CN106297892A - 一种存储器参考单元的实现方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种存储器参考单元的实现方法及系统，所述方法包括：接收目标操作开始指令；读取与目标操作匹配的设置信息；根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。本发明实施例提供的一种存储器参考单元的实现方法，在接收到目标操作开始指令时，通过读取与目标操作匹配的设置信息，并根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流，实现参考单元的同时，降低了测试时间和成本，并提高了存储器产品的可靠性和使用寿命。

Description

一种存储器参考单元的实现方法及系统

技术领域

本发明实施例涉及半导体存储器技术领域，具体涉及一种存储器参考单元的实现方法及系统。

背景技术

非易失闪存介质(nor Flash/nand Flash)是一种很常见的存储器，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。

为了验证存储器产品的正确性，在产品出厂之前会进行一连串的测试流程。在进行测试的过程中，通常会对存储器的存储单元进行编程、擦除或者读出等测试操作，以校验这些存储单元是否能通过测试。一般情况下，需要先设定各种参考单元,然后进行测试。在进行各项测试操作时，会通过选定参考单元与操作的存储单元进行比较来判断操作的存储单元是否通过测试。常用的校验测试方法为：通过选定一个存储单元作为参考单元，并给参考单元施加预设参考电压，以使参考单元产生参考电流，然后将待校验的存储单元的电流与参考单元的参考电流进行比较，通过比较结果确定是否正确。因为存储单元的电流与存储单元的阈值电压以及参考电压有关，通常情况下，需要对参考单元的阈值电压进行调整，调整到标准值，从而产生符合条件的参考电流。其中，参考单元的阈值电压为预定的，但是在编程、擦除和读出的操作中，每一操作之后选用的参考单元的阈值电压互不相同。这种通过选定一个存储单元作为参考单元的方法，需要根据不同的测试操作通过编程给存储单元写入不同的值，以使存储单元产生期望的参考电流，由于测试时间的限制，通过编程给存储单元写入的值都不会很精确，因此产生的参考电流精确度也不高，而且经过多次对存储单元进行读写操作，很容易出现参考电流漂移的问题，影响存储器产品的可靠性和使用寿命。

因此，本发明提供一种存储器参考单元的实现方法，以降低测试时间和成本，并提高存储器产品的可靠性和使用寿命。

发明内容

本发明提供了一种存储器参考单元的实现方法及系统，以降低测试时间和成本，并提高存储器产品的可靠性和使用寿命。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储器参考单元的实现方法，该方法包括：

接收目标操作开始指令；

读取与目标操作匹配的设置信息；

根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。

进一步地，所述目标操作包括读操作、擦除操作和编程操作中的一种或几种。

进一步地，与目标操作匹配的设置信息包括：

参考电流与基准电流的倍数关系。

进一步地，所述基准电流由存储器中的基准电路产生。

进一步地，在读取与目标操作匹配的设置信息之前，所述方法还包括：

将与目标操作匹配的设置信息保存到存储器的设定存储单元中。

第二方面，本发明实施例还提供了一种存储器参考单元的实现系统，该系统包括：

接收模块，用于接收目标操作开始指令；

读取模块，用于读取与目标操作匹配的设置信息；

控制模块，用于根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。

进一步地，所述目标操作包括读操作、擦除操作和编程操作中的一种或几种。

进一步地，与目标操作匹配的设置信息包括：

参考电流与基准电流的倍数关系。

进一步地，所述基准电流由存储器中的基准电路产生。

进一步地，所述系统还包括：

保存模块，用于在读取与目标操作匹配的设置信息之前，将与目标操作匹配的设置信息保存到存储器的设定存储单元中。

本发明实施例提供的一种存储器参考单元的实现方法，在接收到目标操作开始指令时，通过读取与目标操作匹配的设置信息，并根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流，实现参考单元的同时，降低了测试时间和成本，并提高了存储器产品的可靠性和使用寿命。

附图说明

图1是本发明实施例一中的一种存储器参考单元的实现方法流程示意图；

图2是本发明实施例一中的参考电流实现的流程示意图；

图3是本发明实施例二中的一种存储器参考单元的实现系统的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种存储器参考单元的实现方法的流程示意图，本实施例可适用于在存储器产品出厂之前进行一系列测试操作的过程中，需要建立参考单元的情况。具体参见图1，本实施例提供的存储器参考单元的实现方法具体包括如下步骤：

110、接收目标操作开始指令。

示例性地，所述目标操作包括读操作、擦除操作和编程操作中的一种或几种。

非易失性存储器由存储单元cell组成，cell包括电容和晶体管，cell中的数据取决于存储在电容中的电荷，晶体管的开关控制数据的存取。一般而言，一个cell可以包括S极(source，源极)，D极(drain，漏极)，CG极(controlling gate，控制栅极)，以及FG极(floating gate，浮动栅极)，控制栅极CG可用于接电压VG。若VG为正电压，浮动栅极FG与漏极D之间产生隧道效应，使电子注入浮动栅极FG，即编程写入；擦除操作则可以在源极S加电压(正电压或负电压)，利用浮动栅极FG与源极S之间的隧道效应，把注入至浮动栅极FG的电荷(负电荷或正电荷)吸引到源极S。cell数据是0或1取决于浮动栅极FG中是否有电子。若浮动栅极FG有电子，需要较高的控制栅极CG电压才能使源极S和漏极D之间感应出导电沟道，使晶体管导通，表示存入0。若浮动栅极FG中无电子，则较低的控制栅极电压就能使源极S和漏极D之间感应出导电沟道，控制晶体管导通，即表示存入1。

为了验证存储器产品能否被正确地编程写入、擦除或者读出，在出厂之前会地存储器的各项性能进行测试，例如读操作、擦除操作或者编程操作。测试的原理是通过首先设定参考单元，目的是使参考单元产生期望的参考电流，然后将经过测试的存储单元的电流与参考电流进行比较，根据比较结果确定被测试的存储单元是否通过测试操作。

120、读取与目标操作匹配的设置信息。

优选的，与目标操作匹配的设置信息可以包括：

参考电流与基准电流的倍数关系。

例如，当目标操作为读操作时，匹配的设置信息可以为6，表示读参考电流是基准电流的6倍；当目标操作为擦除操作时，匹配的设置信息可以为10，表示擦除参考电流是基准电流的10倍；当目标操作为编程操作时，匹配的设置信息可以为2，表示编程参考电流是基准电流的2倍。进一步地，在读取与目标操作匹配的设置信息之前，还可以包括：

将与目标操作匹配的设置信息保存到存储器的设定存储单元中。

需要说明的是，与目标操作匹配的设置信息一般都是在非易失性存储器产品出厂前的测试中写入，进而保证存储器产品出厂后能够正确地进行读写操作。由于所述设置信息主要是参考电流与基准电流的倍数关系信息，因此对被写入所述设置信息的存储单元的精度要求较低，进而有利于减少测试时间。所述设置信息可以保存在存储器的一些特殊存储单元中，所述特殊存储单元可以是指一些精度要求不高的存储单元。

130、根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。

示例性地，所述基准电流由存储器中的基准电路产生。其中，所述基准电路是存在于每一个非易失性存储器产品中的，用于产生基准电压和基准电流，作为存储器内部所需电压或电流的参考。

其中，所述电流产生单元优选可以是电流镜电路，所述设置信息和基准电流作为电流镜电路的两个输入，控制电流镜电路产生与基准电流成倍数关系的参考电流。具体可以参见图2所示的参考电流实现的流程示意图，其中，信息存储单元用于存储与目标操作匹配的设置信息，当某一目标操作开始后，例如当编程操作开始信号PV置1，控制单元通过读取信息存储单元中的与编程操作匹配的设置信息，基于基准电路产生的基准电流Ibg控制电流产生单元产生期望的参考电流Iref。当读操作开始信号RD置1，控制单元通过读取信息存储单元中的与读操作匹配的设置信息，基于基准电路产生的基准电流Ibg控制电流产生单元产生期望的参考电流Iref。当擦除操作开始信号EV置1，控制单元通过读取信息存储单元中的与擦除操作匹配的设置信息，基于基准电路产生的基准电流Ibg控制电流产生单元产生期望的参考电流Iref。

需要说明的是，现有技术中参考单元的实现方法是通过选定某一存储单元作为参考单元，然后根据不同的测试操作通过编程给存储单元写入不同的值，以使存储单元产生期望的参考电流，由于测试时间的限制，通过编程给存储单元写入的值都不会很精确，因此产生的参考电流精确度也不高，而且经过多次对存储单元进行读写操作，很容易出现参考电流漂移的问题，影响存储器产品的可靠性和使用寿命；然而本实施例的技术方案是通过利用存储器中已经存在的基准电路产生的基准电流，增设电流产生单元，通过逻辑控制产生期望的参考电流，不再通过选定某一存储单元实现，也就不再对存储单元产生破坏性的影响，降低了测试时间和成本，并提高了存储器产品的可靠性和使用寿命。

本发明实施例提供的一种存储器参考单元的实现方法，在接收到目标操作开始指令时，通过读取与目标操作匹配的设置信息，并根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流，实现参考单元的同时，降低了测试时间和成本，并提高了存储器产品的可靠性和使用寿命。

实施例二

图3是本发明实施例二中的一种存储器参考单元的实现系统的结构示意图，在上述实施例的基础上，参见图3，本实施例提供的一种存储器参考单元的实现系统具体包括：

接收模块310、读取模块320和控制模块330，

其中，接收模块310用于接收目标操作开始指令；读取模块320用于读取与目标操作匹配的设置信息；控制模块330用于根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。

进一步地，所述目标操作可以包括读操作、擦除操作和编程操作中的一种或几种。

进一步地，与目标操作匹配的设置信息可以包括：

参考电流与基准电流的倍数关系。

进一步地，所述基准电流由存储器中的基准电路产生。

进一步地，所述系统还可以包括：

保存模块，用于在读取与目标操作匹配的设置信息之前，将与目标操作匹配的设置信息保存到存储器的设定存储单元中。

本发明实施例提供的一种存储器参考单元的实现系统，在接收到目标操作开始指令时，通过读取与目标操作匹配的设置信息，并根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流，实现参考单元的同时，降低了测试时间和成本，并提高了存储器产品的可靠性和使用寿命。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种存储器参考单元的实现方法，其特征在于，包括：

接收目标操作开始指令；

读取与目标操作匹配的设置信息；

根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标操作包括读操作、擦除操作和编程操作中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与目标操作匹配的设置信息包括：

参考电流与基准电流的倍数关系。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基准电流由存储器中的基准电路产生。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在读取与目标操作匹配的设置信息之前，还包括：

将与目标操作匹配的设置信息保存到存储器的设定存储单元中。

6.一种存储器参考单元的实现系统，其特征在于，包括：

接收模块，用于接收目标操作开始指令；

读取模块，用于读取与目标操作匹配的设置信息；

控制模块，用于根据所述设置信息和基准电流控制电流产生单元产生参考电流。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述目标操作包括读操作、擦除操作和编程操作中的一种或几种。

8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，与目标操作匹配的设置信息包括：

参考电流与基准电流的倍数关系。

9.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述基准电流由存储器中的基准电路产生。

10.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括：

保存模块，用于在读取与目标操作匹配的设置信息之前，将与目标操作匹配的设置信息保存到存储器的设定存储单元中。