CN106274039A - 晶体硅印刷网版及其制版工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶体硅印刷网版及其制版工艺，其中，该晶体硅印刷网版包括方形的网框，该网框上张有网布，该网布具有纵横交错的径向网线和纬向网线，所述网布的径向网线和纬向网线分别平行于所述网框的相邻两边的本体方向，即该网版采用90度张网角度，使得网布的网线线径方向与晶体硅正面细珊线图形方向一致，使得网布的利用率从原来的不足80％，提升到接近100％，大幅度降低了制版厂家的生产成本；克服了传统制版方式不锈钢丝网网结，对多晶硅正面栅线的影响；提高了传统多晶硅电池正面栅线烧结后线条外观饱和度；提高了多晶硅电池的光电转换效率；提高了多晶硅电池片的短路电流。

Description

晶体硅印刷网版及其制版工艺
技术领域
本发明涉及一种晶体硅印刷网版及其制版工艺。
背景技术
传统用于太阳能晶体硅印刷的正面栅线的网版，网布的经线和纬线于正面细栅线有一定的角度，22.5度或30度，其目的是为了防止细栅线和网丝重合，造成大面积堵网。然后经过张网、涂布、晒版、显影等工序制作而成。但网布经线和纬线的交叉点(即网结位置)是无法避开的；
随着正面栅线的宽度越来越窄，25-28微米已经是市场主流线宽，细栅和网结重叠位置25*25微米面积造成严重堵网，成为晶体硅制版厂家的死结，致使电池片虚印，EL增加，转换效率降低。现市场新出现的抽丝无网结网版，虽然可以避免网结与细栅重合，但是抽丝后网布开口变大，感光乳剂附着性差，影响网版印刷寿命。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了一种晶体硅印刷网版及其制版工艺，以解决网布网结位置对晶体硅正面栅线的影响，并且使无网结网版寿命达到传统网版寿命30000次以上，降低电池片厂家印刷成本，提高晶体硅正面栅线烧结后线条塑型、饱和度，使晶体硅电池片的光电转换效率提高0.20％以上，短路电流提高50毫安以上。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅印刷网版，包括方形的网框，该网框上张有网布，该网布具有纵横交错的径向网线和纬向网线，所述网布的径向网线和纬向网线分别平行于所述网框的相邻两边的本体方向。
作为本发明的进一步改进，所述网布的目数为230～325目，开口率在60～110微米，网线线径在14～22微米。
作为本发明的进一步改进，所述网布为不锈钢网布或钨丝网布。
作为本发明的进一步改进，所述网布的厚度为18-22微米。
本发明还提供一种如上所述的晶体硅印刷网版的制作工艺，包括以下步骤：
步骤1，选择网布：网布目数在230～325目，开口率在60～110微米，线径在14～22微米的网布，并通过高压力轧压处理，使网布厚度降低至18～22微米；
步骤2，张网：将上述网布水平铺在网框上，通过UV点光源张网夹具进行张网，并使张网后的网布的径向网线和纬向网线分别平行于网框的相邻两边的本体方向，获得初步网版；
步骤3，网布张力均匀化：将所述初步网版的网布表面通过网版疲劳处理设备进行滚压，压力在40～75N，使网布表面压力均匀化；
步骤4，脱脂处理：将所述初步网版放入表面抗酸碱保护剂进行脱脂处理；
步骤5，涂布：将所述初步网版上分三次涂布感光乳剂，涂布温度在30-40度，涂布完成后烘干；
步骤6，菲林对位：通过影像式高倍投影设备进行排版，并使菲林胶片上的所有细栅全部嵌入网布开口中；
步骤7，晒版：使用冷光源高精密平行光晒板机进行晒板，晒板在真空状态下进行；
步骤8，显影：通过显影剂进行显影，获得图案清晰完整的晶体硅印刷网版。
作为本发明的进一步改进，在步骤3中，所述网版疲劳处理设备分别对网布的径向网线和纵向网线滚压50次。
作为本发明的进一步改进，在步骤5中，涂布后烘烤10～15分钟。
作为本发明的进一步改进，在步骤7中，晒板时的温度为18～22℃，湿度35-45％RH，真空度-10～-30cmHg。
作为本发明的进一步改进，在步骤8中，采用全自动水、气结合的二流体显影机进行显影，压力在0.4～0.8MPa。
本发明的有益效果是：克服了传统制版方式不锈钢丝网网结，对多晶硅正面栅线的影响。提高传统多晶硅电池正面栅线烧结后线条外观饱和度；提高多晶硅电池的光电转换效率；提高多晶硅电池片的短路电流。解决制版过程中，胶片细栅和不锈钢丝网网结重合，印刷EL增加的现象。同时，传统网版印刷后转换效率约为18.15-18.20％，使用本发明无网结网版印刷后的转换效率约为18.35-18.40％转换效率提高约为0.20％以上。
附图说明
图1为传统网版菲林对位示意图；
图2为传统网版印刷后图片；
图3为本发明所述网版结构示意图；
图4为本发明菲林对位示意图；
图5为本发明印刷后图片。
具体实施方式
结合附图，对本发明作详细说明，但本发明的保护范围不限于下述实施例，即但凡以本发明申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖范围之内。
参阅图3，一种晶体硅印刷网版，包括方形的网框1，该网框上张有网布2，该网布具有纵横交错的径向网线3和纬向网线4，所述网布的径向网线3和纬向网线4分别平行于所述网框的相邻两边的本体方向。
所述网布的厚度为18-22微米。所述网布的目数为230～325目，开口率在60～110微米，网线线径在14～22微米。所述网布为不锈钢网布或钨丝网布。
该晶体硅印刷网版采用90度张网角度，使得网布的网线线径方向与晶体硅正面细珊线图形方向一致(参阅图4，传统为图1)，使得网布的利用率从原来的不足80％，提升到接近100％，大幅度降低了制版厂家的生产成本。
上述晶体硅印刷网版的制作工艺，包括以下步骤：
步骤1，选择网布：网布目数在230～325目，开口率在60～110微米，线径在14～22微米的网布，并通过高压力轧压处理，使网布厚度降低至18～22微米；
步骤2，张网：将上述网布水平铺在网框上，通过UV点光源张网夹具进行张网，并使张网后的网布的径向网线和纬向网线分别平行于网框的相邻两边的本体方向，获得初步网版；
步骤3，网布张力均匀化：将所述初步网版的网布表面通过网版疲劳处理设备进行滚压，分别对网布的径向网线和纵向网线滚压50次，压力在40～75N，使网布表面压力均匀化；
步骤4，脱脂处理：将所述初步网版放入表面抗酸碱保护剂进行脱脂处理；
步骤5，涂布：将所述初步网版上分三次涂布感光乳剂，涂布温度在30-40度，涂布完成后烘烤10～15分钟；
步骤6，菲林对位：通过影像式高倍投影设备进行排版，并使菲林胶片上的所有细栅全部嵌入网布开口中；
步骤7，晒版：使用冷光源高精密平行光晒板机进行晒板，晒板时的温度为18～22℃，湿度35-45％RH，同时晒板在真空状态下进行，筛板真空度-10～-30cmHg；
步骤8，显影：采用全自动水、气结合的二流体显影机进行显影，压力在0.4～0.8MPa获得图案清晰完整的晶体硅印刷网版。
本发明克服了传统制版方式不锈钢丝网网结，对多晶硅正面栅线的影响。提高传统多晶硅电池正面栅线烧结后线条外观饱和度；提高多晶硅电池的光电转换效率；提高多晶硅电池片的短路电流。解决制版过程中，胶片细栅和不锈钢丝网网结重合，印刷EL增加的现象(参阅图2、5)。同时，传统网版印刷后转换效率约为18.15-18.20％，使用本发明无网结网版印刷后的转换效率约为18.35-18.40％转换效率提高约为0.20％以上。

Claims (9)

1.一种晶体硅印刷网版，包括方形的网框(1)，该网框上张有网布(2)，该网布具有纵横交错的径向网线(3)和纬向网线(4)，其特征在于：所述网布的径向网线(3)和纬向网线(4)分别平行于所述网框的相邻两边的本体方向。
2.根据权利要求1所述的晶体硅印刷网版，其特征在于：所述网布的目数为230～325目，开口率在60～110微米，网线线径在14～22微米。
3.根据权利要求1所述的晶体硅印刷网版，其特征在于：所述网布为不锈钢网布或钨丝网布。
4.根据权利要求1所述的晶体硅印刷网版，其特征在于：所述网布的厚度为18-22微米。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述的晶体硅印刷网版的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，选择网布：网布目数在230～325目，开口率在60～110微米，线径在14～22微米的网布，并通过高压力轧压处理，使网布厚度降低至18～22微米；
步骤2，张网：将上述网布水平铺在网框上，通过UV点光源张网夹具进行张网，并使张网后的网布的径向网线和纬向网线分别平行于网框的相邻两边的本体方向，获得初步网版；
步骤3，网布张力均匀化：将所述初步网版的网布表面通过网版疲劳处理设备进行滚压，压力在40～75N，使网布表面压力均匀化；
步骤4，脱脂处理：将所述初步网版放入表面抗酸碱保护剂进行脱脂处理；
步骤5，涂布：将所述初步网版上分三次涂布感光乳剂，涂布温度在30-40度，涂布完成后烘干；
步骤6，菲林对位：通过影像式高倍投影设备进行排版，并使菲林胶片上的所有细栅全部嵌入网布开口中；
步骤7，晒版：使用冷光源高精密平行光晒板机进行晒板，晒板在真空状态下进行；
步骤8，显影：通过显影剂进行显影，获得图案清晰完整的晶体硅印刷网版。
6.根据权利要求5所述的晶体硅印刷网版制作工艺，其特征在于：在步骤3中，所述网版疲劳处理设备分别对网布的径向网线和纵向网线滚压50次。
7.根据权利要求5所述的晶体硅印刷网版制作工艺，其特征在于：在步骤5中，涂布后烘烤10～15分钟。
8.根据权利要求5所述的晶体硅印刷网版制作工艺，其特征在于：在步骤7中，晒板时的温度为18～22℃，湿度35-45％RH，真空度-10～-30cmHg。
9.根据权利要求5所述的晶体硅印刷网版制作工艺，其特征在于：在步骤8中，采用全自动水、气结合的二流体显影机进行显影，压力在0.4～0.8MPa。
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