CN106256027A - 发光器件和具有发光器件的照明装置 - Google Patents

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Abstract

根据实施例的发光器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层，位于第一导电半导体层下方；以及第一有源层，位于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间。发光器件包括：基于氮的发光结构层；第一电极，电连接至第一导电半导体层；接触层，由导电材料形成，并附接在第二导电半导体层下方；反射层，放置在接触层下方；覆层，放置在反射层下方；以及导电支撑部件，放置在覆层下方；其中，反射层的厚度大于第二导电半导体层的厚度，并且比接触层的厚度大90倍或更大。

Description

发光器件和具有发光器件的照明装置
技术领域
实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的照明装置。
背景技术
由于物理和化学特性，第III-V族氮化物半导体作为诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)等发光器件的核心材料而受到关注。第III-V族氮化物半导体通常由分子式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料形成。
发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电转换成红外线或可见光来交换信号的半导体器件，并且用作光源。
使用这种氮化物半导体材料的LED或LD广泛地用于发光器件来获得光，并且用作各种类型产品的光源，诸如作为手机的按键发光单元、显示装置、电子显示路牌和照明装置。
发明内容
[技术问题]
实施例提供亮度得到改善的发光器件。
实施例提供一种发光器件，在该发光器件中反射层布置在发光结构层下面，反射层的凹部的深度小于反射层的厚度。
实施例提供一种发光器件，在该发光器件中通孔未形成在布置在发光结构层下面的反射层中。
[技术方案]
根据一实施例的发光器件包括：发光结构层，包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层下面；以及有源层，布置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间；第一电极，电连接至第一导电类型半导体层；接触层，布置在第二导电类型半导体层下面并由导电材料形成；反射层，布置在接触层下面；覆层，布置在反射层下面；以及导电支撑部件，布置在覆层下面。反射层的厚度大于第二导电类型半导体层的厚度，并且是接触层的厚度的90倍或更大。
[有益效果]
实施例可以改善发光器件的光输出。
实施例提供一种能够提高布置在发光结构层下面的反射层的反射率的发光器件。
实施例可以改善发光器件的光学性能劣化。
实施例可以改善发光器件和发光器件封装，以及包括发光器件和发光器件封装的照明装置和显示装置的可靠性。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧面剖视图。
图2是示出图1的发光器件的反射层的局部放大图。
图3至图5是示出由于图2的发光器件中的热处理导致的反射层的变化的视图。
图6至图9是示出基于比较例的反射层的热处理温度的表面的视图。
图10至图14是示出基于比较例与实施例的反射层厚度变化的表面的视图。
图15中的(A)至(D)图是示出Ag的晶体结构以及结晶方向根据热能改变的示例的视图。
图16是示出实施例与比较例之间基于沉积反射层之后反射层的厚度差的强度比较的曲线图。
图17是示出实施例与比较例之间的基于反射层经受热处理之后反射层厚度差的强度比较的曲线图。
图18是示出使用根据实施例的反射层的晶片的光输出平均值以及相邻发光器件的光输出之间的比较的视图。
图19是示出在晶片中的热处理之后以及接合工艺之后的实施例与比较例之间的反射率比较的图表。
图20是示出基于图19的反射层厚度的反射率的视图。
图21是示出根据实施例与比较例之间的波长的反射率比较的曲线图。
图22是根据第二实施例的发光器件的侧面剖视图。
图23是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的视图。
图24是示出包括图23的发光器件封装的显示装置的示意图。
图25是示出包括图23的发光器件封装的显示装置的另一个示例的示意图。
图26是示出包括图23的发光器件封装的照明装置的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述根据实施例的发光器件及其制造方法。在实施例的以下描述中，应理解，当每个层(膜)、区域、图案或结构称为形成在基板或每个层(膜)、区域、焊盘、图案或结构“上面”或“下面”时，其可直接位于基板或每个层(膜)、区域、焊盘、图案“上面”或“下面”，或者在它们之间间接形成有一个或多个介于中间的层。另外，还应理解，在该层“上面”或“下面”可以表示该层的向上方向和向下方向。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧面剖视图。
参照图1，发光器件100可以包括：发光结构层135，具有多个化合物半导体层110、120和130；第一电极115，连接至发光结构层135；接触层148，布置在发光结构层135下面；反射层152，布置在接触层148下面；覆层(capping layer)154，布置在反射层152下面；接合层156，布置在覆层154下面；以及支撑部件158，布置在接合层156下面。
发光器件100是包括化合物半导体的发光二极管(LED)，例如，包括第II至VI族元素的化合物半导体。发光器件100包括发光结构层135，发光结构层135包括例如第III-V族元素和第Ⅱ-V族元素的化合物半导体。发光器件100发射可见光或紫外光。
绝缘层190可以布置在发光结构层135的侧表面和上表面。绝缘层190的折射率低于化合物半导体层的折射率，例如，第III-V族元素的化合物半导体层，并且绝缘层190可以从SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2中选择。
第一电极115可以布置在发光结构层135上面。第一电极115可以电连接至第一导电类型半导体层110。第一电极115可以包括焊盘或者具有连接至焊盘的分支结构的电极图案。第一电极115可以包括单个或多个焊盘，但不限于此。不规则的粗糙部可以形成在第一电极115的上表面上，但不限于此。第一电极115的下表面可以由于发光结构层135的光提取结构112而形成为不平坦形状。通过混合选自例如Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu和Au中的任何一个或多个金属材料，第一电极115可以包括单层或多层。
发光结构层135包括第一导电类型半导体层110、有源层120和第二导电类型半导体层130。除了层110、120和130之外，发光结构层135可以进一步包括其它层，而不限于此。
发光结构层135可以使用生长装置在生长基板上生长，生长装置诸如为电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备、等离子体激光沉积(PLD)设备、双型热蒸发器、溅射设备、金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备等，但不限于此。
第一导电类型半导体层110可以选自掺杂有第一导电类型掺杂剂的第III-V族元素的化合物半导体，诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、GaP等。第一导电类型半导体层110可以包括分子式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体层。第一导电类型半导体层110是n型半导体层，并且第一导电类型掺杂剂包括诸如Si、Ge、Sn、Se和Te等n型掺杂剂。第一导电类型半导体层110可以包括单层或多层，但不限于此。粗糙部或图案(诸如光提取结构112)可以形成在第一导电类型半导体层110的上表面上。另外，为了电流扩散和光提取，透明电极层可以选择性地形成在第一导电类型半导体层110上，但不限于此。第一导电类型半导体层110可以电连接至第一电极115。
有源层120可以布置在第一导电类型半导体层110下面，并且可以形成为单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构或量子点结构中的至少之一。有源层120可以使用第II-VI族元素和第III-V族元素的化合物半导体材料由一阱层和势垒层周期形成。有源层120可以由一InGaN阱层/GaN势垒层周期、一InGaN阱层/AlGaN势垒层周期或者一InGaN阱层/InGaN势垒层周期形成。势垒层可以由带隙比阱层的带隙大的材料形成。有源层120可以发射具有可见光和紫外光中的至少之一的峰值波长的光。
第一覆层和/或第二覆层可以形成在有源层120上面和/或有源层120下面。第一和第二覆层可以由GaN半导体形成并且它们的带隙可以大于有源层120的势垒层的带隙。
第二导电半导体层130布置在有源层120下面，并且可以选自掺杂有第二导电类型掺杂剂的第III-V族元素的化合物半导体，诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP和GaP。第二导电类型半导体层130可以包括分子式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体层。第二导电类型半导体层130是p型半导体层，并且第二导电类型掺杂剂包括诸如Mg或Zn等p型掺杂剂。第二导电类型半导体层130可以包括单层或多层，但不限于此。
发光结构层135的侧表面可以相对于发光结构层135的下表面垂直或倾斜。发光结构层135的上表面的宽度可以等于或大于发光结构层135的下表面的宽度。
发光结构层135还可以包括位于第二导电类型半导体层130下面的第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层的极性可以具有与第二导电类型半导体层的极性相反。此外，第一导电类型半导体层110可以是p型半导体层，第二导电类型半导体层130可以是n型半导体层。发光结构层135可以包括n-p结、p-n结、n-p-n结和p-n-p结中的至少之一。在下文中，为了方便描述，假设发光结构层135的最下面的层是第二导电类型半导体层。
多个导电层可以布置在第二导电类型半导体层130下面，并且该多个导电层可以限定为第二电极层160。第二电极层160包括接触层148、反射层152、覆层154、接合层156以及支撑部件158。
接触层148布置在发光结构层135与反射层152之间并且可以与第二导电半导体层130的下表面接触。接触层148的宽度可以与第二导电类型半导体层130的下表面的宽度相等或不同。
接触层148可以包括透明导电材料并且可以与第二导电类型半导体层130接触。接触层148可以是欧姆接触层。接触层148可以具有处于3nm至40nm范围内的厚度，例如，3nm至10nm，并且包括导电氧化物或导电氮化物。接触层可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、IZO氮化物(IZON)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)以及氧化镓锌(GZO)中的至少之一。
反射层152可以布置在接触层148下面，并且反射层152可以完全或部分地布置在接触层148的下表面上。
反射层152电连接至接触层148以供应电压。反射层152的一部分可以通过接触层148与第二导电类型半导体层130接触，但不限于此。反射层152的宽度可以等于或大于发光结构层135的宽度。如果反射层152的宽度大于接触层148的宽度，则可以有效地反射入射光。因此，可以提高光提取效率。
反射层152可以包括选择性地由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性组合形成的单层或多个层。反射层152可以包括例如Ag或Ag合金，并且可以包括单层。
反射层152的厚度可以比第二导电类型半导体层130的厚度大，或者可以是第二导电类型半导体层130的厚度的20倍或更大，例如，可以是接触层148的厚度的90倍或更大。反射层152的厚度处于700nm至1500nm范围，例如，800nm至1400nm或900nm至1300nm。如果反射层152的厚度小于700nm，则多个孔或凹部可能因热处理而形成。反射层152的孔可以是形成在反射层中的通孔，并且从覆层看时具有不规则形状。当反射层152的厚度超过1500nm时，发光器件的厚度变厚，并且不存在反射差。根据实施例的反射层152的厚度可以足够大从而不在反射层152中形成孔，即，具有不规则形状的孔。本文，具有不规则形状的孔通过热处理形成并且具有的形状与通过蚀刻形成的孔的形状不同。
覆层154可以布置在反射层152与接合层156之间。覆层154与反射层152的下表面接触并保护反射层152。即，覆层154能够在制造工艺期间防止接合层156的材料扩散到反射层152中并影响反射层152。覆层154可以包括金属。例如，覆层可以包括Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少之一。覆层154的厚度可以处于40nm至500nm范围内，例如，40nm至60nm。反射层152的厚度可以是覆层154的厚度的15倍或更大。
接合层156可以布置在覆层154与支撑部件158之间。接合层156包括阻挡金属或接合金属。例如，接合金属可以包括Sn、Ga、In、Bi、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、Ag-Cd、Au-Sb、Al-Zn、Al-Mg、Al-Ge、Pd-Pb、Ag-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、Ag-Cd-Cu、Cu-Sb、Cd-Cu、Al-Si-Cu、Ag-Cu、Ag-Zn、Ag-Cu-Zn、Ag-Cd-Cu-Zn、Au-Si、Au-Ge、Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu-Cu2O、Cu-Zn、Cu-P、Ni-B、Ni-Mn-Pd、Ni-P以及Pd-Ni中的至少之一。接合层156的厚度可以处于5μm至9μm范围，但不限于此。接合层156和覆层154中的任何一个可以省略。
支撑部件158可以布置在接合层156下面。支撑部件158可以使用粘结部件粘附到电路板。支撑部件158可以实现为金属或载体基板，例如，注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的载体基板。载体基板可以由例如Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC以及SiGe中的至少之一形成。支撑部件158支撑发光器件100，其厚度是第二电极层160的厚度的80％或更大，并且可以处于30μm至300μm范围。
参照图2，反射层152布置在发光结构层135和接触层148下面，并且包括平坦上表面和具有不平坦结构的下表面20。从发光结构层135发射的光沿所有方向照射并且反射层152反射穿过接触层148的光L1。由于从反射层152反射的光L1穿过反射层152与接触层148之间的界面照射，如果通孔形成在反射层152中，则光L1的反射率可能降低。
反射层152的下表面20包括突起部21和凹部23，凹部23朝发光结构层135的方向可以是凸的，而突起部21在凹部23之间的区域中朝覆层156的方向突出。
多个突起部21可以形成在反射层152的下表面20上，而多个凹部可以形成在多个突起部21之间。突起部21可以设置在凹部23之间，并且凹部23可以设置在突起部21之间。
在反射层152中，凹部23与接触层148或反射层152的上表面之间的厚度T2可以小于突起部21与接触层148之间的厚度T1。
在反射层152中，凹部23的厚度T2可以大于凹部23的深度T3。例如，凹部23的深度T3可以比反射层152的厚度T1小50％。凹部23的深度T3可以是突起部21的高度。凹部23的深度T3可以等于或小于400nm，例如，处于10nm至400nm范围。反射层152的厚度T1可以等于形成突起部21的区域的厚度。在实施例中，由于反射层152的凹部23的深度T3小于凹部23的厚度T2，因而通孔没有形成在反射层152中。相应地，可以防止反射层152的反射率降低。
通过反射层152的下表面20的不平坦结构，覆层154可以具有不平坦结构或不平坦层，但不限于此。由于覆层154具有不平坦层，因而与反射层152的下表面20的接触面积能够得到改善。反射层152的下表面20的面积可以大于上表面10的面积。
图3至图5是示出根据实施例的发光器件的反射层的制造工艺的视图。
参照图3，形成发光结构层135，然后在发光结构层135上形成接触层148。接触层148可以使用溅射或沉积法来形成。接触层148包括透明导电氧化物或导电氮化物中的任何一种，但不限于此。
反射层152形成在接触层148上，并且反射层152可以使用电子束(E-beam)方法来沉积，或者可以使用溅射法或电镀法来形成。反射层152可以由反射率是70％或更大的金属形成，并且可以包括单层或多个层，该金属例如是Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性合金。此外，反射层152可以由例如Ag或Ag合金形成。此时，反射层的下表面和上表面可以是平坦的。
如图4和图5所示，当反射层152的厚度处于700nm至1500nm范围时，为了提高粘结性能或电学性能，反射层152经历热处理。热处理温度处于250℃至550℃范围。
如图4所示，当反射层152在300℃±50℃的热处理温度下经历热处理时，形成在接触层148上的反射层152的下表面是平坦的，而反射层152的上表面20具有突起部21和凹部23。经过热处理，反射层152移动使其表面面积最小化以减少热能，因此，具有小尺寸的凹部23和突起部21由于反射层的移动形成在反射层152中。之后，如图5所示，如果反射层152的热处理温度增大到500℃±50℃，具有尺寸大于图4的凹部23和突起部21的尺寸的凹部23和突起部21的不平坦结构可以形成在反射层152的上表面20中。即，图5的突起部21之间的距离D2可以大于图4的突起部21之间的距离D1。此时，形成在图5的反射层152中的凹部23和突起部21的数量小于形成在图4的反射层152中的凹部23和突起部21的数量，并且在反射层中没有形成通孔。由于在反射层152中没有形成通孔，因而可以防止反射层152的光学和电学性能恶化。图5的突起部21的曲率R2可以大于图4的突起部21的曲率R2。
如果根据实施例的反射层152的厚度小于上述厚度，则可能由于热处理时的热应力而在反射层152中产生孔，并且反射率可能由于这些孔而降低。随着反射层152的厚度减小，可能会发生严重的热降解现象。在实施例中，由于反射层152的厚度处于700nm至1500nm范围，可以抑制孔产生并且由于薄的反射层而减少热降解现象。
覆层154形成在反射层152上，并且覆层154可以使用溅射或沉积法形成。接合层可以形成在覆层154上，并且支撑部件可以形成在接合层上，但不限于此。
当形成接合层和支撑部件时，可以施加不使反射层的性能恶化的热和压力。由于接合层的接合处理温度小于反射膜的热处理温度，因而反射层的表面几乎不发生改变。
图6至图9是示出比较例的反射层的制造工艺的视图。
图6示出这样一种状态，其中沉积厚度为200nm的Ag反射层51，且不进行热处理，图7示出这样一种状态，其中反射层51在300℃下经受热处理，因此多个孔52形成在反射层51中。如图8所示，当反射层51在500℃经历热处理时，反射层51的孔53的尺寸进一步增大。当Ag反射层51形成，然后经受热处理时，反射层51移动使其表面面积最小化以减少热能，因此，孔52和53形成在反射层51中。之后，当热处理温度增加时，孔52和53的尺寸进一步增大并且反射层51的突起部的宽度进一步增大。因此，如图8所示的高温热处理之后的孔53的宽度可以大于如图7所示的低温热处理之后的孔52的宽度。如图9所示，反射层51可以变型为半球形突起部以最小化其表面面积。由于具有孔52和53的反射层51，反射率可能下降。另外，随着在反射层51中产生的突起部的数量增加，电接触变差，因而电性可靠性降低。在比较例中，当在形成厚度小的反射层51之后进行接合工艺时，反射层51的性能由于附加热处理时的应力而劣化。
图10至图14是示出根据反射层厚度的反射层的表面的视图。
图10和图11示出比较例的反射层。图10示出这样一种示例，其中由于在反射层62的厚度为200nm的情况下在400℃进行热处理而使孔61A形成在反射层61中。图11示出这样一种示例，其中由于在反射层62的厚度为500nm的情况下在400℃进行热处理而使孔62A形成在反射层61中。如图10和图11所示，随着反射层61和62的厚度增加，孔61A和62A的尺寸减小并且孔61A和62A的数量减少。
图12至图14示出根据实施例的反射层的厚度。如图12所示，如果反射层63的厚度是700nm，当在预定温度(例如，400℃)进行热处理时，在反射层63中没有形成孔，并且具有凹部和突起部63B的不平坦结构形成。如图13所示，如果反射层64的厚度是900nm，当在预定温度(例如，400℃)进行热处理时，在反射层64中没有形成孔，并且具有凹部和突起部64B的不平坦结构形成。如图14所示，如果反射层65的厚度是1100nm，当在预定温度(例如，400℃)进行热处理时，在反射层65中没有形成通孔，并且具有凹部和突起部65B的不平坦结构形成。如图12至图14所示，随着反射层63、64和65的厚度增加，突起部63B、64B和65B的尺寸由于热稳定性而增加，因而，突起部的数量减少。随着反射层63、64和65的厚度从70nm逐渐增加，热能充分减少，因此凝聚减少。
图15中的(A)图至(D)图是示出银(Ag)的晶体结构以及结晶方向根据热能改变的示例的视图。
图15中的(A)图示出Ag的面心立方(FCC)并且原子的最密堆积方向是图15中的(B)、(C)和(D)图中的方向(111)。即，当热能通过热处理施加到Ag时，晶体方向(110或100)变为方向(111)。当Ag反射层在方向(111)上具有恒向性时，Ag的反射率能够得到提高。
图16和图17示出了作为使用测量装置(例如，X射线衍射(XRD)装置)测量Ag的晶体方向的结果、根据Ag的厚度的Ag晶体方向的差异。当Ag反射层的厚度为200nm、500nm、700nm、900nm以及1100nm时，图16示出热处理之前的强度，图17示出热处理之后的强度。
如图16和图17所示，Ag反射层在其厚度为900nm时在方向(111)上具有最高强度。当Ag反射层的厚度为大约900nm时，Ag反射层具有优异的可结晶性。
图18是示出使用根据实施例的反射层的晶片的光输出平均值以及相邻的发光器件的光输出之间的比较的视图。
参照图18，(A)图示出晶片中的光输出平均值，并且(B)和(C)图示出晶片中的相邻芯片之间的比较。可以看出，与比较例Ref的光输出相比，厚度为900nm的反射层的光输出Po增加。可以看出，光输出Po增加了2.5％或更多。
图19是示出热处理之后以及晶片中的接合工艺之后的实施例与比较例之间的反射率比较的表。图20是示出根据图19的反射层的厚度的反射率的视图。
如图19和图20所示，在反射层(Ag)的厚度为200nm、500nm、900nm和130nm的情况下，当比较在预定温度(例如，400℃)进行热处理之后以及接合之后的晶片1、2和3的反射率差值Δ反射率时，可以看出，在晶片1、2和3中，当反射层的厚度为900nm时的反射率差值小于当反射层的厚度为200nm时的反射率差值。即，可以看出，当在形成反射层之后进行接合工艺时，热和压力造成的应力的影响较低。
也就是说，在反射层的厚度为200至500nm的情况下，Ag反射层不会由于预定温度(例如，400℃)的热处理而劣化，但是会在接合工艺中产生热分解。因此，可以看出，反射率降低。在实施例中，即使厚度为900nm或更大的反射层在热处理之后经受接合工艺，反射率也不会进一步降低。
图21是示出实施例与比较例之间的随波长变化的反射率的比较的曲线图。
热处理之后以及接合之后的反射层的厚度为900nm的实施例与反射层的厚度为200nm的比较例之间的比较的图表在图21中示出。接合之前以及接合之后的比较例的反射层的反射率差值大于接合之前以及接合之后的实施例的反射层的反射率差值。
图22是根据第二实施例的发光器件的侧面剖视图。
参照图22，发光器件可以包括具有多个化合物半导体层110、120和130的发光结构层135、第一电极116、接触层148、根据实施例的反射层152、钝化层17、覆层154、接合层174和支撑部件175。
接触层148、反射层152以及覆层154布置在发光结构层135下面，接触层148、反射层152以及覆层154可以电连接至第二导电类型半导体层130。接触层148、反射层152以及覆层154可以限定第二电极层150。反射层152是第一实施例中公开的反射层。关于反射层152的详细描述，请参见第一实施例的描述。反射层152中未形成有通孔，其厚度可以处于700nm至1500nm范围，例如，800nm至1400nm或900nm至1300nm。反射层152的下表面可以包括具有多个突起部和布置在多个突起部之间的多个凹部的不平坦结构。
一个或多个第一电极116可以设置在发光结构层135的侧壁外侧，并且可以与接触层148、反射层152以及覆层154中的至少之一接触。关于接触层148、反射层152以及覆层154，请参见第一实施例的描述。
在实施例中，反射层152的厚度大于第二导电类型半导体层130的厚度或者是接触层148的厚度的20倍。反射层152的厚度可以处于700nm至1500nm范围，例如，800nm至1400nm或900nm至1300nm。如果反射层152的厚度小于700nm，多个通孔和凹部可能由于热处理而形成，并且从覆层看时通孔的形状可能是不规则的。另外，当反射层152的厚度超过1500nm时，发光器件的厚度增加，并且不存在反射率差。
在实施例中，反射层152可以具有足够的厚度而不会在反射层152中形成通孔。即，可以形成不具有形状不规则的孔的反射层152。本文，具有不规则形状的孔由于热处理形成并且该孔具有的形状与通过蚀刻形成的孔的形状不同。本文，具有不规则形状的孔的深度等于反射层152的厚度，并且可以不同于导通孔170。
根据反射层152的下表面的不平坦结构，覆层154可以形成为不平坦层，但不限于此。
导通孔170形成在发光结构层135和第二电极层150中。导通孔170可以从覆层154形成到第一导电类型半导体层110的下部，并且钝化层171形成在导通孔170的周围。
钝化层171布置在第二电极层150与第一电极层160A之间，以将第二电极层150与第一电极层160A电绝缘。
第一电极层160A包括导电层173、接合层174以及支撑部件175。导电层173布置在第一导电类型半导体层110的下部下面，并与第一导电类型半导体层110接触。接合层174的一部分延伸到发光结构层135的下部，并与导电层173接触。
支撑部件175布置在接合层174下面，以支撑发光器件。
图23是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的视图。
参照图23，根据实施例的发光器件封装可以包括：主体120；第一引线电极131和第二引线电极132，布置在主体120上；根据实施例的发光器件100，其设置在主体120上以电连接第一引线电极131和第二引线电极132；以及模制部件140，包围发光器件100。
主体120可以包括硅材料、合成树脂材料或金属材料，并且包括围绕发光器件100的具有倾斜表面的空腔。
第一引线电极131和第二引线电极132彼此电断开以将电压提供给发光器件100。另外，第一引线电极131和第二引线电极132可以反射在发光器件100中产生的光以提高光效率，并将发光器件100中产生的热量排放。
发光器件100可以布置在主体120、第一引线电极131或第二引线电极132上。
发光器件100可以使用布线方法、倒装芯片方法或裸片接合方法中的任一个电连接至第一引线电极131和第二引线电极132。
模制部件140可以包围发光器件100以保护发光器件100。另外，荧光体可以包含在模制部件140中以改变从发光器件100发射的光的波长。
根据实施例的多个发光器件或者发光器件封装可以配置在基板上，并且作为光学元件的透镜、导光板、棱镜片、扩散片等可以设置在发光器件封装的光路上。这种发光器件封装、基板以及光学部件可以用作照明单元。照明单元实现为俯视图或侧视图类型，并且设置在便携式终端和笔记本电脑的显示器中，或者适用于照明器件和指示器件。
另一个实施例可以实现为包括根据上述实施例的发光器件或发光器件封装的照明装置。例如，照明装置可以包括电灯、路灯、室外显示屏、头灯等。除了头灯之外，根据实施例的照明装置还适用于车辆的尾灯。
根据实施例的发光器件适用于照明单元。照明单元具有配置有多个发光器件的结构，并且可以包括图24和图25所示的显示装置以及图26所示的照明装置。
参照图24，根据实施例的显示装置1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，用于向导光板1041提供光；反射部件1022，布置在导光板1041下面；光学片1051，布置在导光板1041上面；显示面板1061，布置在光学片1051上面；以及底罩1011，用于容纳显示面板1061、导光板1041、发光模块1031和反射元件1022，但不限于此。
底罩1011、反射部件1022、导光板1041以及光学片1051可以限定为照明单元1050。
导光板1041用于扩散光以将光转换为表面光。导光板1041可以由透明材料形成，并且可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一个。
发光模块1031将光提供到导光板1041的至少一个侧表面并且用作显示装置的光源。
至少一个发光模块1031可以设置在底罩1011中以将光直接或间接提供到导光板1041的一侧。发光模块1031可以包括基板1033以及设置在基板1033上的根据上述实施例的发光器件或发光器件封装200。发光器件封装200可以以预定间隔布置在基板1033上。
基板1033可以是包括电路图案的印刷电路板(PCB)。基板1033可以包括普通PCB、金属芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)等，但不限于此。如果发光器件封装200设置在底罩1011的侧表面或散热板上，则基板1033可以省略。本文，散热板的一部分可以接触底罩1011的上表面。
多个发光器件封装200可以安装为使得发射光的出射面与导光板1041间隔开预定距离，但不限于此。发光器件封装200可以直接或间接地将光提供到作为导光板1041的一个表面的入射面，但不限于此。
反射部件1022可以布置在导光板1041下面。反射部件1022可以反射入射到导光板1041的下表面的光以将光向上引导，从而提高照明单元1050的亮度。虽然反射部件1022可以由例如PET、PC、PVC树脂等形成，然而本发明不限于此。虽然反射部件1022可以是底罩1011的上表面，但本发明不限于此。
底罩1011可以容纳导光板1041、发光模块1031以及反射元件1022。为此目的，底罩1011可以包括箱体形状的容纳部1012，该箱体具有开放的上表面，但不限于此。底罩1011可以耦合到顶罩，但不限于此。
底罩1011可以由金属材料或者树脂材料形成，并且可以使用模压成型工艺或挤压成型工艺来制造。底罩1011可以包括具有良好导热性的金属材料或非金属材料，但不限于此。
显示面板1061例如是LCD面板，并且包括彼此面对且由透明材料形成的第一基板和第二基板以及置于第一基板与第二基板之间的液晶层。偏振板可以附接至显示面板1061的至少一个表面，但偏振板的附接结构不限于此。显示面板1061通过穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000适用于各种移动终端、笔记本电脑的显示器、电视等。
光学片1051布置在显示面板1061与导光板1041之间并且包括至少一个透明片。光学片1051可以包括扩散片、水平棱镜片、垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少一个。扩散片扩散入射光，水平和/或垂直棱镜片将入射光聚焦到显示区域，并且亮度增强片重复使用损失掉的光以增强亮度。保护片可以设置在显示面板1061上，但不限于此。
本文，导光板1041和光学片1051可以包括在发光模块1031的光学路径上作为光学元件，但不限于此。
图25是示出根据实施例的显示装置的另一个示例的示意图。
参照图25，显示装置100可以包括：底罩1152；基板1020，其上配置有发光器件100；光学部件1154；以及显示面板1155。基板1020和发光器件封装200可以限定为发光模块1060。底罩1152可以包括容纳部件1153，但不限于此。
本文，光学元件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少之一。导光板可以由PC材料或PMMA材料形成，并且可以省略。扩散片扩散入射光，水平和/或垂直棱镜片将入射光聚焦到显示区域，并且亮度增强片重复使用损失掉的光以增强亮度。
光学部件1154布置在发光模块1060上面，并且将从发光模块1060发射的光转换成表面光，或者扩散或聚焦光。
图26示出根据实施例的照明装置的示意图。
参照图26，根据实施例的照明装置可以包括罩2100、光源模块2200、散热体2400、电源1600、内壳2700以及插接部2800。此外，根据实施例的照明装置还可以包括部件2300和支撑部2500中的一个或多个。光源模块220可以包括根据实施例的发光器件封装。
例如，罩2100具有球形或半球形形状，罩2100的内部是中空的并且其一部分是开放的。罩2100可以光学地耦合到光源模块2200。例如，罩2100可以扩散、散射或激发从光源模块2200接收的光。罩2100可以是光学部件。罩2100可以与散热体2400耦合。罩2100可以具有与散热体2400耦合的耦合部。
罩2100的内表面可以涂布有乳白色涂布材料。乳白色涂布材料可以包括扩散材料。罩2100的内表面的表面粗糙度可以大于罩2100的外表面的表面粗糙度，以充分地扩散和散射来自光源模块220的光以发射光。
罩2100的材料可以是玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等。本文，聚碳酸酯具有优异的耐光性、耐热性和强度。罩2100可以是透明的，使得光源模块220从外部可见或者可以是不透明的。罩2100可以通过吹塑成型形成。
光源模块2200可以布置在散热体2400的一个表面上。因此，热从光源模块2200传递到散热体2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接件2250。
部件2300布置在散热体2400的上表面上，并且具有引导槽2310，引导槽2310中插入有多个光源2210和连接件2250。引导槽2310与光源2210和连接件2250的基板对应。
部件2300的表面可以施加或涂布有反射材料。例如，部件2300的表面可以施加或涂布有白色涂布材料。部件2300将从罩2100的内表面反射并返回到光源模块2200的光再次朝向罩2100反射。因此，根据实施例的照明装置的光效率能够得到提高。
部件2300可以由绝缘材料形成。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。相应地，散热体2400和连接板2230可以彼此电连接。部件2300由绝缘材料形成，以断开连接板2230和散热体2400。散热体2400将来自光源模块2200的热量以及来自电源2600的热量消散。
支撑部2500阻挡内壳2700的绝缘部件2710的容纳槽2719。因此，容纳在内壳2700的绝缘部2710中的电源2600被封闭。支撑部2500具有引导突起2610。引导突起2510具有孔，电源2600的突起2610贯穿该孔。
电源2600处理或转换外部电信号并且将转换或处理后的信号提供给光源模块2200。电源2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中在内壳2700中通过支撑部2500被封闭。电源2600可以包括突起2610、引导件2630、基底2650以及延伸部2670。
引导件2630从基底2650的一侧向外突出。引导件2630可以插入到支撑部2500中。多个部件可以布置在基底2650的一个表面上。多个部件可以包括例如用于将从外部电源接收的AC电压转换成DC电压的AC-DC转换器、用于控制光源模块2200的驱动的驱动芯片以及用于保护光源模块220的静电放电(ESD)保护设备，但不限于此。
延伸部2670从基底2650的另一侧向外突出。延伸部2670插入到内壳2700的连接件2750中，以接收外部电信号。例如，延伸部2670的宽度可以等于或小于内壳2700的连接件2750的宽度。“﹢导线”和“﹣导线”的每一个的一端电连接至延伸部2670，“﹢导线”和“﹣导线”的每一个的另一端电连接至插接部2800。
除了电源2600之外，内壳2700可以包括设置于其中的模制部。该模制部通过硬化模制液体并将电源2600固定在内壳2700中来获得。
实施例能够提高发光器件的光输出。实施例提供了用于改善布置在发光结构层下面的反射层的反射率的发光器件。实施例能够改善发光器件的光学性能劣化。实施例能够提高发光器件和发光器件封装以及包括发光器件和发光器件封装的照明装置和显示装置的可靠性。
实施例的特征、结构和效果包括在本发明的至少一个实施例中并且不限于一个实施例。另外，本领域技术人员可以在其它实施例中结合或修改每个实施例的特征、结构和效果。因此，关于这种组合和修改的描述应被理解为在本发明的范围内。
虽然已经公开了优选实施例，但是这些实施例仅仅是示例性的并且不限制本公开。本领域的技术人员可以理解各种修改和应用是可能的，而不脱离实施例。例如，可以修改和实施实施例中描述的各种组件。此外，关于这种修改和应用的不同应被理解为落入本公开的由所附权利要求限定的范围内。
工业实用性
实施例能够改善发光器件的可靠性。
根据实施例的发光器件可以应用于照明装置，诸如使用LED的照明灯、室内灯、室外灯、指示灯和头灯。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
发光结构层，包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，布置在所述第一导电类型半导体层下面；以及有源层，布置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间；
第一电极，电连接至所述第一导电类型半导体层；
接触层，布置在所述第二导电类型半导体层下面且由导电材料形成；
反射层，布置在所述接触层下面；
覆层，布置在所述反射层下面；以及
导电支撑部件，布置在所述覆层下面，
其中所述反射层的厚度大于所述第二导电类型半导体层的厚度并且是所述接触层的厚度的90倍或更大。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层由Ag形成。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述反射层由单层形成。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述反射层的厚度是所述覆层的厚度的15倍或更大。
5.根据权利要求1至4中的任何一个所述的发光器件，其中所述反射层的厚度处于900nm至1300nm的范围。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述反射层的下表面包括不平坦结构。
7.根据权利要求1至4中的任何一个所述的发光器件，其中：
所述反射层的下表面包括多个突起部和布置在所述多个突起部之间的多个凹部，并且
每个所述凹部的深度小于所述反射层的厚度的50％。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述突起部具有半球形形状。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述覆层包括不平坦结构。
10.根据权利要求6所述的发光器件，其中接合层包含在所述覆层与所述支撑部件之间。
11.一种发光器件，包括：
发光结构层，包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，布置在所述第一导电类型半导体层下面；以及有源层，布置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间；
第一电极，电连接至所述第一导电类型半导体层；
接触层，布置在所述第二导电类型半导体层下面且由导电材料形成；
反射层，布置在所述接触层下面；
覆层，布置在所述反射层下面；以及
导电支撑部件，布置在所述覆层下面，
其中所述反射层的下表面包括多个突起部和布置在所述多个突起部之间的多个凹部。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述凹部的深度小于所述反射层的厚度的50％。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述覆层包括不平坦层。
14.根据权利要求11至13中的任何一个所述的发光器件，其中所述反射层的所述下表面的面积大于所述反射层的上表面的面积。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述反射层由Ag形成。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述反射层的所述厚度大于所述接触层的厚度和所述第二导电类型半导体层的厚度。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述反射层的厚度处于900nm至1300nm的范围。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述接触层包括透明导电材料。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中：
接合层包含在所述覆层与所述支撑部件之间，
所述第一导电类型半导体层包括n型半导体层，并且
所述第二导电类型半导体层包括p型半导体层。
20.根据权利要求11至13中的任何一个所述的发光器件，其中所述反射层包括由Ag形成的单层并且具有的厚度是所述覆层的厚度的15倍或更大。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160037060A (ko) * 2014-09-26 2016-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광소자 및 그 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080185609A1 (en) * 2007-02-05 2008-08-07 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Electrode and group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device having the electrode
US20110089452A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Hwan Hee Jeong Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
CN102163653A (zh) * 2010-02-23 2011-08-24 Lg伊诺特有限公司 发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7960746B2 (en) * 2004-01-06 2011-06-14 Samsung Led Co., Ltd. Low resistance electrode and compound semiconductor light emitting device including the same
KR20070016897A (ko) 2005-08-03 2007-02-08 삼성전기주식회사 단일지향성 반사기 및 이를 적용한 발광소자
KR100778820B1 (ko) 2006-04-25 2007-11-22 포항공과대학교 산학협력단 금속 전극 형성 방법 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 및질화물계 화합물 반도체 발광 소자
JP5665463B2 (ja) * 2010-09-30 2015-02-04 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子製造用基板およびｉｉｉ族窒化物半導体自立基板またはｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法
JP2012248795A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US8860059B2 (en) * 2011-06-20 2014-10-14 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting devices, systems, and methods of manufacturing
KR20130007126A (ko) * 2011-06-29 2013-01-18 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자, 발광 장치 및 반도체 발광 소자 제조방법
JP5767577B2 (ja) * 2011-12-19 2015-08-19 株式会社神戸製鋼所 Ｌｅｄ用リードフレームおよびその製造方法
KR101836373B1 (ko) 2011-12-22 2018-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101339440B1 (ko) * 2012-01-26 2013-12-10 한국전자통신연구원 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법
KR101929891B1 (ko) 2012-06-08 2018-12-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101943824B1 (ko) * 2012-07-12 2019-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080185609A1 (en) * 2007-02-05 2008-08-07 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Electrode and group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device having the electrode
US20110089452A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Hwan Hee Jeong Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
CN102163653A (zh) * 2010-02-23 2011-08-24 Lg伊诺特有限公司 发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统

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