CN106348615A - 基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法 - Google Patents

基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法。通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法，等离子体蚀刻包括：将气体的供给流供给至基管的中央空腔，供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流；利用电磁辐射将等离子体引入基管的至少一部分中以在基管的中央空腔中创建等离子体区域；使等离子体区域沿纵向在基管的位于基管的供给侧附近的换向点和位于排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动，其中各次来回移动被称为行程，在等离子体区域存在于供给侧附近的换向点与位于供给侧附近的换向点和排出侧附近的换向点之间的预先确定的轴向位置之间时，提供含氟蚀刻气体流。

Description

基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法。本发明还涉及一种利用该方法所获得的基管。
背景技术
制造光纤的方法其中之一包括：在(中空)基管的内表面上沉积多个薄膜或多层玻璃(例如，玻璃层)。随后，所述基管径向收缩以形成纤芯棒，其中选择性地向该纤芯棒装套筒或者包覆该纤芯棒以形成可以拉制成光纤的光纤预制件。
所述基管可以被认为具有外表面(换言之，所述基管的壁的外表面)和内表面(换言之，所述基管的所述壁的内表面)。所述基管的所述内表面与存在于所述基管内部的空腔相接触。在实施例中，所述基管的形状是圆柱形，因此提供(或者围成)圆柱形空腔。
通过将玻璃形成气体(例如，掺杂或无掺杂的反应气体)从一端(即，基管的供给侧)引入至基管的内部，来将玻璃层涂敷于基管的内侧。掺杂或无掺杂的玻璃层被沉积在基管的内表面上。选择性地通过使用真空泵，来将气体从基管的另一端(即，基管的排出侧)排出或去除。真空泵具有在基管的内部产生减小的压力的效果。
在等离子体化学气相沉积(PCVD)工艺期间，产生了局部的等离子体。通常，电磁辐射经由波导指向施加器。包围玻璃基管的施加器使该辐射耦合到等离子体中。此外，在沉积工艺期间，施加器和基管通常由加热炉包围，以使基管维持处于900-1300℃的温度。施加器(以及由此所形成的等离子体)沿基管的纵向往复移动。施加器的每次行程(stroke)或通过(pass)使得薄的玻璃层沉积到基管的内表面上。
因此，在包围的加热炉的边界内，施加器沿着基管的长度平移移动。随着施加器的该平移移动，等离子体也在相同方向上移动。随着施加器到达加热炉的靠近基管的一端的内壁，使施加器的移动反向(该点为换向点)以使得该施加器向着加热炉的另一内壁移动至基管的另一端(和另一换向点)。施加器以及由此所形成的等离子体沿着基管的长度以来回移动的方式行进。将各次往复移动称为“通过”或“行程”。从供给侧附近的换向点到达排出侧附近的换向点是正向行程或通过。从排出侧附近的换向点到达供给侧附近的换向点是逆向的行程或通过。各次通过使得薄的玻璃层沉积在基管的内表面上。
通常，仅在基管的一部分(例如，被微波施加器包围的部分)中产生等离子体，其中，该部分被称为等离子体区域。典型地，微波施加器的尺寸小于加热炉和基管各自的尺寸。仅在等离子体的位置处，反应气体被转换成固态玻璃并且沉积在基管的内表面上。
各自通过使这些薄膜(即，所沉积材料)的累积厚度增加，从而减小了基管的剩余内径。换句话说，基管内的中空空间随着每次通过而不断变小。
这种等离子体引起供给至基管内部的玻璃形成气体(例如，O2、SiCl4以及例如掺杂气体GeCl2或其它气体)的反应。玻璃形成气体的反应使得Si(硅)、O(氧)以及例如掺杂物Ge(锗)发生反应，由此实现了将例如掺杂Ge的SiOx直接沉积在基管的内表面上。将内部具有多个玻璃态的玻璃层的基管称为沉积管(具有包围的基管)。在实施例中，将基管从多个玻璃态的玻璃层去除。该剩余的仅包含沉积玻璃层的管也被称为沉积管。
在沉积完成的情况下，沉积管(具有或不具有包围的基管)被加热以接近中央空腔(“径向收缩”)，从而获得大的实心棒。例如，通过利用外部沉积工艺涂敷二氧化硅或者通过在光纤拉制过程之前将实心棒置于所谓的包括无掺杂二氧化硅的套管(或套筒)内，可以选择性地在外部设置附加的玻璃以增加实心棒的外径，从而提高由此获得的光纤预制件的性能。
如果光纤预制件的端部被加热到变得熔化，则可以从棒拉制薄的玻璃纤维，并将该玻璃纤维缠绕在卷筒上；然后，所述光纤具有相对尺寸和折射率与光纤预制件的相对尺寸和折射率相对应的纤芯部分和包层部分。该光纤可以用作波导，例如用于传播光通信信号。
应该注意，流过基管的玻璃形成气体也可能包含其它成分。向玻璃形成气体添加诸如C2F6等的掺杂气体，这将导致二氧化硅的折射率值减小。
以通信为目的的光纤的使用要求光纤大体上没有缺陷(例如，掺杂物的百分比的差异和不期望的截面椭圆率等)，这是因为：考虑到光纤的长度较长的情况下，这些缺陷可能引起正传输的信号的显著衰减。因此，实现一种非常均一且可再现的沉积工艺是很重要的，这是因为沉积层的质量将最终决定光纤的质量。
为了在所述基管的内壁上具有良好的初始玻璃层附着物并且防止在这些初始玻璃沉积层中形成气泡，预制件制造商必须在沉积工艺开始之前对基管的内部进行预处理。该预处理也被称为等离子体抛光或等离子体蚀刻阶段。因此，通常，在基管内部开始玻璃层的沉积之前，对初始基管的内表面进行预处理或活化，以实现良好的附着和/或防止由于存在于基管的起始玻璃材料中的污染物所引起的不期望的效果。该预处理或活化通常是利用蚀刻来实施的。该蚀刻通常是通过在使蚀刻气体流经基管的情况下使等离子体在基管中往复移动来实施的，其中该蚀刻气体包括例如氟利昂(C2F6)的含氟化合物以及可选地诸如氧气(O2)等的运载气体。这种处理将玻璃材料从基管内部蚀刻掉。通常在该处理之后，基管损失了从内表面起约5-50克的二氧化硅。
该等离子体抛光被发现会引起基管的内表面上的择优蚀刻，这也导致可能会在基管(批次)之间存在不同。该择优蚀刻在随后的CVD工艺中所沉积的玻璃态的二氧化硅层中引起局部干扰。
这意味着在小规模上会遭遇被蚀刻掉的材料的量的较大差异。换句话说，内表面的粗糙度将增加。由于该现象，在所沉积的材料的量增加的情况下，该初始粗糙度将会对最终产品造成干扰。这对于多模产品而言尤其严重，这是因为：折射率分布也将被改变，进而引起质量劣化。
特别地，在沉积了大量层的情况下，初始表面的不规则将被放大，以使得在所得到的纤芯棒中可以看到清晰的畸变。这些不规则可能会使所拉制成的光纤劣化，或者这些不规则可能与的确会使光纤质量劣化的畸变相混淆。此外，等离子体抛光可能在内表面中、尤其是在氟掺杂的管中导致很多小的(<<1mm)畸变。这些畸变在沉积工艺期间将会增加，并且最终地，在不期望的沉积工艺之后在内表面上观察到微滴型畸变。
为了防止这种不均匀蚀刻的发生，在现有技术的方法中，通常在送入车床之前利用氢氟酸对基管进行冲洗。由于氢氟酸流经管这一事实，因而氢氟酸能够改善表面，以使得等离子体抛光阶段中的蚀刻的效果对于该表面而言不再那么严重。然而遗憾的是，氢氟酸是高度危险材料，从环境和安全的角度来讲，使用氢氟酸是非常危险的。因此必须提供另一解决方案以克服不平坦蚀刻。
本发明人预先想出了针对该问题的解决方案，该解决方案公开于EP 2743 237中。该专利申请公开了通过如下的操作来使玻璃基管的内表面活化的过程：首先，在总厚度至少为10微米且至多为250微米的基板的内表面上沉积多个活化玻璃层；其次，通过蚀刻来至少部分地(至少30％)去除所述活化玻璃层。虽然该过程非常有效，但该过程不但耗费额外的时间(通常为10分钟)，而且耗费额外的玻璃形成材料；此外，相当复杂，因而可能引入错误并且进而降低产量。此外，该方法不是非常适用于氟掺杂基管，这些氟掺杂基管是较为柔软的并且通过利用该填充和砂磨过程容易导致最终的不圆度增加。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于使基管的内表面活化的方法，该方法没有引起内表面不规则的增加。
本发明的另一目的是提供一种无需使用额外的玻璃形成材料的均匀蚀刻的方法。
本发明的另一目的是提供一种适用于氟掺杂基管的蚀刻方法。希望提供一种用于去除氟掺杂基管中的污染以降低畸变数量的方法。
目的在于在PCVD工艺期间获得玻璃层的良好附着物。因此，需要对基管进行用于改善内表面的平滑度以增加PCVD工艺中的沉积玻璃的均匀性的预处理。
本发明的第一方面涉及一种用于通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法，所述等离子体蚀刻包括以下步骤：
将气体的供给流供给至基管的中央空腔，其中所述供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流；
利用电磁辐射来将等离子体引入所述基管的至少一部分中，以在所述基管的中央空腔中创建等离子体区域；
使所述等离子体区域沿纵向在所述基管的位于所述基管的供给侧附近的换向点和位于所述基管的排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动，其中各次来回移动被称为行程，
其中，在所述等离子体区域存在于所述供给侧附近的换向点和预先确定的轴向位置之间的情况下提供所述含氟蚀刻气体流，其中所述预先确定的轴向位置位于所述供给侧附近的换向点和所述排出侧附近的换向点之间。
在实施例中，位于所述供给侧附近的换向点和所述排出侧附近的换向点之间的所述预先确定的轴向位置与所述供给侧附近的换向点分开了等于所述基管的总可用长度的1％-20％的长度、优选为所述基管的总可用长度的5％-10％的长度。
在实施例中，所述预先确定的轴向位置是所述排出侧附近的换向点。
在实施例中，所述排出侧附近的换向点与所述供给侧附近的换向点分开了等于所述基管的总可用长度的1％-20％的长度、优选为等于所述基管的总可用长度的5％-10％的长度。
在实施例中，所述含氟蚀刻气体包括含氟化合物和运载气体。
在实施例中，所述含氟化合物是从包括CCl2F2、CF4、C2F6、C4F8、SF6、F2、NF3、SO2F2、CHF3、CClF3、CCl3F和它们的一个或多个组合的组中所选择的。
在实施例中，所述含氟化合物是C2F6。
在实施例中，所述含氟蚀刻气体仅包括含氟化合物、优选为C2F6。
在实施例中，所述运载气体是从包括氧气(O2)、氮气(N2)和氩气(Ar)的组中所选择的。
在实施例中，所述运载气体是氧气(O2)。
在实施例中，所述含氟蚀刻气体包括作为所述含氟化合物的C2F6和作为所述运载气体的O2。
在实施例中，蚀刻步骤的温度小于约1300℃，更优选地小于约1250℃，并且最优选地小于约1200℃。
在实施例中，所述等离子体区域的宽度为100mm-250mm、优选为150mm-200mm。
在实施例中，所述供给流包含3slm-5slm。
在实施例中，所述含氟蚀刻气体流包含100sccm-500sccm、优选为150sccm-300sccm的所述含氟化合物，以及可选地，所述含氟蚀刻气体流包含1000sccm-5000sccm、优选为2000sccm-4000sccm的所述运载气体流。
在实施例中，所述供给流中的所述主气体流包含3slm-5slm。
在第二方面中，本发明涉及一种通过内部气相沉积工艺来制造光纤所用的预制件的方法，所述方法包括以下步骤：设置具有根据第一方面的方法所获得的活化的内表面的基管；将掺杂和/或无掺杂玻璃形成气体优选地经由具有活化的内表面的所述基管的供给侧供给至所述基管中；将多个玻璃层沉积在所述基管的内侧；以及将由此获得的所述基管径向收缩或压实成光纤预制件。
在第三方面中，本发明涉及一种通过根据第二方面的方法所获得或者能够获得的光纤预制件。
在第四方面中，本发明涉及一种用于通过将根据第三方面的光纤预制件拉制成光纤来制造光纤的方法。
在第五方面中，本发明涉及一种通过根据第四方面的方法所获得的光纤。
本发明人已发现，通过本方法来实现本发明的一个或多个目的。
本说明书中所使用的定义
在本说明书和权利要求书中使用以下定义来定义所述的主题。以下没有列出的其它术语意味着具有本领域内普遍接受的含义。
如本说明书中与基管相结合使用的“活化”表示：开始沉积工艺之前对基管的预处理。该活化发生在基管的初始或原始的内表面。
如本说明书中所使用的“内表面”表示：基管的内侧或内部表面。
如本说明书中所使用的“基管”表示：内部具有空腔的延长中空管；通常，在制造预制件期间，所述管的内部设置(或涂敷)多个玻璃层。通常，所述基管具有供给侧和排出侧。所述基管可以被认为由包围空腔的壁所构成。换句话说，所述基管的内部存在空腔；“空腔”是通过基管的壁所围成的空间。
如本说明书中所使用的“可用长度”或“总可用长度”表示：总的基管的有效长度，该长度是基管的可能产生等离子体并且可能发生玻璃沉积的长度。
如本说明书中所使用的“玻璃”或“玻璃材料”表示：通过气相沉积工艺所沉积的结晶或玻璃态(玻璃状)氧化物材料(例如，二氧化硅(SiO2)或甚至石英)。如本说明书中所使用的“二氧化硅”表示：采用SiOx的形式的任何物质，而与理想配比如何无关并且与结晶或非结晶无关。
如本说明书中所使用的“等离子体蚀刻”表示：在等离子体中创建或改善蚀刻气体所用的蚀刻条件的蚀刻工艺。
如本说明书中所使用的“蚀刻气体”或“含氟蚀刻气体”表示：气态的含氟化合物、或者气态的含氟化合物与蚀刻工艺期间所使用的运载气体的混合；蚀刻气体是在适当的条件(例如，温度和浓度)下能够通过化学反应去除玻璃材料的气体。
如本说明书中所使用的“含氟化合物”表示：包含至少一个键合的氟原子的化合物(例如，氟化烃)。在实施例中，所述含氟化合物是无氢含氟化合物、即不存在氢原子的含氟化合物，例如其中所有的氢原子被氟原子取代。
如本说明书中所使用的“运载气体”表示：稀释蚀刻气体的浓度而不会与蚀刻气体直接反应的气体。
如本说明书中所使用的“玻璃形成气体”表示：为了形成玻璃层而在沉积工艺期间所使用的反应气体。
如本说明书中所使用的“无掺杂玻璃形成气体”表示：没有有意添加能够与实质上纯净的二氧化硅玻璃反应的掺杂物的气体。
具体实施方式
本发明由此涉及一种用于使制造光纤预制件所用的基管活化的方法。基管的内表面在供给侧附近通过蚀刻被部分地去除。基管优选为玻璃基管、更优选为石英基管。
本发明人已发现：为了获得良好的附着所需的蚀刻步骤具有一些负面效果。本发明人已发现：所提供的基管(即，原始基管)例如可以在组成上是非均匀的。这种不均匀性将导致择优蚀刻、即针对材料的在基管的内表面的不同部分上具有不同效果的蚀刻。换句话说，在基管的整个内表面，蚀刻是不均匀的。该不均匀性在沉积步骤中引起严重的问题。本发明人已发现：通过仅在基管的供给侧部分执行蚀刻步骤，保持了蚀刻工艺的优点(即，改善的附着)，而减弱甚至完全消除了蚀刻的负面效果(表面不均匀性的产生)。
本发明人因此提出一种新的方法，其中在谐振器处于换向点附近或者气体供给侧附近的情况下，仅局部地施加等离子体蚀刻。本发明人已观察到：以这种方式，由于源于含氟气体的等离子体与源于惰性气体的等离子体相比具有更高温度这一事实，因此基管的气体侧部分被充分加热。本发明人已观察到：在基管的最终被拉制成光纤的部分中，减少或甚至消除了由于蚀刻所引起的畸变。
本发明人已发现，玻璃态的玻璃层的沉积之前针对基管的内表面的选定长度的预处理非常好用。选定长度的位置紧邻换向点附近或处于气体供给侧，并且优选地扩展到基管的总长度的1％-20％。该预处理包括：仅在等离子体存在于选定长度内的情况下，将含氟气体供给至该基管中。特别地，基管的气体供给侧需要达到合适(高)温度，这是因为基管的气体供给侧不会被等离子体尾加热。
本发明的方法利用了如下事实：在应用例如氟利昂(C2F6)等的含氟气体的情况下，在等离子体抛光阶段中，基管温度将显著上升。在实验期间，本发明人已意识到基管的必须足够热的最重要部分是基管的气体供给侧的谐振器转向的区域。为了在这个部分达到期望温度并且为了避免管表面的不均匀蚀刻，本发明仅在谐振器处于基管的气体供给侧时，例如在谐振器的位置处于特定轴向位置以下时，本发明使用含氟气体的供给。
在引入基管前通过使用进入主气体管线的附加气体供给线来应用含氟气体。所述附加气体供给线包括管道，该管道具有包含孔的(电子)阀门。该阀门通过微控制器或PLC来进行控制。使用与谐振器位置有关的信息，可以将含氟气体供给至特定区域中。在谐振器位置通过预先选择的轴向位置时，阀门关闭。
在实施例中，谐振器将仅在要处理的长度上移动，并且含氟气体仅供给至该区域中。在该实施例中，预定的轴向位置是排出侧的换向点。该方法取决于雪橇马达控制器的限制。
在使用根据本发明的方法的情况下，实现了气体供给侧的良好沉积，并且降低或甚至消除了表面非均一蚀刻。该方法对于根据EP 2 742 237的现有技术方法可能受到限制使用的软管而言非常好用。优点在于：该方法可以用于范围更宽的基管(特别是较为柔软的管)。相对于现有技术方法而言时间是另一优势。
此外，本发明还涉及一种用于通过内部气相沉积工艺来制造光纤所用的预制件的处理，所述处理包括以下步骤：
设置具有根据本方法所获得的活化的内表面的基管；
将掺杂和/或无掺杂玻璃形成气体(优选经由具有活化的内表面的基管的供给侧)供给至该基管；
将多个玻璃层沉积在基管的内侧；
将由此获得的基管径向收缩或压实成光纤预制件。
本发明还涉及由此所获得的光纤预制件以及由此拉制成的光纤。
本发明的以下实施例适用于本发明的所有方面。
在实施例中，位于供给侧附近的换向点和排出侧附近的换向点之间的预先确定的轴向位置与供给侧附近的换向点分开了等于基管的总可用长度的1％-20％的长度。因此，蚀刻了可用长度的仅1％-20％，优选地蚀刻了可用长度的5％-10％。
在实施例中，预先确定的轴向位置是排出侧附近的换向点。在等离子体仅覆盖基管的一部分的情况下可应用本实施例，换句话说，排出侧的换向点非常靠近供给侧附近的换向点(例如相距10cm-50cm)。
在实施例中，在标准条件(20℃；1个大气压)下，含氟蚀刻气体中的含氟化合物的供给量优选至少为100sccm(标准立方厘米/分钟)，更优选地至少为150sccm(诸如200sccm等)。在实施例中，含氟蚀刻气体中的运载气体的供给量处于1000sccm-5000sccm，优选地处于2000sccm-4000sccm。
在实施例中，在标准条件(20℃；1个大气压)下，供给流中的主气体流包含3slm-5slm(标准升/分钟)。在实施例中，供给流包含3slm-5slm。
在另一实施例中，所述含氟蚀刻气体包含含氟化合物和运载气体。在另一实施例中，所述含氟蚀刻气体包含无氢含氟化合物和运载气体。其优点在于：不存在氢原子从而防止了沉积工艺期间引入氢氧基。这些氢氧基将会造成由根据活化的基管所制备的光纤预制件所制成的光纤的衰减的增加。
包含在蚀刻气体中的含氟化合物是从包括CCl2F2、CF4、C2F6、C4F8、SF6、F2、NF3和SO2F2、CHF3、CClF3、CCl3F和它们的一个或多个的组合的组中所选择的。
应当注意，在诸如氟利昂等的含氟气体用于与玻璃形成气体进行气体混合时，来自含氟气体中的氟将被嵌入到沉积玻璃层中，以提供下掺杂的玻璃层。在这种情况下，含氟气体将不能用作蚀刻气体的一部分，而是用作掺杂物所用的前体。
优选地，所述蚀刻气体包含诸如氧气(O2)、氮气(N2)或氩气(Ar)等的运载气体。
在将碳氟化合物(氟化碳化合物)用于蚀刻气体时，可能发生碳元素的沉积。在不希望受到理论束缚的情况下，本发明人提出了：蚀刻气体的氟原子应对蚀刻工艺，并且蚀刻气体的碳原子沉积在基管的内表面上。在一些情况下，会发现形成了黑色的膜。在使用碳氟化合物时，优先使用氧气(O2)作为运载气体。本发明人发现了氧气与蚀刻气体的碳部分发生反应以防止碳(C)沉积。
蚀刻气体中的含氟化合物的浓度以及气体流过基管的内部所存在的氧化物材料的表面时的温度会影响所沉积的氧化物材料和/或蚀刻气体污染的区域的去除速度。优选地，蚀刻气体中的含氟化合物的浓度和温度的结合足以得到所沉积的氧化物材料的快速蚀刻速度(去除速度)，这最佳地使得减少了基管的加工时间。
优选地，通过等离子体发生器来获得等离子体区域，其中等离子体功率优选地被设置为1kw-10kW的值，以使得特别地防止了基管的熔化。在实施例中，等离子体区域的宽度为150mm-200mm。等离子体区域的宽度会对等离子体的功率、基管内部的压力和基管的空腔的直径等产生影响。
本方法将以一个或多个示例来进行例示。这些示例仅是为了例示的目的而提供的，而且并不意图限制本发明的范围。
示例
通过如以本申请人名义的荷兰专利NL 1 023 438所已知的标准PCVD工艺来制造由石英制成的基管。
将具有供给侧和排出侧的基管放置于加热炉中，其中在该加热炉中存在施加器，该施加器能够在加热炉内沿着中空基管的长度来回移动。将微波能量经由波导供给至施加器，以在中空基管的内部创建等离子体条件，等离子条件用于蚀刻中空基管的内部。施加器所产生的等离子体可能略微存在于施加器所包围的区域的外部。
对石英基管进行加热，并且通过将C2F6(150sccm)和O2(3500sccm)的组合的含氟蚀刻气体供给至中空基管的内部来执行蚀刻。仅在等离子体区域处于供给侧附近的换向点和与供给侧附近的换向点相距100mm的预先确定的轴向位置的区域中的情况下，才使用含氟蚀刻气体流。该蚀刻阶段的持续时间约为12分钟，由此使得基管的表面被局部加热和活化并且该表面是为了用于创造期望的特定折射率分布的玻璃层的进一步沉积而准备的。
在根据本发明的蚀刻阶段之后，执行标准PCVD沉积工艺。通过使等离子体以20m/min的速度沿着中空基管的长度来回移动来执行这种内部化学气相沉积工艺，其中该中空基管位于加热炉的内部。使用9kW的等离子体功率来将加热炉设置为1000℃的温度。基于SiO2，玻璃层在由此放置的中空基管的内部的沉积速度为3.1g/min，其中该中空基管内部的压力的量约为10mbar。将包含O2、SiCl4、GeCl4和C2F6的气体组合供给至中空基管的内部。使得由此获得的基管准备径向收缩成实心预制件。在偏振光下检查所沉积的管在其内侧是否存在微滴或其它不规则。没有发现微滴或其它不规则。
因此，尤其对于诸如OM-3或OM-4多模光纤等的高端的多模光纤而言，本发明的处理使得沉积管的质量得以改善，由此使光纤预制件的质量提高，次品较少因而产量较高。

Claims (15)

1.一种用于通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法，所述等离子体蚀刻包括以下步骤：
将气体的供给流供给至基管的中央空腔，其中所述供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流；
利用电磁辐射来将等离子体引入所述基管的至少一部分中，以在所述基管的中央空腔中创建等离子体区域；
使所述等离子体区域沿纵向在所述基管的位于所述基管的供给侧附近的换向点和位于所述基管的排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动，其中各次来回移动被称为行程，
其中，在所述等离子体区域存在于所述供给侧附近的换向点和预先确定的轴向位置之间的情况下提供所述含氟蚀刻气体流，其中所述预先确定的轴向位置位于所述供给侧附近的换向点和所述排出侧附近的换向点之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，位于所述供给侧附近的换向点和所述排出侧附近的换向点之间的所述预先确定的轴向位置与所述供给侧附近的换向点分开了等于所述基管的总可用长度的1％-20％的长度、优选为所述基管的总可用长度的5％-10％的长度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预先确定的轴向位置是所述排出侧附近的换向点。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述含氟蚀刻气体包括含氟化合物和运载气体，优选地，所述含氟化合物是从包括CCl2F2、CF4、C2F6、C4F8、SF6、F2、NF3、SO2F2、CHF3、CClF3、CCl3F或者它们的组合的组中所选择的，以及/或者所述运载气体是从包括氧气(O2)、氮气(N2)和氩气(Ar)的组中所选择的。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述含氟蚀刻气体包括作为所述含氟化合物的C2F6和作为所述运载气体的O2。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，蚀刻步骤的温度小于约1300℃，更优选地小于约1250℃，并且最优选地小于约1200℃。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述等离子体区域的宽度为100mm-250mm、优选为150mm-200mm。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述供给流包含3slm-5slm，以及/或者所述供给流中的所述主气体流包含3slm-5slm。
9.根据权利要求4-8中任一项所述的方法，其中，所述含氟蚀刻气体流所包括的所述含氟化合物的量为100sccm-500sccm、优选为150sccm-300sccm。
10.根据权利要求4-9中任一项所述的方法，其中，所述含氟蚀刻气体流所包括的所述运载气体的量为1000sccm-5000sccm、优选为2000sccm-4000sccm。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述排出侧附近的换向点与所述供给侧附近的换向点分开了等于所述基管的总可用长度的1％-20％的长度、优选为等于所述基管的总可用长度的5％-10％的长度。
12.一种通过内部气相沉积工艺来制造光纤所用的预制件的方法，所述方法包括以下步骤：
设置具有根据前述权利要求中任一项所述的方法所获得的活化的内表面的基管；
将掺杂和/或无掺杂玻璃形成气体优选地经由具有活化的内表面的所述基管的供给侧供给至所述基管中；
将多个玻璃层沉积在所述基管的内侧；以及
将由此获得的所述基管径向收缩或压实成光纤预制件。
13.一种通过根据权利要求12所述的方法获得或能够获得的光纤预制件。
14.一种用于通过将根据权利要求13所述的光纤预制件拉制成光纤来制造光纤的方法。
15.一种通过根据权利要求14所述的方法所获得的光纤。
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