JP2006232665A - マルチモード光ファイバおよびそれを作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本願発明のMCVD法は、光ファイバが形成されるスートの部分層の蒸着時にガス流の中にN2O、CO、またはNF3を組み入れることによってグレーデッドインデックス型でマルチモードの光ファイバの屈折率プロファイル内のリップル構造を減少する。スートの部分層はその後に続くスートの部分層の蒸着時に焼結させられてガラスの部分層を形成し、蒸着中に各々のスートの部分層にドーパント種が組み入れられる。ドープされたガラスの部分層から作られるファイバは、放物線に近い形状であるグレーデッド屈折率プロファイルを有し、従来の手法で製造されたファイバのプロファイルと比較して大幅に小さくされたリップルを有する。
【選択図】図1
Description
Claims (17)
- マルチモード光ファイバの屈折率プロファイル内のリップルを減少させる方法であって、
(a)基材を供給する工程と、
(b)O2、気体でケイ素を有する化合物、気体でドーパントを有する化合物、およびN2Oを含むガス混合物を前記基材に沿って流す工程と、
(c)前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に、前記基材上で第1のドープされたスート層として堆積する酸化物スート粒子を形成させるために前記基材に沿って熱源を移動させる工程と、
(d)前記基材に沿って流れる前記O2、前記気体でケイ素を有する化合物、前記気体でドーパントを有する化合物、および前記N2Oのうちの1つまたは複数の量を調節することによって前記ガス混合物を調節する工程と、
(e)前記調節されたガス混合物のうちの前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に異なったドーパント濃度で酸化物スート粒子を形成させるために前記基材に沿って前記熱源を移動させる工程とを含み、前記異なったドーパント濃度を備えた前記スート粒子が、前記第1のドープされたスート層から形成された第1のドープされたガラス層の上に第2のドープされたスート層として堆積し、
前記熱源が前記基材に沿って移動させられると、前に堆積したスート層が焼結させられてガラス層を形成する方法。 - マルチモード光ファイバの屈折率プロファイル内のリップルを減少させるための方法であって、
(a)基材を供給する工程と、
(b)O2、気体でケイ素を有する化合物、気体でドーパントを有する化合物、およびNF3を含むガス混合物を前記基材に沿って流す工程と、
(c)前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に、前記基材上で第1のドープされたスート層として堆積する酸化物スート粒子を形成させるために前記基材に沿って熱源を移動させる工程と、
(d)前記基材に沿って流れる前記O2、前記気体でケイ素を有する化合物、前記気体でドーパントを有する化合物、および前記NF3のうちの1つまたは複数の量を調節することによって前記ガス混合物を調節する工程と、
(e)前記調節されたガス混合物のうちの前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に異なったドーパント濃度で酸化物スート粒子を形成させるために前記基材に沿って前記熱源を移動させる工程とを含み、前記異なったドーパント濃度を備えた前記スート粒子が、前記第1のドープされたスート層から形成された第1のドープされたガラス層の上に第2のドープされたスート層として堆積し、
前記熱源が前記基材に沿って移動させられると、前に堆積したスート層が焼結させられてガラス層を形成する方法。 - マルチモード光ファイバの屈折率プロファイル内のリップルを減少させるための方法であって、
(a)基材を供給する工程と、
(b)O2、気体でケイ素を有する化合物、気体でドーパントを有する化合物、およびCOを含むガス混合物を前記基材に沿って流す工程と、
(c)前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に、前記基材上で第1のドープされたスート層として堆積する酸化物スート粒子を形成させるために前記基材に沿って熱源を移動させる工程と、
(d)前記基材に沿って流れる前記O2、前記気体でケイ素を有する化合物、前記気体でドーパントを有する化合物、および前記COのうちの1つまたは複数の量を調節することによって前記ガス混合物を調節する工程と、
(e)前記調節されたガス混合物のうちの前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に異なったドーパント濃度で酸化物スート粒子を形成させるために前記基材に沿って前記熱源を移動させる工程とを含み、前記異なったドーパント濃度を備えた前記スート粒子が、前記第1のドープされたスート層から形成された第1のドープされたガラス層の上に第2のドープされたスート層として堆積し、
前記熱源が前記基材に沿って移動させられると、前に堆積したスート層が焼結させられてガラス層を形成する方法。 - さらに、
(f)前記基材上で複数のガラス層を形成するために工程(d)および(e)を繰り返す工程と、
(g)前記複数のガラス層を備えた前記基材を壊すことによってプリフォームを作製する工程とを含む、請求項1、2、および3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記プリフォームが放物線に近い形状で半径方向の屈折率プロファイルを有する、請求項4に記載の方法。
- 前記プリフォームの屈折率プロファイルが、N2O、NF3、またはCOを伴なわずに作られ、かつ前記プリフォームと同じ数のガラス層を有するように作られた従来式のプリフォームのリップル構造よりも小さい大きさを備えたリップル構造を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記気体でドーパントを有する化合物がGeCl4であり、前記気体でケイ素を有する化合物がSiCl4である、請求項1、2、および3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のドープされたスート層が前記基材上のクラッド層の上に堆積させられる、請求項1、2、および3のいずれか1項に記載の方法。
- マルチモード光ファイバの屈折率プロファイル内のリップルを減少させるための方法であって、
(a)チューブ状の基材を供給する工程と、
(b)前記基材を通してO2、気体でケイ素を有する化合物、気体でドーパントを有する化合物、およびN2Oを含むガス混合物を流す工程と、
(c)前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に、前記基材上でドープされたスート層として堆積する酸化物スート粒子を形成させるために前記ガス混合物を加熱する工程と、
(d)前記ドープされたスート層を焼結させてガラス層を形成する工程と、
(e)前記基材に沿って流れる前記O2、前記気体でケイ素を有する化合物、前記気体でドーパントを有する化合物、および前記N2Oのうちの1つまたは複数の量を調節することによって前記ガス混合物を調節する工程と、
(f)前記調節されたガス混合物のうちの前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に異なったドーパント濃度で酸化物スート粒子を形成させるために前記調節されたガス混合物を加熱する工程であって、前記異なったドーパント濃度を備えた前記スート粒子がドープされたスート層として前記ガラス層の上に堆積する工程と、
(g)前記基材上で複数のガラス層を形成するために工程(d)、(e)および(f)を繰り返す工程とを含む方法。 - マルチモード光ファイバの屈折率プロファイル内のリップルを減少させるための方法であって、
(a)チューブ状の基材を供給する工程と、
(b)前記基材を通してO2、気体でケイ素を有する化合物、気体でドーパントを有する化合物、およびNF3を含むガス混合物を流す工程と、
(c)前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に、前記基材上でドープされたスート層として堆積する酸化物スート粒子を形成させるために前記ガス混合物を加熱する工程と、
(d)前記ドープされたスート層を焼結させてガラス層を形成する工程と、
(e)前記基材に沿って流れる前記O2、前記気体でケイ素を有する化合物、前記気体でドーパントを有する化合物、および前記NF3のうちの1つまたは複数の量を調節することによって前記ガス混合物を調節する工程と、
(f)前記調節されたガス混合物のうちの前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に異なったドーパント濃度で酸化物スート粒子を形成させるために前記調節されたガス混合物を加熱する工程であって、前記異なったドーパント濃度を備えた前記スート粒子がドープされたスート層として前記ガラス層の上に堆積する工程と、
(g)前記基材上で複数のガラス層を形成するために工程(d)、(e)および(f)を繰り返す工程とを含む方法。 - マルチモード光ファイバの屈折率プロファイル内のリップルを減少させるための方法であって、
(a)チューブ状の基材を供給する工程と、
(b)前記基材を通してO2、気体でケイ素を有する化合物、気体でドーパントを有する化合物、およびCOを含むガス混合物を流す工程と、
(c)前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に、前記基材上でドープされたスート層として堆積する酸化物スート粒子を形成させるために前記ガス混合物を加熱する工程と、
(d)前記ドープされたスート層を焼結させてガラス層を形成する工程と、
(e)前記基材に沿って流れる前記O2、前記気体でケイ素を有する化合物、前記気体でドーパントを有する化合物、および前記COのうちの1つまたは複数の量を調節することによって前記ガス混合物を調節する工程と、
(f)前記調節されたガス混合物のうちの前記ケイ素を有する化合物および前記ドーパントを有する化合物に異なったドーパント濃度で酸化物スート粒子を形成させるために前記調節されたガス混合物を加熱する工程であって、前記異なったドーパント濃度を備えた前記スート粒子がドープされたスート層として前記ガラス層の上に堆積する工程と、
(g)前記基材上で複数のガラス層を形成するために工程(d)、(e)および(f)を繰り返す工程とを含む方法。 - さらに、
(h)形成された前記複数のガラス層を備えた前記基材を壊すことによってプリフォームを作製する工程を含む、請求項9、10、および11のいずれか1項に記載の方法。 - 前記プリフォームが放物線に近い形状で半径方向の屈折率プロファイルを有する、請求項12に記載の方法。
- 前記プリフォームの屈折率プロファイルが、N2O、NF3、またはCOを伴なわずに作られ、かつ前記プリフォームと同じ数のガラス層を有するように作られた従来式のプリフォームのリップル構造よりも小さい大きさを備えたリップル構造を有する、請求項12に記載の方法。
- 前記気体でドーパントを有する化合物がGeCl4であり、前記気体でケイ素を有する化合物がSiCl4である、請求項9、10、および11のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1、2、および3のいずれか1項の方法を使用して形成されたマルチモード光ファイバ。
- 請求項9、10、および11のいずれか1項の方法を使用して形成されたマルチモード光ファイバ。
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