CN106449563A - 一种具有鳍形结构的晶圆封装 - Google Patents

一种具有鳍形结构的晶圆封装 Download PDF

Info

Publication number
CN106449563A
CN106449563A CN201611073178.4A CN201611073178A CN106449563A CN 106449563 A CN106449563 A CN 106449563A CN 201611073178 A CN201611073178 A CN 201611073178A CN 106449563 A CN106449563 A CN 106449563A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fin structure
fin
conducting layer
solder mask
wafer level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611073178.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106449563B (zh
Inventor
王汉清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Comtec Solar (Jiangsu) Co., Ltd.
Original Assignee
Nantong Voight Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nantong Voight Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Nantong Voight Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201611073178.4A priority Critical patent/CN106449563B/zh
Publication of CN106449563A publication Critical patent/CN106449563A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106449563B publication Critical patent/CN106449563B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

一种具有鳍形结构的晶圆封装，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；位于所述上表面的多个焊盘；位于所述多个焊盘上的多个焊球；覆盖所述上表面的阻焊层，所述阻焊层漏出所述多个焊球并且为覆盖所述上表面的边缘位置；围绕所述衬底侧面上的刻蚀所述衬底形成的鳍形结构；环绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层仅位于所述上表面的边缘位置；位于所述下表面的散热层；以及连接所述金属导热层和所述散热层并覆盖所述鳍形结构的鳍形金属层。

Description

一种具有鳍形结构的晶圆封装
技术领域
本发明涉及一种半导体封装件，尤指一种具有鳍形结构的晶圆封装结构。
背景技术
利用封装技术将电子元件的体积减至最小并提高产品的集成度 (Integration)，是制造电子产品的趋势。同时，基于现今电子产品的功能需求，在产品内的有限空间必须设置最多的电子元件，因此使电子产品内供设置电子元件的位置的大小相当于电子元件的尺寸。因此， 电子元件之外观公差大小亦成为需要控管的项目。
以目前35mm×35mm尺寸的半导体封装件为例，该半导体封装件的平面单边公差不得大于0.2mm，亦即，该半导体封装的外距介于 37.98mm至35.02mm之间；而若为更小的半导体封装件，甚至会到正负0.1mm左右。所以，如果要用人力检查半导体封装件的基板的边缘位置实在困难，所以现在普遍导入自动检查机进行检查。
然而，在应用自动检查机进行前述半导体封装件时，会发生误判的情况，而其原因在于一般托盘多为黑色或深色，而半导体封装件表面的拒焊层也是深色，使得影像传感器常无法分辨出半导体封装件的基板的边缘界限，因此导致误判。
同时，由于静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)会产生烧毁、 劣化半导体金属层或发生潜在性失效等，所以，就电子元件而言必须相当注重静电防护功能。
最后，由于集成度的不断提升，高密度器件的晶圆衬底上将产生大量的热，当热量过大，温度过高，就会导致器件的失效，因而，封装的散热性能也是必须考虑的问题。
发明内容
基于解决上述封装中的问题，本发明提供了一种具有鳍形结构的晶圆封装，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；位于所述上表面的多个焊盘；位于所述多个焊盘上的多个焊球；覆盖所述上表面的阻焊层，所述阻焊层漏出所述多个焊球并且为覆盖所述上表面的边缘位置；围绕所述衬底侧面上的刻蚀所述衬底形成的鳍形结构；环绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层仅位于所述上表面的边缘位置；位于所述下表面的散热层；以及连接所述金属导热层和所述散热层并覆盖所述鳍形结构的的鳍形金属层。
根据本发明的实施例，所述金属导热层的厚度不大于所述阻焊层的厚度。
根据本发明的实施例，所述金属导热层紧贴于所述阻焊层的边缘。
根据本发明的实施例，所述阻焊层厚度为100-200微米。
根据本发明的实施例，所述金属导热层的宽度大于所述鳍形结构的宽度。
根据本发明的实施例，所述金属导热层的材料选自Cu和Ni中的至少一种。
根据本发明的实施例，所述鳍形金属层的材料优选为Cu或Au。
根据本发明的实施例，所述鳍形结构为方形或锥形齿轮状结构。
根据本发明的实施例，所述散热层的材料为金属。
根据本发明的实施例，所述散热层为散热鳍片结构。
本发明的技术方案，利用上表面周边的金属导热层进行第一步散热，然后通过鳍形结构和鳍形金属层进行第二步散热，鳍形结构和鳍形金属层将一部分热量传导至下表面的散热层上进行第三步散热，散热层面积大，散热效率高，且不易对上表面的器件造成影响，极大的提高了散热效率，保证了封装的可靠性；并且周边的金属导热层和鳍形金属层具有电磁屏蔽作用，保证其他电子部件对封装件的干扰；边缘的金属导热层与阻焊层颜色不同，可以轻易的分辨出边缘位置；最后，所述阻焊层高于所述金属导热层，可以防止金属导热层与焊球间的相互影响（短路等）。
附图说明
图1为本发明晶圆封装结构的剖面图；
图2为本发明晶圆封装结构的俯视图。
具体实施方式
参见图1，本发明提供了一种具有鳍形结构的晶圆封装，包括：半导体衬底10，具有相对的上表面和下表面；位于所述上表面的多个焊盘11；位于所述多个焊盘11上的多个焊球13；覆盖所述上表面的阻焊层12，所述阻焊层12漏出所述多个焊球13并且为覆盖所述上表面的边缘位置；在衬底10的侧面上具有锯齿或齿轮状鳍形结构，参见图2，所述鳍形结构包括凸出部17和凹入部16；环绕所述阻焊层12的金属导热层14，所述金属导热层14仅位于所述上表面的边缘位置，在所述鳍形结构的表面上覆盖有与所述金属导热层14相同材料或不同材料的鳍形金属层；位于所述下表面的散热层15；鳍形金属层连接所述金属导热层14和所述散热层15；在本实施例中，所述金属导热层14的厚度小于所述阻焊层12的厚度，这样可以更加突出焊球的高度，在外连接其他电子部件或基板时，可以避免金属导热层14与焊球的短路或者与其他电子部件或基板的短路。
优选的，参见图1和图2，所述金属导热层14紧贴于所述阻焊层12的边缘，所述金属导热层14环绕所述焊球阵列。所述金属导热层14的宽度大于所述鳍形结构的宽度，以使得所述金属导热层完全覆盖住鳍形结构以保证散热。所述鳍形结构可以是例如图2所示的方形锯齿状结构，也可以是其他的鳍形结构，例如三角状或锥状。所述阻焊层厚度为100-200微米，所述金属导热层14的厚度为50-200微米。
此外，根据本发明的实施例，所述金属导热层14的材料选自Cu和Ni中的至少一种。所述鳍形金属层可以优选为Cu或Au。所述散热层15的材料为金属或散热键合片等。所述散热层也可以为散热鳍片结构（未示出）。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种具有鳍形结构的晶圆封装，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；位于所述上表面的多个焊盘；位于所述多个焊盘上的多个焊球；覆盖所述上表面的阻焊层，所述阻焊层漏出所述多个焊球并且为覆盖所述上表面的边缘位置；围绕所述衬底侧面上的刻蚀所述衬底形成的鳍形结构；环绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层仅位于所述上表面的边缘位置；位于所述下表面的散热层；以及连接所述金属导热层和所述散热层并覆盖所述鳍形结构的的鳍形金属层。
2.根据权利要求1所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述金属导热层的厚度不大于所述阻焊层的厚度。
3.根据权利要求2所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述金属导热层紧贴于所述阻焊层的边缘。
4.根据权利要求2所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述阻焊层厚度为100-200微米。
5.根据权利要求2所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述金属导热层的宽度大于所述鳍形结构的宽度。
6.根据权利要求1所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述金属导热层的材料选自Cu和Ni中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述鳍形金属层的材料优选为Cu或Au。
8.根据权利要求1所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述鳍形结构为方形或锥形齿轮状结构。
9.根据权利要求1所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述散热层的材料为金属。
10.根据权利要求1所述的具有鳍形结构的晶圆封装，其特征在于，所述散热层为散热鳍片结构。
CN201611073178.4A 2016-11-29 2016-11-29 一种具有鳍形结构的晶圆封装 Active CN106449563B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611073178.4A CN106449563B (zh) 2016-11-29 2016-11-29 一种具有鳍形结构的晶圆封装

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611073178.4A CN106449563B (zh) 2016-11-29 2016-11-29 一种具有鳍形结构的晶圆封装

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106449563A true CN106449563A (zh) 2017-02-22
CN106449563B CN106449563B (zh) 2018-11-13

Family

ID=58222270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611073178.4A Active CN106449563B (zh) 2016-11-29 2016-11-29 一种具有鳍形结构的晶圆封装

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106449563B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397474A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其组合式基板与制法
CN112447635A (zh) * 2019-09-02 2021-03-05 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1697206A (zh) * 2005-06-09 2005-11-16 宁波雷登照明有限公司 快速散热白光大功率发光二极管
CN1316620C (zh) * 2003-10-27 2007-05-16 精工爱普生株式会社 半导体芯片
CN101097906A (zh) * 2006-06-29 2008-01-02 海力士半导体有限公司 具有垂直形成的热沉的层叠封装
CN101213892A (zh) * 2006-03-03 2008-07-02 Lg伊诺特有限公司 发光二极管封装件及其制造方法
JP2010097966A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Denso Corp 半導体装置
WO2012082181A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Aruba Networks Inc. Heat dissipation unit for a wireless network device
CN104137245A (zh) * 2012-02-23 2014-11-05 苹果公司 薄型、空间高效的电路屏蔽
US9177848B2 (en) * 2007-05-04 2015-11-03 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor wafer having through-hole vias on saw streets with backside redistribution layer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1316620C (zh) * 2003-10-27 2007-05-16 精工爱普生株式会社 半导体芯片
CN1697206A (zh) * 2005-06-09 2005-11-16 宁波雷登照明有限公司 快速散热白光大功率发光二极管
CN101213892A (zh) * 2006-03-03 2008-07-02 Lg伊诺特有限公司 发光二极管封装件及其制造方法
CN101097906A (zh) * 2006-06-29 2008-01-02 海力士半导体有限公司 具有垂直形成的热沉的层叠封装
US9177848B2 (en) * 2007-05-04 2015-11-03 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor wafer having through-hole vias on saw streets with backside redistribution layer
JP2010097966A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Denso Corp 半導体装置
WO2012082181A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Aruba Networks Inc. Heat dissipation unit for a wireless network device
CN104137245A (zh) * 2012-02-23 2014-11-05 苹果公司 薄型、空间高效的电路屏蔽

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397474A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其组合式基板与制法
CN112397474B (zh) * 2019-08-16 2023-12-19 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其组合式基板与制法
CN112447635A (zh) * 2019-09-02 2021-03-05 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件

Also Published As

Publication number Publication date
CN106449563B (zh) 2018-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110098158B (zh) 半导体封装件
TWI529878B (zh) 集成電路封裝件及其裝配方法
US6967403B2 (en) Package structure with a heat spreader and manufacturing method thereof
KR101647587B1 (ko) 반도체 패키지
US20100084761A1 (en) Semiconductor device and fabrication method of the same
US20230207416A1 (en) Semiconductor packages
TWI420630B (zh) 半導體封裝結構與半導體封裝製程
US20020189853A1 (en) BGA substrate with direct heat dissipating structure
CN106548993B (zh) 一种晶圆封装结构
US20090091027A1 (en) Semiconductor package having restraining ring surfaces against soldering crack
CN106449563A (zh) 一种具有鳍形结构的晶圆封装
US20080237821A1 (en) Package structure and manufacturing method thereof
CN106449561B (zh) 一种具有散热结构的晶圆封装
CN107799476B (zh) 具有挡止件的封装基板及感测器封装结构
KR20180023488A (ko) 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조방법
CN106449443A (zh) 一种具有鳍形结构的晶圆封装方法
CN101150103A (zh) 一种晶圆级芯片尺寸封装的线路及其制作方法
CN106449562A (zh) 一种具有散热结构的晶圆封装方法
CN106449432A (zh) 一种晶圆封装结构的制造方法
CN105575917A (zh) 封装结构及其制法
TWI581392B (zh) 電子封裝組件
TWI423405B (zh) 具載板之封裝結構
US9870977B2 (en) Semiconductor device with heat information mark
US8508024B2 (en) Chip package structure and package substrate
CN111048476A (zh) 半导体封装件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180921

Address after: 226600 169 Li Fa FA Road, Chengdong Town, Haian City, Nantong, Jiangsu.

Applicant after: Nantong Ji Zhi Intellectual Property Service Co., Ltd.

Address before: 226300 window of science and technology, No. 266, New Century Avenue, Nantong hi tech Zone, Nantong, Jiangsu

Applicant before: Nantong Voight Optoelectronics Technology Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180930

Address after: 226600 the Yellow Sea Road, Haian economic and Technological Development Zone, Nantong, Jiangsu

Applicant after: Comtec Solar (Jiangsu) Co., Ltd.

Address before: 226600 169 Li Fa FA Road, Chengdong Town, Haian City, Nantong, Jiangsu.

Applicant before: Nantong Ji Zhi Intellectual Property Service Co., Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant