CN106252075A - 金属化薄膜电容的制造工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种金属化薄膜电容的制造工艺，包括以下步骤：S1，薄膜电容金属化：聚丙烯薄膜为基膜，真空蒸镀方式将锌铝附着在聚丙烯薄膜表面形成电极；S2，包裹：在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层；S3，卷绕、定型；S4，喷金：在金属化薄膜电容的两个端面喷镀锌锡合金；S5，真空热处理：喷金后的金属化薄膜电容进行真空热处理后采用风冷的方式冷却；S6，赋能；S7，封装；喷金枪嘴与芯子端面间的距离为150cm‑155cm，压力为0.6Mpa‑0.7Mpa；金属合金层的厚度为0.25mm‑0.30mm。本发明具有电能损耗低、耐热性高、使用寿命长的优点。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件领域，更具体地说，本发明涉及一种金属化薄膜电容的制造工艺。
背景技术
薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属作为电极而制成的薄膜电容称之为金属化薄膜电容。金属化薄膜电容可以省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，具有形状小、容量大的优点，在电气领域得到广泛的应用。
现有技术中，薄膜电容的制造工艺是：元件绕卷--热压--包裹--喷金--封装，但是，这种工艺由于温度不均匀以及喷金枪嘴的距离控制不精确，导致金属化薄膜电容通电后容易被击穿、电能损耗大、使用寿命降低。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种金属化薄膜电容的制造工艺，具有电能损耗低、耐热性高、使用寿命长的优点。
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，本发明通过以下技术方案实现：
本发明所述的金属化薄膜电容的制造工艺，包括以下步骤：S1，薄膜电容金属化：采用聚丙烯薄膜为基膜，通过真空蒸镀方式将锌铝附着在聚丙烯薄膜表面形成电极，并且，锌铝附着在聚丙烯薄膜两侧的两边形成金属层；
S2，包裹：在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层；
S3，卷绕、定型：通过无感式对聚丙烯薄膜层以及金属层电极进行绕卷形成芯子，芯子之间串联；
S4，喷金：在金属化薄膜电容的两个端面喷镀合金形成金属合金层；所述合金是锌锡合金；
S5，真空热处理：喷金后的金属化薄膜电容进行真空热处理，真空热处理后采用风冷的方式冷却；
S6，赋能，将喷金、真空热处理处理后的芯子进行赋能处理；
S7，封装，将芯子单向引出，以绝缘材料进行热压封装，并以阻燃防紫外绝缘材料灌封；
其中，步骤S4中喷金时，喷金枪嘴与芯子端面间的距离为150cm-155cm，压力为0.6Mpa-0.7Mpa；所述金属合金层的厚度为0.25mm-0.30mm。
优选的是，所述金属层的加厚端厚度是0.1um、方阻为2-3Ω/□，非加厚端厚度是0.08um、方阻为3-4Ω/□。
优选的是，步骤S2中的真空热压的温度是100℃-110℃。
优选的是，步骤S5中，真空热处理后采用风冷的方式冷却具体指，在真空条件下加热至120℃-130℃保持20分钟，再通风冷却至室温保持15分钟。
优选的是，步骤S2和步骤S7中绝缘材料是环氧树脂。
优选的是，步骤S7中，所述阻燃防紫外绝缘材料包括重量份数分别为10-15份阻燃剂、3-5份紫外吸收剂、15-18份环氧树脂。
优选的是，所述阻燃剂包括氢氧化铝或氢氧化镁。
优选的是，所述紫外吸收剂包括水杨酯苯酯、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮以及单苯甲酸间苯二酚酯。
本发明至少包括以下有益效果：
本发明提供的金属化薄膜电容的制造工艺，
1)在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层，提高了金属化薄膜电容的绝缘性和电能的稳定性；
2)喷金时，喷金枪嘴与芯子端面间的距离为150cm-155cm，压力为0.6Mpa-0.7Mpa，金属合金层的厚度为0.25mm-0.30mm；此时，金属化薄膜电容电性能稳定，电能损耗较低，适合高脉冲、大电流的电路；
3)阻燃防紫外绝缘材料包括重量份数分别为10-15份阻燃剂、3-5份紫外吸收剂、15-18份环氧树脂；提高金属化薄膜电容的耐腐蚀性、耐热性，提高使用寿命；
4)喷金后的金属化薄膜电容进行真空热处理，真空热处理后采用风冷的方式冷却；提高了金属化薄膜电容的耐热性。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
图1为本发明所述的金属化薄膜电容的制造工艺的流程图。
具体实施方式
应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。
本发明提供一种金属化薄膜电容的制造工艺，其包括以下步骤：S1，薄膜电容金属化：采用聚丙烯薄膜为基膜，通过真空蒸镀方式将锌铝附着在聚丙烯薄膜表面形成电极，并且，锌铝附着在聚丙烯薄膜两侧的两边形成金属层；
S2，包裹：在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层；
S3，卷绕、定型：通过无感式对聚丙烯薄膜层以及金属层电极进行绕卷形成芯子，芯子之间串联；
S4，喷金：在金属化薄膜电容的两个端面喷镀合金形成金属合金层；所述合金是锌锡合金；
S5，真空热处理：喷金后的金属化薄膜电容进行真空热处理，真空热处理后采用风冷的方式冷却；
S6，赋能，将喷金、真空热处理处理后的芯子进行赋能处理；
S7，封装，将芯子单向引出，以绝缘材料进行热压封装，并以阻燃防紫外绝缘材料灌封；
其中，步骤S4中喷金时，喷金枪嘴与芯子端面间的距离为150cm-155cm，压力为0.6Mpa-0.7Mpa；所述金属合金层的厚度为0.25mm-0.30mm。
本发明提供的金属化薄膜电容的制造工艺，在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层，提高了金属化薄膜电容的绝缘性；喷金时，喷金枪嘴与芯子端面间的距离为150cm-155cm，压力为0.6Mpa-0.7Mpa，金属合金层的厚度为0.25mm-0.30mm；此时，金属化薄膜电容电性能稳定，电损耗较低，适合高脉冲、大电流的电路；喷金后的金属化薄膜电容进行真空热处理，真空热处理后采用风冷的方式冷却，提高了金属化薄膜电容的耐热性；以阻燃防紫外绝缘材料灌封，提高了金属化薄膜电容的边缘绝缘性和电能稳定性。
上述技术方案中，金属层的加厚端厚度是0.1um、方阻为2-3Ω/□，非加厚端厚度是0.08um、方阻为3-4Ω/□，在不影响金属化薄膜电容电性能的前提下，降低了金属化薄膜电容的厚度。
上述技术方案中，步骤S2中的真空热压的温度是100℃-110℃，可以较好地将绝缘材料包裹在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置。
上述技术方案中，步骤S5中，真空热处理后采用风冷的方式冷却具体指，在真空条件下加热至120℃-130℃保持20分钟，再通风冷却至室温保持15分钟，通过真空热处理后，金属化薄膜电容的耐热性最好，温度可达到120℃-130℃。
上述技术方案中，步骤S2和步骤S7中绝缘材料是环氧树脂，柔韧性好、粘黏度强。
上述技术方案中，步骤S7中，阻燃防紫外绝缘材料包括重量份数分别为10-15份阻燃剂、3-5份紫外吸收剂、15-18份环氧树脂，封装材料中添加的阻燃剂和紫外吸收剂，提高了金属化薄膜电容的耐腐蚀性和使用寿命，不易自燃。
上述技术方案中，阻燃剂包括氢氧化铝或氢氧化镁。
上述技术方案中，紫外吸收剂包括水杨酯苯酯、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮以及单苯甲酸间苯二酚酯。
对比例1
在本发明实施方式的基础上，与本发明实施方式不同的是，没有在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层；其他方法步骤和参数均相同。
对比例2
在本发明实施方式的基础上，与本发明实施方式不同的是，喷金枪嘴与芯子端面间的距离以及压力不同：对比例2中喷金枪嘴与芯子端面间的距离为138cm-148cm，压力为0.4Mpa-0.5Mpa；其他方法步骤和参数均相同。
对比例3
在本发明实施方式的基础上，与本发明实施方式不同的是，喷金枪嘴与芯子端面间的距离以及压力不同：对比例2中喷金枪嘴与芯子端面间的距离为158cm-170cm，压力为0.8Mpa-0.9Mpa；其他方法步骤和参数均相同。
对比例4
在本发明实施方式的基础上，与本发明实施方式不同的是，喷金工艺和赋能工艺中间无真空热处理工艺，其他方法步骤和参数均相同。
对比例5
在本发明实施方式的基础上，与本发明实施方式不同的是，阻燃层中阻燃剂没有添加紫外吸收剂；其他方法步骤和参数均相同。
本发明与对比例1、对比例2、对比例3、对比例4以及对比例5各项指标对比如下表1所示：
表1 指标对比结果
通过表1的指标对比可知，本发明提供的金属化薄膜电容的制造方法，具有电能损耗低、电性能稳定、耐热性高以及使用寿命长的优点。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本发明的领域。对于熟悉本领域的人员而言可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
Claims (8)
1.一种金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1，薄膜电容金属化：采用聚丙烯薄膜为基膜，通过真空蒸镀方式将锌铝附着在聚丙烯薄膜表面形成电极，并且，锌铝附着在聚丙烯薄膜两侧的两边形成金属层；
S2，包裹：在金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成绝缘层；
S3，卷绕、定型：通过无感式对聚丙烯薄膜层以及金属层电极进行绕卷形成芯子，芯子之间串联；
S4，喷金：在金属化薄膜电容的两个端面喷镀合金形成金属合金层；所述合金是锌锡合金；
S5，真空热处理：喷金后的金属化薄膜电容进行真空热处理，真空热处理后采用风冷的方式冷却；
S6，赋能，将喷金、真空热处理处理后的芯子进行赋能处理；
S7，封装，将芯子单向引出，以绝缘材料进行热压封装，并以阻燃防紫外绝缘材料灌封；
其中，步骤S4中喷金时，喷金枪嘴与芯子端面间的距离为150cm-155cm，压力为0.6Mpa-0.7Mpa；所述金属合金层的厚度为0.25mm-0.30mm。
2.如权利要求1所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，所述金属层的加厚端厚度是0.1um、方阻为非加厚端厚度是0.08um、方阻为
3.如权利要求1所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，步骤S2中的真空热压的温度是100℃-110℃。
4.如权利要求1所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，步骤S5中，真空热处理后采用风冷的方式冷却具体指，在真空条件下加热至120℃-130℃保持20分钟，再通风冷却至室温保持15分钟。
5.如权利要求1所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，步骤S2和步骤S7中绝缘材料是环氧树脂。
6.如权利要求1所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，步骤S7中，所述阻燃防紫外绝缘材料包括重量份数分别为10-15份阻燃剂、3-5份紫外吸收剂、15-18份环氧树脂。
7.如权利要求6所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，所述阻燃剂包括氢氧化铝或氢氧化镁。
8.如权利要求7所述的金属化薄膜电容的制造工艺，其特征在于，所述紫外吸收剂包括水杨酯苯酯、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮以及单苯甲酸间苯二酚酯。
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
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