14和/或填充材料22的一或多个表面(例如，内表面、外表面、上表面或下表面)上面以用于产生冷和/或暖白光输出。在一些方面，光学转换材料被均匀或非均匀分配在填充材料22内。光学转换材料可以包括一或多种荧光粉或荧光体(例如，黄色、红色和/或绿色荧光粉)，其由从一或多个LED芯片14发出的光激活。在一些方面，设置光学转换材料，在填充材料22为液态形式并在填充材料22固化时被固定在该光学转换材料中。
图1E中的虚线示出分开或分离线“S”，通常被命名为30的各个发光器件或组件可以沿着该分开或分离线彼此分离或分开。各个组件30可以经由锯切、切断、切片、剪切、刻图、加工、切割、研磨、激光切割、和/或它们的组合彼此分开。值得注意的是，分离线S通过反射壁18的部分延伸，使得在分离时，反射壁18被切成一半，以用于形成一或多个独立光发射器组件30的内壁和外壁。反射壁18可以在面板P上面以任何位置、形状和/或取向来分配。
多个光发射器组件30可以经由面板P上面的批量处理来形成并易于制造。批量处理可以包含沉积迹线、裸片附接(die attaching)、引线键合、分配/形成壁18、分配/形成由填充材料22组成的光学元件、固化和/或分离。图1A至1E示出设置面板P、在面板P上面设置迹线10、将LED芯片14附接至面板P、将LED芯片14彼此引线键合和/或引线键合至迹线10、在面板P上面并围绕一或多个LED芯片14设置反射器或反射壁、在一或多个相对壁18之间设置填充材料22并从在面板P上形成的多个组件分离单独的组件30。
图2A至2H示出分离的、单独光发射器组件30的各方面。值得注意的是，组件30不存在被封入模制塑料内的昂贵引线框，而是利用薄的导电迹线10，其可以就大小、布置、布局和/或相对于LED芯片14和底部触点的电气配置来定制(例如，图2D的36和38)。各个光发射器组件30中的每个可以包括独立的底座32，LED芯片14被设置在该底座上面，其中，每个底座32为面板P的一部分，其在分离过程期间从面板P分离(例如，锯切、切片、激光切割、剪切、切断等)。底座32可以包括任何大小、形状和/或横截面形状。出于解释目的，示出具有大体矩形横截面形状的大体正方形形状，然而，可以设置任何其它非正方形和非矩形的形状。
值得注意的是，多个组件30形成在面板P的相应底座32上。面板P和相应的底座32可以包括定制的SMD类型发射体组件的基础材料或本申请所述的封装。例如，在一些方面，可以设置单个或多芯片组件，可以设置具有任何大小、形状和/或图案的迹线的组件以及可以在面板P上面和/或面板P的部分周围以及相应底座32的上面设置具有相同或不同颜色的LED芯片的组件。定制反射腔(例如，由壁18组成)也可以围绕LED芯片14形成，这可以有利地增加每组件30的亮度和光提取。可以设置多个不同的自定义组件而无需制造定制成型/挤压/焙烧陶瓷反射壁和/或定制模塑引线框组件的费用。
仍然参考图2A，组件30可以包括设置在高反射底座32上面的一或多个相对反射壁18。反射壁18可以包括由反射硅树脂或塑料材料组成的第二反射器并且可以在分离期间被锯切。因此，也形成组件30的外表面的反射壁18的外表面可以是大体平坦的、垂直的和/或平滑的。然而，也可以设置曲面的壁18。如较早所指出的，填充材料22被保留在反射壁18内和/或由反射壁保持。在图2A中，置于反射壁18和填充材料下面的特征件以如同表示此类特征件的虚线指示，但是此特征件可能不能从组件30的外面看到。例如，多个LED芯片14可以在迹线10之间串联和/并联电连接。每个组件30设置至少一对迹线10，其中，第一迹线10为阳极以及另外的第二迹线为阴极。迹线10经由键合引线16向芯片提供电流。值得注意的是，迹线10和至少一些键合引线16可以部分或完全设置在反射壁18下面和/或反射壁18内。每个光发射器组件也可以设置不止一对迹线，如下面参考图3A和3B所述。
底座32包括面板P的一部分，并因此包括非金属材料。在一些方面，底座32包括基于陶瓷的材料，诸如透光的、半透光的、不透光的或以其它方式形成的用于最大化光提取和反射的高反射陶瓷材料。在一些方面，根据本申请所述的任一实施例的底座可以具有期望的导热率。例如但不限于，底座32可以具有大于约5W/mK的导热率、大于约10W/mK、大于约50W/mK、大于约100W/mK、大于约150W/mK或大于约200W/mK的导热率。在更具体的方面，底座32的导热率可以为约20W/mK(+或-5W/mK)，诸如在底座包括氧化铝时，或底座的导热率可以为约170W/mK(+或–5W/mK)，诸如在底座包括AlN时。
组件30可以另外包括至少一个ESD保护装置34，其经由一或多个键合引线16被电连接到迹线10。ESD保护装置34相对于LED芯片14反向偏置。ESD保护装置34可以包括被反向偏置或以相反极性电连接到LED芯片14的垂直器件。ESD保护装置34可以例如包括垂直硅(Si)齐纳二极管、双背对背齐纳二极管、并联布置并被反向偏置到LED芯片14的不同的LED芯片、表面安装变阻器和/或横向Si二极管。
ESD保护装置34可以使用任何已知的材料和/或技术来安装。ESD保护装置34可以小于LED芯片14，使得其并不覆盖底座32的表面的过量面积并且被反射壁18覆盖，以便其并不堵塞和/或吸收显著量的光。ESD保护装置34可以通过设置除了LED芯片14之外的电流的另外路径来防止ESD事件的过量电流流过组件30。值得注意的是，迹线10和ESD保护装置34可以被限制以免在底座32的最外边缘，使得每个底座终止于反射壁18的部分的下面或内。从ESD保护装置34和/或LED芯片14延伸的键合引线16终止于反射坝或反射壁18的部分的下面和/或其内。换句话说，组件30包括SMD，其中，电迹线10、键合引线16和/或ESD保护装置34被反射壁18(例如，完全或至少部分)掩盖和/或在该反射壁内。迹线10也经由反射壁18完全掩盖或经由填充材料22覆盖。组件30不存在在其顶表面上的未被覆盖的迹线10。
图2B更详细示出底座32、迹线10和ESD保护装置34。通孔12也更容易看得到，并且被示为在底座32内部延伸。通孔12的内部部分以虚线示出，因为它们从底座32的外面是不可见的。
在一些方面，底座32可以包括约5mm x 5mm的长度L2和宽度W2或约25mm2的表面积。然而，如上所述，可以设置底座32的任意大小和/或形状(例如，L2或W2约为10mm或更小，L2或W2约为7mm或更小，L2或W2约为5mm或更小，或L2或W2约为3mm或更小等)。底座32可以为任何厚度T，诸如在约厚0.35和1.0mm之间。在一些方面，T约为0.6mm或0.635mm。根据需要，底座32也可以为大于1.0mm(例如，2.0mm、3.0mm等)。
在一些方面，迹线10具有相对于底座32的顶部表面积的小的表面积。例如，合在一起的迹线10的总表面积可以小于底座32的表面积的约一半(50％)(例如，小于约12.5mm2的总表面积)、小于底座32的表面积的约40％(例如，小于约10mm2的总表面积)、小于底座32的表面积的约30％(例如，小于约7.5mm2的总表面积)、小于底座32的表面积的约20％(例如，小于约5mm2的总表面积)、小于底座32的表面积的约10％(例如，小于约2.5mm2的总表面积)或小于底座32的表面积的约5％(例如，小于约1.25mm2的总表面积)。
迹线10可以包括一或多层的铜(Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、银、化学镀银(electrolessAg)、金、化学镀镍浸金(ENIG)、锡、钯(Pd)、电解或浸金或另外其它材料(可以经由任何合适的工艺，诸如例如沉积工艺、诸如物理或等离子体沉积、喷镀、电子束或电镀和/或化学镀工艺处理)。不同的金属层可以彼此层叠地应用或涂覆。例如，钛层可以被直接沉积在底座32上面并且可以用一或多层的银和铜涂覆。在其它方面，不同和/或另选的金属层可以被敷用在底座32上面。在一些方面，迹线10包括至少一层的反射银，其可以是单独的银或与钛、镍、铜和/或金组合。
如图2C所示，在一些方面，组件30包括设置在底座32的底表面上的第一和第二电接触36和38。第一触点36和第二触点38经由绝缘构件40彼此分开，该绝缘构件40由电绝缘材料构成。触点36和38包括SMD垫或触点，其被配置为与外部电路电连通并且可选地与外部散热片热连通。在一些方面，电路也为散热片。在其它方面，散热片和电路可以包括分开的组件。
第一触点36和第二触点38可以通过一或多个内部设置的通孔(thru-hole)或通孔(via)12电连通至迹线10或与该迹线电连通。根据如何被放置在面板内(例如，图1A)以及面板如何被细分为单个的底座，通孔12可以在底座32的一部分内部延伸。例如，如图所示，通孔12可以完全在底座32内部、完整无缺地和/或完整被包含在底座32的部分内，或在其它方面，通孔12可以被分配和暴露，使得它们沿底座32的一或多个外边缘设置。通孔12可以包括用于在第一顶触点36、第二顶触点38和相应迹线10之间传送电流的管道。因此，通孔12也包括用于在组件30内从LED芯片14传送电流和将电流传送至LED芯片14的管道。
在一些方面，第一触点36和第二触点38可以包括金属主体或导电材料的部分，其可以经由粘合剂、焊料、胶水、环氧树脂、糊剂、硅树脂或任何其它的材料被附接到底座32。在其它方面，第一触点36和第二触点38可以包括可以被挤压为绿色陶瓷带材然后与底座32共烧的金属主体或材料部分。在其它另外的方面，第一触点36和第二触点38可以经由被丝网印刷在HTCC面板P上的导电糊剂(例如，图1A-1E)被敷用至底座32并被焙烧。在其它方面，可以使用导电银糊剂。
图2D示出在组件30内的LED芯片布置的一个实施例。LED芯片14在图2D中示意性示出，其中，阳极被命名为“+”符号以及阴极被命名为“-”符号。因此，LED芯片14包括水平芯片，其正和负触点被设置在其上表面上。可以设置其它芯片结构，该其它芯片结构在底部或具有顶部/底部触点的垂直芯片上包含触点。每个LED芯片14可以包括大体直线切割的侧面或斜(例如，倾斜或倾斜)侧面并且可以包括任何形状、大小、尺寸、结构、构造和/或颜色。在一些方面，LED芯片14可以包括生长基板或载体基板，例如包括蓝宝石或由蓝宝石构成的基板。如图2D所示，LED芯片14可以被串联连接在迹线10之间。LED芯片14也可以被并联连接在迹线10之间。如图2D所示，串联连接的LED芯片14串可以被并联连接在迹线10之间。
在一些方面，在迹线10之间只可以设置单个LED芯片14。然而，在其它方面，多个芯片14可以被设置在迹线10之间的底座32上面和/或由其支撑，以用于实现比由单个芯片发出的亮度更高的亮度。LED芯片14可以靠近底座32的中心设置和/或跨底座32的表面积的至少30％、40％、50％或不止60％分布。LED芯片14可以彼此等距离或以任意间距设置。在一些方面，LED芯片14彼此间隔开至少约50μm或更多、至少约100μm或更多、至少约200μm或更多、至少约300μm或更多、至少约400μm或更多或间隔不止500μm。在一些方面，LED芯片彼此间隔开约190μm。
在一些方面，如图2D所示，LED芯片14可以与迹线10间隔开至少距离D。距离D可以至少约100μm或更多、至少约200μm或更多、至少约300μm或更多或不止500μm。在一些方面，距离D约为320μm。不止100μm的距离D是有利的，因为可以增加光反射器(诸如高反射底座32和壁18)的可用表面积和/或空间，从而提高每组件30的光提取和/或亮度。
在设置的情况下，多个LED芯片14可以被配置为发出相同颜色的光或不同颜色的光。LED芯片14可以被配置为发出主要为蓝色、蓝移黄(BSY)、青色、绿色、红色、黄色、橘红色、橙色、琥珀色和/或白色的光。可以任意设置LED芯片14的颜色。LED芯片14可以被配置为激活被布置在或直接在LED芯片14上面和/或在壁18的一部分的上面和/或其内和/或填充材料22内(图2A)的黄色、红色和/或绿色荧光粉，以用于产生冷和/或暖白光输出。
在另外的实施例中，一或多个主要为红色的LED芯片14可以被包含在发射体组件30中并且可以单独使用和/或与一或多个BSY芯片14组合使用。在一些方面，红色LED芯片14也可以可选地被设置在荧光粉、封装剂、或具有荧光粉层和/或均匀分配的荧光粉的填充材料22(图2A)下面，以混合产生暖白光输出。
LED芯片14可以包括任何大小和/或形状。LED芯片14可以大体为正方形、矩形、规则的、不规则的或非对称的形状。在一些方面，在使用多个LED芯片104的情况下，LED芯片14可以例如包括至少一边(例如，长度或宽度)的量度约为2000μm或更小，诸如约1000μm或更小、约900μm或更小、约700μm或更小、约600μm或更小、约500μm或更小、约400μm或更小、约300μm或更小、约200μm或更小、约100μm或更小和/或它们的组合的占用面积。可以任意设置LED芯片14的尺寸。
LED芯片14的大小和/或数量可以根据组件30的期望输出或可操作性而改变。图2D示出18个LED芯片14，然而，可以设置多于或少于18个芯片。例如，可以设置50个芯片、可以设置24个芯片、可以设置16个芯片、可以设置12个芯片、可以设置8个芯片等。组件30被配置为在任何合适的电压(例如在约3伏(V)和72V之间)下工作。即，组件30可以被配置带有指定性能数量、大小和/或布局的LED芯片14、通孔12和/或顶部/底部触点36和38以用于在3V、9V、12V、18V、24V、36V、48V和/或72V下工作。
组件30被配置为传输至少50流明每瓦(LPW)或更多、至少100LPW或更多、至少110LPW或更多或不止160LPW。
在一些方面，组件30被配置为发出具有在黑体轨迹上的基准点的白光(例如，1931CIE色度图)，其具有小于或约等于5000K、小于或约等于4000K、小于或约等于3500K、小于或约等于3000K或小于或约等于2700K的色温。在一些方面，组件30的组合发射示例为至少70、至少75、至少80(例如，82或85)或至少90或更多的显色指数(CRI Ra)值。
图2E至2H为光发射器组件30的剖面图。剖面图示出各种不同类型、大小和/或形状的定制反射器，诸如反射壁18。壁可以被定制以用于性能、可操作性和/或用在各种光应用中。
图2E示出具有大体正方形横截面的反射壁18A的组件30。各个组件30在从陶瓷面板(例如，图1E中的P)分离之前在该面板上面构造和批量处理。在分离期间，被分配在相邻组件30之间的反射坝或壁被切成两半，使得一个分配坝或反射器在至少两个相邻组件之间变得分离。反射壁18A形成各个组件30的外壁。反射壁18A可以包括大致平坦的内壁，其保持填充材料22，诸如限制，例如，设置在底座、大致平坦的外壁或平坦内壁和外壁上面的荧光粉，其中，内壁和外壁也可以是大体平行的。在分离期间，可以形成平滑的反射壁18A。反射壁18A的横截面形状可以被定制以产生所生成的定制坝图案和/或坝形状。
也可以定制选择性设置填充材料(例如，出于说明目的，未在图2E中示出的22)的级别。例如，填充材料可以被填充到被命名为I的第一级别、被命名为II的第二级别或被命名为III的第三级别。第一级别I可以被设置在反射壁18A的最上表面，并且甚至可以覆盖反射壁18A的上表面的一部分。第二级别II相对于反射壁18A的上表面是大体平坦的。第三级别III低于反射壁18A的上表面。填充材料可以至少部分弯曲，例如至少部分凸出或凹陷。
图2F示出具有大体圆形或弯曲横截面的反射壁18B的组件30。用于锯切或分开反射壁18B的工具可以定制壁18B的形状以提高光反射。与平面(planar)壁，平坦(flat)壁或垂直壁(例如，18A)相比，圆形或弯曲壁18B可产生不同的光束形状或图案。在一些方面，填充材料22可以包括被分散在其中的一或多种光学转换材料。此类材料由斑点外观的22命名，并且可以包括可以被均匀或非均匀分散并设置在填充材料22内的荧光粉或荧光体。
图2G和2H也分别示出大体圆形或弯曲的反射壁18C和18D。在图2G中，反射壁18C包括倾斜下表面42或逐渐向LED芯片14倾斜的下表面特征。反射壁18C包括一体形成的圆角，其也为光的另外反射器。倾斜底表面42也可以防止在填充材料22内形成泡泡并提高每组件30的亮度和光提取。
在图2H中，额外的、分离的反射器44可以被设置或保持在反射壁18D内。额外的反射器44可以反射LED芯片14的光以及防止在填充材料22内形成泡泡。第二反射器44可以被设置在反射壁18D内侧，并且在一些方面，被分配与壁18D直接相邻以便填充可在壁18D和底座32之间存在的任何孔。
图3A和3B为光发射器组件的另外实施例的顶部和底部平面图。光发射器组件50可以包括底座60，多个迹线52在该底座上面形成或沉积。一些迹线52可以被反射壁(出于说明目的，未示出)覆盖，而其它迹线52可以在底座52的上表面上保持暴露状态(例如，未被反射器掩盖)。暴露的迹线52随后可以用填充材料覆盖(图2A中的22)，出于说明目的，其未在图3A中示出。
在一些方面，迹线52因此通过非陶瓷反射器(例如，壁18)或填充材料(例如，22)覆盖。保持暴露并且未被反射壁覆盖的迹线52可以包括额外的发射体，例如，迹线52可以包括高反射银。通孔54可以在底座60内形成以将迹线52连接到底部触点(例如，图3中的62A和62B)。多个LED芯片56可以经由键合引线或键合引线连接器58被并联连接在迹线52之间。值得注意的是，多个迹线52可以形成多个阳极/阴极对，以用于电流流过多个LED芯片56串。
如图3B所示，具有底座60的组件50的背面可以包括与组件30不同的背面触点的布局。例如，组件50可以具有多对背面触点，每对被统一命名为62。在一些情况下，组件50可以包括至少两对背面触点62、三对或四对或更多对的触点62。每对的背面触点62通过通孔54被电气连接到一对迹线52。每对触点62可以由第一触点62A和第二触点62B组成。一个触点为阳极，以及另一个触点为阴极。可选的热垫64可以被设置在第一触点62A和第二触点62B之间。组件50的背面可以根据需要被定制以设置可在更高或更低电压下工作的组件，该电压的范围例如在约3V和72V之间。
图4为通常被命名为70的灯具。灯具70可以包含至少一个组件30/50。在一些方面，多个组件30和/或50可以被设置在单个灯具70内。灯具70可以包括筒灯或罐状灯。可以设置任何类型的灯具，并且可以设置用于不同照明应用的灯具。
灯具70可以传输至少50LPW或更多、至少100LPW或更多、至少110LPW或更多或不止160LPW。在一些方面，灯具被配置为发出具有在黑体轨迹上的基准点的白光(例如，1931CIE色度图)，其具有小于或约等于5000K、小于或约等于4000K、小于或约等于3500K、小于或约等于3000K或小于或约等于2700K的色温。在一些方面，灯具70的组合发射示例为至少70、至少75、至少80(例如，82或85)或至少90或更多的显色指数(CRI Ra)值。灯具70也可以根据需要由三端双向可控硅调光器电路被调成暗淡的。
图5为图解示出与本申请所公开的不同的光发射器组件相关联的光学特性的曲线图。如图5所示，根据本申请的公开的组件(例如，30、50)被配置为传输不止120LPW、不止140LPW或160LPW或不止在约0.5和2.5W之间。
本申请所述的定制光发射器组件可以很容易制造，因为耗时的工艺和与设置定制封装或组件相关联的额外成本(例如，定制的挤压或模制塑料主体、腔体和/或独立模制的光学元件)变得过时。可以设置具有定制颜色、量度、电压、功率、布局、大小和/或发射体的多个不同定制组件而无需形成定做组件和/或引线框组件的费用。
本申请所公开的实施例可以例如但不限于设置下面的有益技术效果中的一或多者：降低设置光发射器组件的成本；减少加工时间；改进的光反射；改进的光提取；改进的亮度；改进的LPW每瓦密度；改进的光发射器组件的可制造性；改进的改变组件特征的能力，诸如迹线设计、LED芯片的数量和发射体布局。
虽然本申请的组件和方法已参考特定方面、特征和例示性实施例来描述，但是应理解，本主题的用途并不局限于此，而是延伸并涵盖许多其它变化、更改和替代实施例，正如基于本申请的公开，对本主题的领域的普通技术人员所建议的。可以设想本申请所述的结构和特征的各种组合和子组合，并且这对于具有本公开的知识的技术人员来说应是显而易见的。除非在本申请中指出相反，否则如本申请公开的各种特征和元件中的任一者可与一或多个其它所公开的特征和元件组合。因此，附属权利要求所要求保护的主题旨在以广泛的含义解释，其包含在该权利要求的范围及其等效范围内的所有此类变化、更改和替代实施例。

Claims (45)

1.一种光发射器组件，包括：
陶瓷底座；
至少第一对电迹线，设置在所述底座的第一侧上；
至少第一对电接触，设置在所述底座的第二侧上，其中，所述第一对电接触被配置为与所述第一对电迹线电连通；
至少一个光发射器芯片，设置在所述底座的所述第一侧上，所述至少一个芯片被配置为与所述第一对电迹线电连通；以及
非陶瓷反射器围绕所述至少一个光发射器芯片设置，所述反射器的至少一部分被配置为掩盖所述第一对电迹线的每条迹线的一部分。
2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述反射器包括反射壁。
3.根据权利要求2所述的组件，其中，所述反射壁为聚合物。
4.根据权利要求2所述的组件，其中，所述反射器包括具有被分散在所述反射器中的反射粒子的硅树脂或环氧树脂。
5.根据权利要求4所述的组件，其中，所述反射粒子包括二氧化钛(TiO2)、过氧化锌(ZnO2)、二氧化硅(SiO2)或氧化锆(ZrO2)粒子。
6.根据权利要求1所述的组件，其中，所述至少一个芯片被配置为经由键合引线连接器与所述第一对电迹线电连通。
7.根据权利要求6所述的组件，其中，所述反射器掩盖所述键合引线连接器。
8.根据权利要求1所述的组件，还包括静电放电(ESD)保护装置，其中，所述静电放电保护装置被所述反射器掩盖。
9.根据权利要求1所述的组件，其中，所述组件被配置为传输约100流明每瓦(LPW)或更多。
10.根据权利要求1所述的组件，其中，所述组件被配置为传输约120流明每瓦(LPW)或更多。
11.根据权利要求1所述的组件，还包括多个光发射器芯片。
12.根据权利要求11所述的组件，其中，所述多个光发射器芯片被串联连接在所述第一对迹线之间。
13.根据权利要求11所述的组件，其中，所述多个光发射器芯片包括多个串联连接的光发射器芯片串，并且其中，每串光发射器芯片被并联电连接在所述第一对迹线之间。
14.根据权利要求1所述的组件，其中，所述陶瓷底座包括氧化铝、氧化锆或其混合物、复合物或合金。
15.根据权利要求1所述的组件，其中，所述光发射器组件包括表面安装设计(SMD)。
16.根据权利要求1所述的组件，其中，所述反射器限制被设置在所述陶瓷底座上面的荧光粉。
17.一种用于光发射器组件的基板，所述基板包括：
陶瓷面板；以及
多个相邻的光发射器组件，设置在所述面板上方，其中，每个光发射器组件包括：
多个电迹线，设置在所述面板上；
多个电接触，设置在所述面板上，其中，所述电接触中的至少一些被配置为与所述电迹线中的至少一些电连通；
多个光发射器芯片，设置在所述面板上，其中，所述多个芯片中的至少一些被配置为与所述电迹线中的至少一些电连通；以及
多个非陶瓷反射器，设置在相邻光发射器组件之间，所述反射器的至少一部分被配置为掩盖所述电迹线的一部分。
18.根据权利要求17所述的基板，其中，所述面板包括氧化铝、氧化锆或其混合物、复合物或合金。
19.根据权利要求17所述的基板，其中，所述反射器包括反射壁。
20.根据权利要求19所述的基板，其中，所述反射壁为聚合物。
21.根据权利要求17所述的基板，其中，所述反射器包括具有被分散在所述反射器中的反射粒子的硅树脂或环氧树脂。
22.根据权利要求21所述的基板，其中，所述反射粒子包括二氧化钛(TiO2)、过氧化锌(ZnO2)、二氧化硅(SiO2)或氧化锆(ZrO2)粒子。
23.根据权利要求17所述的基板，其中，所述反射器被配置为掩盖将所述多个芯片中的至少一些芯片连接到所述迹线中的至少一些迹线的配线。
24.根据权利要求17所述的基板，其中，所述反射器被配置为掩盖被设置在所述面板上方的多个静电放电(ESD)保护装置。
25.根据权利要求17所述的基板，包括至少120个相邻的光发射器组件。
26.根据权利要求17所述的基板，其中，每个光发射器芯片与至少一个迹线间隔开至少约100μm或更多。
27.根据权利要求17所述的基板，其中，每个光发射器芯片与每个其它的光发射器芯片间隔开至少约100μm或更多。
28.根据权利要求17所述的组件，其中，所述光发射器组件包括表面安装设计(SMD)。
29.根据权利要求17所述的组件，其中，所述反射器限制被设置在所述陶瓷底座上方的荧光粉。
30.一种设置一个或多个光发射器组件的方法，所述方法包括：
设置陶瓷底座；
在所述底座的第一侧上设置至少第一对电迹线；
在所述底座的第二侧上设置至少第一对电接触，所述第一对电接触被配置为与所述第一对电迹线电连通；
将至少一个光发射器芯片附接到所述底座的所述第一侧，所述至少一个芯片被配置为与所述第一对电迹线电连通；以及
围绕所述至少一个光发射器芯片分配非陶瓷反射器，所述反射器的至少一部分被配置为掩盖所述第一对电迹线的每条迹线的一部分。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，所述非陶瓷反射器包括聚合物反射器。
32.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述反射器的相对表面之间分配填充材料。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述填充材料包括封装剂。
34.根据权利要求30所述的方法，其中，所述陶瓷底座包括氧化铝、氧化锆或其混合物、复合物或合金。
35.根据权利要求30所述的方法，其中，所述反射器包括具有被分散在所述反射器中的反射粒子的硅树脂。
36.根据权利要求35所述的方法，其中，所述反射粒子包括二氧化钛(TiO2)、过氧化锌(ZnO2)、二氧化硅(SiO2)或氧化锆(ZrO2)粒子。
37.根据权利要求30所述的方法，其中，附接所述至少一个芯片包括将所述至少一个芯片引线键合到所述第一对迹线的每条迹线。
38.根据权利要求37所述的方法，其中，所述反射器掩盖所述键合引线。
39.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述底座的第一表面上方设置静电放电(ESD)保护装置，并且其中，所述反射器被分配在所述静电放电保护装置上方。
40.根据权利要求30所述的方法，还包括多个光发射器芯片，并且其中，所述光发射器芯片被串联连接在所述第一对迹线之间。
41.根据权利要求30所述的方法，包括锯切所述反射器的至少一部分以分离所述光发射器组件。
42.根据权利要求30所述的方法，包括将每个光发射器芯片与所述电迹线间隔开。
43.一种光发射器组件，包括：
陶瓷底座；
至少第一对电迹线，设置在所述底座的第一侧上；
至少一个光发射器芯片，设置在所述底座的第一侧上；以及
非陶瓷反射器，围绕所述至少一个光发射器芯片设置，所述反射器的至少一部分被配置为掩盖所述第一对电迹线的每条迹线。
44.根据权利要求43所述的组件，其中，将所述至少一个光发射器芯片与所述迹线间隔开。
45.根据权利要求43所述的组件，其中，所述反射器靠近所述底座的边缘。
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