CN106312322A - 不良芯粒标记装置及方法 - Google Patents

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王焱华
何江玲
江星
庄昌辉
曾威
尹建刚
高云峰
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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Abstract

本发明涉及一种不良芯粒标记装置及方法。不良芯粒标记装置包括:载台,所述载台用于承载多个芯粒;激光打标机构,正对于所述载台,所述激光打标机构包括激光发生器、振镜及聚焦镜;其中,多个所述芯粒可经过全自动光学检测以确定不良芯粒的位置,所述激光发生器能够发出激光,所述激光发生器发出的激光经过所述振镜的调节将激光聚焦点移至所述不良芯粒的位置,并通过所述聚焦镜的聚焦,以对所述不良芯粒进行打标。上述不良芯粒标记装置及方法,能够对不良芯粒进行激光打标,使得不良芯粒容易被终端客户识别和辨认,解决了传统的晶圆片制程领域圆片中不良芯粒无法识别的问题,提高了圆片的利用效率。

Description

不良芯粒标记装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体加工技术,特别是涉及不良芯粒标记装置及方法。
背景技术
在LED晶圆片制造后段过程,一般包含以下步骤:激光划片,机械裂片,翻转,扩张,AOI(Automatic Optical Inspection全自动光学检测)测试,点测,分选等。分选过后的成品是由一颗颗的单个芯粒组成,每个芯粒上都有正极和负极。
按照芯粒出厂规格一般将LED晶圆片分成圆片和方片。方片是芯片厂最终出厂的成品,按照一定的亮度,颜色,电压,ESD(静电测试)等分类,属于正规品。而圆片是激光划片后没有按照上述参数进行分选分级,其直接出售的产品,一般经过AOI,点测等工序后,不经过分选直接入库,最终圆片的良率是AOI测试的总体良率和点测的良率。由于每片晶圆片中单个芯粒尺寸较小,一般是100~500um的尺寸大小,一片两寸的晶圆片上一般有几万颗芯粒,终端客户在使用圆片的时候无法准确得知每个单个芯粒的良率,即无法确定哪些芯粒是不良品,这种因素会影响圆片的使用效率。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够方便终端客户对不良芯粒进行判断的不良芯粒标记装置,同时还提供一种使用该不良芯粒标记装置的不良芯粒标记方法。
一种不良芯粒标记装置,包括:
载台,所述载台用于承载多个芯粒;
激光打标机构,正对于所述载台,所述激光打标机构包括激光发生器、振镜及聚焦镜;
其中,多个所述芯粒可经过全自动光学检测以确定不良芯粒的位置,所述激光发生器能够发出激光,所述激光发生器发出的激光经过所述振镜的调节将激光聚焦点移至所述不良芯粒的位置,并通过所述聚焦镜的聚焦,以对所述不良芯粒进行打标。
一种不良芯粒标记方法,包括以下步骤:
提供权利要求1所述的不良芯粒标记装置;
获取经过全自动光学检测的所述不良芯粒的位置信息;
所述激光发生器发出激光,所述激光发生器发出的激光经过所述振镜的调节将激光聚焦点移至所述不良芯粒的位置,并通过所述聚焦镜的聚焦,以对所述不良芯粒进行打标。
在其中一个实施例中,在所述获取经过全自动光学检测的所述不良芯粒的位置信息的步骤之前,还包括步骤:
通过全自动光学检测多个所述芯粒,以确定所述不良芯粒,并确定所述不良芯粒的位置信息。
在其中一个实施例中,在所述获取经过全自动光学检测的所述不良芯粒的位置信息的步骤之前,还包括步骤:
再次对多个所述芯粒进行扫描以确定所述不良芯粒的位置信息。
在其中一个实施例中,所述不良芯粒的位置信息为所述不良芯粒的坐标值。
在其中一个实施例中,所述激光发生器发出激光为紫外激光,波长为355nm,单点能量范围是1~100uj。
在其中一个实施例中,对所述不良芯粒进行打标的方式为对所述不良芯粒的电极进行打标。
在其中一个实施例中,多个所述芯粒均贴合于蓝膜上,并通过所述蓝膜放置于所述载台上。
上述不良芯粒标记装置及使用该不良芯粒标记装置的不良芯粒标记方法,能够对不良芯粒进行激光打标,使得不良芯粒容易被终端客户识别和辨认,解决了传统的晶圆片制程领域圆片中不良芯粒无法识别的问题,提高了圆片的利用效率。可以避免后续工序中对不良芯粒进行点测,分选等工艺,从而提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为本发明一实施例中不良芯粒标记装置的工作示意图;
图2为本发明一实施例中不良芯粒标记方法的流程图;
图3为芯粒的坐标示意图;及
图4为多个芯粒的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请一并参阅图1,本发明一实施例中的不良芯粒标记装置100,包括载台110及激光打标机构130。
载台110用于承载多个芯粒20。多个芯粒20由圆形的晶圆片经过激光划片、机械裂片、翻转、扩张等工艺形成。多个芯粒20在载台110上排布。具体的,多个芯粒20均贴合于一蓝膜30上,并通过蓝膜30放置于载台110上。
激光打标机构130正对于载台110。激光打标机构130包括激光发生器(图未示)、振镜132及聚焦镜134。
请一并参阅图3,其中,多个芯粒20可经过全自动光学检测以确定不良芯粒40的位置。激光发生器能够发出激光。激光发生器发出的激光经过振镜132的调节将激光聚焦点移至不良芯粒40的位置,并通过聚焦镜134的聚焦,以对不良芯粒40进行打标。
上述不良芯粒标记装置100,能够对不良芯粒40进行激光打标,使得不良芯粒40容易被终端客户识别和辨认,解决了传统的晶圆片制程领域圆片中不良芯粒40无法识别的问题,提高了圆片的利用效率。
此外,请一并参阅图2,本发明还提供了一种不良芯粒标记方法,其具体包括以下步骤:
步骤S210,提供上述不良芯粒标记装置100。
步骤S230,获取经过全自动光学检测的不良芯粒40的位置信息。
具体的,多个芯粒20在载台110上排布。多个芯粒20均贴合于一蓝膜30上,并通过蓝膜30放置于载台110上。
需要指出的是,在步骤S230之前,还包括步骤S222,通过全自动光学检测多个芯粒20,以确定不良芯粒40,并确定不良芯粒40的位置信息。
通过对载台110上的多个芯粒20进行全自动光学检测,以确定不良芯粒40,并确定不良芯粒40的位置信息。
不良芯粒40的位置信息具体可为不良芯粒40的坐标值。请再次参阅图3,多个芯粒20粘于蓝膜30上固定。芯粒20的电极N极43和P极41朝上,每个芯粒20之间已经通过激光加工,裂片,翻膜,扩张等工序后相互分离。由于蓝膜30的粘性每个芯粒20之间的相对位置基本固定不变。如设置系统中的一点O点的坐标为(0,0),其它每一个芯粒20的中心在x和y方向都有一个确定的坐标值(xi,yi)。经过全自动光学检测后,全自动光学检测工序会判断部分的芯粒20为不良芯粒40,如图3中的不良芯粒40等,这些不良芯粒40的坐标值被记录下来。
为了保证不良芯粒40的位置信息的正确,在步骤S230之前,还可包括步骤S224,再次对多个芯粒20进行扫描以确定不良芯粒40的位置信息。
步骤S250,激光发生器发出激光,激光发生器发出的激光经过振镜132的调节将激光聚焦点移至不良芯粒40的位置,并通过聚焦镜134的聚焦,以对不良芯粒40进行打标。
激光经过振镜132和聚焦镜134后,振镜132根据不良芯粒40的坐标值,移动激光聚焦的焦点在x方向和y方向的位置,使激光聚焦的焦点分别作用于芯粒20上,经过聚焦镜134聚焦后,激光将芯粒20打黑,以达到便于识别的目的。
具体在本实施例中,激光发生器发出激光为紫外激光,波长为355nm,单点能量范围是1~100uj。
具体的,请一并参阅图4,对不良芯粒40进行打标的方式为对不良芯粒40的电极进行打标。在激光聚焦的作用下,不良芯粒40的P极41和N极43被激光加工打黑,以方便终端客户对其进行识别。
上述不良芯粒标记装置100及使用该不良芯粒标记装置100的不良芯粒标记方法,能够对不良芯粒40进行激光打标,使得不良芯粒40容易被终端客户识别和辨认,解决了传统的晶圆片制程领域圆片中不良芯粒40无法识别的问题,提高了圆片的利用效率。可以避免后续工序中对不良芯粒40进行点测,分选等工艺,从而提高了生产效率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种不良芯粒标记装置,其特征在于,包括:
载台,所述载台用于承载多个芯粒;
激光打标机构,正对于所述载台,所述激光打标机构包括激光发生器、振镜及聚焦镜;
其中,多个所述芯粒可经过全自动光学检测以确定不良芯粒的位置,所述激光发生器能够发出激光,所述激光发生器发出的激光经过所述振镜的调节将激光聚焦点移至所述不良芯粒的位置,并通过所述聚焦镜的聚焦,以对所述不良芯粒进行打标。
2.一种不良芯粒标记方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供权利要求1所述的不良芯粒标记装置;
获取经过全自动光学检测的所述不良芯粒的位置信息;
所述激光发生器发出激光,所述激光发生器发出的激光经过所述振镜的调节将激光聚焦点移至所述不良芯粒的位置,并通过所述聚焦镜的聚焦,以对所述不良芯粒进行打标。
3.根据权利要求2所述的不良芯粒标记方法,其特征在于,在所述获取经过全自动光学检测的所述不良芯粒的位置信息的步骤之前,还包括步骤:
通过全自动光学检测多个所述芯粒,以确定所述不良芯粒,并确定所述不良芯粒的位置信息。
4.根据权利要求3所述的不良芯粒标记方法,其特征在于,在所述获取经过全自动光学检测的所述不良芯粒的位置信息的步骤之前,还包括步骤:
再次对多个所述芯粒进行扫描以确定所述不良芯粒的位置信息。
5.根据权利要求2所述的不良芯粒标记方法,其特征在于,所述不良芯粒的位置信息为所述不良芯粒的坐标值。
6.根据权利要求2所述的不良芯粒标记方法,其特征在于,所述激光发生器发出激光为紫外激光,波长为355nm,单点能量范围是1~100uj。
7.根据权利要求2所述的不良芯粒标记方法,其特征在于,对所述不良芯粒进行打标的方式为对所述不良芯粒的电极进行打标。
8.根据权利要求2所述的不良芯粒标记方法,其特征在于,多个所述芯粒均贴合于蓝膜上,并通过所述蓝膜放置于所述载台上。
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