CN113325004A - 一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置，该方法包括：获取第一标准片的第一标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；获取第二标准片的第二标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。采用上述技术方案，检测方法简单，同时还可以调整精度，以更加高效、有效的方法检测半导体晶片表面的缺陷。

Description

一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置

技术领域

本发明实施例涉及半导体晶片评价的技术领域，尤其涉及一种半导体晶片表面缺陷检测方法和检测装置、检测设备和计算机可读存储介质。

背景技术

硅材料因其在材料结构、机械强度、化学和电稳定性方面的良好性能而成为半导体工业中最常用的材料之一。不可避免地需要对硅材料进行良好的缺陷控制，并且在硅片制造中需要良好的表面缺陷计量，因此简化表缺陷的检测方式对于半导体晶片制造行业具有至关重要的意义。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种半导体晶片表面缺陷检测方法，以简化表缺陷的检测方式，提高表面缺陷的类型检测准确度。

第一方面，本发明实施例提供了一种半导体晶片表面缺陷检测方法，基于光学检测设备进行检测，所述光学检测设备包括光发射系统和光接收系统；所述光接收系统包括第一光接收系统和第二光接收系统，所述半导体晶片表面缺陷检测方法包括：

在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；所述第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且所述凹陷缺陷的比例在第一预设范围内；

在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；所述第二标准缺陷包括凸起缺陷，且所述凸起缺陷的比例在第二预设范围内；

将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

可选的，在获取到所述第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统发射的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值，包括：

获取所述第一标准片的第一标准缺陷；

在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对所述第一标准片进行缺陷检测，并获取所述第一标准片的第一检测缺陷；

判断所述第一检测缺陷与所述第一标准缺陷是否匹配；

若是，则将所述第一比值作为所述第一标准比值；

若否，则调整所述第一比值，并返回在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对所述第一标准片进行缺陷检测，并获取所述第一标准片的第一检测缺陷的步骤。

可选的，在获取到所述第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统发射的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值，还包括：

在所述第一检测缺陷与所述第一标准缺陷不匹配，且对所述第一比值进行调整的次数超过第一预设次数时，停止对所述第一标准片的检测。

可选的，在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的发射的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值，包括：

获取所述第二标准片的第二标准缺陷；

在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第二比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第二标准片的表面，对所述第二标准片进行缺陷检测，并获取所述第二标准片的第二检测缺陷；

判断所述第二检测缺陷与所述第二标准缺陷是否匹配；

若是，则将所述第二比值作为所述第二标准比值；

若否，则调整所述第二比值，并返回在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第二比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对所述第二标准片进行缺陷检测，并获取所述第二标准片的第二检测缺陷的步骤。

可选的，在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的发射的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值，还包括：

在所述第二检测缺陷与所述第二标准缺陷不匹配，且对所述第二比值进行调整的次数超过第二预设次数时，停止对所述第二标准片的检测。

可选的，将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测，包括：

将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的比值调整至第一检测比值；其中，所述第一检测比值大于或等于所述第二标准比值且小于或等于所述第一标准比值；

获取第一待检测片的待检测缺陷；所述待检测缺陷包括凹陷缺陷和/或凸起缺陷；

在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的比值为所述第一检测比值时，对所述第一待检测片进行缺陷检测，以获取所述第一待检测片的第三检测缺陷；

判断所述第三检测缺陷与所述待检测缺陷是否匹配；

若是，则将所述第一检测比值作为对其它待检测片进行检测时第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值，以对其它待检测片进行缺陷检测；

若否，则调整所述第一检测比值，并返回执行在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的比值为所述第一检测比值时，对所述第一待检测片进行缺。

可选的，将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测，还包括：

在所述第三检测缺陷与所述待检测缺陷不匹配，且对所述第一检测比值进行调整的次数超过第三预设次数时，停止对所述第一待检测片的检测。

第二方面，本发明实施例还提供了一种半导体晶片表面缺陷检测装置，基于光学检测设备进行检测，所述光学检测设备包括光发射系统和光接收系统；所述光接收系统包括第一光接收系统和第二光接收系统，其特征在于，包括：

第一标准比值确定模块，用于在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；所述第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且所述凹陷缺陷的比例在第一预设范围内；

第二标准比值确定模块，用于在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；所述第二标准缺陷包括凸起缺陷，且所述凸起缺陷的比例在第二预设范围内；

光强比值调整模块，用于将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

第三方面，本发明实施例还提供了一种光学检测设备，其特征在于，包括：光出射系统、光接收系统以及处理器；

所述处理器用于执行上述的半导体晶片表面缺陷检测方法。

第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现上述的半导体晶片表面缺陷检测方法。

本发明实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测方法，利用光学检测设备的光出射系统和光接收系统进行检测，仅通过第一光接收系统和第二光接收系统便可以检测出缺陷，检测方法简单；同时，通过分别对表面缺陷为凹陷缺陷的第一标准片和表面缺陷为凸起缺陷的第二标准片进行检测，分别获得检测出第一标准片的第一标准缺陷的第一比值和检测出第二标准片的第二比值，以在对待检测片进行检测时，将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，从而能够准确地检测出待检测片上凹陷缺陷和凸起缺陷，进而提高缺陷检测的准确度，以更加高效、有效的方法检测半导体晶片表面的缺陷。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明实施例提供的一种半导体晶片表面缺陷检测方法；

图2是本发明实施例提供的第一标准比值确定方法的流程示意图；

图3是本发明实施例提供的第二标准比值确定方法的流程示意图；

图4是本发明实施例提供的一种确定检测待检测片的光强比值的方法的流程示意图；

图5是本发明实施例提供的一种半导体晶片表面缺陷检测装置的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种光学检测设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

图1是本发明实施例提供的一种半导体晶片表面缺陷检测方法的流程示意图，本发明实施例提供的表面缺陷检测方法用于对半导体晶片表面缺陷进行评估和分析，该方法基于光学检测设备进行检测，光学检测设备包括光发射系统和光接收系统，光接收系统包括第一光接收系统和第二光接收系统。如图1所示，本发明实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测方法包括：

S101、在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定光发射系统发射的出射光经由第一标准片的表面反射后，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值。

其中，第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且凹陷缺陷的比例在第一预设范围内。示例性的，选取一个包括凹陷缺陷的半导体晶片作为第一标准片，第一标准片上的缺陷为第一标准缺陷，第一标准缺陷中凹陷缺陷的占比要在第一预设范围内，第一预设范围可以为80％-100％，也可以为90％-100％，第一预设范围中的值越大，凹陷缺陷的占比也越大，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值的精准度也越高。其中，根据实际精准度的需要，可以适当调整第一预设范围，90％-100％的精准度要高于80％-100％的精准度，然后根据第一预设范围选取对应的第一标准片，由第一标准片的第一标准缺陷得到第一标准比值，也就是说，第一预设范围可以根据实际精准度需要进行确定，第一标准片可以根据在第一预设范围进行选取，第一标准比值可以通过对第一标准片的第一标准缺陷进行检测而确定。

S102、在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定光发射系统的发射的出射光经由第二标准片的表面反射后，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值。

其中，第二标准缺陷包括凸起缺陷，且凸起缺陷的比例在第二预设范围内。示例性的，选取一个包括凸起缺陷的半导体晶片作为第二标准片，第二标准片上的缺陷为第二标准缺陷，第二标准缺陷中凸起缺陷的占比要在第二预设范围内，第二预设范围可以为80％-100％，也可以为90％-100％，其中，第二预设范围可以与第一预设范围相同，也可以不同，本发明实施例对第一预设范围和第二预设范围不进行限定。第二预设范围中的值越大，凸起缺陷的占比也越大，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值的精准度也越高。其中，根据实际精准度的需要，可以适当调整第二预设范围，然后根据第二预设范围选取对应的第二标准片，由第二标准片的第二标准缺陷得到第二标准比值，也就是说，第二预设范围可以根据实际精准度需要确定的，第二标准片可以根据在第二预设范围选取，第二标准比值可以通过对第二标准片的第二标准缺陷进行检测而确定。

S103、将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

示例性的，待检测片的表面缺陷是未知的，待检测片可能既包括凹陷缺陷，也可能包括凸起缺陷，凹陷缺陷和凸起缺陷的占比也是未知的，而凹陷缺陷占比较大的第一标准片和凸起缺陷占比较大第二标准片是待检测片的两种极端情况，第一标准比值和第二标准比值也是光出射系统的出射光强与光接收系统的接收光强的比值两种极端情况，对于既包括凹陷缺陷、又包括凸起缺陷的一般半导体晶片，可将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整在第一标准比值与第二标准比值之间，更适用于普通未知缺陷的半导体晶片的表面缺陷进行检测。如此，在将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整在第一标准比值与第二标准比值之间时，可对待检测片进行检测，以获得该待检测片上所包括的缺陷，以及缺陷的分布情况，从而根据待检测片上所包括的缺陷以及缺陷的分布情况，对半导体晶片的制备工艺过程进行改进，优化半导体晶片的制备工艺。

本发明实施提供的半导体晶片表面缺陷检测方法，利用光学检测设备的光出射系统和光接收系统进行检测，仅通过第一光接收系统和第二光接收系统便便可以检测出缺陷，检测方法简单；同时，通过分别对表面缺陷为凹陷缺陷的第一标准片和表面缺陷为凸起缺陷的第二标准片进行检测，分别获得检测出第一标准片的第一标准缺陷的第一比值和检测出第二标准片的第二比值，以在对待检测片进行检测时，将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，从而能够准确地检测出待检测片上凹陷缺陷和凸起缺陷，进而提高缺陷检测的准确度，以更加高效、有效的方法检测半导体晶片表面的缺陷。

图2是本发明实施例提供的第一标准比值确定方法的流程示意图。如图2所示，本发明实施例提供的第一标准比值确定方法包括：

S201、获取第一标准片的第一标准缺陷。

示例性的，第一标准片是指其所包括的凹陷缺陷的占比在第一预设范围内的半导体晶片，第一预设范围可以为80％-100％，也可以为90％-100％，本发明实施例对此不做具体限定。获取第一标准片上的第一标准缺陷的方式可以通过一些电镜设备检测得出，也可以通过其他高精密设备得出，本发明实施例对第一标准片的第一标准缺陷的获取方法不进行限定。

S202、在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一比值时，控制光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对第一标准片进行缺陷检测，并获取第一标准片的第一检测缺陷。

示例性的，这里的第一比值是根据经验设定，一般第一比值可设置为小于1.05的数值。在将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值设置为第一比值后，可对第一标准片进行初步的缺陷检测，并获得相应的检测结果；根据检测结果可以得到第一标准片的表面缺陷，即为第一检测缺陷。

S203、判断第一检测缺陷与第一标准缺陷是否匹配，若是，则执行S204，若否，则执行S205。

S204、将第一比值作为第一标准比值。

S205、调整第一比值，并返回S202。

示例性的，第一标准缺陷是通过其他设备对第一标准片的表面缺陷进行检测所获得的检测结果，即通过其它设备获知第一标准片的缺陷类型和缺陷分布。在获得第一标准片的第一检测缺陷后，可比较第一标准缺陷和第一检测缺陷；若第一检测缺陷与第一标准缺陷相匹配，即所检测出的缺陷类型和缺陷分布情况均与通过其它设备获知的缺陷类型和缺陷分布情况相同或大致相同，则可以说明在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一比值时，能够检测到第一标准片的第一标准缺陷，此时可确定出第一标准比值即为根据经验设定出的第一比值；而在第一检测缺陷与第一标准缺陷不匹配，即所检测出的缺陷类型和/或缺陷分布情况均与通过其它设备获知的缺陷类型和/或缺陷分布情况相差较大，则说明还未检测到第一标准片的第一标准缺陷，可进一步调整第一比值后，再对第一标准片进行检测，直至检测出第一标准片的第一标准缺陷。此处所述的调整第一比值可以为将第一比值调大或调小，本发明实施例对此不做具体限定。

可选的，在第一检测缺陷与第一标准缺陷不匹配，且对第一比值进行调整的次数超过第一预设次数时，停止对第一标准片的检测。

示例性的，第一预设次数可以为一较大的正整数，防止因对第一比值进行多次调整后，仍无法检测出与第一标准缺陷相匹配的第一检测缺陷，形成无陷循环过程，而影响检测过程。其中，若第一比值进行多次调整后，仍无法检测出与第一标准缺陷相匹配的第一检测缺陷，可考虑更换第一标准片后重新进行检测，或者可以对检测装置的其他参数进行检查调整。

综上，本发明实施例提供的第一标准比值确定方法，通过匹配第一检测缺陷和第一标准缺陷，可以获得较为准确的第一标准比值，通过对第一标准比值的校准，可以确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值下限，在采用该方法检测凹陷缺陷较多的半导体晶片时更为准确。

图3是本发明实施例提供的第二标准比值确定方法的流程示意图。如图3所示，本发明实施例提供的第二标准比值确定方法包括：

S301、获取第二标准片的第二标准缺陷。

示例性的，第二标准片是指其所包括的凸起缺陷的占比在第二预设范围内的半导体晶片，第二预设范围可以为80％-100％，也可以为90％-100％，本发明实施例对此不做具体限定。获取第二标准片上的第二标准缺陷的方式可以通过一些电镜设备检测得出，也可以通过其他高精密设备得出，本发明实施例对第二标准片的第二标准缺陷的获取方法不进行限定。

S302、在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值为第二比值时，控制光发射系统发射出射光至所述第二标准片的表面，对第二标准片进行缺陷检测，并获取第二标准片的第二检测缺陷。

示例性的，这里的第二比值是根据经验设定，一般第二比值可设置为大于1.02的数值，在将第二比值设置为第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值后，可对第二标准片进行初步的缺陷检测，并获得相应的检测结果；根据检测结果可以得到第二标准片的表面缺陷，即为第二检测缺陷。

S303、判断第二检测缺陷与第二标准缺陷是否匹配，若是，则执行S304，若否，则执行S305。

S304、将第二比值作为第二标准比值。

S305、调整第二比值，并返回S302。

示例性的，第二标准缺陷是通过其他设备对第二标准片的表面缺陷进行检测所获得的检测结果，即通过其它设备获知第二标准片的缺陷类型和缺陷分布。在获得第二标准片的第二检测缺陷后，可比较第二标准缺陷和第二检测缺陷；若第二检测缺陷与第二标准缺陷相匹配，即所检测出的缺陷类型和缺陷分布情况均与通过其它设备获知的缺陷类型和缺陷分布情况相同或大致相同，则可以说明在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值为第二比值时，能够检测到第二标准片的第二标准缺陷，此时可确定出第二标准比值即为根据经验设定出的第二比值；而在第二检测缺陷与第二标准缺陷不匹配，即所检测出的缺陷类型和/或缺陷分布情况均与通过其它设备获知的缺陷类型和/或缺陷分布情况相差较大，则说明还未检测到第二标准片的第二标准缺陷，可进一步调整第二比值后，再对第二标准片进行检测，直至检测出第二标准片的第二标准缺陷。此处所述的调整第二比值可以为将第二比值调大或调小，本发明实施例对此不做具体限定。

可选的，在第二检测缺陷与第二标准缺陷不匹配，且对第二比值进行调整的次数超过第二预设次数时，停止对第二标准片的检测。

示例性的，第二预设次数可以为一较大的正整数，防止因对第二比值进行多次调整后，仍无法检测出与第一标准缺陷相匹配的第一检测缺陷，形成无陷循环过程，而影响检测过程。其中，若第二比值进行多次调整后，仍无法检测出与第一标准缺陷相匹配的第一检测缺陷，可考虑更换第二标准片后重新进行检测，或者可以对检测装置的其他参数进行检查调整。

综上，本发明实施例提供的第二标准比值确定方法，通过匹配第二检测缺陷和第二标准缺陷，可以获得较为准确的第二标准比值，通过对第二标准比值的校准，可以确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值上限，在采用该方法检测凸起缺陷较多的半导体晶片时更为准确。

可选的，在通过对第一标准片的第一标准缺陷和第二标准片的第二标准缺陷进行检测后，能够得到较为准确的第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值的下限和上限。在此基础上，还可以在对待检测片进行检测前，对第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的具体比值进行确定，图4是本发明实施例提供的一种确定检测待检测片的光强比值的方法的流程示意图，如图4所示，本发明实施例提供的确定检测待检测片的光强比值的方法包括：

S401、将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的比值调整至第一检测比值。其中，第一检测比值大于或等于第一标准比值且小于或等于第二标准比值。

示例性的，第一检测比值可以是大于或等于第一标准比值且小于或等于第二标准比值的一个数值，可根据经验设置为第一标准比值至第二标准比值范围内的一个数值，例如可以为1.25。

S402、获取第一待检测片的待检测缺陷；待检测缺陷包括凹陷缺陷和/或凸起缺陷。

示例性的，第一待检测片也是一种标准片，与凹陷缺陷占比大的第一标准片和凸起缺陷占比大非第二标准片不同的是，第一待检测片可以是凹陷缺陷占比大，也可以是凸起缺陷占比大，还可以是凹陷缺陷和凸起缺陷占比一样多，第一待检测片也可以是待检测的半导体晶片批次中的一个。待检测缺陷为第一待检测片的表面缺陷，可通过其他设备检测得到第一待检测片的待检测缺陷。

S403、在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的比值为第一检测比值时，对第一待检测片进行缺陷检测，以获取第一待检测片的第三检测缺陷。

示例性的，将第一检测比值设置为第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值，然后对第一待检测片进行初步的缺陷检测，根据检测结果可以得到第一待检测片的表面缺陷，即为第三检测缺陷。

S404、判断第三检测缺陷与待检测缺陷是否匹配，若是，则执行S405，若否,则执行S406。

S405、将第一检测比值作为对其它待检测片进行检测时第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值，以对其它待检测片进行缺陷检测。

S406、调整第一检测比值，并返回执行S403。

示例性的，待检测缺陷是通过其他设备对第一待检测片的表面缺陷进行检测所获得的检测结果，即通过其它设备获知第一待检测片的缺陷类型和缺陷分布。在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强比值为第一检测比值时，可得到第一待检测片的第三检测缺陷，该第三检测缺陷包括所检测出的第一待检测片的缺陷类型和分布情况，并对待检测缺陷和第三待检测缺陷进行比较；若第三检测缺陷与待检测缺陷相匹配，即所检测出的缺陷类型和缺陷分布情况均与通过其它设备获知的缺陷类型和缺陷分布情况相同或大致相同，则可以说明在第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一检测比值时，能够检测到第一待检测片的待检测缺陷，此时可将根据经验设定出的第一检测比值作为对其它待检测片进行检测时第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值；而在第三检测缺陷与待检测缺陷不匹配，即所检测出的缺陷类型和/或缺陷分布情况均与通过其它设备获知的缺陷类型和/或缺陷分布情况相差较大，则说明还未检测到第一待检测片的待检测缺陷，可进一步调整第一检测比值后，再对第一待检测片进行检测，直至检测出第一待检测片的待检测缺陷。此处所述的调整第一检测比值可以为将第一检测比值调大或调小，本发明实施例对此不做具体限定。

可选的，在第三检测缺陷与待检测缺陷不匹配，且对第一检测比值进行调整的次数超过第三预设次数时，停止对第一待检测片的检测。

示例性的，第三预设次数可以为一较大的正整数，防止因对第一检测比值进行多次调整后，仍无法检测出与待检测缺陷相匹配的第三检测缺陷，形成无陷循环过程，而影响检测过程。其中，若第一检测比值进行多次调整后，仍无法检测出与待检测缺陷相匹配的第三检测缺陷，可考虑更换第一待检测片后重新进行检测，或者可以对检测装置的其他参数进行检查调整。

综上，本发明实施例提供的确定检测待检测片的光强比值的方法，通过匹配第三检测缺陷和待检测缺陷，可以获得较为准确的第一检测比值，通过对第一检测比值的校准，可以确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值，在采用该方法检测半导体晶片时更为准确。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种半导体晶片表面缺陷检测装置，图5是本发明实施例提供的一种半导体晶片表面缺陷检测装置的结构示意图，该装置采用本发明实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测方法制备得到，也是基于光学检测设备进行检测，光学检测设备包括光发射系统和光接收系统，光接收系统包括第一光接收系统和第二光接收系统。如图5所示，本发明实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测装置包括：第一标准比值确定模块501、第二标准比值确定模块502和光强比值调整模块503。其中，

第一标准比值确定模块501，用于在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定光发射系统的出射光经由第一标准片的表面反射后，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且凹陷缺陷的比例在第一预设范围内；

第二标准比值确定模块502，用于在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定光发射系统的出射光经由第二标准片的表面反射后，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；第二标准缺陷包括凸起缺陷，且凸起缺陷的比例在第二预设范围内；

光强比值调整模块503，用于将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

本发明实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测装置，采用本发明实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测方法制备得到，具备相应的有益效果，这里不再赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种光学检测设备，图6是本发明实施例提供的一种光学检测设备的结构示意图。如图6所示，该光学检测设备包括光出射系统601、光接收系统602以及处理器603，其中，处理器603可用于执行本发明任意实施例提供的半导体晶片表面缺陷检测方法。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序在由计算机处理器执行时用于执行一种半导体晶片表面缺陷检测方法，包括：

在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定光发射系统的出射光经由第一标准片的表面反射后，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且凹陷缺陷的比例在第一预设范围内；

在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定光发射系统的出射光经由第二标准片的表面反射后，第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；第二标准缺陷包括凸起缺陷，且凸起缺陷的比例在第二预设范围内；

将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

当然，本发明实施例所提供的计算机可读存储介质，其计算机程序不限于如上的方法操作，还可执行本发明任意实施例所提供的半导体晶片表面缺陷检测方法中的相关操作。

值得注意的是，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，本发明的各个实施方式的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种半导体晶片表面缺陷检测方法，基于光学检测设备进行检测，所述光学检测设备包括光发射系统和光接收系统；所述光接收系统包括第一光接收系统和第二光接收系统，其特征在于，包括：

在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统发射的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；所述第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且所述凹陷缺陷的比例在第一预设范围内；

在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的发射的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；所述第二标准缺陷包括凸起缺陷，且所述凸起缺陷的比例在第二预设范围内；

将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片表面缺陷检测方法，其特征在于，在获取到所述第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统发射的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值，包括：

获取所述第一标准片的第一标准缺陷；

在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对所述第一标准片进行缺陷检测，并获取所述第一标准片的第一检测缺陷；

判断所述第一检测缺陷与所述第一标准缺陷是否匹配；

若是，则将所述第一比值作为所述第一标准比值；

若否，则调整所述第一比值，并返回在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第一比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对所述第一标准片进行缺陷检测，并获取所述第一标准片的第一检测缺陷的步骤。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片表面缺陷检测方法，其特征在于，还包括：

在所述第一检测缺陷与所述第一标准缺陷不匹配，且对所述第一比值进行调整的次数超过第一预设次数时，停止对所述第一标准片的检测。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片表面缺陷检测方法，其特征在于，在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的发射的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值，包括：

获取所述第二标准片的第二标准缺陷；

在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第二比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第二标准片的表面，对所述第二标准片进行缺陷检测，并获取所述第二标准片的第二检测缺陷；

判断所述第二检测缺陷与所述第二标准缺陷是否匹配；

若是，则将所述第二比值作为所述第二标准比值；

若否，则调整所述第二比值，并返回在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值为第二比值时，控制所述光发射系统发射出射光至所述第一标准片的表面，对所述第二标准片进行缺陷检测，并获取所述第二标准片的第二检测缺陷的步骤。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片表面缺陷检测方法，其特征在于，还包括：

在所述第二检测缺陷与所述第二标准缺陷不匹配，且对所述第二比值进行调整的次数超过第二预设次数时，停止对所述第二标准片的检测。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片表面缺陷检测方法，其特征在于，将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测，包括：

将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的比值调整至第一检测比值；其中，所述第一检测比值大于或等于所述第二标准比值且小于或等于所述第一标准比值；

获取第一待检测片的待检测缺陷；所述待检测缺陷包括凹陷缺陷和/或凸起缺陷；

在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的比值为所述第一检测比值时，对所述第一待检测片进行缺陷检测，以获取所述第一待检测片的第三检测缺陷；

判断所述第三检测缺陷与所述待检测缺陷是否匹配；

若是，则将所述第一检测比值作为对其它待检测片进行检测时第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值，以对其它待检测片进行缺陷检测；

若否，则调整所述第一检测比值，并返回执行在所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的比值为所述第一检测比值时，对所述第一待检测片进行缺陷检测，以获取所述第一待检测片的第三检测缺陷的步骤。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片表面缺陷检测方法，其特征在于，还包括：

在所述第三检测缺陷与所述待检测缺陷不匹配，且对所述第一检测比值进行调整的次数超过第三预设次数时，停止对所述第一待检测片的检测。

8.一种半导体晶片表面缺陷检测装置，基于光学检测设备进行检测，所述光学检测设备包括光发射系统和光接收系统；所述光接收系统包括第一光接收系统和第二光接收系统，其特征在于，包括：

第一标准比值确定模块，用于在获取到第一标准片的第一标准缺陷时，确定所述光发射系统的出射光经由所述第一标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；所述第一标准缺陷包括凹陷缺陷，且所述凹陷缺陷的比例在第一预设范围内；

第二标准比值确定模块，用于在获取到第二标准片的第二标准缺陷时，确定所述光发射系统的出射光经由所述第二标准片的表面反射后，所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；所述第二标准缺陷包括凸起缺陷，且所述凸起缺陷的比例在第二预设范围内；

光强比值调整模块，用于将所述第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至所述第一标准比值与所述第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。

9.一种光学检测设备，其特征在于，包括：光出射系统、光接收系统以及处理器；

所述处理器用于执行权利要求1～7任一项所述的半导体晶片表面缺陷检测方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1～7任一项所述的半导体晶片表面缺陷检测方法。

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