CN106461706B - 电流检测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的为提供不易受外部干扰磁通的影响、不易导致可检测的最大电流的降低的电流检测装置。具有第一磁屏蔽部件(111)和第二磁屏蔽部件(112)，其中，上述第一磁屏蔽部件(111)具有覆盖导体(121)的一侧的侧壁部(111a)和从该侧壁部(111a)向另一侧突出的突出部(111b)，上述第二磁屏蔽部件(112)具有覆盖导体(121)的另一侧的侧壁部(112a)和从该侧壁部(112a)向上述一侧突出的突出部(112b)，并且，第一磁屏蔽部件(111)的突出部(111b)与第二磁屏蔽部件(112)的突出部(112b)在突出部(111b、112b)的突出方向上重叠且形成间隙(131)。
Description
技术领域
本发明涉及可非接触地测量导体中流动的电流的电流检测装置，具体地涉及适合于在HEV(混合动力汽车)或EV(电动汽车)等的电力转换装置中作为大电流检测用的电流检测装置。
背景技术
以往，在取消了磁芯的无芯型电流检测装置中，已知有利用U字型磁屏蔽罩的电流检测装置。为了实现电流检测装置的小型化，需要缩小所需磁屏蔽罩的横截面尺寸。然而，随着磁屏蔽罩的横截面尺寸缩小，磁屏蔽罩的饱和磁通降低。磁屏蔽罩与磁芯同样地具有集磁功能。在霍尔元件检测磁通的情况下，磁屏蔽罩的饱和磁通的降低导致可检测的最大电流的降低。因此，以往的磁屏蔽罩难以兼顾电流检测装置的小型化与大电流的检测。因此，有日本特开2013-195381号公报(专利文献1)中记载的屏蔽结构。
在专利文献1的电流检测装置中，磁屏蔽罩由多个屏蔽材料构成。导体具有上下短、左右长的矩形横截面，磁屏蔽罩具有设置在导体的两个短边侧的两个短边侧侧壁部(侧壁部)和设置在导体的长边侧的一个长边侧侧壁部(底壁部)。磁屏蔽罩通过在长边侧侧壁部具有间隙、缺口或贯通孔等横截面缩小部，增大了向磁屏蔽罩外表面侧泄漏的磁通，减少了通过磁屏蔽罩的磁通。由此，抑制磁屏蔽罩的饱和磁通的减少，并且增大可检测的最大电流。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-195381号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在长边侧侧壁部设置间隙或贯通孔(以下称为屏蔽罩开口部)的结构中，由于来自外部的干扰磁通从屏蔽罩开口部进入磁屏蔽罩内侧，因此存在降低电流传感器的可靠性的可能。此外，在设有横截面缩小部的磁屏蔽罩中，由于磁通聚集在磁屏蔽罩内部横截面变化的部分，产生高磁通密度的部分，因此而存在磁屏蔽罩内部的饱和磁通降低、可检测的最大电流降低的问题。
本发明的目的为提供不易受干扰磁通的影响、不易导致可检测的最大电流的降低的电流检测装置。
用于解决课题的技术方案
为了达到上述目的，本发明的电流检测装置具有第一磁屏蔽部件和第二磁屏蔽部件，其中，上述第一磁屏蔽部件具有覆盖导体的一侧的侧壁部和从该侧壁部向着另一侧突出的突出部，上述第二磁屏蔽部件具有覆盖导体的另一侧的侧壁部和从该侧壁部向着上述一侧突出的突出部，第一磁屏蔽部件的突出部与第二磁屏蔽部件的突出部在突出部的突出方向上重叠且形成间隙。此时，第一磁屏蔽部件与第二磁屏蔽部件之间延伸的磁通线的主要部分通过上述电流传感器，以在沿着与第一磁屏蔽部件的相对侧壁部和第二磁屏蔽部件的相对侧壁部平行的平面的方向按照电流传感器、导体、重叠部的顺序排列的方式，配置设置有上述间隙的重叠部。
发明效果
通过使第一磁屏蔽部件的底部与第二磁屏蔽部件的底部在它们的延伸方向上重叠且形成间隙，能够抑制外部干扰磁通从磁屏蔽罩底部的侵入，能够防止外部干扰磁通导致的电流检测装置的可靠性的降低。此外，通过设置间隙，使磁通逃逸到磁屏蔽罩外，从而能够增大可检测的最大电流。
上述之外的问题、结构和效果通过以下的实施方式的说明可得以明了。
附图说明
图1是本发明的电流检测装置的结构图。
图2是本发明的电流检测装置的俯视图。
图3是本发明的电流检测装置的立体图。
图4是表示改变霍尔元件的配置后的例子的结构图。
图5是表示使第一磁屏蔽部件和第二磁屏蔽部件为相同形状的变更例的结构图。
图6是表示将本发明的电流检测装置安装在电力转换装置中的结构的图。
图7是由本发明的电流检测装置构成的三相电流检测装置的示意图。
图8是本发明的三相电流检测装置的正视图。
图9是表示将本发明的三相电流检测装置应用于HEV或EV等中使用的电力转换装置的例子的俯视图。
图10是表示纵向配置3个电流检测装置的结构的图。
图11是表示在与电流检测装置的底部相对的位置配置产生外部干扰的导体的状态的图。
图12是表示改变第一磁屏蔽部件与第二磁屏蔽部件之间的间隙的结构的变更例的图。
图13是针对使用本发明的电流检测装置的情况与使用U字型磁屏蔽罩的情况表示输出电压相对于电流值的特性(解析结果)的图。
图14是表示由U字型磁屏蔽罩构成的电流检测装置的结构的图。
图15是本发明的重叠(Overlap)结构的说明图。
具体实施方式
以下，利用附图对本发明的实施例进行说明。此外，在各图中，对于相同的结构的部分，附以相同的记号并省略说明。
利用图1至图3，针对本实施例的电流检测装置的结构进行说明。图1是本实施例的电流检测装置的结构图。图2是本实施例的电流检测装置的俯视图。图3是本实施例的电流检测装置的立体图。此外，图1相当于图3的I-I’截面。在以下的说明中，上下方向基于图1定义，与电流检测装置的安装状态的上下方向无关。
电流检测装置100配备作为磁性体的L字型第一磁屏蔽部件111及第二磁屏蔽部件112、作为电流传感器而设置的霍尔元件113和导体121。第一磁屏蔽部件111、第二磁屏蔽部件112和霍尔元件113被固定在印刷基板(基板部件)115上。印刷基板115由绝缘材料构成，为非磁性。此外，第一磁屏蔽部件111、第二磁屏蔽部件112、导体121及霍尔元件113和印刷基板115一起被树脂116覆盖。在本实施例中，将霍尔元件113埋设在树脂116中，而也可为后述的图7所示的无基板的结构，将霍尔元件113配置在树脂116外侧。
通过将多个端子113a固定于印刷基板115来将霍尔元件113固定在印刷基板115上。此外，多个端子113a电连接到从树脂露出的端子117上。也可使霍尔元件113的多个端子113a从树脂116露出，作为端子117的替代。
电流检测对象的导体121具有上下短、左右长的矩形横截面，贯通由第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112构成的磁屏蔽罩111和112的内表面侧空间。电流沿导体121的长度方向(设置方向)流动。
第一磁屏蔽部件111与第二磁屏蔽部件112以隔着导体121相对的方式配置。第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112由磁性材料构成。第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112分别为L字型。第一磁屏蔽部件111具有覆盖导体121的侧方的侧壁部111a、和从侧壁部111a的下端部向第二磁屏蔽部件112侧在与侧壁部111a交叉的方向上延伸设置的底部111b。第二磁屏蔽部件112具有覆盖导体121的侧方的侧壁部112a、和从侧壁部112a的下端部向第二磁屏蔽部件111侧在与侧壁部112a交叉的方向上延伸设置的底部112b。
第一磁屏蔽部件111的底部111b与第二磁屏蔽部件112的底部112b在上下方向偏置地设置，使得在导体121下侧形成上下方向的间隙131。此外，第一磁屏蔽部件111的底部111b与第二磁屏蔽部件112的底部112b以使得在其延伸设置方向上重叠的方式配置。
此外，直线141为垂直于印刷基板115的基板面(第一磁屏蔽部件111、第二磁屏蔽部件112和霍尔元件113的安装面)的线段，距离侧壁部111a及侧壁部112a为等距离。此外，图1为截面图，在考虑图1的进深方向时，可认为直线141是沿图1的进深方向扩展的平面。侧壁部111a和侧壁部112a具有与该平面平行的平面(以下称为侧壁面)。
在本实施例中，在导体121的一个侧方配置第一磁屏蔽部件111，在导体121的另一侧方配置第二磁屏蔽部件112。第一磁屏蔽部件111的侧壁部111a与第二磁屏蔽部件112的侧壁部112a隔着导体相对。第一磁屏蔽部件111的底部111b和第二磁屏蔽部件112的底部112b覆盖导体121的下方。
第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112收集导体121周围根据右手螺旋定则产生的磁通，在第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112中形成磁通线。在间隙131的部分，该磁通线从第一磁屏蔽部件111或第二磁屏蔽部件112的其中之一的磁屏蔽部件漏出，转移到其它磁屏蔽部件。
作为电流传感器的霍尔元件113配置在连接导体121与间隙131的直线141上，被固定在印刷基板115上。在印刷基板115侧，在第一磁屏蔽部件111与第二磁屏蔽部件112之间延伸的磁通线的主要部分大致沿着印刷基板115延伸。因此，延伸的磁通的大多数通过霍尔元件113。其结果是，霍尔元件113能够通过磁屏蔽罩111和磁屏蔽罩112的集磁功能，检测出因电流流过导体121而产生的微小磁通，提高磁检测灵敏度。霍尔元件113通过施加规定的电流而输出与磁通密度成比例的电压。
在本实施例中为使用印刷基板115的结构，但也可为不使用印刷基板115的无基板结构。在无基板的结构中，第一磁屏蔽部件111、第二磁屏蔽部件112、导体121与霍尔元件113通过树脂模具116固定。通过树脂模具116能够容易地将各构造体固定在规定位置。
在磁屏蔽罩111和112内部的磁通密度在磁屏蔽罩的饱和磁通密度以下时，在第一磁屏蔽部件111与第二磁屏蔽部件112之间延伸的磁通线的磁通密度大致与导体121的电流值线性地成比例。另一方面，导体121的电流值增大，磁屏蔽罩111和112内部的磁通密度达到磁屏蔽罩的饱和磁通密度时，第一磁屏蔽部件111与第二磁屏蔽部件112之间延伸的磁通线的磁通密度与导体121的电流值之间存在的线性比例关系丧失。因此，无法通过霍尔元件113正确地测量导体121的电流值。因此，通过霍尔元件113可测量的导体121的电流值由磁屏蔽罩111和112的饱和磁通密度的大小决定。
根据本实施例，由第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112构成的底部(底部111b和底部112b)上形成间隙131。间隙131将形成在磁屏蔽罩底部的磁路隔断，适度地降低磁屏蔽罩内部的磁通密度。此外，间隙131也具有使磁屏蔽罩之间延伸的磁通线的磁通密度降低的功能。
本实施例的电流检测装置100由于在磁屏蔽罩111和112的上方不存在构成磁路的其它磁屏蔽罩，因此电流检测装置100内存在的磁通线在磁屏蔽罩111和112之间大致相对于磁屏蔽罩侧面垂直地延伸，贯通霍尔元件113。其结果是，霍尔元件113感应到大致与导体121的电流成比例的磁通，输出与该磁通成比例的电压。
本实施例的电流检测装置中，导体121位于第一磁屏蔽部件111的底部附近，贯通由第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112构成的内表面空间。在图1中，第一磁屏蔽部件111与导体121之间存在间隙。如果磁屏蔽罩111和112内部的磁饱和不成问题，该间隙可缩小或消除。即，也可在第一磁屏蔽部件111与导体121之间配置绝缘体，隔着绝缘体将第一磁屏蔽部件111固定在导体121的底面。
接着，利用图4说明改变霍尔元件113的配置的例子。图4是表示改变霍尔元件的配置后的例子的结构图。此外，在图4中省略了图1中记载的印刷基板115和树脂116，印刷基板115和树脂116与图1相同地构成。
在本变更例中，霍尔元件113配置在由第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112构成的磁屏蔽罩111和112的底部(底部111b和底部112b)与导体121之间的空间中。可为这样的配置。
接着，利用图5说明使第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112为相同形状的变更例。图5是表示使第一磁屏蔽部件和第二磁屏蔽部件为相同形状的变更例的结构图。
在该变更例中，第一磁屏蔽部件111的侧壁部111a的长度与第二磁屏蔽部件112的侧壁部112a的长度相等。并且，使第一磁屏蔽部件111的侧壁部111a的上端面与第二磁屏蔽部件112的侧壁部112a的上端面错开而固定。这种结构不使用印刷基板115，通过利用树脂模具116来固定第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112的结构，可容易得以实现。如果对安装到印刷基板115的部分进行设置台阶部等加工，也可使用印刷基板115。
通过该变更例，由于第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112可使用相同部件构成，提高了生产效率。
接着，利用图6和图7针对电流检测装置100的安装例进行说明。图6是表示将本发明的电流检测装置100安装在电力转换装置411中的结构的图。图7是由本发明的电流检测装置100构成的三相电流检测装置的示意图。图7所示的电流检测装置中，针对与图1的电流检测装置相同的结构的部分附以相同符号。针对为相同结构的部分省略说明，仅说明不同点。并且，在以下的说明中，针对一相的电流检测装置和二相的电流检测装置进行说明。相邻的电流检测装置之间的相互作用不仅在一相与二相之间存在，在二相与三相之间以及三相与一相之间也同样存在。
电力转换装置411由微机421、驱动电路422、功率组件423、电容器424、电流检测装置425、导体426(121)和端子427构成。电力转换装置411可用于使电动机428等运行。
电流检测装置425配置在功率组件423与端子427之间的包含总线的导体426上。电流检测装置425测量从功率组件423输出的电流值，将检测出的电流值反馈到微机421。
如图7所示，该三相电流检测装置425中，在左右方向上配置了同样的电流检测装置100A、100B、100C。具体地，将图1所示的电流检测装置100三个(100A、100B、100C)并排构成三相电流检测装置425。各电流检测装置100A、100B、100C中设有第一磁屏蔽部件111A、111B、111C、第二磁屏蔽部件112A、112B、112C、导体121A、121B、121C和霍尔元件113A、113B、113C。
图1所示的电流检测装置100中，侧壁部111a的长度与侧壁部111b的长度不同。因此，在并排使用电流检测装置100的三相电流检测装置425中，与一相的电流检测装置相邻的二相的第一磁屏蔽罩111B的长度(侧壁部的长度)和与二相的电流检测装置相邻的一相的第二磁屏蔽罩112A的长度(侧壁部的长度)不同。
因此，在一相的电流检测装置100A与二相的电流检测装置100B之间，使一相的电流检测装置100A的长侧壁部112a与二相的电流检测装置100B的短侧壁部111a相邻。此外，在二相的电流检测装置100B与三相的电流检测装置100C之间，使二相的电流检测装置100B的长侧壁部112a与二相的电流检测装置100C的短侧壁部111a相邻。
这样，通过以使长侧壁部112a与短侧壁部111a在各相之间为相同的关系的方式进行配置，能够使相邻的电流检测装置之间的外部干扰影响在各相之间变得均匀。由此，能够使电流检测装置对导体426(121)产生的磁通的感应度变得均匀，在控制上有利。
当然，在电流检测装置100彼此之间分离配置在不对其它相造成外部干扰影响的距离的情况下，也可不考虑长侧壁部112a和短侧壁部111a的排列顺序而配置电流检测装置100。
此外，作为构成三相电流检测装置的电流检测装置100，除了图1所示的结构之外，还可采用上述的各种变形例。
接着，利用图8对三相电流检测装置425的具体结构例进行说明。图8是本发明的三相电流检测装置的正视图。
在各电流检测装置100A、100B、100C中，首先利用树脂模具116来固定第一磁屏蔽部件111A、111B、111C、第二磁屏蔽部件112A、112B、112C和导体121。通过将霍尔元件113A、113B、113C配置在树脂模具116的外侧，使组装变得容易。通过在第一磁屏蔽部件111A、111B、111C、第二磁屏蔽部件112A、112B、112C、导体121和树脂模具116构成的组件上附加安装霍尔元件113A、113B、113C，在调整后发生霍尔元件的故障、损伤的情况下，能够不废弃包含导体426的电流检测装置100A、100B、100C，仅更换霍尔元件113A、113B、113C。由此，能够削减制造上的成本，是有利的。
当然，也可利用树脂模具116将包括霍尔元件113A、113B、113C的构成三相电流检测装置426的全部部件一体化。
此外，也可将图8的结构应用于图1和图5的电流检测装置100，利用树脂模具116固定第一磁屏蔽部件111、第二磁屏蔽部件112和导体121，将霍尔元件113配置在树脂模具116的外侧。
接着，利用图9对本发明的三相电流检测装置应用于HEV(混合动力汽车)或EV(电动汽车)等所用的车载用电力转换装置中的例子进行说明。图9是表示将本发明的三相电流检测装置应用于HEV或EV等所用的电力转换装置中的例子的俯视图。
三相电流检测装置425例如用于独立地测量HEV或EV等所用的电力转换装置的U相、V相、W相的各相电流。在U相上设置电流检测装置100A。在V相上设置电流检测装置100B。在W相上设置电流检测装置100C。各导体121中，电流向导体121的长度方向流动。导体121A、121B、121C分别在长度方向端部设有螺孔161A、161B、161C，利用安装螺丝固定在输出端子427(参考图6)上。一个长度方向端部与功率组件423(参考图6)的输出端子通过焊接固定，各相电流的输入部(布线)连接在导体121、121B、121C上。
各导体121A、121B、121C可由功率组件423的输出端子构成。这种情况下，不需要通过焊接固定导体121A、121B、121C。此外，功率组件423与三相电流检测装置425一体化。或者，通过使导体121A、121B、121C、第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112的一部分从树脂模具116露出，能够在功率组件423的输出端子构成的导体121A、121B、121C上安装另外构成的三相电流检测装置425。这种情况下，三相电流检测装置425为不具有导体121A、121B、121C的结构。这种使导体121为别的部件的结构也可适用于图1～图8中说明的结构。
唯一的间隙131(131A、131B、131C)大致形成在经过导体121(121A、121B、121C)的截面中心的直线141(参考图1)上。因此，由于从间隙131漏出的磁通向电流检测装置100(100A、100B、100C)下侧漏出，能够抑制进入相邻的电流检测装置。
以下针对电流检测装置100进行说明，对于三相电流检测装置425的电流检测装置100A、100B、100C也相同。
通过形成唯一的间隙131，第一磁屏蔽部件111与第二磁屏蔽部件112之间产生的磁通线除了磁屏蔽罩111和112附近之外在磁屏蔽罩111和112之间沿着基板延伸。因此，除了磁屏蔽罩111和112附近，磁通线的磁通密度在相对于磁屏蔽罩侧面的垂直方向上变化量变小。在上述的结构中，霍尔元件113大致配置在连结间隙131与导体121的直线141上。但根据上述理由，霍尔元件113不需要配置在直线141上(导线121中心)，可与直线141错开配置。本实施例针对霍尔元件113的配置不进行限定。
图10是表示纵向配置电流检测装置100A、100B、100C的结构的图。图7、图8和图9中，电流检测装置100A、100B、100C以各磁屏蔽部件的侧壁部相对的方式相邻配置(横向配置)。而与此相对，可如图10所示，以各磁屏蔽部件的底部朝向相同方向的方式配置(纵向配置)。
利用图11针对配置了产生外部干扰的导体171的情况进行说明。
图11是表示与电流检测装置100的底部相对的位置上配置导体171的状态的图。电流检测装置100中，第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112在电流检测装置100的底部重叠。由此，即使在比电流检测装置100更靠下侧的空间中配置产生外部干扰的导体171，也能够抑制外部干扰从磁屏蔽罩111和112的底部向磁屏蔽罩111和112的内部的直接侵入。
利用图12对改变间隙131的结构的变更例进行说明。图12是表示改变间隙131的结构的变更例的图。
在上述实施例中，底部111b的突出长度与底部112b的突出长度相等。即，例如如图1所示，间隙131大致位于直线141上。然而，也可如图12所示，使底部111b的突出长度与底部112b的突出长度不同。这种情况下，间隙131相对于直线141(导体121的截面中心)偏离地设置。此外，在底部111b的突出长度与底部112b的突出长度不同的情况下，优选使配置在内侧(导体121或霍尔元件113侧)的底部111b的突出长度比配置在外侧的底部112b的突出长度更长。由此，能够实现不易从间隙131看到导体121或霍尔元件113的结构。
接着，利用图13针对使用本实施例的电流测量装置的情况下增大可测量的电流值的效果进行说明。图13是针对使用本实施例(图1)的电流检测装置100的情况与使用图14的电流检测装置的情况表示输出电压相对于电流值的特性(解析结果)的图。此外，图14是表示由U字型磁屏蔽罩构成的电流检测装置的结构的图。
在本实施例的结构中，由于存在间隙131，磁通经由间隙131漏出到第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112外侧，因此使第一磁屏蔽部件111和第二磁屏蔽部件112包围的空间中存在的磁通线的磁通密度降低。其结果是，与导体121的电流值对应的传感器输出减小，可测量的电流值增大。
在上述实施例和变更例中，导体121、121A、121B、121C其横截面(与长度方向垂直的截面)构成具有长边和短边的矩形形状。第一磁屏蔽部件111的侧壁部111a和第二磁屏蔽部件112的侧壁部112a构成设置在导体121、121A、121B、121C的短边侧的短边侧侧壁部。第一磁屏蔽部件111的底部111b和第二磁屏蔽部件112的底部112b构成设置在导体121、121A、121B、121C的长边侧的长边侧侧壁部。
此外，第一磁屏蔽部件111的侧壁部111a和第二磁屏蔽部件112的侧壁部112a配置在导体121、121A、121B、121C的两侧(两侧方)，构成隔着导体121、121A、121B、121C相对的两侧方侧壁部或相对侧壁部。第一磁屏蔽部件111的底部111b和第二磁屏蔽部件112的底部112b构成配置在导体121、121A、121B、121C的一侧(一侧方)的一侧方侧壁部。
此外，一侧方侧壁部111b、112b分别构成从一个两侧方侧壁部111a、112a向另一个两侧方侧壁部112a、111a垂直地突出的突出部或以垂直地弯曲的方式形成的弯曲部。两侧方侧壁部112a、111a和一侧方侧壁部111b、112b分别形成为平板状。并且，两侧方侧壁部112a与两侧方侧壁部111a平行。并且，一侧方侧壁部111b与一侧方侧壁部112b平行。
在此，利用图15针对一侧方侧壁部(底部)111b与一侧方侧壁部(底部)112b的重叠结构进行说明。图15是重叠结构的说明图。此外，图15中省略了霍尔元件113和导体121。
一侧方侧壁部111b的顶端部111b-t与一侧方侧壁部112b的顶端部112b-t之间设有沿着两侧方侧壁部111a、112a的延伸方向(箭头E1所示的方向)的间隙131，并且设有0mm或以上的重叠量。图15表示重叠量为0mm的情况。即，一侧方侧壁部111b的顶端面111b-tS与一侧方侧壁部112b的顶端面112b-tS位于虚拟平面S2上。
虚拟平面S2是平行于虚拟平面S1的平面。虚拟平面S1是假定距离两侧方侧壁部111a和两侧方侧壁部112a为等距离L的平面。此外，虚拟平面S1为包含图1的直线141的平面。
在图15中，包含一侧方侧壁部111b的顶端面111b-tS与一侧方侧壁部112b的顶端面112b-tS的虚拟平面S2偏离虚拟平面S1距离I，但虚拟平面S2与虚拟平面S1也可一致。
图15中重叠量为0mm，但重叠量优选为大于0mm的尺寸。即，优选使一侧方侧壁部111b与一侧方侧壁部112b可靠地重叠，使得外部干扰磁通不能到达霍尔元件113。
当一侧方侧壁部111b的顶端面111b-tS与一侧方侧壁部112b的顶端面112b-tS配置在虚拟平面S2上时，将一侧方侧壁部111b、112b投影到垂直于虚拟平面S1且平行于一侧方侧壁部111b、112b的虚拟平面S3上时，一侧方侧壁部111b的顶端部111b-t与一侧方侧壁部112b的顶端部112b-t在虚拟平面S3上一致，一侧方侧壁部111b的顶端部111b-t与一侧方侧壁部112b的顶端部112b-t之间不产生间隙。本实施例的重叠结构以投影到虚拟平面S3上时顶端部111b-t与顶端部112b-t之间不产生间隙的结构为对象，也包含重叠量为0mm的情况。
在垂直于一侧方侧壁部111b、112b的突出方向E2且垂直于导体121的延伸方向的方向上，一侧方侧壁部(突出部)111b的顶端部111b-t与一侧方侧壁部(突出部)112b的顶端部112b-t分离并设有间隙131。即，顶端部111b-t与顶端部112b-t在垂直于一侧方侧壁部111b、112b的突出方向E2且垂直于导体121的延伸方向的方向上偏离。此外，顶端部111b-t与顶端部112b-t在一侧方侧壁部111b、112b的突出方向E2上重叠。
此外，本发明并不限定于上述各实施例，而是包含了各种变形例。例如，上述实施例是为了对本发明简单易懂地说明而进行的详细说明，并非限定必须具备所说明的全部的结构。此外，可将某实施例或变更例的结构的一部分替换成其它实施例或变更例的结构，或者可在某实施例或变更例的结构中添加其它实施例或变更例的结构。另外，针对各实施例或变更例的结构的一部分，能够进行其它结构的追加、删除、替换。
附图记号说明
100、100A、100B、100C…电流检测装置；111、111A、111B、111C…第一磁屏蔽部件；111a…第一磁屏蔽部件111的侧壁部；111b…第一磁屏蔽部件111的底部；111b-t…第一磁屏蔽部件111的顶端部；111b-tS…底部111b的顶端面；112、112A、112B、112C…第二磁屏蔽部件；112a…第二磁屏蔽部件112的侧壁部；112b…第二磁屏蔽部件112的底部；112b-t…第二磁屏蔽部件112的顶端部；112b-tS…底部112b的顶端面；113、113A、113B、113C…霍尔元件；113a…霍尔元件113的端子；115…印刷基板(基板部件)；116…树脂(树脂模具)；117…印刷基板的端子；121、121A、121B、121C…导体；131、131A、131B、131C…间隙；161A、161B、161C…螺孔；171…产生外部干扰的导体；411…电力转换装置；421…微机；422…驱动电路；423…功率组件；424…电容器；425…电流检测装置；426…导体；427…端子；428…电机。
Claims (4)
1.一种电流检测装置，具有电流传感器和配置在所述电流传感器周围且内侧具有用于配设导体的区域的磁屏蔽罩，所述电流检测装置的特征在于：
所述磁屏蔽罩具有隔着导体而配置的第一磁屏蔽部件和第二磁屏蔽部件，
所述第一磁屏蔽部件具有隔着导体而与所述第二磁屏蔽部件相对的相对侧壁部和从所述相对侧壁部向着所述第二磁屏蔽部件一侧突出的突出部，
所述第二磁屏蔽部件具有隔着导体而与所述第一磁屏蔽部件相对的相对侧壁部和从所述相对侧壁部向着所述第一磁屏蔽部件一侧突出的突出部，
所述第一磁屏蔽部件的突出部的顶端部与所述第二磁屏蔽部件的突出部的顶端部在垂直于突出部的突出方向且垂直于导体的延伸方向的方向上分开而设有间隙，并且在突出部的突出方向上重叠，
所述第一磁屏蔽部件的突出部与所述第二磁屏蔽部件的突出部在突出部的突出方向上重叠的部分和所述间隙形成重叠部，
所述第一磁屏蔽部件与所述第二磁屏蔽部件之间延伸的磁通线的主要部分通过所述电流传感器，
以在沿着与所述第一磁屏蔽部件的相对侧壁部和所述第二磁屏蔽部件的相对侧壁部平行的平面的方向按照所述电流传感器、所述导体、所述重叠部的顺序排列的方式，配置设置有所述间隙的所述重叠部。
2.如权利要求1所述的电流检测装置，其特征在于：
在由所述第一磁屏蔽部件与所述第二磁屏蔽部件构成的磁屏蔽罩的内侧具有导体。
3.如权利要求1所述的电流检测装置，其特征在于：
所述第一磁屏蔽部件的突出部与所述第二磁屏蔽部件的突出部相比靠近所述导体而配置，
所述第一磁屏蔽部件的突出部的突出长度比所述第二磁屏蔽部件的突出部的突出长度长。
4.一种车载用电力转换装置，其特征在于：
在连接到电机的端子与功率组件之间具有权利要求1所述的电流检测装置。
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