CN106247797A - 再结晶碳化硅窑炉及其制备方法 - Google Patents

再结晶碳化硅窑炉及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106247797A
CN106247797A CN201610509267.2A CN201610509267A CN106247797A CN 106247797 A CN106247797 A CN 106247797A CN 201610509267 A CN201610509267 A CN 201610509267A CN 106247797 A CN106247797 A CN 106247797A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
crystallized silicon
base substrate
connecting rod
column
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610509267.2A
Other languages
English (en)
Inventor
麦鹤瀛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Foshan Yeston Black Carbon Materials Ltd By Share Ltd
Original Assignee
Foshan Yeston Black Carbon Materials Ltd By Share Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foshan Yeston Black Carbon Materials Ltd By Share Ltd filed Critical Foshan Yeston Black Carbon Materials Ltd By Share Ltd
Priority to CN201610509267.2A priority Critical patent/CN106247797A/zh
Publication of CN106247797A publication Critical patent/CN106247797A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/65—Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0022—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof obtained by a chemical conversion or reaction other than those relating to the setting or hardening of cement-like material or to the formation of a sol or a gel, e.g. by carbonising or pyrolysing preformed cellular materials based on polymers, organo-metallic or organo-silicon precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/666—Applying a current during sintering, e.g. plasma sintering [SPS], electrical resistance heating or pulse electric current sintering [PECS]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明公开了一种再结晶碳化硅窑炉，包括炉体及其内设置的加热装置，其特征在于，所述炉体包括炉架及其外设置的罩壳，炉架包括四根呈四角分布的多孔再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架，载物架由连接于相邻两多孔再结晶碳化硅立柱之间的再结晶碳化硅连杆和固定在相对设置的两侧再结晶碳化硅连杆之间的再结晶碳化硅支架杆，多根再结晶碳化硅支架杆平行设置，并相互之间留有间隔。本发明结构简单，相比于同类型的产品，具有良好的高温强度，抗热震性能，抗氧化性能和可导热性能，使用寿命长，性能更加优越。

Description

再结晶碳化硅窑炉及其制备方法
技术领域
本发明涉及材料制备技术领域，尤其是涉及一种再结晶碳化硅窑炉及其制备方法。
背景技术
碳化硅产品种类很多，广泛应用于化工行业、建材陶瓷行业、粉末冶金行业、钢业、铝业、铜业、有色金属冶炼行业、航天航空业等等。其中，有色金属冶炼行业是利用碳化硅具有耐高温，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高温间接加热材料，如坚罐蒸馏炉，铝电解槽，铜熔化炉内衬等。建材陶瓷行业是利用碳化硅导热性能良好，高热强度大的特点，制造薄板窑炉等，不仅能减少熔炉的容量，提高窑炉的装容量和产品的质量，还能缩短生产的周期，是陶瓷釉面烘烤烧结立向的简接材料。但是，目前市面上的碳化硅产品大部分是直接使用一定颗粒级的碳化硅微粉，与碳混合后成型生坯，然后在高温下渗硅部分硅与碳反应，生成碳化硅与胚体中的碳化硅结合，达到烧结的目的。该碳化硅颗粒制品中含有较多游离硅的存在，大约含有8-15％的游离硅，其使用温度低于1400℃，最佳使用温度不超过1300℃，超过这个温度制品的强度硬度耐腐蚀性，抗氧化性大幅度下降，导致产品变形氧化开裂断裂，难以满足使用的需求。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种不仅结构简单，具有良好的高温强度，抗热震性能，抗氧化性能和可导热性能，使用寿命长的再结晶碳化硅窑炉。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种再结晶碳化硅窑炉，包括炉体及其内设置的加热装置，其特征在于，所述炉体包括炉架及其外设置的罩壳，炉架包括四根呈四角分布的多孔再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架，载物架由连接于相邻两多孔再结晶碳化硅立柱之间的再结晶碳化硅连杆和固定在相对设置的两侧再结晶碳化硅连杆之间的再结晶碳化硅支架杆，多根再结晶碳化硅支架杆平行设置，并相互之间留有间隔。
作为上述方案的进一步说明，所述多孔再结晶碳化硅立柱为空心方柱，各个侧面从上往下依次等间隔分布通孔，再结晶碳化硅连杆的端部从多孔再结晶碳化硅立柱的一侧面通孔穿入，从该与侧面相对的另一侧面的通孔穿出，在多孔再结晶碳化硅立柱的下部设置有支撑座。
所述再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆均采用空心管结构。
进一步地，多孔再结晶碳化硅立柱的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于95％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
1000-1100目碳化硅粉末25％-40％；
100～300目硅粉15％-40％；
100～300目碳粉15％-40％；
结合剂0.2％～5％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得立柱坯体；
(3)将所述立柱坯体置于烧结炉中，在所述立柱坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1750℃～1900℃，保温2～5小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过80℃的速度，使制品继续升温至2800℃，保温2～8小时，断电后自然冷却至室温。
进一步地，所述结合剂采用聚乙烯醇。
在所述步骤(3)中，填充在立柱坯体周围的填充粉末，其颗粒度为60-75目，其中碳粉占1-1.5％。
进一步地，再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于98％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
30～100目碳化硅粉末40％-50％；
1000-1100目碳化硅粉末10％-20％；
100～300目硅粉10％-20％；
100～300目碳粉10％-20％；
结合剂0.2％～5％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得连杆坯体或支架杆坯体；
(3)将所述连杆坯体或支架杆坯体置于烧结炉中，在所述连杆坯体或支架杆坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1500℃～2000℃，保温2～8小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过100℃的速度，使制品继续升温至2600℃，保温2～8小时，断电后自然冷却至室温。
本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
1、本发明采用主要由再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架构成的炉架结构，一次能装载大量的坯料，较少窑具的用量，达到充分节能的目的；并且，载物架由连接于相邻两多孔再结晶碳化硅立柱之间的再结晶碳化硅连杆和固定在相对设置的两侧再结晶碳化硅连杆之间的再结晶碳化硅支架杆构成，能增加火焰的流动性，升温快，窑内温差小制得制品发色均匀，冷却时间更短，使用寿命更长。
2、本发明的炉架采用再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架结构，其具有良好的抗震性能，适用于快速烧成工艺，而且抗氧化性好，在高温下具有足够的强度。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
附图标记说明：1、多孔再结晶碳化硅立柱 1-1、通孔 1-2、支撑座 2、载物架 2-1、再结晶碳化硅连杆 2-2、再结晶碳化硅支架杆。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本技术方案作详细的描述。
如图1所示，本发明是是一种再结晶碳化硅窑炉，包括炉体及其内设置的加热装置，所述炉体包括炉架及其外设置的罩壳，炉架包括四根呈四角分布的多孔再结晶碳化硅立柱1、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架2，载物架2由连接于相邻两多孔再结晶碳化硅立柱之间的再结晶碳化硅连杆2-1和固定在相对设置的两侧再结晶碳化硅连杆之间的再结晶碳化硅支架杆2-2，多根再结晶碳化硅支架杆平行设置，并相互之间留有间隔。多孔再结晶碳化硅立柱1为空心方柱，各个侧面从上往下依次等间隔分布通孔1-1，再结晶碳化硅连杆的端部从多孔再结晶碳化硅立柱的一侧面通孔穿入，从该与侧面相对的另一侧面的通孔穿出，在多孔再结晶碳化硅立柱的下部设置有支撑座1-2。再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆均采用空心管结构。
实施例1
多孔再结晶碳化硅立柱的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于95％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
1000-1100目碳化硅粉末 35％；
100～300目硅粉 32％；
100～300目碳粉 32％；
结合剂 1％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得立柱坯体；
(3)将所述立柱坯体置于烧结炉中，在所述立柱坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1750℃～1900℃，保温3小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过80℃的速度，使制品继续升温至2800℃，保温4小时，断电后自然冷却至室温。
进一步地，所述结合剂采用聚乙烯醇。
在所述步骤(3)中，填充在立柱坯体周围的填充粉末，其颗粒度为65目，其中碳粉占1.2％。
再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于98％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
30～100目碳化硅粉末 45％；
1000-1100目碳化硅粉末 20％；
100～300目硅粉 16％；
100～300目碳粉 16％；
结合剂 3％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得连杆坯体或支架杆坯体；
(3)将所述连杆坯体或支架杆坯体置于烧结炉中，在所述连杆坯体或支架杆坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1700℃，保温5小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过100℃的速度，使制品继续升温至2600℃，保温6小时，断电后自然冷却至室温。
所述结合剂采用聚乙烯醇。在所述步骤(3)中，填充在连杆坯体或支架杆坯体周围的填充粉末，其颗粒度为70目，其中碳粉占1.5％。
实施例2
本实施例中，多孔再结晶碳化硅立柱的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于95％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
1000-1100目碳化硅粉末 36％；
100～300目硅粉 31％；
100～300目碳粉 31％；
结合剂 2％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得立柱坯体；
(3)将所述立柱坯体置于烧结炉中，在所述立柱坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1800℃，保温3小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过80℃的速度，使制品继续升温至2800℃，保温4小时，断电后自然冷却至室温。
进一步地，所述结合剂采用聚乙烯醇。
在所述步骤(3)中，填充在立柱坯体周围的填充粉末，其颗粒度为60目，其中碳粉占1.5％。
再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于98％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
30～100目碳化硅粉末 40％；
1000-1100目碳化硅粉末 22％；
100～300目硅粉 18％；
100～300目碳粉 18％；
结合剂 2％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得连杆坯体或支架杆坯体；
(3)将所述连杆坯体或支架杆坯体置于烧结炉中，在所述连杆坯体或支架杆坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1800℃，保温4小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过100℃的速度，使制品继续升温至2700℃，保温7小时，断电后自然冷却至室温。
所述结合剂采用聚乙烯醇。在所述步骤(3)中，填充在连杆坯体或支架杆坯体周围的填充粉末，其颗粒度65目，其中碳粉占1.3％。
本发明与现有技术相比，1、采用主要由再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架构成的炉架结构，一次能装载大量的坯料，较少窑具的用量，达到充分节能的目的；并且，载物架由连接于相邻两多孔再结晶碳化硅立柱之间的再结晶碳化硅连杆和固定在相对设置的两侧再结晶碳化硅连杆之间的再结晶碳化硅支架杆构成，能增加火焰的流动性，升温快，窑内温差小制得制品发色均匀，冷却时间更短，使用寿命更长。2、本发明的炉架采用再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架结构，其具有良好的抗震性能，适用于快速烧成工艺，而且抗氧化性好，在高温下具有足够的强度。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种再结晶碳化硅窑炉，包括炉体及其内设置的加热装置，其特征在于，所述炉体包括炉架及其外设置的罩壳，炉架包括四根呈四角分布的多孔再结晶碳化硅立柱、连接支撑于多根再结晶碳化硅立柱上的上、中、下层载物架，载物架由连接于相邻两多孔再结晶碳化硅立柱之间的再结晶碳化硅连杆和固定在相对设置的两侧再结晶碳化硅连杆之间的再结晶碳化硅支架杆，多根再结晶碳化硅支架杆平行设置，并相互之间留有间隔。
2.根据权利要求1所述的再结晶碳化硅窑炉，其特征在于，所述多孔再结晶碳化硅立柱为空心方柱，各个侧面从上往下依次等间隔分布通孔，再结晶碳化硅连杆的端部从多孔再结晶碳化硅立柱的一侧面通孔穿入，从该与侧面相对的另一侧面的通孔穿出，在多孔再结晶碳化硅立柱的下部设置有支撑座。
3.根据权利要求1所述的再结晶碳化硅窑炉，其特征在于，所述再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆均采用空心管结构。
4.根据权利要求1所述的再结晶碳化硅窑炉，其特征在于，多孔再结晶碳化硅立柱的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于95％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
1000-1100目碳化硅粉末 25％-40％；
100～300目硅粉 15％-40％；
100～300目碳粉 15％-40％；
结合剂 0.2％～5％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得立柱坯体；
(3)将所述立柱坯体置于烧结炉中，在所述立柱坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1750℃～1900℃，保温2～5小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过80℃的速度，使制品继续升温至2800℃，保温2～8小时，断电后自然冷却至室温。
5.根据权利要求1所述的再结晶碳化硅窑炉，其特征在于，所述结合剂采用聚乙烯醇。
6.根据权利要求1所述的再结晶碳化硅窑炉，其特征在于，在所述步骤(3)中，填充在立柱坯体周围的填充粉末，其颗粒度为60-75目，其中碳粉占1-1.5％。
7.根据权利要求1所述的再结晶碳化硅窑炉，其特征在于，再结晶碳化硅连杆和再结晶碳化硅支架杆的制备过程包括如下步骤，
(1)将纯度不低于98％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：
30～100目碳化硅粉末 40％-50％；
1000-1100目碳化硅粉末 10％-20％；
100～300目硅粉 10％-20％；
100～300目碳粉 10％-20％；
结合剂 0.2％～5％；
(2)将上述混合料加入模具中挤压成型，获得连杆坯体或支架杆坯体；
(3)将所述连杆坯体或支架杆坯体置于烧结炉中，在所述连杆坯体或支架杆坯体的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的立柱坯体外围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；
(4)将两石墨电极通电，利用立柱坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1500℃～2000℃，保温2～8小时；
(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过100℃的速度，使制品继续升温至2600℃，保温2～8小时，断电后自然冷却至室温。
CN201610509267.2A 2016-06-29 2016-06-29 再结晶碳化硅窑炉及其制备方法 Pending CN106247797A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610509267.2A CN106247797A (zh) 2016-06-29 2016-06-29 再结晶碳化硅窑炉及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610509267.2A CN106247797A (zh) 2016-06-29 2016-06-29 再结晶碳化硅窑炉及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106247797A true CN106247797A (zh) 2016-12-21

Family

ID=57613098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610509267.2A Pending CN106247797A (zh) 2016-06-29 2016-06-29 再结晶碳化硅窑炉及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106247797A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110451990A (zh) * 2019-09-06 2019-11-15 西北工业大学 一种常温下快速烧结制备金属氧化物织构陶瓷材料的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2164734B (en) * 1984-09-18 1988-05-25 Karl Dieter Kehl Kiln car superstructure
CN1994968A (zh) * 2006-12-15 2007-07-11 湖南大学 一种再结晶碳化硅制品的制备技术
CN202928370U (zh) * 2012-12-10 2013-05-08 广东顺祥陶瓷有限公司 一种烧结陶瓷制品用窑炉碳化硅支架
CN104501603A (zh) * 2014-12-29 2015-04-08 临沂临虹无机材料有限公司 新型节能陶瓷电容器烧结窑具及窑具材料的制造方法
CN205027134U (zh) * 2015-10-13 2016-02-10 潍坊华美精细技术陶瓷股份有限公司 反应烧结碳化硅陶瓷日用瓷承烧结构架

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2164734B (en) * 1984-09-18 1988-05-25 Karl Dieter Kehl Kiln car superstructure
CN1994968A (zh) * 2006-12-15 2007-07-11 湖南大学 一种再结晶碳化硅制品的制备技术
CN202928370U (zh) * 2012-12-10 2013-05-08 广东顺祥陶瓷有限公司 一种烧结陶瓷制品用窑炉碳化硅支架
CN104501603A (zh) * 2014-12-29 2015-04-08 临沂临虹无机材料有限公司 新型节能陶瓷电容器烧结窑具及窑具材料的制造方法
CN205027134U (zh) * 2015-10-13 2016-02-10 潍坊华美精细技术陶瓷股份有限公司 反应烧结碳化硅陶瓷日用瓷承烧结构架

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110451990A (zh) * 2019-09-06 2019-11-15 西北工业大学 一种常温下快速烧结制备金属氧化物织构陶瓷材料的方法
CN110451990B (zh) * 2019-09-06 2022-06-28 西北工业大学 一种常温下快速烧结制备金属氧化物织构陶瓷材料的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103708841B (zh) 高强度、高热震氧化铝空心球砖及其制备方法
CN104562192B (zh) 一种多晶硅锭的铸造方法
CN104744047B (zh) 一种反应烧结制备氮化硅坩埚的方法
CN104973869B (zh) 莫来石轻质隔热耐火砖及其生产方法
CN103234346A (zh) 一种低导热多层复合莫来石砖及其制备方法
CN103664199B (zh) 以聚碳硅烷为结合剂制备碳化硅耐火材料的方法
CN101386542B (zh) 一种SiC耐火材料及其生产方法
CN202199884U (zh) 一种水平型无马弗推杆式连续钎焊炉
CN107399988A (zh) 一种利用铝硅系工业废渣制备氧化铝‑碳化硅复合多孔陶瓷的方法
CN206553412U (zh) 一种适用于熔融渗硅法生产碳陶复合材料的碳碳工装
CN107162597A (zh) 一种浇注成型氮化硅结合碳化硅制品的配方及其制作方法
CN109626369A (zh) 一种石墨化炉关于焙烧工艺的应用
CN103074534A (zh) 一种金属陶瓷的制备方法
CN104163640B (zh) 低压铸造用高纯氮化硅陶瓷升液管的微波烧结制备方法
CN104844233A (zh) 一种燃烧炉用的特种耐火材料及其制备方法
CN106747446A (zh) 一种微波混合加热合成Al4SiC4粉体的新方法
CN106747447A (zh) 一种合成Al4SiC4粉体材料的新方法
Wu et al. Fabrication and properties of in-situ mullite-bonded Si3N4/SiC composites for solar heat absorber
CN106247797A (zh) 再结晶碳化硅窑炉及其制备方法
CN107500748A (zh) 一种镁铝尖晶石‑石墨烯耐火材料制品及其制备工艺
CN102557595A (zh) 激光立体成形氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法
CN104690389B (zh) 一种制备金刚石-铜复合材料的钎焊方法
CN102795620B (zh) 一种用于生产高纯石墨的加压焙烧炉
CN203657450U (zh) 一种利用一步法双推板窑生产钒氮合金的氮化烧结段装置
CN114773066A (zh) 一种增韧碳化硅陶瓷窑具平板制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161221

RJ01 Rejection of invention patent application after publication