CN106414796A - 真空室的具有气体引导机构的气体分配装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及真空室(10)的具有气体引导机构的气体分配装置，其包括具有喷嘴(27,37)的至少一个气体引导通道(25,30)，气体能从所述喷嘴被分配至真空室(10)，并且所述气体分配装置还具有气体供给机构，借助于其能将气体供给至所述气体引导机构，其中所述至少一个气体引导通道(25,30)由构造为空心型材的一体式构件(20)形成。所述气体供给机构的至少一个气体供给通道(25a,30a,30e)也由所述构造为空心型材的一体式构件(20)形成。

Description

真空室的具有气体引导机构的气体分配装置
技术领域
本发明涉及根据独立权利要求的前叙部分所述的、真空室的具有气体引导机构的气体分配装置，尤其涉及借助于阴极溅射方法在基质上施加薄层的装置。
背景技术
由EP0444253B1已知一种在真空室内借助于阴极溅射方法在基质上施加薄层的装置，待被涂层的基质可移动穿过所述装置。在待溅射的阴极和阳极之间布置有挡板，其中基质面延伸在所述阳极下方。配备有通道的空心型材设置为平行于阴极面并且在所述阴极和阳极之间的区域内，所述空心型材由所述真空室的壁保持，并且被温控介质和过程气体流经。此外，用于所述过程气体的通道具有开孔，它们横向于所述通道的纵轴线延伸并且使得所述过程气体能够逸出至所述真空室。
所述温控介质也作为过程气体被引入通道，所述通道由一体式且成形为空心型材的构件形成，其中用于所述气体逸出的开孔横向于所述通道的纵轴线延伸。所述装置具有空心型材，其特征在于具有倒圆角的矩形横截面。这种型材具有明确且易于接近的接触部位并且能够在所述真空室以外接入温控介质和过程气体。
发明内容
本发明的任务是提供一种真空室的气体分配装置，其在简单且成本划算的实施方式的情况下允许在真空室内气体的、改善的且尤其操作安全的分配。
所述任务由独立权利要求的特征部分所述的内容完成。本发明的有利实施例和优点从其它权利要求、说明书和附图中得出。
根据本发明的一个方面，本发明涉及真空室的具有气体引导机构的气体分配装置，其包括具有喷嘴的至少一个气体引导通道，气体能从喷嘴被分配至真空室，并且所述气体分配装置还具有气体供给机构，借助于其能将气体供给至所述气体引导机构，其中所述至少一个气体引导通道由构造为空心型材的一体式构件形成。所述真空室构造且设置为在基质上施加薄层。应明白，本发明还包括下述实施方式，其中设置有多个构造为空心型材的构件。
有利地，由构造为空心型材的一体式构件也形成所述气体供给机构的至少一个气体供给通道(在现有技术中也称为气体管道)。这样的空心型材例如可有利地作为连铸型材、例如由铝制成。因此，所述至少一个气体供给通道是所述连铸型材的组成部分或者所述连铸型材包括所述至少一个气体供给通道。应明白，多个气体供给通道或气体管道也可以是所述连铸型材的组成部分。
那么，根据本发明的气体分配装置的方案允许对尤其是借助于阴极溅射方法在真空室内给基质涂薄层的所述气体分配装置的简化和改进。所述气体分配装置允许在特定构件中集成不同的功能部件、气体引导通道和气体供给机构。通过适当地选择空心型材、尤其是铝空心型材的横截面，能简化地制造所述气体分配装置。出于经济原因，气体分配装置的优化是非常可行的。所需构件的数量可显著减少。在真空室内，涂层机构的缩短的安装时间是可行的。
根据本发明的气体分配装置的方案因此避免下述缺点，即例如气体介质的供给和回流以及过程气体的供应分别通过独立的、多件式管路或气体管道进行并且因此非常易受运行干扰的影响且在制造和维护方面很昂贵。即，这样的管路具有弯曲部、缠绕部、螺纹连接和焊接点，其在所述装置的运行条件下位于真空中，这可由过程相关的热量所引起的额外影响导致在所述管路中的极细裂纹和不密封性。所述不密封性(泄漏)首先在阴极溅射过程(喷涂)中或在化学气相沉积(CVD方法)中损害待被施加在基质上的层的层质量如附着性，并且继而可必然导致整个设备的完全停止运转，这总是包含着可观的花费和高昂的成本。
根据本发明的有利的其它方面，真空室的具有气体引导机构的气体分配装置包括具有主通道喷嘴的至少一个主通道以及具有调整通道喷嘴的至少一个调整通道，主气体能从主通道喷嘴被分配至所述真空室，至少一种调整气体可从调整通道喷嘴被分配至所述真空室。所述真空室构造且设置为在基质上施加薄层。
此外，所述具有气体供给机构的气体分配装置可构造有至少一个主气体供给通道(主气体-气体管道)和至少一个调整气体供给通道，借助于所述至少一个主气体供给通道向所述主通道供给所述主气体，借助于所述至少一个调整气体供给通道向调整通道供给所述调整气体。此外，所述至少一个主通道可由构造为空心型材的一体式构件形成。这样的空心型材例如可有利地作为连铸型材、例如由铝制成。此外优选地，构造为空心型材或连铸型材的一体式构件也可形成所述至少一个主气体供给通道和/或所述至少一个调整气体供给通道。此外，用于所述阴极溅射过程的主要的过程气体、例如氩气或氮气可称作所谓的主气体。
作为所谓的调整气体，考虑的是下述气体，其对于用于在阴极溅射过程中涂薄层的涂层原料的形成来说是主要的，也就是例如用于化合物的形成的某些元素。也可使用其它气体作为在所述气体分配装置中的调整气体被供给至真空容器，像是例如额外的惰性气体，其被用于减少在阴极溅射等离子体中离子的动能。
因此便利地，构造为空心型材、尤其是连铸型材的一体式构件也可形成所述至少一个调整通道。以这种方式使得大规模的气体分配装置能以尤其经济的方式通过高度灵活性实现制造。本发明也包括使用两个空心型材的情况，第一个用于所述主通道且第二个用于所述调整通道。
在优选实施例中，所述至少一个调整通道可包括多个沿通道纵向延展前后相继布置的腔室状部段。这样的布置提供下述优点，即能有针对性地将所述调整气体放入所述真空室内的不同区域中，如此以便在基质涂层时在不同部位实现完全不同的涂层条件。因此可在不同的部位使用不同的涂层参数或完全不同的原料。也能以有利方式实现不同的层厚度或也能实现不同的层特性。根据层分布的要求，所述气体分配装置也可针对更多数量的部段来实施。
便利地，至少两个相继的部段可具有共同的横向隔板。由空心型材制成的调整通道的这样的部段的制造可通过在所述空心型材的横向上铣切缝隙并且嵌入(压入)和固定或通过焊接分隔元件、例如优选由铝制成的部段板进行。就是说，在连铸型材的情况下相应地给所述连铸型材切缝。以这种方式可形成具有共同横向隔板的两个部段。
隔开的部段的优点在于，通过至少一个调整气体供给通道可向每个部段分开地供给调整气体。因此可将不同种类的气体用作调整气体，它们可在阴极溅射方法中针对不同的化合物被使用。针对每个部段的分开的气体计量配给能针对在构件大规模设计中具有不同涂层要求的复杂构件或者例如也在所述涂层的整体构造中的顺序实施的不同层中实现用于所述构件的涂层工艺的非常灵活的设计。
有利地，主通道和调整通道可具有共同的纵向隔板。这样的构造能实现这样的构件的非常高效并因此成本有利的制造，由此可将更多功能合并至这样的构件中并使用。为了所述气体分配装置在涂层设备中的简化安装，在构件中的这样的实施方式也作为机械集成解决方案是非常方便的。应明白，主通道和调整通道也可具有分开的纵向隔板，就是说例如可具有双壁。
根据优选设计方案，所述至少一个主气体供给通道可布置在主通道壁的外部区域。由此可行的是，将所述主气体供给通道有效地集成在包括主通道并且可能包括调整通道的所述空心型材中并且作为构件来制造。此外，以这种方式自行给出与主通道的机械稳定连接，这转而对于所述气体分配装置的高效安装来说是非常有益的。
同样方便地，所述至少一个调整气体供给通道可布置在调整通道壁的外部区域。在此，在集成构件中调整气体供给通道和调整通道的机械稳定且同时易于安装的布置的相同优点也适用，其中所述集成构件能够有利地以空心型材实现。
在优选设计方案中，所述至少一个主气体供给通道通过所述主通道壁内的至少一个供给开口与所述主通道连接。以这种方式能实现非常简单且牢固的连接，其经得起对机械稳定性和长时间密封的要求。
因此例如可行的是，所述供给开口构造为穿过所述主通道-供给通道直至延伸进入所述主通道的内部区域的横孔，其在不延伸至主通道的区域内被封闭在所述主气体供给通道的壁内。通过垂直于所述空心型材实施横孔，这样的构造允许在主通道-供给通道与主通道之间的连接的非常简单且成本有利的制造，所述横孔使所述主通道-供给通道与所述主通道连接并且随后所述孔又在所述主通道壁内相对于外部区域封闭。
此外同样有利的是，当所述至少一个调整气体供给通道通过所述调整通道壁内的至少一个供给开口与所述调整通道连接。以这种方式能实现非常简单且牢固的连接，其经得起对机械稳定性和长时间密封的要求。
正如在所述主通道-供给通道的情况中那样，在这种情况下，所述供给开口构造为穿过所述调整气体供给通道直至延伸进入所述调整通道的内部区域的横孔，其在不延伸至调整通道的区域内封闭在所述调整气体供给通道的壁内。通过垂直于所述空心型材实施横孔，这样的构造允许在调整通道-供给通道与调整通道之间的连接的非常简单且成本有利的制造，所述横孔使所述调整通道-供给通道与所述调整通道连接并且随后所述孔又在所述调整通道壁内相对于外部区域封闭。
当所述主通道的内部区域和/或所述调整通道的内部区域具有矩形横截面时，这是有利的。这样的设计方案允许源自有利的、具有较高的机械稳定性和易安装性的制造方法的连接，因为矩形横截面能有利地安置在平坦面上并且能够节省空间地安装。应明白，所述主通道的内部区域和/或所述调整通道的内部区域也可具有其它横截面形状，例如圆形或椭圆形横截面。
根据有利的设计方案，所述气体引导机构具有配属于所述真空室的内部区域的区域和配属于所述真空室的室壁的区域，并且至少一个第一调整气体供给通道布置在配属于所述真空室的内部区域的区域内，并且第二调整气体通道布置在配属于所述真空室的室壁内的区域内。以这种方式使得尽可能多的调整气体供给通道能够安置在调整通道处。此外方便的是，直接在所述真空室的内部区域内提供调整气体供给通道，如此以便例如还直接从所述调整气体供给通道中将调整气体引入所述真空室。此外可以有利的是，为了对调整气体进行温控，所述调整气体供给通道安置在与所述真空室的外壁相连的区域处，从而可通过所述壁进行所述调整气体的温控。
附图说明
其它优点从下述附图说明中得出。在附图中示出本发明的实施例。所述附图、说明书和权利要求书包含众多特征组合。专业人员有针对性地也单独观察所述特征并且总结为有意义的其它组合。
其中示例性地：
图1示出根据本发明的实施例的穿过具有主通道和调整通道的气体分配装置的横截面，其布置在真空室的凹口内；和
图2示出根据本发明的实施例的气体分配装置的等轴视图，其由两个空心型材构成，它们的供给通道通过输入管道连接。
具体实施方式
在附图中，相同或类似的部件标以相同的附图标记。所述附图仅示出示例并且不应理解为限制性的。
图1示出根据本发明的实施例的、穿过具有主通道和调整通道的气体分配装置的横截面，其布置在真空室10的凹口中。真空室10的具有气体引导机构的所述气体分配装置包括作为气体引导通道的、具有主通道喷嘴27的主通道25，主气体可从所述主通道喷嘴被分配至所述真空室10，所述气体分配装置还包括具有调整通道喷嘴37,37'的调整通道30，至少一种调整气体可从所述调整通道喷嘴被分配至所述真空室10。此外，所述气体分配装置包括具有主气体供给通道25a和调整气体供给通道30a,30b,30c,30d,30e的气体引导机构，主气体可借助于所述主气体供给通道被供给至主通道25，调整气体可借助于所述调整气体供给通道被供给至调整通道30。所述主通道25由构造为空心型材的一体式构件20形成，其中所述主气体供给通道25a和所述调整气体供给通道30a,30b,30c,30d,30e也由所述构造为空心型材的一体式构件20形成。所述构件20优选构造为连铸型材。所述调整通道30也由所述构造为空心型材的构件20形成。因为所述主通道25和调整通道30直接相叠地布置，所以它们具有共同的纵向隔板32。所述主气体供给通道25a布置在主通道壁26a的外部区域并且抵靠所述真空室10的室壁15。所述调整气体供给通道30a,30b,30c同样布置在所述调整通道壁31a的外部区域并且同样抵靠所述室壁15。在另一实施方式中，所述主气体供给通道和/或所述调整气体供给通道不抵靠所述室壁。
所述主通道25的内部区域和所述调整通道30的内部区域31具有矩形横截面。所述气体引导机构具有配属于所述真空室10的内部区域11的区域和配属于所述真空室10的室壁15的区域。此外，所述调整气体供给通道30d,30e布置在配属于所述真空室10的内部区域11的区域内，并且所述调整气体供给通道30a,30b,30c布置在配属于所述真空室10的室壁15的区域内。
所述主气体供给通道25a通过在主通道壁26a内的至少一个供给开口28或通过多个供给开口28与主通道25连接，其中所述供给开口28构造为穿过所述主通道-供给通道25a直至延伸进入所述主通道的内部区域26的横孔，其在不延伸至主通道25的区域内封闭在所述主气体供给通道25a的壁内。所述调整气体供给通道30a,30b,30c,30d,30e同样通过在调整通道壁31a内的至少一个供给开口38或也通过多个供给开口38与调整通道30连接，其中所述供给开口38构造为穿过所述调整气体供给通道30a,30b,30c,30d,30e直至延伸进入所述调整通道30的内部区域26的横孔，其在不延伸至调整通道30的区域内封闭在所述调整气体供给通道30a,30b,30c,30d,30e的壁内。在图1中，在图示平面内示出所述调整气体供给通道30b的供给开口38。其余调整气体供给通道30a,30c,30d,30e的供给开口位于所述气体分配装置的视图的其它图示平面内。
垂直于室壁15并且紧贴在所述调整通道30的下侧布置有导向板21，其能在所述气体从主通道25以及从调整通道30向真空室10流出时利于其流动。在图1的图示平面内示出在主通道25的壁内朝向真空室10的内部区域11的主通道喷嘴27和调整通道喷嘴37，所述主气体可通过所述主通道喷嘴流入真空室10，所述调整气体可通过所述调整通道喷嘴流入真空室10。用于能使所述主气体流入真空室10的其它主通道喷嘴27以及用于能使所述调整气体流入真空室10的其它调整通道喷嘴37位于其它平面内。
在图2中示出根据本发明的实施例的气体分配装置的等轴视图，其由两个呈空心型材形式的一体式构件20,20a构成，它们的气体供给通道25a,30a,30b,30c,30d,30e通过输入管道40连接。所述输入管道40通过真空套管41通入真空室10(未示出)并且平行地对所述气体分配装置的两个构件20,20a的两个主通道25和调整通道30进行供给。所述气体分配装置的调整通道30包括多个前后相继布置的腔室状部段60,60'，其中两个相继的部段60,60'具有共同的横向隔板70或部段板。
所述调整通道30划分为各个部段60,60'的优点在于，每个部段60,60'可通过至少一个调整气体供给通道30a,30b,30c,30d,30e被分开地供以调整气体。这样的布置提供下述优点，即能有针对性地将所述调整气体放入所述真空室10的不同区域中，如此以便在基质涂层时在不同部位实现完全不同的涂层条件。因此可在不同的部位使用不同的涂层参数或完全不同的原料。也能以有利方式实现不同的层厚度或也能实现不同的层特性。根据层分布的要求，所述气体分配装置也可针对更多数量的部段来实施。因此可将不同种类的气体用作调整气体，它们可在阴极溅射方法中针对不同的化合物被使用。针对每个部段60,60'的分开的气体计量配给能针对在构件大规模设计中具有不同涂层要求的复杂构件或者例如也在所述涂层的整体构造中的顺序实施的不同层中实现用于所述构件的涂层工艺的非常灵活的设计。
此外，在所述真空室中的气体引导能以适当方式通过所述导向板21和36进行。所述主气体可从所述主通道25通过主通道喷嘴27、所述调整气体可从所述调整通道30通过调整通道喷嘴37流入真空室10并且也通过所述导向板21和36被适当地导入真空。
附图标记列表
10 真空室
11 真空室的内部区域
15 室壁
20 构件
20a 构件
21 导向板
25 主通道
25a 主气体供给通道
26 主通道的内部区域
26a 主通道壁
27 喷嘴
28 供给开口
30 调整通道
30a 调整气体供给通道
30b 调整气体供给通道
30c 调整气体供给通道
30d 调整气体供给通道
30e 调整气体供给通道
31 调整通道的内部区域
31a 调整通道壁
32 纵向隔板
36 导向板
37 喷嘴
37' 喷嘴
38 供给开口
40 输入管道
41 真空套管
60 部段
60' 部段
70 横向隔板、部段板

Claims (16)

1.一种真空室(10)的、具有气体引导机构的气体分配装置，其包括具有喷嘴(27,37)的至少一个气体引导通道(25,30)，气体能从所述喷嘴被分配至所述真空室(10)，所述气体分配装置还具有气体供给机构，借助于所述气体供给机构能向所述气体引导机构供给气体，其中所述至少一个气体引导通道(25,30)由构造为空心型材的一体式构件(20)形成，其特征在于，所述构造为空心型材的一体式构件(20)也形成所述气体供给机构的至少一个气体供给通道(25a,30a,...,30e)。
2.一种真空室(10)的、具有气体引导机构的气体分配装置，其包括具有主通道喷嘴(27)的至少一个主通道(25)以及包括具有调整通道喷嘴(37,37')的至少一个调整通道(30)，主气体能从所述主通道喷嘴被分配至所述真空室(10)，至少一种调整气体能从所述调整通道喷嘴被分配至所述真空室(10)，并且所述气体分配装置还具有气体供给机构，其具有至少一个主气体供给通道(25a)和至少一个调整气体供给通道(30a,...,30e)，所述主气体借助于所述主气体供给通道能被供给至所述主通道(25)，所述调整气体借助于所述调整气体供给通道能被供给至所述调整通道(30)，其中所述至少一个主通道(25)由构造为空心型材的一体式构件(20)形成，其特征在于，所述构造为空心型材的一体式构件(20)也形成所述至少一个主气体供给通道(25a)和/或所述至少一个调整气体供给通道(30a,...,30e)。
3.根据权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，所述构造为空心型材的一体式构件(20)也形成所述至少一个调整通道(30)。
4.根据权利要求2或3所述的气体分配装置，其特征在于，所述至少一个调整通道(30)包括多个沿通道纵向延展前后相继布置的腔室状部段(60,60')。
5.根据权利要求4所述的气体分配装置，其特征在于，所述至少两个相继的部段(60,60')具有共同的横向隔板(70)。
6.根据权利要求4或5所述的气体分配装置，其特征在于，每个部段(60,60')通过至少一个调整气体供给通道(30a,...,30e)分开地被供给调整气体或者能分开地被供给调整气体。
7.根据权利要求2至6中至少一项所述的气体分配装置，其特征在于，所述主通道(25)和调整通道(30)具有共同的纵向隔板(32)。
8.根据权利要求2至7中至少一项所述的气体分配装置，其特征在于，所述至少一个主气体供给通道(25a)布置在主通道壁(26a)的外部区域。
9.根据权利要求2至8中至少一项所述的气体分配装置，其特征在于，所述至少一个调整气体供给通道(30a,...,30e)布置在所述调整通道壁(31a)的外部区域。
10.根据权利要求8或9所述的气体分配装置，其特征在于，所述至少一个主气体供给通道(25a)通过至少一个供给开口(28)在主通道壁(26a)中与主通道(25)连接。
11.根据权利要求10所述的气体分配装置，其特征在于，所述供给开口(28)构造为穿过所述主通道-供给通道(25a)直至延伸进入所述主通道的内部区域(26)的横孔，所述横孔在不延伸至主通道(25)的区域内封闭在所述主气体供给通道(25a)的壁内。
12.根据权利要求9至11之一所述的气体分配装置，其特征在于，所述至少一个调整气体供给通道(30a,...,30e)通过至少一个供给开口(38)在调整通道壁(31a)中与调整通道(30)连接。
13.根据权利要求12所述的气体分配装置，其特征在于，所述供给开口(38)构造为穿过所述调整气体供给通道(30a,...,30e)直至延伸进入所述调整通道(30)的内部区域(26)的横孔，所述横孔在不延伸至调整通道(30)的区域内封闭在所述调整气体供给通道(30a,...,30e)的壁内。
14.根据权利要求2至13之一所述的气体分配装置，其特征在于，所述主通道(25)的内部区域(26)和/或所述调整通道(30)的内部区域(31)具有矩形横截面。
15.根据权利要求2至14之一所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体引导机构具有配属于所述真空室(10)的内部区域(11)的区域和配属于所述真空室(10)的室壁(15)的区域，并且至少一个第一调整气体供给通道(30a,...,30e)布置在配属于所述真空室(10)的内部区域(11)的区域内，并且第二调整气体供给通道(30a,...,30e)布置在配属于所述真空室(10)的室壁(15)的区域内。
16.根据权利要求1至15之一所述的气体分配装置，其特征在于，所述构件(20)构造为连铸型材。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180239969A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-23 Ford Global Technologies, Llc Free Space Detection Using Monocular Camera and Deep Learning

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01104768A (ja) * 1987-10-15 1989-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
US5223111A (en) * 1990-03-01 1993-06-29 Leybold Aktiengesellschaft Device for applying thin layers onto a substrate
US5532190A (en) * 1994-05-26 1996-07-02 U.S. Philips Corporation Plasma treatment method in electronic device manufacture
US20040118678A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Klaus Hartig Magnetron sputtering systems including anodic gas distribution systems
US20050150454A1 (en) * 1996-05-13 2005-07-14 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US20080264784A1 (en) * 2004-06-18 2008-10-30 Peter Pecher Media Injector
CN103572209A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 无锡英普林纳米科技有限公司 一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58197724A (ja) * 1982-05-12 1983-11-17 Toshiba Corp 気相成長装置用ガス導入管
JP4873820B2 (ja) * 2002-04-01 2012-02-08 株式会社エフティーエル 半導体装置の製造装置
KR100870807B1 (ko) * 2003-08-07 2008-11-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101412643B1 (ko) * 2012-06-29 2014-07-08 주식회사 티지오테크 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법
KR20140036765A (ko) * 2012-09-18 2014-03-26 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01104768A (ja) * 1987-10-15 1989-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
US5223111A (en) * 1990-03-01 1993-06-29 Leybold Aktiengesellschaft Device for applying thin layers onto a substrate
US5532190A (en) * 1994-05-26 1996-07-02 U.S. Philips Corporation Plasma treatment method in electronic device manufacture
US20050150454A1 (en) * 1996-05-13 2005-07-14 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US20040118678A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Klaus Hartig Magnetron sputtering systems including anodic gas distribution systems
US20080264784A1 (en) * 2004-06-18 2008-10-30 Peter Pecher Media Injector
CN103572209A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 无锡英普林纳米科技有限公司 一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法

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