CN106340987A - 一种集中分布的空心杯绕组 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种集中分布的空心杯绕组，包括错层导体、正常导体和绕组抽头，所述的错层导体集中在绕组的中间位置，所述的正常导体分布在错层导体的两侧，所述的绕组抽头位于正常导体的两端部，所述的绕组中间部分密度大于正常导体。与现有技术相比，本发明有效提升空心杯电机的反电势，并进一步提升电机的性能。

Description

一种集中分布的空心杯绕组
技术领域
本发明涉及一种绕组，尤其是涉及一种集中分布的空心杯绕组。
背景技术
传统的空心杯电机绕组绕制过程中，一般将导体2均匀的绕制于绕线模1上，绕组抽头3位于线圈两端，见图1，在热压扁和热成圆后，形成空心杯绕组。这种绕组排布方式，由于导体在空间上均匀分布在120°内，导体上的反电势矢量向中线投影时，靠近中线的矢量反电势利用率要远大于两侧的矢量。
当空心杯绕组的每相串联匝数上升或者线径尺寸变大，由于绕线模的长度有限，不能将同一层导体绕制于一层的空间上，因此不可避免会出现导体位置错层的现象,见图2。另外，考虑到绕线机的行程的精度也可能引起错层现象。图2中的2-2为错层后的导体，2-1为正常的导体。对于导体2-2，传统的绕线方法将导体2-1和错层的导体2-2均匀分布在120°(包括但不限于120°)中，但是将错层的导体均匀的分布于绕组，不能够有效利用错层的导体所产生的反电势，远离绕组中线处的导体产生的反电势小于绕组中线附近的导体产生的反电势。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种集中分布的空心杯绕组。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种集中分布的空心杯绕组，其特征在于，包括错层导体、正常导体和绕组抽头，所述的错层导体集中在绕组的中间位置，所述的正常导体分布在错层导体的两侧，所述的绕组抽头位于正常导体的两端部，所述的绕组中间部分密度大于正常导体。
所述的错层导体的数量为正常导体的1/10至1/2。
优选地，所述的错层导体的数量为正常导体的1/4。
该绕组的导体密度由中间向两边逐渐变小。
所述的错层导体的导体数量与卷圆后绕组的内径成正比。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1)该方法基于空心杯电机反电势矢量图，提出通过减少线圈两边远离绕线模中心位置的导体密度，增加至线圈中心部分。通过该方法，可以在电机结构不变化，绕组匝数不变化前提下，有效提升空心杯电机的反电势，并进一步提升电机的性能；
2)线圈中间部分增加的导体数量，受到卷圆之后绕组尺寸的限制，防止无限扩大带来的其他安全隐患；
3)该方法不需要对设备改造少，通过调试绕线机的绕线程序，具有易于工程实现特点。
附图说明
图1为传统的空心杯电机绕组结构示意图；
图2为现有的导体位置错层的绕组结构示意图；
图3为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例
如图3所示，一种集中分布的空心杯绕组，包括错层导体2-2、正常导体2-1和绕组抽头3，所述的错层导体2-2集中在绕组的中间位置，所述的正常导体2-1分布在错层导体2-2的两侧，所述的绕组抽头3位于正常导体2-1的两端部，所述的错层导体2-2所在的绕组中间部分的导线密度大于正常导体2-1。
所述的错层导体2-2的数量为正常导体2-1的1/10至1/2。优选地，所述的错层导体2-2的数量度为正常导体2-1的1/4。
该绕组的导体密度由中间向两边逐渐变小。所述的错层导体2-2的导体数量与卷圆后绕组的内径成正比。
本发明提出将导体集中在线圈中心附近，形成的线圈出现：稀疏，集中，稀疏的导体分布。根据反电势矢量图分析容易知道，将错层导体2-2集中于线圈中间，可以提升这些导体的反电势利用率。减少线圈两边的密度，同时将相对应的量的导体增加至线圈中间部分，在相同的电机结构和匝数下，可以有效提升空心杯的反电势，提升电机电磁性能。但是，线圈中间部分增加的导体数量受到卷圆后绕组内径尺寸的限制。

Claims (5)

1.一种集中分布的空心杯绕组，其特征在于，包括错层导体、正常导体和绕组抽头，所述的错层导体集中在绕组的中间位置，所述的正常导体分布在错层导体的两侧，所述的绕组抽头位于正常导体的两端部，所述的绕组中间部分密度大于正常导体。
2.根据权利要求1所述的一种集中分布的空心杯绕组，其特征在于，所述的错层导体的数量为正常导体的1/10至1/2。
3.根据权利要求2所述的一种集中分布的空心杯绕组，其特征在于，优选地，所述的错层导体的数量为正常导体的1/4。
4.根据权利要求1所述的一种集中分布的空心杯绕组，其特征在于，该绕组的导体密度由中间向两边逐渐变小。
5.根据权利要求1所述的一种集中分布的空心杯绕组，其特征在于，所述的错层导体的导体数量与卷圆后绕组的内径成正比。
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